🔖 Рассказываем об отдельных статьях выпуска № 4, 2024 журнала Modern Electronic Materials

Ramazanov Sh., Gajiev G., Selimov D., Gadzhimuradov S., Suleymanov S., Ţălu Ş., Matos R.S., da Fonseca Filho H.D. Additive contribution of multiferroic film and semiconductor substrate from nanotube array to resistive switching, topographic features. Modern Electronic Materials. 2024; 10(4): 207-216. https://doi.org/10.3897/j.moem.10.4.136067

В статье изучена структура BiFeO3/TiO2-NTs.

Результаты:

1️⃣ В гетероструктуре BiFeO3/TiO2-NTs (BFOT), полученной методом атомно-слоевого осаждения, в ходе фазового превращения анатаз/рутил, происходит перераспределение атомов Fe/Ti и образование локальных неоднородностей и центров захвата заряда.

2️⃣ Эффект резистивного переключения в BFOT демонстрирует нелинейные вольт-амперные характеристики. Отрицательное дифференциальное сопротивление возникает, вероятно, из-за оксидного диэлектрического слоя BFO.

3️⃣ Поверхность BFOT демонстрирует топографические изменения, которые соответствуют нормальности, а распределение топографических высот демонстрирует квазинормальное поведение.

5️⃣ Самоаффинные свойства BFOT подтверждаются экспоненциальным уменьшением автокорреляционных функций, а функционалы Минковского подчеркивают сложную и нерегулярную природу топографических особенностей.

MoEM | Подписаться
⚡️ Ссылка на статью ⚡️

___________________________
#Полупроводники #НаучныеСтатьи #МатериалыЭлектроннойТехники #MoEM