#HBM #온디바이스AI #저전력 #맞춤설계

29일 업계에 따르면 일부 IT 기업들은 온디바이스AI 시장을 겨냥해 저전력 특성을 높인 HBM 설계를 요청하고 있다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 첨단 메모리다. 전기 신호를 통하게 하는 입출력 단자(I/O)를 1천24개로 기존 D램(최대 32개) 대비 크게 늘려, 대역폭을 크게 확장한 것이 특징이다. 대역폭이 높으면 데이터 처리 속도가 빨라진다.

현재 HBM은 고용량 데이터를 처리해야 하는 AI 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 엔비디아·AMD 등이 설계하는 서버용 GPU(그래픽처리장치)와 여러 개의 HBM을 집적한 AI 가속기가 대표적인 사례다.

나아가 HBM 시장은 향후 온디바이스 AI 등 저전력 특성이 강조되는 시장에 맞춰 설계될 수 있을 것으로 기대된다.

반도체용 소프트웨어 업계 관계자는 "최근 복수의 잠재 고객사들이 HBM의 대역폭을 낮추더라도 저전력 특성을 강화하는 방안을 제시해 왔다"며 "서버 만큼의 성능은 아니지만, 일부 엣지 단에서 HBM을 쓰고자 하는 요청이 적지 않다"고 밝혔다.

온디바이스 AI는 클라우드 및 데이터센터를 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 수행하는 기술이다. 삼성전자, 퀄컴, 인텔 등이 최근 온디바이스 AI 성능이 강조된 칩셋 및 제품을 잇따라 공개하면서 시장 안착에 속도를 붙이고 있다.

AI 반도체 기업 고위 임원은 "모바일이나 오토모티브 등을 겨냥한 엣지용 AI 칩셋도 향후 HBM과 결합될 가능성이 충분히 높다고 본다"며 "아직까진 설계 초기 단계이기는 하나 막연하게 먼 미래가 아닌 시장에서 가시적으로 실체가 나타나고 있는 상황"이라고 말했다.

https://zdnet.co.kr/view/?no=20240129134806

#SK하이닉스 #북미 #엔비디아 #HBM #루머

- SK하이닉스가 GPU 고객들에게 HBM를 제공하기 위해 미국 인디애나주에 첨단 시설을 계획하고 있는 것으로 알려짐

https://www.digitimes.com/news/a20240202PD204.html

#HBM #Towa

* 일본 Towa, 한국으로부터 최대 규모의 칩 제조 기계 주문 기대

- Towa의 사장 겸 CEO인 Hirokazu Okada는 인터뷰에서 "올해 3월에 끝나는 이번 회계연도에 한국 칩 제조업체로부터 총 20개 이상의 기계 주문이 있을 것으로 예상하고 있다"라고 언급.

- 이러한 특정 기계는 주로 HBM 솔루션에 사용되나 다른 용도로도 사용된다고 설명

https://asia.nikkei.com/Business/Technology/Japan-s-Towa-eyes-biggest-chipmaking-machine-order-from-South-Korea

#SK하이닉스 #TSMC #HBM

SK하이닉스·TSMC '삼성 견제 동맹'

SK하이닉스와 대만의 TSMC가 'AI 반도체 동맹'을 구축했다. SK하이닉스는 생성형 인공지능(AI) 열풍을 타고 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 강자로 떠오른 기업이고, TSMC는 세계 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 기업이다. 차세대 AI 반도체 패키징에 기술력을 모아 AI 반도체 시장에서 두 회사가 승기를 굳히겠다는 전략이다.

이 같은 AI 반도체 동맹은 삼성전자에 대항해 연합전선을 구축하기 위한 차원으로 해석된다.

7일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 TSMC와 6세대 HBM인 HBM4 관련 개발협력을 포함해 '원팀 전략'을 수립했다. 두 회사는 AI 반도체 시장을 장악하고 있는 엔비디아와 함께 각자 시장에서 영향력을 키우고 있다. TSMC는 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)를 위탁생산하면서 시장을 장악하고 있고, SK하이닉스는 GPU의 연산을 지원하는 HBM 시장에서 점유율이 절반을 넘어서고 있다. 두 회사 간 협력은 차세대 HBM으로 꼽히는 HBM4 일부 공정을 TSMC가 담당하는 방식으로 물꼬를 틀 것으로 관측된다. TSMC는 이를 바탕으로 기존 제품에 비해 호환성을 대폭 개선할 수 있도록 패키징 전략을 추진할 전망이다.

안기현 한국반도체산업협회 전무는 "앞으로 AI 반도체 시장이 성장하는 원동력이 될 것"이라고 말했다. 이어 "SK하이닉스와 TSMC 협력은 반도체 업계에 미치는 파급력이 클 것"이라고 설명했다.

https://n.news.naver.com/article/009/0005256171?sid=105

#SK하이닉스 #HBM

[단독] "HBM 먼저"… SK하이닉스 '이천 낸드→청주 이동' 보류

SK하이닉스가 이천 팹(Fab) 낸드플래시 인력을 청주로 이동하는 방안을 잠정 보류했다. 수요 개선이 지연되고 있는 낸드보다 청주 팹에서 생산능력 확대 작업을 한창 진행 중인 HBM(고대역폭메모리)에 우선순위를 두는 전략으로 풀이된다.

14일 반도체업계에 따르면 SK하이닉스는 지난해 하반기부터 추진해오던 이천 낸드 생산 조직을 청주로 이동하는 방안을 잠정 중단했다. 청주행이 결정됐던 이천 낸드 인력들은 최근 이 같은 결정에 다시 이천에서 근무를 이어가고 있다.

SK하이닉스는 청주 팹을 낸드 생산 거점으로 삼기 위해 이천에 일부 흩어져있던 낸드 생산 인력을 청주로 합치는 방안을 추진했다. 이천에 남아있는 낸드 라인은 D램으로 전환해 이천 팹은 D램, 청주는 낸드 생산으로 이원화하는 계획이다.

지난해 7월엔 곽노정 최고경영자(CEO) 주관으로 열린 임직원 소통행사에서 이 같은 사실을 공지하고 연말까지 이천 낸드 인력들이 청주로 이동을 준비했다. 이동이 확정된 일부 직원들 사이에서 반발이 있기도 했지만 생산효율성을 높이기 위해 D램과 낸드 생산거점을 따로 운영할 필요성에 따라 이전이 확정됐다.

하지만 연말께 이 같은 계획에 변화가 생겼다. 지난해 SK하이닉스는 급증하는 AI(인공지능) 반도체 수요에 힘 입어 여기에 필수로 탑재되는 HBM 생산을 대폭 늘리기 시작했는데, 올해부턴 더 급격한 수요 증가가 예상되며 HBM 생산에 역량을 총 동원할 필요성이 커졌다.

https://biz.newdaily.co.kr/site/data/html/2024/02/14/2024021400073.html#:~:text=SK%ED%95%98%EC%9D%B4%EB%8B%89%EC%8A%A4%EA%B0%80%20%EC%9D%B4%EC%B2%9C%20%ED%8C%B9,%EB%91%90%EB%8A%94%20%EC%A0%84%EB%9E%B5%EC%9C%BC%EB%A1%9C%20%ED%92%80%EC%9D%B4%EB%90%9C%EB%8B%A4.

#SK하이닉스 #HBM

SK하이닉스, 16단 HBM3E 기술 첫 공개…1등 자신감

SK하이닉스가 이달 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다. 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율 1위인 SK하이닉스는 선단 기술을 공개함으로써 기술 리더십을 입증할 계획이다.

이달 18일부터 22일까지 미국 샌프란시스코에서 개최되는 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다.

SK하이닉스는 ISSCC 2024 기간 중 당일 오전 열리는 메모리 세션에서 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 공개한다. 16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 향상된 기술이다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 12단 HBM3E 샘플을 고객사에 공급했고 올해 상반기에 본격 양산할 계획이다. 또 올해 16단 HBM4를 개발해 2026년 양산에 돌입할 예정이다. 이에 앞서 SK하이닉스는 컨퍼런스에서 16단 HBM3E 기술을 먼저 선보인다.

https://zdnet.co.kr/view/?no=20240214092520#_across

#삼성전자 #HBM #MUF

삼성, 반도체 패키징에 MUF 도입 추진

19일 업계에 따르면 삼성전자는 실리콘관통전극(TSV) 공정에 MUF 소재 도입을 검토하는 것으로 파악됐다. MUF는 반도체에 수천개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 TSV 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료다. 수직으로 쌓아올린 여러 개의 반도체를 단단히 굳혀 접합하는 역할을 한다. 삼성은 이 MUF를 단단하게 만들 수 있는 경화(몰딩) 장비를 일본에서 최근 구매한 것으로 알려졌다.

삼성은 그동안 반도체를 수직 연결할 때 독자 개발한 비전도성 접착 필름(NCF)을 사용해왔다. NCF는 반도체 사이사이에 내구성 강한 필름을 넣어 칩이 휘어지는 현상을 방지하는 것이다. NCF는 TSV를 뒷받침하는 핵심 소재로 쓰였으나 다루기가 까다로워 생산성이 떨어진다는 지적도 받았다.

삼성이 새로운 소재 적용을 검토하는 것은 공정을 개선하고 생산성을 높이려는 시도로 풀이된다. SK하이닉스도 2세대 HBM까지는 NCF를 썼으나 3세대(HBM2E)부터 MUF(구체적으로 매스리플로우 몰디드언더필·MR-MUF)로 전환했다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 두각을 나타낼 수 있던 배경에 MUF가 꼽히는 만큼, 삼성도 새로운 기술 개발 및 도입을 모색하는 것으로 풀이된다.

삼성 사정에 밝은 반도체 업계 관계자는 “삼성이 보고 있는 MUF 소재가 SK하이닉스와 완전 동일한 기술은 아닌 것으로 안다”며 “여러 선택지를 두고 최적의 기술 방식을 검토하고 있는 것 아니겠냐”고 평가했다.

삼성전자가 MUF를 적용할 지 미지수지만 상용화가 되면 반도체 소재·부품·장비 업계 미칠 파급력은 클 것으로 관측된다. 삼성은 세계 최대 메모리 반도체 기업이다. SK하이닉스에 이어 삼성이 MUF를 도입하면 MUF가 대세 기술로 떠올라 소부장 시장이 크게 달라질 수 있다.

https://www.etnews.com/20240219000277

#SK하이닉스 #HBM

[단독]SK하이닉스, 3월 세계 최초 HBM3E 양산

SK하이닉스가 오는 3월 세계 최초로 5세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E 양산을 시작한다. 다음달 중 초도물량을 엔비디아에 공급한단 계획이다. 메모리반도체 빅3(삼성전자·SK하이닉스·마이크론) 가운데 SK하이닉스가 가장 먼저 HBM3E의 양산과 공급사 납품에 들어가면서 지난해에 이어 올해도 이어지는 글로벌 HBM 경쟁에서 승기를 잡았다.

20일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 1월 중순 HBM3E 개발을 공식 종료했다. 반년에 걸쳐 진행된 엔비디아의 성능 평가를 무사히 마친 것이다.

반도체 제품 개발은 총 9단계(Phase 1~9)로 나뉘는데, 현재 모든 과정을 완료하고 마지막 단계인 램프업(생산량 증대)에 들어갔다. 개발 종료란 정확히는 램프업까지 마무리된 것을 의미하지만, 성능 면에서 이제부터 생산되는 HBM3E들은 모두 엔비디아 납품이 즉각적으로 가능한 수준을 갖췄다는 의미다. SK하이닉스는 3월 중 엔비디아의 최종 제품 품질 인증을 획득하고, 바로 양산과 납품에 착수한다.

SK하이닉스의 HBM3E 양산은 '세계 최초이자 유일'이라는 타이틀을 모두 만족시킨다. 경쟁사인 삼성전자와 마이크론도 현재 엔비디아에 HBM3E 샘플을 제공한 상태지만, 납품 가능한 품질인지 확인하는 최종 퀄(qualification)테스트 돌입 시기는 3월로 예상된다. SK하이닉스가 이미 1월 중 최종 퀄 테스트를 거쳐 3월엔 납품을 하는 만큼 로드맵 상 최소 2개월 이상 앞서는 셈이다.

SK하이닉스가 제공하는 HBM3E는 엔비디아가 올해 2분기 말 또는 3분기 초 출시할 예정인 차세대 AI(인공지능)용 GPU(그래픽처리장치) B100에 들어간다. 엔비디아는 AI GPU 글로벌 시장 점유율 90% 이상을 차지하는 독점 기업으로, 메모리반도체 업체로선 엔비디아에 HBM을 공급하는 것이 곧 '기술력 1위'라는 위상 획득·강화로 연결된다. 반도체 업계 관계자는 "최근 나간 SK하이닉스의 HBM3E 샘플들이 엔비디아의 최종 스펙을 충족시켰다"며 "출격 준비를 마쳤다"고 말했다. SK하이닉스 측은 "고객사 관련 사항은 어떠한 것도 확인할 수 없다"고 말했다.

https://n.news.naver.com/mnews/article/008/0005001168?rc=N&ntype=RANKING

#삼성전자 #HBM

삼성이 모신 TSMC 전문가, HBM 핵심 맡는다

20일 업계에 따르면 지난해 3월 삼성전자가 영입한 TSMC 출신 린준청 어드밴스드패키지(AVP)팀 개발실 부사장이 6세대 제품인 HBM4 개발에 합류했다. 린 부사장은 삼성전자 천안사업장에서 2025년 시제품 출시를 목표로 개발 중인 HBM4 12단·16단 제품 생산에 필요한 '하이브리드 본딩' 기술을 비롯한 각종 선단 패키지기술을 연구개발(R&D) 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 2026년 HBM4 양산을 목표로 하고 있다.

삼성전자 린 부사장은 자타공인 업계 최고의 패키징 전문가다. 현재 TSMC가 강세인 3차원(3D) 패키징기술의 기반을 닦았다는 평가가 나온다. 린 부사장은 19년간 TSMC 재직 후 미국 마이크론에서 HBM 어드밴스드 패키지 R&D 조직과 파일럿 라인 구축을 담당했으며, 3세대 제품인 HBM2E(4단·8단·12단)의 개발과 생산을 총괄하며 마이크론의 HBM 진출을 도운 것으로 전해진다.

린 부사장이 개발을 이끄는 하이브리드 본딩 기술은 고용량·고적층 HBM에 필수적인 기술로, 기존 마이크로범프로 칩과 칩을 수직 적층했던 것과 달리 구리를 통해 직접 연결하는 방식이다. 현재 HBM은 기존 방식으로 최대 12단까지 쌓을 수 있으나 16단 이상 적층에는 △신호전달 지연 △전력소모 △휨 현상 등 치명적 단점이 있다. 하이브리드 본딩이 이런 HBM의 한계를 타개할 '열쇠'로 주목받으면서 업계에서는 차세대 HBM 제품 개발의 성패를 가를 핵심기술로 보고 있다.

삼성전자는 린 부사장을 주축으로 천안사업장에서 구리를 이용한 하이브리드 본딩 기술개발에 박차를 가하는 것으로 전해진다. 삼성전자는 최근 HBM4 관련 패키지기술 개발 박차를 위한 경력사원 모집에 나서며 관련 인재풀 확대에도 나섰다.

https://www.fnnews.com/news/202402201831255353

#삼성전자 #HBM

[단독] 삼성전자 "HBM4, 데이터 전송 속도 66% 증가한다"

22일 업계에 따르면 손교민 삼성전자 마스터는 지난 18일(현지 시간) 미국 샌프란시스코에서 개막한 반도체 학술대회 'ISSCC 2024'에 참석해 HBM4에 관한 연구 성과를 발표했다. ISSCC 2024는 업계에서 '반도체 산업의 올림픽'으로 일컬어지는 세계적인 기술 학회다. 구글·엔비디아·SK하이닉스 등 내로라하는 정보기술(IT) 업체와 세계 석학들이 반도체 연구 성과에 대해 발표하는 자리다.

이 학회에서 손 마스터는 AI 시대에 각광 받을 메모리에 대해 소개하면서 HBM4 연구 성과를 발표했다. 삼성전자는 차세대 HBM 로드맵을 외부에 공개한 적은 있으나 각종 성능까지 구체적으로 제시한 적은 처음이다. 손 마스터는 우선 HBM4의 대역폭이 전작인 5세대 HBM(HBM3E)보다 66% 늘어난 초당 2테라바이트(TB)가 될 것이라고 설명했다. 대역폭은 데이터가 메모리 안팎을 드나들 때 속도를 뜻한다. HBM4에서는 전작보다 데이터 출입구(I·O)수를 현재보다 2배 늘리고 각 출입구의 전송 속도를 끌어올려 대역폭 개선을 노릴 것으로 보인다.

HBM4의 단수와 용량 역시 발전할 것이라고 역설했다. 현존하는 삼성전자의 5세대 HBM 최대 용량은 D램을 12단 쌓아올린 36GB 수준이다. HBM는 4층을 더 쌓은 16단으로 48GB 용량을 구현한다.

https://m.sedaily.com/NewsView/2D5GKXJQMK#cb

#삼성전자 #LG화학 #HBM #NCF

삼성, HBM 접합 소재 이원화 추진…LG화학과 차세대 NCF 개발

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)를 수직 적층할 때 쓰는 접합 소재 '비전도성접착필름(NCF)' 공급망을 이원화한다. 기존 일본에서 전량 들여왔던 NCF를 국산화하고, 공급 업체를 추가할 계획이다. 차세대 NCF를 LG화학과 개발 중인 것으로 확인됐다.

28일 업계에 따르면 삼성전자와 LG화학은 HBM 발열을 최소화하고 기존보다 얇은 NCF를 개발하고 있다. NCF는 D램을 여러 단 쌓는 HBM에 쓰이는 소재다. D램에 초미세 구멍을 뚫는 실리콘관통전극(TSV) 공정 후 위·아래로 접합할 때 사용한다. 삼성전자는 열압착(TC) 방식으로 NCF를 붙이고 있다. 마이크론도 NCF 방식이며, SK하이닉스는 다른 소재(MUF)를 사용 중이다.

삼성전자는 일본 소재업체 레조낙(옛 쇼와덴코)이 만든 NCF를 들여오고 있다. 삼성 반도체 소재·부품·장비 공급망 가운데는 이례적으로 단독으로 공급체계(솔 벤더)다. 삼성전자가 LG화학과 NCF를 개발하는 건, 핵심 소재에 대한 의존도를 낮추기 위한 것으로 풀이된다. HBM 제조에 꼭 필요한 소재인 만큼 공급망을 안정화하기 위해서다.

삼성이 단순 공급망 확대에 그치지 않고, 차세대 제품을 LG화학과 공동 개발하는 점도 주목된다. HBM에서 NCF는 발열과 반도체 높이를 좌우하는 핵심 요소다. 발열을 개선하고 보다 얇게 만들어 HBM 높이를 낮추려는 삼성의 개발 의지와 공급망을 국내 두려는 계획이 복잡적으로 작용한 것으로 해석된다.

최근 엔비디아 뿐 아니라 인텔과 AMD 그리고 신생 AI 반도체 기업까지 등장하면서 AI 반도체용으로 HBM에 대한 수요가 크게 늘고 있다. 삼성전자는 이에 올해 HBM 생산능력을 지난해보다 2.5배 늘리기로 했다. 생산량 확대에 따라 NCF 사용량도 급증이 예상된다.

https://www.etnews.com/20240228000307

#SK하이닉스 #키옥시아 #HBM

SK하이닉스, 日 키오시아와 'HBM 동맹'

4일 지지통신 등 외신들은 SK하이닉스가 키오시아에 HBM을 공동 생산하는 방안을 제안했다고 보도했다. 키오시아는 합병을 추진하고 있는 미국 웨스턴디지털(WD)과 이 제안에 대해 협의하는 것으로 전해졌다.

키오시아가 SK하이닉스의 제안을 받아들일 경우 생산은 키오시아의 요카이치와 기타카미 공장이 될 것으로 점쳐진다. 성사되면 두 회사 모두에 윈윈이 될 것이라고 외신들은 분석했다. SK하이닉스는 증설 없이 급증하는 HBM 수요에 대응할 수 있고, 키오시아는 낸드플래시 생산라인을 첨단 반도체인 HBM으로 전환할 수 있어서다.

https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0004955488?rc=N&ntype=RANKING

#중국 #HBM

* 중국 파운드리 업체 XMC, HBM 메모리 생산 라인 준비중인 것으로 알려짐

- XMC는 2016년 칭화유니그룹에 인수된 회사. 칭화유니그룹은 이 인수를 통해 정부 투자를 받았고 YMTC를 설립함.

https://www.digitimes.com/news/a20240307PD216/wuhan-xinxin-china-hbm-production-ymtc.html

#SK하이닉스 #HBM #차량용반도체

車 날개 단 SK하이닉스 HBM, 이젠 자율주행에도 적용

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 영역을 기존 서버에서 엣지 단으로 확장하기 위한 준비에 나섰다. 차량 내부에 HBM을 탑재하기 위해, 차량용 반도체 안전 표준인 'AEC-Q100'를 획득한 것으로 알려졌다.

12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 차량용 반도체 솔루션 제품군에 HBM 제품을 신규 추가했다.

SK하이닉스는 HBM2E를 이번 차량용 반도체 솔루션을 소개하는 자료에 포함시켰다. 구체적으로는 HBM2E를 'AEC-Q100' 등급 2, 3을 획득했다고 기술했다.

AEC-Q100은 차량용 반도체의 신뢰성 및 안전을 정하는 표준이다. 동작온도 범위에 따라 0~3등급으로 나뉜다. 2등급은 -40~105°C, 3등급은 -40°~85°C 온도 내에서 작동할 수 있다는 것을 뜻한다.

SK하이닉스는 HBM2E의 용도를 'ADAS(첨단운전자보조시스템)'으로 명시하며 "가속기 및 AI 주행 시스템용으로 최적화된 프리미엄 메모리 솔루션"이라고 밝혔다.

업계는 SK하이닉스의 이 같은 움직임이 HBM의 시장 영역을 고성능 엣지 AI 영역으로 확장하기 위한 준비로 보고 있다.

https://zdnet.co.kr/view/?no=20240312110333

#HBM #수율

* HBM에서 삑나는게 많아져서 그런지.. DDR5 Server 향 256GB 제품의 프리미엄이 상당한 상황

"1%P 차이가 수백억 좌우" HBM 수율 경쟁

삼성·SK, 양산 앞두고 정확도 주력
적층과정서 한곳 불량땐 모두 폐기
D램수율 90%일때 HBM 60% 그쳐

HBM 업계 선두인 SK하이닉스의 HBM 수율도 60%대에 그치는 것으로 알려졌다. 일반 D램 수율이 90%를 웃도는 것과 비교하면 낮다. 여타 메모리와 달리 반도체에 구멍을 뚫은 뒤 실리콘관통전극(TSV)으로 여러 개의 반도체를 수직으로 쌓는 복잡한 추가 공정이 뒤따라 여러 과정 중 한 곳에서만 불량이 생겨도 양품의 다른 칩도 함께 폐기해야 하는 구조다. 각 단계의 수율이 조금만 낮아지거나 높아져도 전체 수익성에 큰 영향을 준다. 한 업계 관계자는 “앞으로 HBM의 적층 수가 더 늘어날 것이기 때문에 단 1~2%의 차이는 곧 수백억 원의 매출 차이로 이어질 수 있다”고 말했다.

https://www.sedaily.com/NewsView/2D6LW2SQSV

#마이크론 #HBM #Capa #수율

5세대 HBM 생산 필수 TSV 공정 경험 부족
생산능력·수율 부진할 듯
"삼성·SK하이닉스는 월 12만~13만장"

대만 시장조사업체 트렌드포스는 19일 "올해 웨이퍼 기준 HBM 생산능력을 삼성전자 월 13만장, SK하이닉스 월 12만∼12만5000장"으로 예측하면서 마이크론에 대해선 "월 2만장 수준"이라고 내다봤다. 이어 "삼성과 SK하이닉스는 올 연말까지 가장 공격적인 HBM 생산 계획을 갖고 있다"고 분석했다. 마이크론에 대해선 별도 언급을 하지 않았다.

마이크론은 앞서 4세대(HBM3)를 건너뛰고 5세대 HBM(HBM3E)으로 직행한다고 밝혀 주목을 받은 바 있다. 그러나 업계에선 마이크론의 생산능력이 시장의 예상치를 밑도는 것으로 보고 있다. 증권사를 중심으로 마이크론이 올해 말 월 4만장 수준의 캐파를 갖출 것이라는 예상이 많았다.

https://n.news.naver.com/article/277/0005394003

#펨트론 #HBM #리드탭 #CXL

펨트론, HBM 이어 CXL 관련 장비 준비 완료…리드탭 인라인 검사장비는 추가 공급 논의

펨트론이 올해 반도체, 이차전지 장비 양 분야에서 본격적인 수주를 통한 매출 증가 기대감이 높아지고 있다.

고대역폭메모리(HBM) 생산성 3배 이상 향상 시킬 수 있는 관련 장비를 개발 생산 중인 펨트론이 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 관련 장비도 준비 가능한 것으로 관측된다.

여기에 세계 최초 리드탭 인라인 검사장비 품질 테스트가 마무리됐다. 장비의 성능을 확인하는 품질 테스트를 통과하면 대량공급의 발판이 마련된다. 실제로 펨트론은 추가 공급에 대해 논의 단계에 돌입했다.

펨트론 관계자는 “리드탭 인라인 검사장비 퀄(품질) 테스트는 실질적으로 끝났다”라며 “추가 공급을 논의 중으로 고객사 요청이 있으면 양산이 가능하다”라고 말했다.

최신 기술인 HBM과 차세대 메모리저장장치 통신규격으로 부각된 CXL 관련 장비도 준비가 완료된 것으로 관측된다.

CXL은 컴퓨팅 시스템에서 중앙처리장치(CPU)와 메모리, 그래픽처리장치(GPU), 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위한 새로운 인터페이스다. CXL 인터페이스에선 메모리와 저장장치(SSD) 모두 기존 SSD 슬롯을 사용할 수 있는 것으로 알려져 있다.

https://www.etoday.co.kr/news/view/2342429

#SK하이닉스 #청주 #M15X #HBM

SK하이닉스, 멈췄던 청주 반도체 공장 건설 재개

https://biz.sbs.co.kr/article/20000167268?division=NAVER

#hbm
- Foundry 팀의 CoWoS 용량 업데이트 이후 HBM 수급 전망은 2024년에 공급 부족, 2025년에는 완화되지만 수요를 초과할 정도의 공급 성장은 없을 것으로 예상 (2024/25년 공급 과잉 비율 1%/3%)
- GPU 기반 수요 예측을 수정하면서 과도하게 부풀려진 HBM 콘텐츠 가정을 낮춰 HBM 총 시장 규모(TAM)를 2024/25년에 2-3% 감소로 조정
- NVDA/AMD의 고급형 GPU 출하량 증가가 HBM 콘텐츠 감소를 상쇄할 것으로 예상하며, 2025년까지 HBM 공급 상황은 타이트할 전망
- 2025년 상반기부터 HBM4 양산 및 2026년 HBM 수요 가시성이 핵심 지표가 될 것으로 예상, 투자자들은 HBM 수요 지속 가능성에 대한 우려를 가지고 있음
- 삼성은 2024년 말 HBM4 테이프아웃을 발표하고, 2025년 양산을 목표로 하고 있음
- SK하이닉스는 2025년 하반기에 HBM4 양산 계획, 12-Hi HBM4는 MR-MUF를, 16-Hi HBM4는 MR-MUF와 하이브리드 본딩을 고려 중
- 두 메모리 업체는 384GB HBM 콘텐츠를 탑재한 NVDA의 Rubin GPU (2026년 출시 예정)에 적합한 제품을 목표로 하고 있음 (B200 HBM의 192GB보다 2배)

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- 공급추정은 상향, 타겟시장은 축소
- 올해 말부터 oversupply,,, 🫠