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Keybanc) 2026 반도체 전망

1. 2026년 AI 데이터 센터(AI DC) 수요는 여전히 견조할 것으로 예상됩니다. 설비 투자(Capex)는 31% 증가한 4,200억 달러에 달해 약 12GW(+70%) 규모의 GPU/XPU 구축을 이끌 것입니다. 클라우드 서비스 제공업체(CSP), 기업 및 네오클라우드(neocloud) 지출에 힘입어 서버 출하량은 전년 대비 16.5% 증가(AI 서버 +50%, 전통 서버 +11%)할 것으로 보입니다. 수혜 기업으로는 브로드컴(AVGO), 마벨(MRVL), 마이크론(MU), AMD, 인텔(INTC), 엔비디아(NVDA)가 있습니다.

2. 재고가 대부분 정상화되었으나 고객들이 여전히 신중한 태도를 보이고 있어, 2026년 회복세는 완만할 것으로 전망됩니다. 특히 자동차 부문은 재고 재비축(restocking) 없이 약세를 지속하고 있습니다. 재고에 대한 신중함과 혼조세를 보이는 전방 시장 동향이 상승 여력을 제한하고 있으며, 이러한 상황에서 아날로그 디바이스(ADI), 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT), MKS 인스트루먼트(MKSI), 모놀리식 파워 시스템즈(MPWR), 마이크론(MU), 온세미컨덕터(ON), 실리콘 랩스(SLAB), 텍사스 인스트루먼트(TXN), 테라다인(TER)이 수혜를 입을 것으로 보입니다.

3. 2026년 메모리 가격 상승과 공급 부족은 PC와 스마트폰의 자재 명세서(BOM) 비용에 가장 큰 압박을 줄 것으로 보이며, 자동차 및 산업 등 다른 부문에도 영향을 미칠 것으로 예상됩니다. 소비재 및 핸드셋 시장 노출도가 높은 공급업체(퀄컴(QCOM), ARM, 온세미컨덕터(ON))는 OEM들이 가격을 인상하거나 사양을 낮춤에 따라 마진 및 제품 구성(mix) 측면에서 역풍을 맞을 수 있습니다. 자동차용 메모리는 업계에서 가장 낮은 수준의 매출 총이익률(GM)을 기록하고 있어 적절한 물량을 확보하는 데 어려움을 겪을 수 있으므로, 완성차 업체(Auto OEM)들은 더 큰 부담을 느낄 수 있습니다. 반면, DRAM/NAND 공급 부족은 마이크론(MU)에 상당한 순풍으로 작용할 것이며, 메모리 복잡성 증가와 테스트 강도 상승으로 인해 테라다인(TER)이나 MKS 인스트루먼트(MKSI)와 같은 후방 공정의 테스트 및 서브시스템 공급업체들도 혜택을 볼 수 있는 위치에 있습니다.

4. 반도체 장비(Semicap) 부문의 경우, 2026년은 웨이퍼 제조 장비(WFE) 지출이 가속화되는 해가 될 것으로 판단됩니다. AI 관련 기기 수요, 최첨단 기술로의 전환, 지속적인 지역화 추세, 그리고 메모리 가격 상승이 성숙 공정(mature node)의 성장 둔화를 상쇄하고도 남을 것으로 예상합니다. 자동차 및 산업과 같은 "레거시(trailing edge)" 시장의 회복이 전망치 상향의 요인이 될 수 있는 반면, 메모리 가격 상승으로 인한 소비자 중심 제품의 수요 압박과 국제 무역 기회에 영향을 미치는 추가적인 지정학적 요인들은 리스크로 작용할 수 있습니다.
Forwarded from 루팡
HSBC, 마이크론, 투자의견 매수(Buy) 유지, 목표 주가 $350에서 $500로 상향

현재 AI 추론 플랫폼에서의 스토리지 수요가 증가함에 따라, 우리는 NAND를 차세대 촉매제로 보고 있습니다.

AI 추론 활동이 서버용 DRAM 공급을 흡수하고 메모리 가격을 밀어 올림에 따라, 당사는 2분기 영업이익 전망치를 6% 상향 조정했습니다.

예상 영업이익은 120억 달러(전분기 대비 +88%), 매출은 200억 달러(+47%)이며, DRAM 평균판매단가(ASP)는 45% 상승할 것으로 보입니다.

우리는 토큰 관리, 검색 증강 생성(RAG), 키-값(KV) 캐싱 등 AI 추론의 핵심 요소들로 인해 서버용 DRAM과 기업용 SSD(eSSD) 수요가 점진적으로 증가할 것으로 예상합니다.

결과적으로 발생하는 공급 부족은 DRAM 제조사의 재고 수준을 2~4주 정도로 낮게 유지시키며 PC 및 모바일 DRAM 가격을 끌어올리고 있습니다.

이러한 부족 현상은 연말까지 지속되어 2026 회계연도에는 매출 840억 달러, 영업이익 510억 달러라는 기록적인 성장을 이끌 것입니다.

또한 2027 회계연도 하반기부터 DRAM 생산 능력을 확충하기 위해 설비투자를 7% 늘리고, 6%의 배당 성향으로 배당금을 확대할 것으로 기대합니다."
Forwarded from 루팡
2026년 미 반도체 시장 전망: 미즈호 선정 AI 수혜주

미즈호는 2026년에도 미국 반도체 산업이 급격한 성장을 지속할 것으로 전망하며, 인공지능(AI) 트렌드의 최대 수혜주로 꼽히는 3가지 핵심 종목을 제시했습니다.

해당 증권사는 전반적인 밸류에이션(가치 평가)이 여전히 매력적인 수준이며, AI 기반의 초과 수익 달성이 2026년에도 계속될 것으로 보았습니다. 다만, 그 성장 속도는 2025년에 비해 다소 완만해질 수 있다고 덧붙였습니다.

칩 및 서버 제조업체가 이 트렌드의 주요 수혜자가 될 것이며, 데이터 센터 및 네트워크 인프라 기업들 또한 이익을 얻을 것으로 예상됩니다.

1. 엔비디아 (Nvidia)
엔비디아는 미즈호의 2026년 반도체 유망 종목 순위에서 1위를 차지했습니다. 주요 클라우드 서비스 제공업체(CSP)들의 강력한 AI 서버 수요로부터 지속적인 혜택을 받고 있습니다.

성장 동력: '네오클라우드(neoclouds)'의 생산 확대와 국가 주도 AI(sovereign AI) 및 기업용 시장에서의 새로운 기회가 추가 성장을 견인하고 있습니다.

평가: 미즈호는 엔비디아가 내년의 우수한 성장 기대감에도 불구하고 경쟁사들에 비해 낮은 수준에서 거래되고 있다는 점(밸류에이션 할인)에 주목했습니다. 이러한 가격적 이점과 AI 가속기 분야의 독점적 지위는 엔비디아를 미즈호의 최선호주로 확고히 하고 있습니다.


2. 루멘텀 홀딩스 (Lumentum Holdings)
루멘텀 홀딩스는 순위 2위에 올랐습니다. 구글 클라우드 플랫폼(GCP)과 아마존 웹 서비스(AWS) 등 핵심 고객사를 중심으로 광학 장비 배치가 본격화되고 있습니다.

성장 동력: 주요 고객사인 엔비디아 내에서 광 스위치(OCS) 및 공동 패키징 광학(CPO) 기술의 성장에 따른 수혜를 입고 있습니다.

평가: 미즈호는 AI 데이터 센터가 '스케일업(scale-up)' 및 '스케일아웃(scale-out)' 아키텍처 모두에서 기존 구리 연결 방식에서 광학 연결 방식으로 전환됨에 따라, 루멘텀이 매우 유리한 고지를 점하고 있다고 분석했습니다.


3. 브로드컴 (Broadcom)
브로드컴은 2026년 반도체 순위 3위를 확보했습니다.

성장 동력: 특히 구글의 텐서 처리 장치(TPU)를 위한 맞춤형 주문형 반도체(ASIC) 생산이 강력하게 증가하고 있으며, 네트워크 사업부 또한 추가적인 성장 동력을 제공하고 있습니다.

평가: 미즈호는 브로드컴의 소프트웨어 사업이 강력한 잉여 현금 흐름을 창출하고 있다는 점을 강조했습니다. 또한, 오픈AI(OpenAI) 및 앤스로픽(Anthropic)과 같은 주요 AI 기업들을 신규 고객사로 확보한 점이 향후 더 큰 성장 기회가 될 것으로 보았습니다.
AI 확산이 만드는 NAND 구조적 슈퍼사이클 (JPM)

1. 수요 구조 변화

향후 3년 NAND TAM CAGR 30% 이상, 과거 25년 평균 한 자릿수에서 구조적 가속

• NAND 비트 수요 CAGR 약 20%, ASP도 낮은 두자릿수 상승으로 동반 기여

• SSD가 전체 NAND 비트 수요의 과반 차지, 스마트폰 비중은 30% 내외로 정체

eSSD 비트 믹스 25E 29% → 28E 50% 이상으로 급확대

• AI 서버 증설 속도가 전체 NAND 수요 변동성의 핵심 변수로 전환

2. AI 인퍼런스와 NAND 역할

• AI 학습 단계는 DRAM/HBM 중심, 인퍼런스 단계는 NAND 활용도 급증

• 대규모 모델의 파라미터·컨텍스트 길이 확대로 수십 TB 단위 스토리지 필요

• KV Cache 오프로딩이 GPU/HBM 병목 해소 수단으로 부상

• NVDA BlueField DPU 기반 ICMS 플랫폼으로 외부 스토리지 접근 효율 5배 개선

AI 서버당 스토리지 콘텐츠 70TB 이상 필요, 장기적으로 상향 가능성

3. eSSD 성장 동력

eSSD 출하량 2024년 YoY +80% 이상, 과거 서버 사이클 피크 상회

25E~28E eSSD 비트 수요 CAGR 약 50%

• GP 서버 대비 AI 서버 스토리지 비트 수요 CAGR 2배 이상

• 컴퓨트 eSSD는 저지연·고IOPS, 스토리지 eSSD는 대용량·저비트코스트 중심

• 고성능·전력효율·밀도 동시 요구로 엔터프라이즈 SSD 평균 ASP 상승

4. HDD 대체 효과

• AI 인퍼런스 확대로 근접 저장 수요 증가, HDD 공급 타이트

• QLC SSD가 니어라인 스토리지 대안으로 채택 확대

• HDD는 초대용량·저비용, SSD는 속도·지연 민감 워크로드로 역할 분화

HDD 부족이 SSD 수요를 추가로 견인하는 구조 형성

5. 공급 구조 및 CAPEX

NAND 업체 CAPEX 집행 강도 DRAM 대비 현저히 낮음

• 25E~27E NAND 자본집약도 약 16%, DRAM은 25% 이상

• 고적층 전환으로 웨이퍼 투입 자연 감소 효과 발생

• 클린룸 우선순위가 DRAM/HBM에 집중되며 NAND 증설 제약

과거 사이클 대비 공급 반응 속도 둔화, 수급 규율 강화

6. 가격과 수익성

• NAND ASP 장기 디플레이션 종료 국면

26E까지 분기 기준 순차적 ASP 상승 예상

• 서버용 엔터프라이즈 NAND는 가격 상단 여력 큼

• 소비자용 NAND는 BOM 부담으로 가격 인상 여력 제한

웨이퍼당 매출 25E 5.5만달러 → 27E 10만달러 이상으로 구조적 개선

7. NAND vs DRAM 상대 매력

• NAND는 시장 분산·소비자 노출로 저평가 인식 지속

AI NAND TAM 성장률은 중기적으로 AI DRAM과 유사하거나 상회

• AI NAND TAM 2028E 약 700억달러, DRAM 대비 절대 규모는 작지만 성장 가파름

• DRAM은 HBM 중심 CAPEX 집중으로 중장기 공급 제약 리스크

8. 기술 트렌드

• 3D NAND 적층 고도화 지속, 비트 생산성 재가속 구간 진입

• CMOS Bonded-to-Array 확산으로 성능·전력 효율 개선

• NVMe·PCIe Gen5 기반 인터페이스가 인퍼런스 성능의 핵심 요소

• HBF는 2028년 이후 상용화 가능, 웨이퍼당 다이 손실로 공급 타이트 요인 잠재

9. 투자 시사점

NAND 사이클은 단기 가격 반등이 아닌 다년 구조적 업사이클 성격

서버·AI 노출도 높은 NAND 업체가 상대적 수혜 (서버향 비중이 높은 키옥시아 최선호주 / 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 eSSD 핵심 플레이어에 대해 비중확대 의견 유지)

CAPEX 규율 유지 여부가 주가의 가장 중요한 체크 포인트

DRAM 대비 후행 주가 흐름 시 리레이팅 기회 존재
한국은 글로벌 AI 모델 3위 국가(Artificial Analysis Index)

: 국가대표 AI 프로젝트 기반 성과 창출. 프랑스 미스트랄 ai의 Mistal Large 3(23점) 상회

: Index 기준 1위 미국(40점 후반-50점 초반), 2위 중국(40점 초반)
개인투자자들, 한국증시에서는 순매도 우위 보이는 가운데 (지수 기준으로) 국장 대비 덜 오른 미국 시장으로 추가 유입

금융정보업체 연합인포맥스에 따르면 개인들은 이달 1~22일 유가증권시장에서 5조5천27억원을 순매도했다.

같은 기간 국내 투자자는 미국 주식을 36억2천만달러 순매수(한국예탁결제원 집계 기준)했다.

[머니플로우] 오천피 축포속 역대급 증시자금…美주식 열기도 '후끈'
- 예탁금·신용융자 연일 기록 경신…개미들 국장에선 팔고 미장은 순매수
https://n.news.naver.com/article/001/0015864692?sid=101
[다올 시황 김지현]
정부 코스닥 3,000pt 언급과 코스닥 ETF 구성종목


과거 코스닥 고점

2000년 3월 닷컴 버블 2925pt
2021년 8월 유동성+2차전지 랠리 1062pt
2026년 1월 현재 994pt


👉 코스닥 1000pt까지는 로봇, 2차전지의 내러티브와 바이오의 반등으로 도달

그외 시총 상위주는 수출주인 미용의료기기, 전방사 증설 확대 시 이익개선되는 반도체 소부장

코스피 5000pt 까지 과정을 보면 조선, 방산, 원전, 금융 -> 반도체 -> 자동차 로 외국인 수급이 선제적으로 유입된 이후 기관의 추격매수와 개인들의 레버리지 ETF 매수로 강하게 상승

외국인 입장에서 코스닥에서도 대형주 매수가 유리

다음주 29일 SK하이닉스 실적 발표 이후 반도체가 수급을 흡수하지 않는다면 코스닥으로 온기확산 가능한 환경

리스크 요인은 매크로단에서 1월말 FOMC 이후 연내 금리인하 가능성 자체가 축소될 경우의 조정



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[단독] 이재명 대통령, 코스피 5000특별위원회에게 ”코스닥 3000 만들어라“ 의견 내비쳐

https://n.news.naver.com/article/009/0005626112?sid=100
Forwarded from [미래에셋증권 전략/퀀트 유명간] (명간 유)
[국내주식 관련 코멘트]

* 코스피는 지난해 10월 말 4,000p를 기록한 이후 약 3개월 만에 장중 5,000p를 달성. 지수 기여도 상위는 반도체(+17%p), 자동차(+4%p), 상사/자본재(+2.3%p). 실적 개선에 기반한 상승으로 코스피 밸류에이션 부담 낮음(12MF PER 10.6배)

* 4분기 실적 시즌이지만 이익모멘텀은 반도체 중심으로 양호한 흐름 지속. 26년 영업이익 컨센서스 1개월 간 +13.7% 상향 조정. 반도체 외 증권, 에너지, 유틸리티, 조선, 방산의 이익 변화율이 양호. 26년 합산 영업이익 컨센서스 469조원(+66%YoY) 중 반도체가 225조원. 여전히 반도체 이익 추정치(평균)는 낮은 모습

* 실적 개선과 증시 친화적인 정책 기조가 뒷받침되면서 지수 상승세는 이어질 가능성. 이익 증가율 관점에선 반도체, 산업재, 대형주가 상반기까지 유리. 그러나 단기적으로는 코스피 대비 가격 매력이 높은 코스닥과 2~3월 배당 시즌을 겨냥한 금융, 지주가 유리한 선택. 기관/외국인 수급 여력이 높은 업종에도 관심
올해부터 자산배분 전략도 담당하게 됐습니다. 간략한 버전의 월간자료 발간합니다. 새로운 자산배분 자료도 곧 완성해 찾아뵙겠습니다


[KB: 자산배분]
KB Core View : 주가 급등 부담에도 ‘1분기’가 ‘2분기’보다 낫다
이은택, 2026-01-22


- 글로벌 자산배분: 연초부터 달린 주가와 금리, 1분기까진 기회가 남은 주식
- 경제: 구매력 (affordability)에 집중하는 트럼프 대통령, 올해 미국 성장세 강화시킬 것
- 주식: 급등에도 기회가 남은 1분기, 봄이 지나면서 주가 탄력 둔화 전망
- 채권: 보수적인 스탠스
- 대체: ‘낮은 유가, 강한 금’에 전망 대한 유지. 상업용 부동산 거래 회복, 섹터별 차등

https://bit.ly/4pPgVnO
삼성의 커스텀 HBM4E 설계, 2026년 중반 목표… SK하이닉스·마이크론과 비슷한 일정

올해 HBM4 경쟁이 뜨거워지면서, 메모리 대기업들은 HBM4E 개발을 가속하고 있으며, 커스텀 HBM(맞춤형 HBM) 이 주류 중 하나가 될 것으로 예상됩니다. The Elec에 따르면 삼성의 커스텀 HBM4E 설계는 2026년 5~6월에 완료될 예정이며, SK하이닉스와 마이크론도 유사한 일정을 보이고 있습니다.

The ElecHBM4는 대체로 표준(standard) 성격이 강한 반면, HBM4E와 HBM5는 커스텀 HBM에 초점을 맞출 것이라고 언급합니다. 이를 지원하기 위해 삼성은 HBM4부터 표준 설계와 커스텀 설계를 담당하는 두 개의 HBM 팀을 운영하고 있으며, 보도에 따르면 구글·메타·엔비디아를 겨냥한 커스텀 프로젝트를 위해 엔지니어 250명을 최근 추가했습니다. 업계의 예상으로는 HBM4E는 2027년 출시, HBM5는 2029년으로 거론됩니다.

삼성, 커스텀 HBM에 전력 투자

이번 보도는 삼성이 HBM4E 개발을 진전시켜 베이스 다이(base die) 백엔드 설계 단계에 들어갔다고 시사합니다. 일반적으로 HBM 설계에는 약 10개월이 걸리며, 보도에 따르면 **백엔드 단계가 전체 일정의 약 60~70%**를 차지합니다.

백엔드 단계는 프런트엔드의 RTL(레지스터-전송 수준) 로직 개발 이후, 회로를 물리적으로 배치하고(placement) 연결(routing)하는 물리 설계 과정을 포함합니다. 완료되면 최종 설계 데이터가 파운드리로 전달되어 생산에 들어가는데, 이를 테이프아웃(tape-out) 이라고 합니다.

보도에 따르면 베이스 다이는 적층된 각 DRAM의 데이터 읽기/쓰기 및 오류 정정(ECC)을 제어하며, 전체 성능과 안정성을 좌우합니다. 따라서 고객들은 베이스 다이에 추가 로직 기능을 통합한 커스텀 HBM을 점점 더 요구하고 있습니다.

특히 ZDNet은, 삼성이 올해 상용화를 목표로 하는 HBM4의 로직 다이에 4nm 공정을 적용한 데 이어, 커스텀 HBM을 위해 2nm 노드 채택이라는 더 큰 도약을 노리고 있다고 전합니다.

SK하이닉스·마이크론, 커스텀 HBM에서 TSMC 활용

한편 The ElecSK하이닉스와 마이크론도 삼성과 비슷한 시기에 커스텀 HBM4E 개발을 마무리할 것으로 예상된다고 밝혔습니다. 보도에 인용된 업계 관계자는 3대 메모리 업체 모두 HBM4E 개발에서 대체로 비슷한 수준이며, 특정 회사가 크게 앞서거나 뒤처지지 않았다고 말했습니다.

ZDNet 보도에 따르면, SK하이닉스는 차세대 HBM 베이스 다이 및 기타 첨단 제품에서 TSMC와 긴밀히 협력하고 있으며, 동시에 SanDisk와 함께 고대역폭 플래시(HBF)의 국제 표준화도 추진하고 있습니다. Korea Financial Times에 따르면 SK하이닉스는 주류 서버용 베이스 다이에는 TSMC 12nm 공정을 적용하고, 엔비디아 플래그십 GPU 및 구글 TPU를 겨냥한 프리미엄 설계에는 3nm로 고도화할 계획입니다.

앞서 Tom’s Hardware는 마이크론이 HBM4E의 베이스 로직 다이를 TSMC에서 생산하기로 했으며 2027년 생산을 목표로 한다고 전했습니다. 다만 B!z Watch는 마이크론이 비용을 낮추기 위해 기존 DRAM 공정을 유지해왔고, 이는 커스텀 HBM 경쟁에서 구조적 약점으로 자주 지적된다고 경고합니다. 마이크론이 HBM4E에서 TSMC 공정 적용을 탐색하기 시작하긴 했지만, 업계 관측자들은 전반적으로 삼성과 SK하이닉스보다 뒤처져 있다고 보는 경향이 있다고 보도는 덧붙였습니다.

https://www.trendforce.com/news/2026/01/23/news-samsungs-custom-hbm4e-design-reportedly-aimed-for-mid-2026-parallels-sk-hynix-and-micron/