(6) Планарные 2D- и pFET транзисторы узла A3
Параллельно идут разработки по внедрению 2D-материала в технологический узел A3 imec. Здесь ожидается постепенный переход к CMOS 2.0, что позволит вновь вернуться к прогрессу в рамках закону Мура, внедряя гибридную интеграцию в вычислительную систему на кристалле (SoC) [11].
Этого планируется достигнуть за счет разбиения SoC на различные функциональные слои (с помощью STCO) и их объединения с использованием передовых методов 3D-упаковки и технологий, использующих тыльную сторону. Вместо использования самых передовых узлов в каждой функциональной части SoC, можно формировать функциональные слои с использованием наиболее подходящих для этого технологий. В частности, слои, требующие экстремальной плотности узлов (например, плотная логика) будут формироваться с использованием самой передовой технологии, например, CFET).
CMOS 2.0 позволяет плавно внедрять 2D-материалы в различные слои SoC. Например, силовые переключатели как часть активных межсоединений на тыльной стороне пластины или планарные устройства MX2 как часть слоев "пирога памяти". (..)
На картинке (горизонтальной) - пример возможного разделения SoC в эпоху CMOS2. Другая картинка (вертикальная) - техпроцесс A3 imec.
Параллельно идут разработки по внедрению 2D-материала в технологический узел A3 imec. Здесь ожидается постепенный переход к CMOS 2.0, что позволит вновь вернуться к прогрессу в рамках закону Мура, внедряя гибридную интеграцию в вычислительную систему на кристалле (SoC) [11].
Этого планируется достигнуть за счет разбиения SoC на различные функциональные слои (с помощью STCO) и их объединения с использованием передовых методов 3D-упаковки и технологий, использующих тыльную сторону. Вместо использования самых передовых узлов в каждой функциональной части SoC, можно формировать функциональные слои с использованием наиболее подходящих для этого технологий. В частности, слои, требующие экстремальной плотности узлов (например, плотная логика) будут формироваться с использованием самой передовой технологии, например, CFET).
CMOS 2.0 позволяет плавно внедрять 2D-материалы в различные слои SoC. Например, силовые переключатели как часть активных межсоединений на тыльной стороне пластины или планарные устройства MX2 как часть слоев "пирога памяти". (..)
На картинке (горизонтальной) - пример возможного разделения SoC в эпоху CMOS2. Другая картинка (вертикальная) - техпроцесс A3 imec.
(7) Нанолисты GAA и CFET на основе 2D
Идут разработки того, о чем говорилось выше в условиях чистой комнаты, где налажен процесс работы с пластинами 300 мм. В то же время imec занимается и темой внедрения 2D-материалов в качестве каналов проводимости в транзисторы на основе нанолистов GAA. Эти исследования проводятся лабораторно, но при этом используются совместимые с контрактным производством инструменты и процессы.
Цель этих исследований - изучение влияния интеграции 2D-материалов на модули, специфичные для нанолистов, что может потребоваться в CFET в долгосрочной перспективе. Подумайте, например, о высвобождении каналов нанолистов, формировании внутреннего спейсера и этапе интеграции затвора с заменяющим металлом. (..)
Идут разработки того, о чем говорилось выше в условиях чистой комнаты, где налажен процесс работы с пластинами 300 мм. В то же время imec занимается и темой внедрения 2D-материалов в качестве каналов проводимости в транзисторы на основе нанолистов GAA. Эти исследования проводятся лабораторно, но при этом используются совместимые с контрактным производством инструменты и процессы.
Цель этих исследований - изучение влияния интеграции 2D-материалов на модули, специфичные для нанолистов, что может потребоваться в CFET в долгосрочной перспективе. Подумайте, например, о высвобождении каналов нанолистов, формировании внутреннего спейсера и этапе интеграции затвора с заменяющим металлом. (..)
(8) Полученные знания и опыт создания низкопроизводительных полевых транзисторов на базе MX2: перенос слоев, интеграция pFET, повышенная надежность
Шаблонный рост и перенос слоев материалов 2D - это интересный подход к нанесению высококачественных слоев двумерных материалов на 300-мм целевые пластины при температурах ниже 400 °C. При шаблонном росте используется «шаблонная» подложка (например, сапфир), чтобы направить рост двумерных материалов в одну ориентацию монокристалла. После этого сверхтонкие слои, охватывающие всю поверхность 300-миллиметровой пластины, необходимо перенести на целевую пластину без разрыва.
На выставке 2024 VLSI компания imec продемонстрировала технологический процесс сухого переноса MX2 размером 300 мм, который впервые привел к повторяемому процессу с превосходной однородностью по всей пластине (>99,5% морфологического выхода) [12]. Кроме того, было заметно сохранено количество дефектов по сравнению с другими подходами к переносу слоев.
Ключом к получению этих прорывных результатов является использование инициирования фронта связи (bond front initiation) во время эффективного соединения (performant bonding) и фотонного отсоединения во время высвобождения временного носителя. Инициирование фронта связи основано на первом приложении силы связи в центре пластины, которая затем распространяется к краям. Было показано, что эти методы уменьшают образование пустот, улучшают однородность соединения и дают мало остатков или вообще их не дают.
На картинке показан процесс сухого переноса, включающий формирование фронта связи и фотонный дебондинг (фотонное отсоединение). В этом тесте в качестве шаблонной подложки для выращивания пленки MX2 использовалась пластина Si/SiO2.
В imec уверены, что это показывает, что перенос слоя - жизнеспособный вариант для 2D-напыления материалов. Предлагаемый техпроцесс использует совместимые с пластинами 300 мм этапы изготовления, которые хорошо известны в производстве микросхем, в контексте 3D SoC и интеграции чиплетов. (..)
Шаблонный рост и перенос слоев материалов 2D - это интересный подход к нанесению высококачественных слоев двумерных материалов на 300-мм целевые пластины при температурах ниже 400 °C. При шаблонном росте используется «шаблонная» подложка (например, сапфир), чтобы направить рост двумерных материалов в одну ориентацию монокристалла. После этого сверхтонкие слои, охватывающие всю поверхность 300-миллиметровой пластины, необходимо перенести на целевую пластину без разрыва.
На выставке 2024 VLSI компания imec продемонстрировала технологический процесс сухого переноса MX2 размером 300 мм, который впервые привел к повторяемому процессу с превосходной однородностью по всей пластине (>99,5% морфологического выхода) [12]. Кроме того, было заметно сохранено количество дефектов по сравнению с другими подходами к переносу слоев.
Ключом к получению этих прорывных результатов является использование инициирования фронта связи (bond front initiation) во время эффективного соединения (performant bonding) и фотонного отсоединения во время высвобождения временного носителя. Инициирование фронта связи основано на первом приложении силы связи в центре пластины, которая затем распространяется к краям. Было показано, что эти методы уменьшают образование пустот, улучшают однородность соединения и дают мало остатков или вообще их не дают.
На картинке показан процесс сухого переноса, включающий формирование фронта связи и фотонный дебондинг (фотонное отсоединение). В этом тесте в качестве шаблонной подложки для выращивания пленки MX2 использовалась пластина Si/SiO2.
В imec уверены, что это показывает, что перенос слоя - жизнеспособный вариант для 2D-напыления материалов. Предлагаемый техпроцесс использует совместимые с пластинами 300 мм этапы изготовления, которые хорошо известны в производстве микросхем, в контексте 3D SoC и интеграции чиплетов. (..)
(9) Перенос слоев, примененный к лабораторным нанолистам GAA: хорошее соответствие слоев и качество
Команда imec применила знания, полученные при переносе слоев на планарных устройствах, к тестовым носителям нанолистов GAA. Утверждается, что так удалось получить лабораторные nFET MX2 с превосходным соответствием, однородностью и качеством слоев. Перенос слоев — интересный подход к формированию каналов нанолистов (а также может использоваться в перспективе и для CFET), который предпочтительно выполнять при температурах ниже 600 °C.
Кроме того, на IEDM 2024 imec впервые сообщила о функциональных многослойных нанолистовых FET с каналами MoS2, сформированными с помощью переноса слоев на 300-миллиметровые целевые пластины. Устройство показывает сопоставимый Ion (~451 мкА/мкм) и рекордный коэффициент включения-выключения (>10^9) по сравнению с современным уровнем техники. Знания, полученные в рамках экспериментов с планарными устройствами, использовались для разработки критически важных модулей, включая модуль затвора [13].
В качестве альтернативы imec исследует прямой рост 2D-материалов при пониженных температурах, что может обеспечить получение слоев хорошего качества, но только при осаждении на меньших, выборочных участках. (..)
Рисунок 6 – Поперечное сечение в ПЭМ монослойного нанолиста MoS2 с металлом high-k и затвором, полностью обернутым вокруг канала (представлено на IEDM 2024).
Команда imec применила знания, полученные при переносе слоев на планарных устройствах, к тестовым носителям нанолистов GAA. Утверждается, что так удалось получить лабораторные nFET MX2 с превосходным соответствием, однородностью и качеством слоев. Перенос слоев — интересный подход к формированию каналов нанолистов (а также может использоваться в перспективе и для CFET), который предпочтительно выполнять при температурах ниже 600 °C.
Кроме того, на IEDM 2024 imec впервые сообщила о функциональных многослойных нанолистовых FET с каналами MoS2, сформированными с помощью переноса слоев на 300-миллиметровые целевые пластины. Устройство показывает сопоставимый Ion (~451 мкА/мкм) и рекордный коэффициент включения-выключения (>10^9) по сравнению с современным уровнем техники. Знания, полученные в рамках экспериментов с планарными устройствами, использовались для разработки критически важных модулей, включая модуль затвора [13].
В качестве альтернативы imec исследует прямой рост 2D-материалов при пониженных температурах, что может обеспечить получение слоев хорошего качества, но только при осаждении на меньших, выборочных участках. (..)
Рисунок 6 – Поперечное сечение в ПЭМ монослойного нанолиста MoS2 с металлом high-k и затвором, полностью обернутым вокруг канала (представлено на IEDM 2024).
(10) Интеграционная платформа размером 300 мм для 2D-планарных pFET
До сих пор большинство усилий по интеграции было приложено к устройствам n-типа. На IEDM 2023 imec в сотрудничестве с Intel впервые показали продемонстрировал интегрированные на пластину 300-мм планарные транзисторы WSe2 pFET, используя тот же технологический процесс, что и для MoS2 nFET [14].
Команды также представили четкий анализ влияния размера зерна кристалла на производительность и надежность устройства.
Путь к повышению надежности и снижению изменчивости
В предыдущие годы imec и Венский технический университет (группа профессора Тибора Грассера) достигли прогресса в количественной оценке надежности и изменчивости устройств на основе 2D-материалов. Они изучили влияние, например, толщины 2D-слоя, размера и ориентации кристаллического зерна, а также шаблона 2D-роста на производительность 300-миллиметровых интегрированных планарных устройств MX2. Они также смогли определить основную причину проблем надежности и изменчивости и теперь работают над решениями. [15]
Решение оставшихся проблем: совместные усилия
Хотя различные исследовательские группы по всему миру добились больших успехов, все еще необходимы некоторые технологические прорывы, чтобы преодолеть перечисленные сложности и проложить путь к крупносерийному производству с использованием передовых узлах.
Imec определяет совместимое с фабриками и привычными для них техпроцессами:
▫️ формирование контактов истока/стока,
▫️ контролируемое легирование
▫️ возможность использования КМОП с устройствами MX2 (т. е. интеграцию полевых транзисторов p- и n-типа вместе)
как наиболее критические препятствия на пути вперед.
Решение этих проблем требует совместных усилий с участием лидеров отрасли, университетских групп и научно-исследовательских институтов, а также разработчиков производственного оборудования.
В случае решения этих проблем будущее двумерных материалов выглядит светлым. Они не только обещают продвинуть дорожную карту перевода изготовления микросхем цифровой логики по техпроцессу A7, но их характеристики также позволяют расширить область применения далеко за пределы только цифровой логики.
Благодаря чрезвычайно низкому току в выключенном состоянии перспективные узлы демонстрируют потенциал для применения во встроенных приложениях DRAM — возможно, начиная с узла A7 и далее.
Кроме того, транспортные свойства «поверхностноподобных» двумерных материалов очень легко нарушить, и это делает их идеально подходящими для вероятностных вычислений или даже приложений машинного обучения.
==
На этом пересказ завершен, надеюсь, несмотря на большой объем текста, вам было интересно с ним ознакомиться. Список литературы и оригинал публикации вы можете найти на сайте imec.
@RUSmicro
До сих пор большинство усилий по интеграции было приложено к устройствам n-типа. На IEDM 2023 imec в сотрудничестве с Intel впервые показали продемонстрировал интегрированные на пластину 300-мм планарные транзисторы WSe2 pFET, используя тот же технологический процесс, что и для MoS2 nFET [14].
Команды также представили четкий анализ влияния размера зерна кристалла на производительность и надежность устройства.
Путь к повышению надежности и снижению изменчивости
В предыдущие годы imec и Венский технический университет (группа профессора Тибора Грассера) достигли прогресса в количественной оценке надежности и изменчивости устройств на основе 2D-материалов. Они изучили влияние, например, толщины 2D-слоя, размера и ориентации кристаллического зерна, а также шаблона 2D-роста на производительность 300-миллиметровых интегрированных планарных устройств MX2. Они также смогли определить основную причину проблем надежности и изменчивости и теперь работают над решениями. [15]
Решение оставшихся проблем: совместные усилия
Хотя различные исследовательские группы по всему миру добились больших успехов, все еще необходимы некоторые технологические прорывы, чтобы преодолеть перечисленные сложности и проложить путь к крупносерийному производству с использованием передовых узлах.
Imec определяет совместимое с фабриками и привычными для них техпроцессами:
▫️ формирование контактов истока/стока,
▫️ контролируемое легирование
▫️ возможность использования КМОП с устройствами MX2 (т. е. интеграцию полевых транзисторов p- и n-типа вместе)
как наиболее критические препятствия на пути вперед.
Решение этих проблем требует совместных усилий с участием лидеров отрасли, университетских групп и научно-исследовательских институтов, а также разработчиков производственного оборудования.
В случае решения этих проблем будущее двумерных материалов выглядит светлым. Они не только обещают продвинуть дорожную карту перевода изготовления микросхем цифровой логики по техпроцессу A7, но их характеристики также позволяют расширить область применения далеко за пределы только цифровой логики.
Благодаря чрезвычайно низкому току в выключенном состоянии перспективные узлы демонстрируют потенциал для применения во встроенных приложениях DRAM — возможно, начиная с узла A7 и далее.
Кроме того, транспортные свойства «поверхностноподобных» двумерных материалов очень легко нарушить, и это делает их идеально подходящими для вероятностных вычислений или даже приложений машинного обучения.
==
На этом пересказ завершен, надеюсь, несмотря на большой объем текста, вам было интересно с ним ознакомиться. Список литературы и оригинал публикации вы можете найти на сайте imec.
@RUSmicro
imec
2D-material based devices in the logic scaling roadmap | imec
2D materials are promising to extend the logic technology roadmap, but developments are needed towards industrial adoption. Read about imec’s unique approach.
🇷🇺 Промышленная электроника. Промышленные контроллеры. Россия
На российском рынке ПЛК появится еще один участник – с немалыми амбициями
В проект по выпуску промышленных контроллеров для энергетики решил вложиться Александр Калинин (известный по Аквариусу и другим проектам) и экс-вице-президент Ланита Сергей Белкин. Об этом рассказывает CNews, но подробностей пока маловато.
Производить ПЛК планируется в Пензе, где для этого предприниматели приобрели промышленное предприятие. Интересно, какое – в Пензе есть, например, ООО НПО Техноинтеграция, с опытом сборки и программирования ПЛК, а также НПФ КРУГ, которое выпускает ПЛК? Таких данных нет, не называется и объем инвестиций в проект. Для проекта создано ООО ЦР.
Г-н Белкин оценивает рынок ПЛК в России в более, чем 200 млрд рублей и собирается двигаться к производству от 100 тысяч ПЛК в год и более.
100 тысяч в год, это очень большой объем. Если примерно оценить стоимость ПЛК среднего класса в 100-200 тысяч рублей, то 100 тысяч в год, это 10-20 млрд руб., то есть это претензия на занятие двузначной доли российского рынка ПЛК.
После ухода с нашего рынка ряда зарубежных компаний, а доминировали на рынке компании из США, Европы и Японии, освободившееся место заняли частично китайские, индийские и турецкие производители, а также в 4-5 раз нарастили свою долю рынка российские производители ПЛК.
Выделю несколько крупнейших участников этого рынка - московскую ОВЕН, питерскую Сегнетикс, Текон, Контар и другие, всего их более двух десятков, на долю рынка основных игроков приходится менее 20% рынка, так что можно говорить о его высокой диверсификации. Так что новому игроку придется столкнуться с конкуренцией.
Сложности на российском рынке ПЛК традиционные, общие для многих видов электроники - отсутствие собственных электронных компонентов, прежде всего, современных микропроцессоров достаточно производительных и доступных серийно, высокоточных АЦП/ЦАП и других необходимых аналоговых компонентов.
Российское ПО пока что не достигло всех привычных функциональностей западного ПО типа Siemens TIA Portal, Rockwell Studio 5000 и т.п., переход на Нейтрино или Astra Linuх требует переписывания драйверов. Переход с Profinet или Ether CAT на другие решения может снижать совместимость с оборудованием.
Есть и кадровая проблема, специалистов по проектированию и программированию ПЛК найти сложно, да еще с опытом программирования российских процессоров. Большинство из существующих могут работать с Siemens/Rockwell, но не с отечественными средами. Необходимости соответствия требованиям ФСТЭК/ФСБ добавляют сложностей разработкам.
Современные решения подразумевают опору на ИИ, например, для предиктивной аналитики, но российские процессоры как правило, не рассчитаны на нагрузки, характерные для ИИ.
Безусловно, ограничителем могут быть финансы. Разработка ПЛК с нуля может стоить десятки миллионов рублей, ближе к сотне, но если эта стоимость "упадет" в цену нескольких ПЛК, их никто не купит из-за заоблачной цены. Отсюда, вероятно, и планы выпускать десятки тысяч ПЛК в год, чтобы "размазать" по ним стоимость разработки.
Исходя из ниши – атомная и другая энергетика, можно предположить, что речь идет о специализированных ПЛК, от которых требуется работа в экстремальных условиях - с широким температурным диапазоном, радстойкость компонентов, российские процессоры и российское ПО (для полной импортнезависимости), поддержка отечественной криптографии. Впрочем, это лишь гипотезы.
@RUSmicro, картинка ПЛК Schneider - для примера, а то некоторые путают промышленные контроллеры с микроконтроллерами (хотя последние тоже могут играть роль промышленных контроллеров в каких-то совсем простеньких применениях).
#ПЛК
На российском рынке ПЛК появится еще один участник – с немалыми амбициями
В проект по выпуску промышленных контроллеров для энергетики решил вложиться Александр Калинин (известный по Аквариусу и другим проектам) и экс-вице-президент Ланита Сергей Белкин. Об этом рассказывает CNews, но подробностей пока маловато.
Производить ПЛК планируется в Пензе, где для этого предприниматели приобрели промышленное предприятие. Интересно, какое – в Пензе есть, например, ООО НПО Техноинтеграция, с опытом сборки и программирования ПЛК, а также НПФ КРУГ, которое выпускает ПЛК? Таких данных нет, не называется и объем инвестиций в проект. Для проекта создано ООО ЦР.
Г-н Белкин оценивает рынок ПЛК в России в более, чем 200 млрд рублей и собирается двигаться к производству от 100 тысяч ПЛК в год и более.
100 тысяч в год, это очень большой объем. Если примерно оценить стоимость ПЛК среднего класса в 100-200 тысяч рублей, то 100 тысяч в год, это 10-20 млрд руб., то есть это претензия на занятие двузначной доли российского рынка ПЛК.
После ухода с нашего рынка ряда зарубежных компаний, а доминировали на рынке компании из США, Европы и Японии, освободившееся место заняли частично китайские, индийские и турецкие производители, а также в 4-5 раз нарастили свою долю рынка российские производители ПЛК.
Выделю несколько крупнейших участников этого рынка - московскую ОВЕН, питерскую Сегнетикс, Текон, Контар и другие, всего их более двух десятков, на долю рынка основных игроков приходится менее 20% рынка, так что можно говорить о его высокой диверсификации. Так что новому игроку придется столкнуться с конкуренцией.
Сложности на российском рынке ПЛК традиционные, общие для многих видов электроники - отсутствие собственных электронных компонентов, прежде всего, современных микропроцессоров достаточно производительных и доступных серийно, высокоточных АЦП/ЦАП и других необходимых аналоговых компонентов.
Российское ПО пока что не достигло всех привычных функциональностей западного ПО типа Siemens TIA Portal, Rockwell Studio 5000 и т.п., переход на Нейтрино или Astra Linuх требует переписывания драйверов. Переход с Profinet или Ether CAT на другие решения может снижать совместимость с оборудованием.
Есть и кадровая проблема, специалистов по проектированию и программированию ПЛК найти сложно, да еще с опытом программирования российских процессоров. Большинство из существующих могут работать с Siemens/Rockwell, но не с отечественными средами. Необходимости соответствия требованиям ФСТЭК/ФСБ добавляют сложностей разработкам.
Современные решения подразумевают опору на ИИ, например, для предиктивной аналитики, но российские процессоры как правило, не рассчитаны на нагрузки, характерные для ИИ.
Безусловно, ограничителем могут быть финансы. Разработка ПЛК с нуля может стоить десятки миллионов рублей, ближе к сотне, но если эта стоимость "упадет" в цену нескольких ПЛК, их никто не купит из-за заоблачной цены. Отсюда, вероятно, и планы выпускать десятки тысяч ПЛК в год, чтобы "размазать" по ним стоимость разработки.
Исходя из ниши – атомная и другая энергетика, можно предположить, что речь идет о специализированных ПЛК, от которых требуется работа в экстремальных условиях - с широким температурным диапазоном, радстойкость компонентов, российские процессоры и российское ПО (для полной импортнезависимости), поддержка отечественной криптографии. Впрочем, это лишь гипотезы.
@RUSmicro, картинка ПЛК Schneider - для примера, а то некоторые путают промышленные контроллеры с микроконтроллерами (хотя последние тоже могут играть роль промышленных контроллеров в каких-то совсем простеньких применениях).
#ПЛК
🇷🇺 Регулирование. Господдержка. Льготные кредиты. Россия
Льготные кредиты придут на смену госсубсидиям?
В Минпромторге, похоже, готовы отказаться от практики выдачи госсубсидий производителям и разработчикам электронных компонентов. Вместо этого отрасли предложено использовать льготное кредитование.
Разработчики промышленной инфраструктуры смогут обращаться за займами в ФРП (Фонд развития промышленности), а разработчикам электронных компонентов предлагается выбирать между РНФ (Российским научным фондом), фондом Сколково, ФСИ (Фонд содействия инновациям более известный как фонд Бортника). Для науки в РНФ обещают сохранить грантовый механизм. Об этом сегодня сообщают Ведомости.
Конкретики правил предоставления новых мер поддержки пока нет, их обещают определить в 2H2025.
До сих пор разработчики электроники могли обращаться за субсидиями в рамках ПП №109 от 17.02.2016 и №1252 от 24.07.2021.
В 2023 году на развитие микроэлектроники было направлено около 147 млрд руб. госсредств. Данные по 2024-2025 году не сообщаются.
Что повлияло на такое решение?
Причин может быть несколько.
Во-первых, вероятны бюджетные ограничения, несмотря на важность стратегической задачи развития микроэлектроники в РФ.
Во-вторых, на рынке вызревало отношение к госсубсидиям, как к своего рода «опасным» деньгам. И другие.
Возможно, что в Минпромторге учитывали не одну, а набор такого рода причин. Могли, например, повлиять бюджетные ограничения, неэффективность и нецелевой характер использования субсидий в отдельных случаях, в целом, желание перейти от прямого финансирования к рыночным механизмам. Выдача субсидий подразумевала больше ответственности для их получателей, поскольку она могла создать риск уголовной ответственности за нецелевое использование. Как минимум, в теории.
Косвенно о том, что механизм субсидий был неудобным свидетельствует то, что АРПЭ в феврале 2025 года обращалась в Минпромторг с просьбами увеличить сроки отчетности и освободить от ответственности за недостижение заданных результатов. Особенно это стало актуально в условиях антироссийских санкций.
Кредитование – в целом менее выгодный вариант для отрасли, чем субсидирование. Но оно может помочь отделить здоровые бизнесы от тех, которые способны существовать только в тепличных условиях господдержки. Но без тепличных условий выжить способны далеко не все.
Я, в целом, сторонник развития бизнесов на заемные средства, причем в обычной, а не в льготной конфигурации (конечно, при здоровой КС в 3-4%, а не в 20%). Но есть нюансы. Мы существуем не вакууме, а если посмотреть на зарубежную практику, то там в ряде стран государства серьезно и системно поддерживают развитие отрасли микроэлектроники деньгами. Разве что в США начали разворот от этой практике. Но в США такая турбулентность, что завтра все может поменяться вновь и в целом за дымом событий сейчас трудно разобрать, что же происходит.
Льготный кредит – процедура с меньшими личными рисками для менеджмента компании. Но получение кредита может стать длительной бюрократической процедурой с излишними барьерами, например требуется соответствовать требованиям детального технико-экономического обоснования или научной экспертизы.
Это движение в сторону упрощения жизни для крупных компаний, но стартапы и НИОКР окажутся под большей угрозой, если им не выделят отдельную грантовую поддержку. Крупные компании могут в качестве гарантий возврата кредита предоставить залоговое имущество, которого может не быть у стартапов.
Необходимость возврата кредитов заставит компании оптимизировать расходы и фокусироваться на рентабельных, а не инновационных продуктах. За бортом могут остаться исследования и продукты, носящие стратегическое значение, которые не могут дать быстрой окупаемости, что было бы печально. Надеюсь, регуляторы обратят на это внимание.
В общем, пока что ясно, что правила игры опять меняются. Деталей, как всегда, кот наплакал. И это не радует, даже если изменения будут к лучшему.
@RUSmicro
#регулирование #субсидирование #льготныекредиты
Льготные кредиты придут на смену госсубсидиям?
В Минпромторге, похоже, готовы отказаться от практики выдачи госсубсидий производителям и разработчикам электронных компонентов. Вместо этого отрасли предложено использовать льготное кредитование.
Разработчики промышленной инфраструктуры смогут обращаться за займами в ФРП (Фонд развития промышленности), а разработчикам электронных компонентов предлагается выбирать между РНФ (Российским научным фондом), фондом Сколково, ФСИ (Фонд содействия инновациям более известный как фонд Бортника). Для науки в РНФ обещают сохранить грантовый механизм. Об этом сегодня сообщают Ведомости.
Конкретики правил предоставления новых мер поддержки пока нет, их обещают определить в 2H2025.
До сих пор разработчики электроники могли обращаться за субсидиями в рамках ПП №109 от 17.02.2016 и №1252 от 24.07.2021.
В 2023 году на развитие микроэлектроники было направлено около 147 млрд руб. госсредств. Данные по 2024-2025 году не сообщаются.
Что повлияло на такое решение?
Причин может быть несколько.
Во-первых, вероятны бюджетные ограничения, несмотря на важность стратегической задачи развития микроэлектроники в РФ.
Во-вторых, на рынке вызревало отношение к госсубсидиям, как к своего рода «опасным» деньгам. И другие.
Возможно, что в Минпромторге учитывали не одну, а набор такого рода причин. Могли, например, повлиять бюджетные ограничения, неэффективность и нецелевой характер использования субсидий в отдельных случаях, в целом, желание перейти от прямого финансирования к рыночным механизмам. Выдача субсидий подразумевала больше ответственности для их получателей, поскольку она могла создать риск уголовной ответственности за нецелевое использование. Как минимум, в теории.
Косвенно о том, что механизм субсидий был неудобным свидетельствует то, что АРПЭ в феврале 2025 года обращалась в Минпромторг с просьбами увеличить сроки отчетности и освободить от ответственности за недостижение заданных результатов. Особенно это стало актуально в условиях антироссийских санкций.
Кредитование – в целом менее выгодный вариант для отрасли, чем субсидирование. Но оно может помочь отделить здоровые бизнесы от тех, которые способны существовать только в тепличных условиях господдержки. Но без тепличных условий выжить способны далеко не все.
Я, в целом, сторонник развития бизнесов на заемные средства, причем в обычной, а не в льготной конфигурации (конечно, при здоровой КС в 3-4%, а не в 20%). Но есть нюансы. Мы существуем не вакууме, а если посмотреть на зарубежную практику, то там в ряде стран государства серьезно и системно поддерживают развитие отрасли микроэлектроники деньгами. Разве что в США начали разворот от этой практике. Но в США такая турбулентность, что завтра все может поменяться вновь и в целом за дымом событий сейчас трудно разобрать, что же происходит.
Льготный кредит – процедура с меньшими личными рисками для менеджмента компании. Но получение кредита может стать длительной бюрократической процедурой с излишними барьерами, например требуется соответствовать требованиям детального технико-экономического обоснования или научной экспертизы.
Это движение в сторону упрощения жизни для крупных компаний, но стартапы и НИОКР окажутся под большей угрозой, если им не выделят отдельную грантовую поддержку. Крупные компании могут в качестве гарантий возврата кредита предоставить залоговое имущество, которого может не быть у стартапов.
Необходимость возврата кредитов заставит компании оптимизировать расходы и фокусироваться на рентабельных, а не инновационных продуктах. За бортом могут остаться исследования и продукты, носящие стратегическое значение, которые не могут дать быстрой окупаемости, что было бы печально. Надеюсь, регуляторы обратят на это внимание.
В общем, пока что ясно, что правила игры опять меняются. Деталей, как всегда, кот наплакал. И это не радует, даже если изменения будут к лучшему.
@RUSmicro
#регулирование #субсидирование #льготныекредиты
Ведомости
Минпромторг откажется от субсидий на радиоэлектронику
Вместо этого производители и разработчики смогут взять льготный кредит
🇷🇺 Микроконтроллеры. RISC-V. Россия
Элвис представила микроконтроллер MS1 с системой команд RISС-V
Микропроцессор включает ядро, сигнальную подсистему и базовый набор интерфейсов, которые можно расширить. Предлагается использовать как обычный микроконтроллер общего назначения, но также, например, в качестве процессора baseband в узкополосных системах (LoRA, zigbee, dmr и проприетарных), а также для обработки данных с аналоговых сенсоров.
Может быть использована в решениях образовательного типа для изучения RISC-V или построения учебных радиостанций.
Кроме микроконтроллера Элвис подготовил и отладочную плату.
Характеристики:
▫️ До 280 МГц
▫️ 32 бит, суперскалярный, 9-стадийный конвейер, кэш инструкций 16 кБ, coremark 4.45 / МГц.
▫️ Память однотактовая накристальная, 512 кБ и четырехтактовая накристальная, 2 МБ
▫️ АЦП 10 бит, до 19.2 МГц; ЦАП 12 бит, до 19.2 МГц. DFE (digital front-end).
▫️ Есть цифровая фильтрация, передискретизация, цифровое гетеродинирование, DMA для организации обмена с CPU.
▫️PLL: встроенный умножитель/делитель входной частоты
▫️ JTAG: поддержка Open OCD; максимальная частота 25 МГц
▫️ Загрузка: SPI/QSPI с поддержкой XIP
▫️ Периферия: GPIO, 8 линий с поддержкой прерываний; UART; SPI (x2 CS при загрузке по QSPI)
▫️ Питание: ядро -1.1В +/- 5%; периферия – 3.3В +/- 5%
▫️ Корпус: QFN88, 10x10 мм
Не говорится, где производится кристалл и где упаковывается эта микросхема.
@RUSmicro
#RISCV #микроконтроллер
Элвис представила микроконтроллер MS1 с системой команд RISС-V
Микропроцессор включает ядро, сигнальную подсистему и базовый набор интерфейсов, которые можно расширить. Предлагается использовать как обычный микроконтроллер общего назначения, но также, например, в качестве процессора baseband в узкополосных системах (LoRA, zigbee, dmr и проприетарных), а также для обработки данных с аналоговых сенсоров.
Может быть использована в решениях образовательного типа для изучения RISC-V или построения учебных радиостанций.
Кроме микроконтроллера Элвис подготовил и отладочную плату.
Характеристики:
▫️ До 280 МГц
▫️ 32 бит, суперскалярный, 9-стадийный конвейер, кэш инструкций 16 кБ, coremark 4.45 / МГц.
▫️ Память однотактовая накристальная, 512 кБ и четырехтактовая накристальная, 2 МБ
▫️ АЦП 10 бит, до 19.2 МГц; ЦАП 12 бит, до 19.2 МГц. DFE (digital front-end).
▫️ Есть цифровая фильтрация, передискретизация, цифровое гетеродинирование, DMA для организации обмена с CPU.
▫️PLL: встроенный умножитель/делитель входной частоты
▫️ JTAG: поддержка Open OCD; максимальная частота 25 МГц
▫️ Загрузка: SPI/QSPI с поддержкой XIP
▫️ Периферия: GPIO, 8 линий с поддержкой прерываний; UART; SPI (x2 CS при загрузке по QSPI)
▫️ Питание: ядро -1.1В +/- 5%; периферия – 3.3В +/- 5%
▫️ Корпус: QFN88, 10x10 мм
Не говорится, где производится кристалл и где упаковывается эта микросхема.
@RUSmicro
#RISCV #микроконтроллер
🇷🇺 Отечественное производство. Память. Модули памяти. Россия
Линейка памяти DDR GS Nanotech – в реестре Мипромторга
Баллы, достаточные для попадания в Реестр (35 баллов) дали отечественные печатные платы 6-го класса точности. С постановкой на производство таких сложных плат предприятию пришлось повозиться порядка года, но компания утверждает, что смогла достичь стабильного качества производства.
Разработка, тестирование и производство DDR выполняется на производственной базе GS Nanotech в Калининградской области. Пластины с полупроводниковыми структурами закупаются по импорту у разных поставщиков.
Речь идет о двух изделиях:
🔸 SO-DIMM: 260 пин с конфигурацией микросхем памяти 1024M/2048Mx64 бит для ноутбуков, моноблоков, тонких клиентов
🔸 U-DIMM: 288 пин, 2048Mx64 бит для АРМ, ПК.
Оба исполнения поддерживают тактовую частоту 3200 МГц и выпускаются с объемом памяти 8/16/32 Гбайт, а также соответствуют стандарту JEDEC JESD-79–4.
@RUSmicro
#память #DDR #реестр
Линейка памяти DDR GS Nanotech – в реестре Мипромторга
Баллы, достаточные для попадания в Реестр (35 баллов) дали отечественные печатные платы 6-го класса точности. С постановкой на производство таких сложных плат предприятию пришлось повозиться порядка года, но компания утверждает, что смогла достичь стабильного качества производства.
Разработка, тестирование и производство DDR выполняется на производственной базе GS Nanotech в Калининградской области. Пластины с полупроводниковыми структурами закупаются по импорту у разных поставщиков.
Речь идет о двух изделиях:
🔸 SO-DIMM: 260 пин с конфигурацией микросхем памяти 1024M/2048Mx64 бит для ноутбуков, моноблоков, тонких клиентов
🔸 U-DIMM: 288 пин, 2048Mx64 бит для АРМ, ПК.
Оба исполнения поддерживают тактовую частоту 3200 МГц и выпускаются с объемом памяти 8/16/32 Гбайт, а также соответствуют стандарту JEDEC JESD-79–4.
@RUSmicro
#память #DDR #реестр
🇷🇺 Регулирование. Микросхемы. ПП №719. Россия
Подготовлен проект изменений ПП №719, узнала Кристина Холупова, CNews, который перестроит оценку микросхем с почти ставших привычными уровней российскости на все более популярные баллы.
Ожидается, что баллы будут начислять за РАЗРАБОТКУ, использование российского ПО, применение СФ блоков собственной разработки.
Это решение окажет значительное влияние на отрасль.
Плюсы
Можно ожидать такие положительные эффекты, как активизация разработки собственных СФ блоков и ПО, раз за них можно будет получить баллы. Это должно позитивно сказаться на кооперации в отрасли. Это может снизить зависимость от зарубежных IP-ядер и, по цепочке следствий, от зарубежных EDA.
Минусы
Среди потенциальных негативных эффектов возможно усложнение сертификации из-за бюрократизации. Назначение баллов не будет тривиальным процессом.
Есть и проблема кадров - не каждое российское предприятие имеет достаточно специалистов того уровня, который позволяет создавать СФ-блоки необходимого уровня.
Можно ожидать, что российские микросхемы, разработанные в рамках балльных требований будут все более оригинальными, что может затруднить их экспорт, а также экспорт СФ-блоков.
Рост количества российских СФ-блоков стимулирует разработку отечественных систем автоматизированного проектирования микросхем.
Итого
В целом инициатива предоставляется грамотной и своевременной, при условии минимума бюрократических препон и поддержи государством инвестиций в R&D.
@RUSmicro
#регулирование #баллы #микросхемы
Подготовлен проект изменений ПП №719, узнала Кристина Холупова, CNews, который перестроит оценку микросхем с почти ставших привычными уровней российскости на все более популярные баллы.
Ожидается, что баллы будут начислять за РАЗРАБОТКУ, использование российского ПО, применение СФ блоков собственной разработки.
Это решение окажет значительное влияние на отрасль.
Плюсы
Можно ожидать такие положительные эффекты, как активизация разработки собственных СФ блоков и ПО, раз за них можно будет получить баллы. Это должно позитивно сказаться на кооперации в отрасли. Это может снизить зависимость от зарубежных IP-ядер и, по цепочке следствий, от зарубежных EDA.
Минусы
Среди потенциальных негативных эффектов возможно усложнение сертификации из-за бюрократизации. Назначение баллов не будет тривиальным процессом.
Есть и проблема кадров - не каждое российское предприятие имеет достаточно специалистов того уровня, который позволяет создавать СФ-блоки необходимого уровня.
Можно ожидать, что российские микросхемы, разработанные в рамках балльных требований будут все более оригинальными, что может затруднить их экспорт, а также экспорт СФ-блоков.
Рост количества российских СФ-блоков стимулирует разработку отечественных систем автоматизированного проектирования микросхем.
Итого
В целом инициатива предоставляется грамотной и своевременной, при условии минимума бюрократических препон и поддержи государством инвестиций в R&D.
@RUSmicro
#регулирование #баллы #микросхемы
CNews.ru
Чтобы «поставить заслон переклейкам», власти хотят ввести для чипов особые «баллы российскости» - CNews
Власти планируют изменить принципы присвоения статуса отечественных интегральным схемам. Их планируют признавать...
🇷🇺 Производственное оборудование. ЖХО. Россия
В ЭСТО разработали транспортный перегрузочный модуль для машины ЖХО
Этот проект начался в 2023 году, как совместный с НИИС им Ю.Е. Седакова в рамках разработки установки жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин. Такие машины используются в линии обработки пластин. С их помощью можно выполнять очистку, травление, снятие резиста, сушку, очистку поверхностей и другие операции.
За прошедшее время был выполнен цикл работ от проектирования и выпуска ПО до изготовления опытного образца модуля.
Транспортный перегрузочный модуль (ТПМ) линии жидкого травления обеспечивает автоматическое перемещение полупроводниковых пластин из двух позиций загрузки в общую буферную зону, откуда они будут перегружены в процессные ванны. Это устраняет необходимость ручного вмешательства оператора, сокращает временные задержки и повышает производительность всего производственного цикла.
Автоматизированный механизм ТПМ гарантирует точное положение каждой пластины перед её погружением в процессные ванны. Это важно, поскольку любые отклонения могут привести к дефектам на поверхности кристалла, снижающим качество конечной продукции.
К ТПМ предъявляют высокие требования по части чистоты воздуха. Для повышения плавности хода использован пневмопривод. Механизм привода выполнен с применением серводвигателя, чтобы обеспечить необходимую высокую точность позиционирования.
Разработанный модуль можно адаптировать для работы с пластинами 100, 150 и 200 мм.
Видео разработки модуля – на Rutube.
В России до последнего времени эксплуатировали в основном импортное оборудование ЖХО, прежде всего машины Tokyo Electron, Lam Research и ASML.
Линейку ЖХО от НИИС Седакова мы ждем, насколько помню, в 2026 году.
@RUSmicro
#ЖКО
В ЭСТО разработали транспортный перегрузочный модуль для машины ЖХО
Этот проект начался в 2023 году, как совместный с НИИС им Ю.Е. Седакова в рамках разработки установки жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин. Такие машины используются в линии обработки пластин. С их помощью можно выполнять очистку, травление, снятие резиста, сушку, очистку поверхностей и другие операции.
За прошедшее время был выполнен цикл работ от проектирования и выпуска ПО до изготовления опытного образца модуля.
Транспортный перегрузочный модуль (ТПМ) линии жидкого травления обеспечивает автоматическое перемещение полупроводниковых пластин из двух позиций загрузки в общую буферную зону, откуда они будут перегружены в процессные ванны. Это устраняет необходимость ручного вмешательства оператора, сокращает временные задержки и повышает производительность всего производственного цикла.
Автоматизированный механизм ТПМ гарантирует точное положение каждой пластины перед её погружением в процессные ванны. Это важно, поскольку любые отклонения могут привести к дефектам на поверхности кристалла, снижающим качество конечной продукции.
К ТПМ предъявляют высокие требования по части чистоты воздуха. Для повышения плавности хода использован пневмопривод. Механизм привода выполнен с применением серводвигателя, чтобы обеспечить необходимую высокую точность позиционирования.
Разработанный модуль можно адаптировать для работы с пластинами 100, 150 и 200 мм.
Видео разработки модуля – на Rutube.
В России до последнего времени эксплуатировали в основном импортное оборудование ЖХО, прежде всего машины Tokyo Electron, Lam Research и ASML.
Линейку ЖХО от НИИС Седакова мы ждем, насколько помню, в 2026 году.
@RUSmicro
#ЖКО
RUTUBE
Процесс производства транспортного перегрузочного модуля
ЭСТО развивает направление транспортных роботизированных систем. В марте 2025 года специалисты компании завершили разработку транспортного перегрузочного модуля для установки жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин.
🇳🇱 🇺🇸 Производственное оборудование. Упаковка. Нидерланды
Американская Applied Materials купила 9% в нидерландской BESI
BE Semiconductor Industries выпускает производственное оборудование для передовой упаковки полупроводников, прежде всего, инструменты для склеивания чипов (hybrid bonding). Другой ее акционер – вездесущая Blackrock. Об этом рассказывает Reuters в одной из немногих ныне новостей, посвященных чему-то, что не связано напрямую с тарифной суетой США.
Эта покупка скорее всего обозначает, что AMAT не разрабатывает собственное решение для склеивания кристаллов. Возможно, в дальнейшем AMAT попытается выкупить и оставшуюся часть компании, но пока что американцы заявили, что не собираются добиваться даже представительства в совете директоров, так что BESI сохранит свою независимость.
В отличие от традиционных методов, таких как микробусины (microbumps), гибридное соединение использует прямую металлизацию (медь-медь) и диэлектрическую адгезию, что значительно увеличивает плотность контактов и снижает энергопотребление.
Гибридное соединение позволяет в теории достигать плотности 10+ млн соединений на кв.см. Известные применения – TSMC SoIC, что используется в ускорителях Nvidia для объединения собственных кристаллов и памяти HBM. Идет разработка открытых стандартов, например, UCIe, которые должны обеспечить возможность для гибридного соединения чиплетов разных производителей.
@RUSmicro
#упаковка #гибридноесклеивание
Американская Applied Materials купила 9% в нидерландской BESI
BE Semiconductor Industries выпускает производственное оборудование для передовой упаковки полупроводников, прежде всего, инструменты для склеивания чипов (hybrid bonding). Другой ее акционер – вездесущая Blackrock. Об этом рассказывает Reuters в одной из немногих ныне новостей, посвященных чему-то, что не связано напрямую с тарифной суетой США.
Эта покупка скорее всего обозначает, что AMAT не разрабатывает собственное решение для склеивания кристаллов. Возможно, в дальнейшем AMAT попытается выкупить и оставшуюся часть компании, но пока что американцы заявили, что не собираются добиваться даже представительства в совете директоров, так что BESI сохранит свою независимость.
В отличие от традиционных методов, таких как микробусины (microbumps), гибридное соединение использует прямую металлизацию (медь-медь) и диэлектрическую адгезию, что значительно увеличивает плотность контактов и снижает энергопотребление.
Гибридное соединение позволяет в теории достигать плотности 10+ млн соединений на кв.см. Известные применения – TSMC SoIC, что используется в ускорителях Nvidia для объединения собственных кристаллов и памяти HBM. Идет разработка открытых стандартов, например, UCIe, которые должны обеспечить возможность для гибридного соединения чиплетов разных производителей.
@RUSmicro
#упаковка #гибридноесклеивание
Reuters
Applied Materials becomes largest shareholder of advanced packaging firm BESI
Applied Materials has bought a 9% stake in BE Semiconductor industries (BESI) , the U.S.-based computer chip equipment supplier said on Monday.
🇰🇷 Господдержка. Корея
Правительство Южной Кореи обещает поддержку отечественной полупроводниковой отрасли в объеме до $23 млрд
Это очевидный ответ правительства страны на просьбы помочь отрасли в условиях неопределенности, которую навязала глобальному рынку текущая администрация США и в ситуации быстро растущей конкуренции со стороны китайских производителей. Об этом сообщает Reuters.
В мае 2024 года сообщалось, что корейское правительство планирует выделить в качестве поддержки $19 млрд, так что речь идет об корректировке этой суммы в сторону ее наращивания.
Эти средства, прежде всего, призваны смягчить негативные последствия глобальных изменений для таких крупных участников мирового рынка, как Samsung Electronics и SK Hynix, которые отстали от глобальных конкурентов в теме проектирования микросхем цифровой логики и аналоговых микросхем, а также не смогли создать конкурентоспособное контрактное производство.
Полупроводниковая отрасль для Кореи – одна из ключевых из-за объема экспорта. В 2024 году экспорт полупроводников из Кореи составил $141.9 млрд, что составило до 21% общего экспорта страны. Китай – конкурент, но и важный партнер для Кореи, поставки корейских полупроводников в Китай составили $46.6 млрд (сравните с $10.7 млрд поставок в США).
Аналогичные меры поддержки в Корее обещаны и для компаний-автопроизводителей.
Ситуация складывается тяжелой для корейского бизнеса. Ориентироваться на китайский рынок можно лишь временно, т.к. в Китае не скрывают ни своих планов тотального импортзамещения, ни планов самой широкой международной экспансии. Это оставляет корейским производителям не так уж много перспектив при приоритетной ориентации на рынок Китая. Но и приоритетная ориентация на интересы США – непростая задача, корейским компаниям будет трудно прожить без экспорта в Китай или с тарифными барьерами США. Возможно, это заставит Samsung пересмотреть свои активности по созданию в США современного производства, которые ранее последовательно смещались вправо по временной шкале.
Так или иначе, пока что у корейских производителей еще есть некоторая фора технологического превосходства в нише HBM чипов, что подогревается растущим спросом на чипы ИИ, которые требуют этого типа памяти. Это делает корейские компании стратегически важными, прежде всего, для США, и оставляет им возможности заработка.
@RUSmicro
#господдержка
Правительство Южной Кореи обещает поддержку отечественной полупроводниковой отрасли в объеме до $23 млрд
Это очевидный ответ правительства страны на просьбы помочь отрасли в условиях неопределенности, которую навязала глобальному рынку текущая администрация США и в ситуации быстро растущей конкуренции со стороны китайских производителей. Об этом сообщает Reuters.
В мае 2024 года сообщалось, что корейское правительство планирует выделить в качестве поддержки $19 млрд, так что речь идет об корректировке этой суммы в сторону ее наращивания.
Эти средства, прежде всего, призваны смягчить негативные последствия глобальных изменений для таких крупных участников мирового рынка, как Samsung Electronics и SK Hynix, которые отстали от глобальных конкурентов в теме проектирования микросхем цифровой логики и аналоговых микросхем, а также не смогли создать конкурентоспособное контрактное производство.
Полупроводниковая отрасль для Кореи – одна из ключевых из-за объема экспорта. В 2024 году экспорт полупроводников из Кореи составил $141.9 млрд, что составило до 21% общего экспорта страны. Китай – конкурент, но и важный партнер для Кореи, поставки корейских полупроводников в Китай составили $46.6 млрд (сравните с $10.7 млрд поставок в США).
Аналогичные меры поддержки в Корее обещаны и для компаний-автопроизводителей.
Ситуация складывается тяжелой для корейского бизнеса. Ориентироваться на китайский рынок можно лишь временно, т.к. в Китае не скрывают ни своих планов тотального импортзамещения, ни планов самой широкой международной экспансии. Это оставляет корейским производителям не так уж много перспектив при приоритетной ориентации на рынок Китая. Но и приоритетная ориентация на интересы США – непростая задача, корейским компаниям будет трудно прожить без экспорта в Китай или с тарифными барьерами США. Возможно, это заставит Samsung пересмотреть свои активности по созданию в США современного производства, которые ранее последовательно смещались вправо по временной шкале.
Так или иначе, пока что у корейских производителей еще есть некоторая фора технологического превосходства в нише HBM чипов, что подогревается растущим спросом на чипы ИИ, которые требуют этого типа памяти. Это делает корейские компании стратегически важными, прежде всего, для США, и оставляет им возможности заработка.
@RUSmicro
#господдержка
Reuters
South Korea unveils $23 billion support package for chips amid US tariff uncertainty
The measures come in response to calls on the government to expand support at a time of growing policy uncertainty under the current U.S. administration and rising competition from Chinese rivals.
🇺🇸 Внутреннее производство. США
AMD собирается производить свои чипы на фабе TSMC в Аризоне
До сих пор чипы этого фаблесс производителя в США не выпускались, их производили контрактные фабы TSMC на Тайване. Стоит отметить, что планы перевода производства на американскую фабрику TSMC компания вынашивала еще до прихода к власти в США команды Т. Об этом сегодня рассказывает Reuters.
Таким образом, AMD стала третьим крупнейшим фаблесс-производителем, вслед за Apple и Nvidia, который заявил о планах производства своих чипов на Fab21 в Фениксе, Аризона. Производственная мощность этого предприятия – более 10 тысяч пластин в месяц. С сентября 2024 года на нем выпускали, например, чипы Apple A16 Bionic по техпроцессу N4P.
Интригой пока что остается тема упаковки. Аризонские фабрики TSMC этим не занимаются, еще недавно предполагалось, что вся продукция будет отправляться на упаковку на Тайвань. Но в Пеории, Аризоне есть упаковочное предприятие американской компании Amkor, которая в прошлом году договорилась о сотрудничестве с TSMC. В рамках этого сотрудничества, Amkor получит доступ к технологиям и экспертизе TSMC в области современной упаковки и, скорее всего, станет упаковывать изделия, произведенные TSMC в США. Это удлинит внутриамериканскую часть цепочек создания изделий AMD.
Кроме того, AMD недавно завершила производства ZT Systems, известного американского поставщика серверов ИИ.
Все это весьма напоминает складываемый паззл усиления собственного производства в США. Вопросы остаются только по части себестоимости этих изделий.
Компания AMD всячески подчеркивает приоритетность для себя производства в США, но, безусловно, продолжит производить чипы и на Тайване.
@RUSmicro
AMD собирается производить свои чипы на фабе TSMC в Аризоне
До сих пор чипы этого фаблесс производителя в США не выпускались, их производили контрактные фабы TSMC на Тайване. Стоит отметить, что планы перевода производства на американскую фабрику TSMC компания вынашивала еще до прихода к власти в США команды Т. Об этом сегодня рассказывает Reuters.
Таким образом, AMD стала третьим крупнейшим фаблесс-производителем, вслед за Apple и Nvidia, который заявил о планах производства своих чипов на Fab21 в Фениксе, Аризона. Производственная мощность этого предприятия – более 10 тысяч пластин в месяц. С сентября 2024 года на нем выпускали, например, чипы Apple A16 Bionic по техпроцессу N4P.
Интригой пока что остается тема упаковки. Аризонские фабрики TSMC этим не занимаются, еще недавно предполагалось, что вся продукция будет отправляться на упаковку на Тайвань. Но в Пеории, Аризоне есть упаковочное предприятие американской компании Amkor, которая в прошлом году договорилась о сотрудничестве с TSMC. В рамках этого сотрудничества, Amkor получит доступ к технологиям и экспертизе TSMC в области современной упаковки и, скорее всего, станет упаковывать изделия, произведенные TSMC в США. Это удлинит внутриамериканскую часть цепочек создания изделий AMD.
Кроме того, AMD недавно завершила производства ZT Systems, известного американского поставщика серверов ИИ.
Все это весьма напоминает складываемый паззл усиления собственного производства в США. Вопросы остаются только по части себестоимости этих изделий.
Компания AMD всячески подчеркивает приоритетность для себя производства в США, но, безусловно, продолжит производить чипы и на Тайване.
@RUSmicro
Reuters
AMD set to produce its CPU chip at TSMC plant in Arizona
Advanced Micro Devices said on Tuesday its key processor chips would soon be made at TSMC's new production site in Arizona, marking the first time that its products will be manufactured in the United States.
🇺🇸 Государство и бизнес. Вендоры производственного оборудования. США
Тарифная политика США может стоить производителям оборудования более $1 млрд в год
Тема, очевидно, спекулятивная, поскольку практически никто пока не может с уверенностью говорить о том, что выкинет даже в ближайшие дни, не говоря о неделях и месяцах, команда Т. Но на встрече в Вашингтоне, называлась оценка в более, чем $1 млрд потерь ежегодно. В частности, это могут быть потери только трех крупнейших вендоров производственного оборудования – AMAT, Lam Research и KLA в совокупности. А ведь есть еще немало компаний поменьше, типа Onto Innovation. Об этом докладывают Reuters.
Как связано производство сложных технологических машин в США и тарифы на импорт в США?
После эпохи глобального разделения труда (которую, в общем-то, еще не отменили, несмотря на усиление вектора на внутреннее производство) американское оборудование на десятки процентов состоит из закупаемых за рубежом узлов. И если по их импорту пройдутся тарифами, американское оборудование может перестать быть конкурентоспособным по цене. За этим последуют очередные потери доли рынка, а с ними и доходов.
В целом потери американскими производителями доли рынка неизбежны, учитывая тот факт, что за создание собственного производственного оборудования взялись в Китае и в ряде других стран. Теперь потеря американскими производителями доли рынка - это только вопрос времени, а конкретика пошлин, если они когда-нибудь «устаканятся», стабилизируются, позволит примерно оценить размер этих потерь в деньгах.
@RUSmicro
#геополитика
Тарифная политика США может стоить производителям оборудования более $1 млрд в год
Тема, очевидно, спекулятивная, поскольку практически никто пока не может с уверенностью говорить о том, что выкинет даже в ближайшие дни, не говоря о неделях и месяцах, команда Т. Но на встрече в Вашингтоне, называлась оценка в более, чем $1 млрд потерь ежегодно. В частности, это могут быть потери только трех крупнейших вендоров производственного оборудования – AMAT, Lam Research и KLA в совокупности. А ведь есть еще немало компаний поменьше, типа Onto Innovation. Об этом докладывают Reuters.
Как связано производство сложных технологических машин в США и тарифы на импорт в США?
После эпохи глобального разделения труда (которую, в общем-то, еще не отменили, несмотря на усиление вектора на внутреннее производство) американское оборудование на десятки процентов состоит из закупаемых за рубежом узлов. И если по их импорту пройдутся тарифами, американское оборудование может перестать быть конкурентоспособным по цене. За этим последуют очередные потери доли рынка, а с ними и доходов.
В целом потери американскими производителями доли рынка неизбежны, учитывая тот факт, что за создание собственного производственного оборудования взялись в Китае и в ряде других стран. Теперь потеря американскими производителями доли рынка - это только вопрос времени, а конкретика пошлин, если они когда-нибудь «устаканятся», стабилизируются, позволит примерно оценить размер этих потерь в деньгах.
@RUSmicro
#геополитика
Reuters
Exclusive: US tariffs may cost chip equipment makers more than $1 billion, industry estimates
The companies build some of the world's most highly sought-after chipmaking equipment that can require thousands of specialized parts.
🇹🇼 Пластины. Производство микросхем. Технологии. Тайвань
TSMC собирается выпускать заказы Nvidia на квадратных пластинах
Компания ранее экспериментировала с пластинами большего, чем 300 мм диаметра и с прямоугольными пластинами. И, похоже, собирается перейти на применение квадратных пластин 310x310 мм (первоначально в небольших объемах) уже в 2027 году, на пилотной линии, которая сооружается в городе Таоюань. Об этом пишет Asia Nikkei.
Наращивать площадь пластин производителям хочется потому, что такие «суперчипы» как B200 от Nvidia, MI355 от AMD или тензорные ИИ-процессоры Google требуют больших площадей на пластине, на обычной «вафле» 300 мм их может поместиться лишь 16, 12 или 25. Не удивительно, что встал вопрос о наращивании размеров пластин. Переход к пластинам квадратной или прямоугольной формы не менее логичен, - чипы, как правило, создают квадратными, поэтому при «вписывании» их в круглую пластину идут немалые потери площади монокристалла. Конечно, есть проблемы перехода – нужно научиться равномерно наносить фоторезист, полировать пластины большой площади, бороться с прогибами тонких пластин большой площади. Все это требует изменений в применяемом производственном оборудовании.
Ранее TSMC экспериментировала с пластинами 510х510 мм, но даже 310х310 мм обещает большую площадь поверхности, чем у пластины 300 мм в диаметре.
Это радикальное изменение требует модификации целого ряда производственного оборудования. Но когда ты – TSMC, возможно даже такое, производители машин в США, Японии и на Тайване уже работают над модификацией своих продуктов, чтобы они могли работать с квадратными пластинами.
Компании еще предстоит определить, какой отступ от края будет оптимальным, чтобы роботизированные руки или другие захваты могли безопасно захватывать и размещать подложку.
Готовятся и упаковщики, компания ASE Technology Holding подтвердила, что строит линию по упаковке, которая будет работать с пластинами до 600 х 600 мм. Позднее компания сообщила, что планирует переориентироваться на 310 х 310 мм, коль скоро TSMC выбрала этот размер.
В Huawei Technologies тоже заняты разработкой упаковки уровня панели. Соответствующие исследования ведут такие поставщики Huawei, как BOE Technology Holding и Tongfu Microelectronics.
Забавно, что еще совсем недавно технологии упаковки считались чем-то простым и вспомогательным, куда более простым, чем производство полупроводниковых структур. Но такие технологии как CoWoS, другие технологии 2.5/3D наглядно демонстрируют, что это не совсем так.
Процесс перехода к квадратным пластинам, похоже, запущен. Все необходимые разработки и модификации лягут на производителей оборудования дополнительными расходами. Окупятся ли эти дополнительные расходы выигрышем от использования пластин нового форм-фактора?
@RUSmicro
#пластины
TSMC собирается выпускать заказы Nvidia на квадратных пластинах
Компания ранее экспериментировала с пластинами большего, чем 300 мм диаметра и с прямоугольными пластинами. И, похоже, собирается перейти на применение квадратных пластин 310x310 мм (первоначально в небольших объемах) уже в 2027 году, на пилотной линии, которая сооружается в городе Таоюань. Об этом пишет Asia Nikkei.
Наращивать площадь пластин производителям хочется потому, что такие «суперчипы» как B200 от Nvidia, MI355 от AMD или тензорные ИИ-процессоры Google требуют больших площадей на пластине, на обычной «вафле» 300 мм их может поместиться лишь 16, 12 или 25. Не удивительно, что встал вопрос о наращивании размеров пластин. Переход к пластинам квадратной или прямоугольной формы не менее логичен, - чипы, как правило, создают квадратными, поэтому при «вписывании» их в круглую пластину идут немалые потери площади монокристалла. Конечно, есть проблемы перехода – нужно научиться равномерно наносить фоторезист, полировать пластины большой площади, бороться с прогибами тонких пластин большой площади. Все это требует изменений в применяемом производственном оборудовании.
Ранее TSMC экспериментировала с пластинами 510х510 мм, но даже 310х310 мм обещает большую площадь поверхности, чем у пластины 300 мм в диаметре.
Это радикальное изменение требует модификации целого ряда производственного оборудования. Но когда ты – TSMC, возможно даже такое, производители машин в США, Японии и на Тайване уже работают над модификацией своих продуктов, чтобы они могли работать с квадратными пластинами.
Компании еще предстоит определить, какой отступ от края будет оптимальным, чтобы роботизированные руки или другие захваты могли безопасно захватывать и размещать подложку.
Готовятся и упаковщики, компания ASE Technology Holding подтвердила, что строит линию по упаковке, которая будет работать с пластинами до 600 х 600 мм. Позднее компания сообщила, что планирует переориентироваться на 310 х 310 мм, коль скоро TSMC выбрала этот размер.
В Huawei Technologies тоже заняты разработкой упаковки уровня панели. Соответствующие исследования ведут такие поставщики Huawei, как BOE Technology Holding и Tongfu Microelectronics.
Забавно, что еще совсем недавно технологии упаковки считались чем-то простым и вспомогательным, куда более простым, чем производство полупроводниковых структур. Но такие технологии как CoWoS, другие технологии 2.5/3D наглядно демонстрируют, что это не совсем так.
Процесс перехода к квадратным пластинам, похоже, запущен. Все необходимые разработки и модификации лягут на производителей оборудования дополнительными расходами. Окупятся ли эти дополнительные расходы выигрышем от использования пластин нового форм-фактора?
@RUSmicro
#пластины
Nikkei Asia
TSMC moves closer to next-gen packaging for Nvidia, Google AI chips
Move to 'panel-level' packing on square substrate would impact entire supply chain
🇷🇺 Образование. Встречи. Микроконтроллеры. Вебинары. Россия
Меня пригласили на вебинар, посвященный микроконтроллеру о котором ранее уже было несколько публикаций - К1921ВГ015, НИИЭТ (ГК Элемент).
Его особенности - малое потребление и набор команд RISC-V.
Вебинар/семинар бесплатный и открытый, так что интересующиеся могут подключиться, но требуется регистрация. Поскольку это не реклама, я ссылку привести не могу, но интересующиеся найдут ее на сайте института. Дата вебинара - 15 мая.
В программе обещают рассказать об особенностях микроконтроллера, расскажут где взять ПО для старта работы МК и расскажут о кейсах применения.
Микроконтроллер предназначен прежде всего для использования в приборах учета электроэнергии или энергоносителей. Но его можно, конечно, применять и не только для этого, благо в его составе есть различная периферия, включая аналоговую.
@RUSmicro
#микроконтроллеры #образование
Меня пригласили на вебинар, посвященный микроконтроллеру о котором ранее уже было несколько публикаций - К1921ВГ015, НИИЭТ (ГК Элемент).
Его особенности - малое потребление и набор команд RISC-V.
Вебинар/семинар бесплатный и открытый, так что интересующиеся могут подключиться, но требуется регистрация. Поскольку это не реклама, я ссылку привести не могу, но интересующиеся найдут ее на сайте института. Дата вебинара - 15 мая.
В программе обещают рассказать об особенностях микроконтроллера, расскажут где взять ПО для старта работы МК и расскажут о кейсах применения.
Микроконтроллер предназначен прежде всего для использования в приборах учета электроэнергии или энергоносителей. Но его можно, конечно, применять и не только для этого, благо в его составе есть различная периферия, включая аналоговую.
@RUSmicro
#микроконтроллеры #образование