【”千贼计划“ 又一人承认偷盗商业机密】


5月28日，就职通用电气（GE）全球研究部（既纽约州立大学综合技术学院GE实验室）的42岁华裔工程师 #隋洋 （Yang Sui，音译）在纽约的联邦法庭认罪，承认在2015年至17年间，从GE盗窃了多个与碳化硅MOSFET研究、设计和制造有关的电子文件。

认罪书说，隋洋多次从GE的服务器下载资料，并发送到Gmail帐号，回家下载存档。

隋洋承认打算利用碳化硅制造说明，吸引3千万美元风投开办自己的公司。

认罪书中说，从2017年开始，被告就开始制作自己的商业计划，打算开办自己的企业，生产、销售与GE研究、开发、设计及制造相同的碳化硅产品。

纽约联邦法院法官 #蒂阿格斯蒂诺 （Mae A. D’Agostin）将于9月22日宣布对隋洋的量刑。

隋杨所犯的“ #窃取商业机密罪 ”面临最高10年监禁及最高25万美元或犯罪所获财务收益两倍的罚款，外加刑满后最高三年监督释放。根据认罪书， GE的损失估计至少50万美元。

隋洋在领英网（LinkedIn）信息显示，他1996年考上清华大学材料科学，后在衣阿华州立大学和普渡大学分获硕士和博士学位，博士期间他曾任普渡大学中国学生学者联谊会副会长。2010年10月至2018年1月， 在纽约上州Niskayuna的通用集团全球研发中心担任半导体装置工程师。

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可广泛用于模拟电路与数字电路的场效应晶体管。起诉书介绍，碳化硅MOSFET被用于通用电气的各种零件和产品，包括航空设备和风力涡轮机。纽约州立大学综合技术学院GE实验室研究制造碳化硅芯片被用于制造电力电子开关。

隋洋不是第一位窃取GE商业秘密的华裔。2014年，来自大陆的软件工程师 #谢军 （Jun Xie，音译）被控盗窃通用医疗集团（GE Healthcare）的工程设计、产品测试信息和业务战略等1.4 GB共240万个文件，发送给 #中共国 亲戚。因是H-1B工作签证，定罪后即被递解出境。

2018年，中共“ #千人计划 ”专家、GE工程师 #郑小清 在GE能源及水（GE Power & Water）部门工作期间，用“ #隐写术 ”窃取包括天然气与蒸气涡轮科技设计模型、工程图及其它细节的文件，并将这些档案寄给在中国的商人 #张照曦 （Zhaoxi Zhang，音译）。郑小清案现正审理中。