Narrative Economics
JP Morgan: NVDA의 CoWoP의 초기 실현 가능성과 상용화 시 공급망에 미칠 영향 NVDA가 CoWoS 패키징을 CoWoP로 대체하려는 것으로 보이는 제안과 관련해 큰 화제 1. CoWoP란 무엇인가? 장단점은? - CoWoP (Chip-on-Wafer-on-PCB): Chip-on-Wafer 인터포저 제조 단계가 완료된 후, 인터포저(그 위에 칩이 실장됨)를 ABF 서브스트레이트(즉, CoWoS에서의 on-Substrate 단계)에 본딩하는…
위 NVDA 칩 패키징 글 이해를 위한 최근 중요 키워드
1. CoWoP (Chip-on-Wafer-on-PCB): CoWoS 공정에서 패키지 서브스트레이트와 BGA(볼 그리드 어레이) 솔더볼 같은 일부 전통적인 구성 요소를 제거하여 칩 패키징을 단순화합니다.
2. CoWoS (Chips-on-Wafer-on-Substrate): TSMC의 2.5D 인터포저 기반 패키징 기술로, 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
3. CoWoS-L: Local Silicon Interconnect를 사용하여 다이를 더 높은 인터커넥트 밀도와 속도로 연결하는 CoWoS 방식입니다.
4: CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate): CoWoS 구조에서 원형 실리콘 웨이퍼를 사각형 유리 패널로 대체하여, 기존 원형 웨이퍼보다 더 많은 유효 면적을 확보하고 생산 효율성을 높이며 비용을 절감합니다.
5. mSAP (Modified Semi-Additive Process): PCB 제조 기술 중 하나로, 더 미세한 회로선 폭과 간격을 구현할 수 있어 고주파 애플리케이션과 소형화 장치에 적합합니다. 이 공정은 회로 패턴 형성 시 제거 방식 대신 첨가 방식의 공정을 사용합니다.
6. SLP (Substrate-Like PCB): 전통적인 PCB와 IC 서브스트레이트 사이의 간극을 메우는 고밀도 인터커넥트(HDI) PCB로, 표준 PCB보다 더 미세한 회로선 폭과 간격을 갖춰 높은 부품 밀도와 소형화를 구현합니다.
7. ABF (Ajinomoto Build-up Film): IC 서브스트레이트 제조에 사용되는 핵심 소재로, IC를 PCB에 연결하는 데 필수적입니다. 고성능 컴퓨팅, CPU, GPU 등 고밀도 애플리케이션에 이상적인 특성을 가집니다.
8. RCC (Resin Coated Copper): 얇은 구리 포일 위에 에폭시 또는 기타 열경화성 수지 층이 코팅된 형태의 PCB 소재입니다.
9. RDL (Redistribution Layer): 칩의 I/O 접속을 재배치하는 금속 인터커넥트 층으로, 2.5D·3D 집적과 같은 첨단 패키징 기술에서 칩 간 연결을 유연하고 효율적으로 구현합니다.
10. SiP (System in Package): 두 개 이상의 IC를 하나의 패키지에 집적하는 방식입니다. SoC(System on Chip)는 기능을 하나의 다이에 통합하는 반면, SiP는 별도의 다이를 하나의 패키지에 결합합니다.
11. C4 (Controlled Collapse Chip Connection): 칩 상단에 작은 구리 범프를 형성한 뒤 칩을 뒤집어 다른 다이 또는 보드의 구리 패드에 올려 전기적 연결을 만드는 인터커넥트 방식입니다.
12. HDI (High-Density Interconnect): 단위 면적당 배선 밀도가 높은 회로 기판으로, 기존 PCB보다 더 미세한 회로 간격·선폭, 작은 비아와 캡처 패드, 높은 연결 패드 밀도를 가집니다.
13. CPO (Co-Packaged Optics): 광학 부품과 ASIC을 하나의 패키지 서브스트레이트에 통합하여 고속 데이터 전송과 저전력 소비를 가능하게 하는 기술입니다.
#TERMS
1. CoWoP (Chip-on-Wafer-on-PCB): CoWoS 공정에서 패키지 서브스트레이트와 BGA(볼 그리드 어레이) 솔더볼 같은 일부 전통적인 구성 요소를 제거하여 칩 패키징을 단순화합니다.
2. CoWoS (Chips-on-Wafer-on-Substrate): TSMC의 2.5D 인터포저 기반 패키징 기술로, 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
3. CoWoS-L: Local Silicon Interconnect를 사용하여 다이를 더 높은 인터커넥트 밀도와 속도로 연결하는 CoWoS 방식입니다.
4: CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate): CoWoS 구조에서 원형 실리콘 웨이퍼를 사각형 유리 패널로 대체하여, 기존 원형 웨이퍼보다 더 많은 유효 면적을 확보하고 생산 효율성을 높이며 비용을 절감합니다.
5. mSAP (Modified Semi-Additive Process): PCB 제조 기술 중 하나로, 더 미세한 회로선 폭과 간격을 구현할 수 있어 고주파 애플리케이션과 소형화 장치에 적합합니다. 이 공정은 회로 패턴 형성 시 제거 방식 대신 첨가 방식의 공정을 사용합니다.
6. SLP (Substrate-Like PCB): 전통적인 PCB와 IC 서브스트레이트 사이의 간극을 메우는 고밀도 인터커넥트(HDI) PCB로, 표준 PCB보다 더 미세한 회로선 폭과 간격을 갖춰 높은 부품 밀도와 소형화를 구현합니다.
7. ABF (Ajinomoto Build-up Film): IC 서브스트레이트 제조에 사용되는 핵심 소재로, IC를 PCB에 연결하는 데 필수적입니다. 고성능 컴퓨팅, CPU, GPU 등 고밀도 애플리케이션에 이상적인 특성을 가집니다.
8. RCC (Resin Coated Copper): 얇은 구리 포일 위에 에폭시 또는 기타 열경화성 수지 층이 코팅된 형태의 PCB 소재입니다.
9. RDL (Redistribution Layer): 칩의 I/O 접속을 재배치하는 금속 인터커넥트 층으로, 2.5D·3D 집적과 같은 첨단 패키징 기술에서 칩 간 연결을 유연하고 효율적으로 구현합니다.
10. SiP (System in Package): 두 개 이상의 IC를 하나의 패키지에 집적하는 방식입니다. SoC(System on Chip)는 기능을 하나의 다이에 통합하는 반면, SiP는 별도의 다이를 하나의 패키지에 결합합니다.
11. C4 (Controlled Collapse Chip Connection): 칩 상단에 작은 구리 범프를 형성한 뒤 칩을 뒤집어 다른 다이 또는 보드의 구리 패드에 올려 전기적 연결을 만드는 인터커넥트 방식입니다.
12. HDI (High-Density Interconnect): 단위 면적당 배선 밀도가 높은 회로 기판으로, 기존 PCB보다 더 미세한 회로 간격·선폭, 작은 비아와 캡처 패드, 높은 연결 패드 밀도를 가집니다.
13. CPO (Co-Packaged Optics): 광학 부품과 ASIC을 하나의 패키지 서브스트레이트에 통합하여 고속 데이터 전송과 저전력 소비를 가능하게 하는 기술입니다.
#TERMS
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