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당사는 HBM 출하량과 매출이 2026년(CY)까지 견조한 성장을 지속할 것으로 전망합니다.

1) 당사는 2025년 HBM 비트(bit) 출하량이 전년 대비 130% 성장하고, 내년에는 비트 출하량이 56% 추가 성장할 것으로 예상합니다 (Exhibit 34). 이는 최근 업데이트된 TSMC의 CoWoS 및 AI 테스트 생산능력 계획에 의해 뒷받침되며, 해당 계획은 내년 CoWoS 웨이퍼 출하량이 약 40% 성장할 것임을 시사합니다 (Exhibit 35-Exhibit 36).

2) 제품 믹스 측면에서, 내년에도 HBM3E가 출하량의 대부분을 차지할 것으로 예상합니다. HBM4와 기타 여러 부품들이 예상보다 높은 기술적 난제를 안고 있으며, 결과적으로 공급망이 따라올 수 있도록 엔비디아가 기술 도입 속도(cadence)를 약간 늦춰야 했을 것으로 파악됩니다. 이에 따라 HBM 비트 출하량 중 HBM4가 차지하는 비중은 상대적으로 작을 것으로 예상되며, HBM3E가 2026년 전체 물량의 약 4분의 3(3/4)을 차지할 것으로 보입니다 (Exhibit 37). HBM3E 내에서는 12단(12hi) 제품이 내년에 주류가 될 것이며, 이에 따라 AI 프로세서당 HBM 탑재량(content)이 증가할 것입니다. 그 결과 HBM 비트 출하량은 56%로, CoWoS 출하량보다 더 빠르게 성장할 수 있습니다.

3) 가격 측면에서는 더 많은 공급업체가 인증을 받고 수율이 개선됨에 따라, 올해 HBM3와 마찬가지로 2026년에 일부 가격 하락이 발생할 것으로 예상합니다. 그러나 HBM4의 기술적 복잡성과 공급 규율(supply discipline)로 인해 HBM4가 HBM3E 대비 가격 프리미엄을 유지할 수 있을 것으로 보며, 이는 HBM3E의 가격 하락을 부분적으로 상쇄하고 2026년 HBM 혼합 평균판매단가(ASP)를 지지할 것으로 예상합니다 (Exhibit 38). 전체 HBM 시장의 경우, 매출이 올해 약 150% 성장하고 내년에는 60% 추가 성장하여 2026년에는 660억 달러에 이를 것으로 전망합니다 (Exhibit 39). 전체 DRAM 대비 비중은 2026년에 전체 비트 출하량의 10%대 초반(low-teens%), 전체 매출의 30~35%에 달할 것으로 전망합니다 (Exhibit 40-Exhibit 41). 또한 HBM의 생산능력 소모 증가는 DRAM ASP에 구조적인 지지력을 제공할 것이며, 당사는 2026년에도 DRAM ASP가 계속 상승할 것으로 모델링하고 있습니다 (Exhibit 42). 반면, NAND는 DRAM만큼 AI의 수혜를 누리지 못하고 있으며, 그 결과 올해의 짧은 반등 이후 내년에는 NAND ASP가 다시 하락세(downcycle)로 돌아설 것으로 예상합니다 (Exhibit 43).

4) HBM 공급업체 중 삼성전자의 경우 HBM3E 인증 지연으로 인해 올해 전망을 보수적으로 잡고 있으나, AMD와 브로드컴으로부터 제품 인지도가 높아지고 있는 만큼 결국 엔비디아의 인증을 획득할 것으로 믿고 있습니다. 장기적으로는 2027년에도 SK하이닉스가 선두를 유지할 것으로 전망하지만, 경쟁사들의 추격과 SK하이닉스의 우위 축소로 인해 공급업체 간 점유율은 지금보다 더 고르게 분포될 것입니다 (Exhibit 44-Exhibit 45). SK하이닉스는 올해 DRAM 매출의 거의 50%가 HBM에서 발생할 것으로 보여, HBM에 가장 큰 레버리지(비중)를 가진 기업으로 남을 것입니다. 마이크론의 HBM 내 입지는 작년에는 미미했으나, 매출과 점유율이 꾸준하고 빠르게 상승하고 있습니다. 당사는 마이크론의 HBM 시장 점유율과 매출 비중(exposure)이 2025년 하반기 또는 2026년에는 삼성전자를 넘어설 것으로 전망합니다.

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