🇷🇺 Электроника. Импорт электроники. Россия
Wildberries с мая 2025 года запустит продажи товаров от поставщиков из ОАЭ
Речь идет, прежде всего, об электронике, о смартфонах и других гаджетах. Первые поставщики уже подключились к платформе.
Срок доставки составит от 6 дней + таможенное оформление (сроки которого прогнозировать сложно). Таможенная пошлина будет отображаться сразу же, рядом с ценой товара. Об этом рассказывают Ведомости.
Это неприятная новость для российских производителей электроники. Но и у них есть сильные стороны, связанные с сервисом, возможностями возврата и отсутствием таможенных пошлин и т.п. Так что возможности для конкуренции сохранятся, а конкуренция – дело хорошее. Менее понятно, кто и как будет отвечать за соблюдение российского законодательства, например, в части предустановки на смартфоны и компьютеры «обязательного» к установке ПО.
Эмираты, как торговый партнер, интересны не столько товарами, произведенными в это стране, сколько тем, что через них можно закупать самые разные товары, включая китайские. Так что новый проект компании, скорее всего, будет востребованным.
В целом в триллионном обороте маркетплейсов (3.75 трлн – Wildberries, 2.69 трлн – Ozon в 2024 году) растет доля китайских продавцов. На том же Ozon каждый пятый продавец – китайский по данным на конец 2023 года. Будет ли их доля продолжать расти год к году?
@RUSmicro
#маркетплейсы #электроника
Wildberries с мая 2025 года запустит продажи товаров от поставщиков из ОАЭ
Речь идет, прежде всего, об электронике, о смартфонах и других гаджетах. Первые поставщики уже подключились к платформе.
Срок доставки составит от 6 дней + таможенное оформление (сроки которого прогнозировать сложно). Таможенная пошлина будет отображаться сразу же, рядом с ценой товара. Об этом рассказывают Ведомости.
Это неприятная новость для российских производителей электроники. Но и у них есть сильные стороны, связанные с сервисом, возможностями возврата и отсутствием таможенных пошлин и т.п. Так что возможности для конкуренции сохранятся, а конкуренция – дело хорошее. Менее понятно, кто и как будет отвечать за соблюдение российского законодательства, например, в части предустановки на смартфоны и компьютеры «обязательного» к установке ПО.
Эмираты, как торговый партнер, интересны не столько товарами, произведенными в это стране, сколько тем, что через них можно закупать самые разные товары, включая китайские. Так что новый проект компании, скорее всего, будет востребованным.
В целом в триллионном обороте маркетплейсов (3.75 трлн – Wildberries, 2.69 трлн – Ozon в 2024 году) растет доля китайских продавцов. На том же Ozon каждый пятый продавец – китайский по данным на конец 2023 года. Будет ли их доля продолжать расти год к году?
@RUSmicro
#маркетплейсы #электроника
Ведомости
Wildberries начнет доставлять смартфоны и электронику из ОАЭ
Новинки там дешевле и появляются раньше, но за них надо будет доплачивать пошлину
🇷🇺 Рынок электроники. Россия
Китайские компании чаще любых других регистрируют товарные знаки в России
Практически в продолжение темы о росте активности китайских поставщиков электроники в России – еще одна сегодняшняя публикация Ведомостей, посвященная росту количества заявок на регистрацию иностранных товарных знаков в России (+18% по итогам 2020 года относительно 2024 года). Лидером по регистрации товарных знаков в РФ в области электроники является Китай с долей 16% от общего количества, далее идут США с отставанием более чем в 5 раз!
Еще один тренд – иностранные производители обращаются в суды с попытками аннулировать регистрации международных производителей, чтобы начать выпуск продукции под раскрученными брендами. А что, так можно, это не приводит к обману потребителей? Судя по всему – законодательство такие вещи почему-то позволяет. Забавно, что, например, гонконгская компания в 2023 году пыталась отобрать бренды в РФ даже у китайских производителей тип Lenovo и Xiaomi.
Это плохие новости для российских производителей электроники. Регистрация торговых марок в РФ в случае китайских компаний, это признак серьезных намерений, в частности, иллюстрация готовности подстраиваться под местное законодательство, и закапываться поглубже в рынок, вплоть до локализации производства. Если до недавних времен это касалось больше бытовой электроники, то в последнее время идет усиление активностей в области телекома, серверов, промышленных контроллеров и силовой электроники.
В этих условиях инвестиционная привлекательность российского производства электроники и импортзамещения, что называется, вызывает вопросы.
@RUSmicro
#рынокэлектроники #электроника #торговыемарки
Китайские компании чаще любых других регистрируют товарные знаки в России
Практически в продолжение темы о росте активности китайских поставщиков электроники в России – еще одна сегодняшняя публикация Ведомостей, посвященная росту количества заявок на регистрацию иностранных товарных знаков в России (+18% по итогам 2020 года относительно 2024 года). Лидером по регистрации товарных знаков в РФ в области электроники является Китай с долей 16% от общего количества, далее идут США с отставанием более чем в 5 раз!
Еще один тренд – иностранные производители обращаются в суды с попытками аннулировать регистрации международных производителей, чтобы начать выпуск продукции под раскрученными брендами. А что, так можно, это не приводит к обману потребителей? Судя по всему – законодательство такие вещи почему-то позволяет. Забавно, что, например, гонконгская компания в 2023 году пыталась отобрать бренды в РФ даже у китайских производителей тип Lenovo и Xiaomi.
Это плохие новости для российских производителей электроники. Регистрация торговых марок в РФ в случае китайских компаний, это признак серьезных намерений, в частности, иллюстрация готовности подстраиваться под местное законодательство, и закапываться поглубже в рынок, вплоть до локализации производства. Если до недавних времен это касалось больше бытовой электроники, то в последнее время идет усиление активностей в области телекома, серверов, промышленных контроллеров и силовой электроники.
В этих условиях инвестиционная привлекательность российского производства электроники и импортзамещения, что называется, вызывает вопросы.
@RUSmicro
#рынокэлектроники #электроника #торговыемарки
Ведомости
Каждая десятая заявка на иностранный товарный знак пришлась на электронику
Чаще всего такие бренды регистрируют китайские компании
📌 С 20 по 21 мая 2025 года в технопарке новосибирского Академгородка пройдет форум «Прибориум», на который зовут производителей российской микроэлектроники и программного обеспечения, заказчиков и разработчиков приборов и устройств. При нем будет небольшая выставка продуктов.
Среди участников, в частности, будут Микрон и НИИМА Прогресс.
Организаторы: Академпарк, Сибирское отделение РАН, компания Элрон. Поддержка - министерств науки и инновационной политики и минцифры Новосибирской области и НПЦ БАС Новосибирской области.
Среди участников, в частности, будут Микрон и НИИМА Прогресс.
Организаторы: Академпарк, Сибирское отделение РАН, компания Элрон. Поддержка - министерств науки и инновационной политики и минцифры Новосибирской области и НПЦ БАС Новосибирской области.
🇪🇺 Господдержка. Регулирование. Евросоюз
ЕС должен нарастить инвестиции в полупроводники в 4 раза заявляет отраслевая группа
Это объединенное мнение отраслевой группы SEMI, опубликованное во вторник в рамках официального ответа на запрос ЕС по предстоящему инвестиционному бюджету. Блок из 27 стран проводит консультации с отраслью, планируя расходы на период 2028-2034.
По оценкам SEMI, еврокомиссии следует выделить E20 млрд ($22,64 млрд) для распределения по всей цепочке поставок полупроводников, что по прогнозу приведет к общим инвестициям в размере более 260 млрд евро от государственных и частных организаций. Об этом сообщает Reuters.
В конце марта 2025 года Европейская счетная палата заявила, что цель ЕС по достижению 20% мирового рынка микросхем к 2030 году недостижима при нынешних темпах. Я, кстати, об этом писал еще в момент, когда они эту цель сформулировали, мне еще возражали тогда, что ЕС вполне по силам эта задача. Теперь вот и европейцы признали, что пока что каменный цветок не выходит.
20 млрд, вроде, и не столь большая сумма, но смотря за какой период. Пока что Еврокомиссия выделила 4.5 млрд евро под финансирование Европейского закона о микросхемах «бумажным объемом» в 43 млрд евро. Около 80% финансирования поступило от государств-членов.
SEMI заявила, что отдельный бюджет Еврокомиссии поможет выровнять правила игры в регионе, поскольку сейчас каждое государство-участник предпочитает инвестировать прежде всего в развитие национальной промышленности.
«Полупроводники – это основополагающий компонент, лежащий в основе практически каждого сектора современной экономики – автомобилестроения, аэрокосмической отрасли, промышленной робототехники и медицинских приборов, - и тем не менее ЕС продолжает в значительной степени полагаться на неевропейских поставщиков для подавляющего большинства передовых микросхем и критически важных компонентов», - отмечают в SEMI. Передовые и ИИ-чипы, а также компоненты для квантовых технологий – вот некоторые из «пробелов», на которые в SEMI предлагают обратить внимание.
По прогнозам Счетной палаты, к 2030 году ЕС достигнет 11.7% доли мирового рынка полупроводников.
@RUSmicro
ЕС должен нарастить инвестиции в полупроводники в 4 раза заявляет отраслевая группа
Это объединенное мнение отраслевой группы SEMI, опубликованное во вторник в рамках официального ответа на запрос ЕС по предстоящему инвестиционному бюджету. Блок из 27 стран проводит консультации с отраслью, планируя расходы на период 2028-2034.
По оценкам SEMI, еврокомиссии следует выделить E20 млрд ($22,64 млрд) для распределения по всей цепочке поставок полупроводников, что по прогнозу приведет к общим инвестициям в размере более 260 млрд евро от государственных и частных организаций. Об этом сообщает Reuters.
В конце марта 2025 года Европейская счетная палата заявила, что цель ЕС по достижению 20% мирового рынка микросхем к 2030 году недостижима при нынешних темпах. Я, кстати, об этом писал еще в момент, когда они эту цель сформулировали, мне еще возражали тогда, что ЕС вполне по силам эта задача. Теперь вот и европейцы признали, что пока что каменный цветок не выходит.
20 млрд, вроде, и не столь большая сумма, но смотря за какой период. Пока что Еврокомиссия выделила 4.5 млрд евро под финансирование Европейского закона о микросхемах «бумажным объемом» в 43 млрд евро. Около 80% финансирования поступило от государств-членов.
SEMI заявила, что отдельный бюджет Еврокомиссии поможет выровнять правила игры в регионе, поскольку сейчас каждое государство-участник предпочитает инвестировать прежде всего в развитие национальной промышленности.
«Полупроводники – это основополагающий компонент, лежащий в основе практически каждого сектора современной экономики – автомобилестроения, аэрокосмической отрасли, промышленной робототехники и медицинских приборов, - и тем не менее ЕС продолжает в значительной степени полагаться на неевропейских поставщиков для подавляющего большинства передовых микросхем и критически важных компонентов», - отмечают в SEMI. Передовые и ИИ-чипы, а также компоненты для квантовых технологий – вот некоторые из «пробелов», на которые в SEMI предлагают обратить внимание.
По прогнозам Счетной палаты, к 2030 году ЕС достигнет 11.7% доли мирового рынка полупроводников.
@RUSmicro
🇺🇸 Квантовые технологии. Источники запутанности. США
Cisco демонстрирует прототип квантового сетевого чипа
6 мая 2025 Cisco показала прототип чипа для объединения в сеть квантовых компьютеров и сообщила, что открывает новую лабораторию в Санта-Монике, Калифорния, для дальнейшего изучения квантовых вычислений. Тему сегодня предложила Reuters.
Особенность новинки в том, что она во многом использует те же технологии что и существующие кремниевые чипы. В Cisco говорят о том, что этот чип позволит объединять отдельные квантовые компьютеры в более крупные структуры. Впрочем, в компании уверены, что и до того, как это станет востребованным сценарием, новый чип может быть задействован в других полезных сценариях, например, в биржевых вычислениях, где важна синхронизация времени торгов.
Cisco несколько запаздывает в теме квантовых технологий относительно других крупных IT-компаний, таких как Google, Amazon и Microsoft, которые уже анонсировали собственные чипы для квантовых вычислений. Что до лаборатории, то и Nvidia планирует открыть лабораторию квантовых вычислений. Кроме того, в этой области работает множество стартапов, например, PsiQuantum уже привлекла сотни миллионов долларов на свои разработки.
Пока все эти компании соревнуются в основном в создании все большего количества кубитов, Cisco двинулась в другом направлении – в направлении их связывания.
Компания заявляет, что чип, разработанный ее специалистами в сотрудничестве с исследователями Калифорнийского университета в Санта-Барбаре, работает, вызывая квантовую запутанность в парах фотонов, а затем отправляя их на два отдельных квантовых компьютера.
В течение небольшого интервала времени квантовые компьютеры могут использовать эти запутанные фотоны для мгновенной связи, независимо от того, насколько далеко они находятся друг от друга.
Несмотря на кажущуюся простоту и полезность идеи и решения, у Cisco пока нет официальных планов получения доходов от данного проекта, тем более что речь идет о прототипе чипа.
Тем не менее, для того чтобы строить квантовую сеть, нужен источник запутанных частиц. И если у Cisco действительно получилось реализовать его на основе чипа, это хороший «строительный блок» для сетей будущего.
Если посмотреть на остальной пейзаж в данной области, то темой генерации запутанных частиц занимаются не только в Cisco и Калифорнийском университете.
🇮🇹 Так в Университете Павии, Италия, создали SoC с кольцевым микрорезонатором диаметром 20 мкм, генерирующую до 10 млн пар запутанных фотонов в секунду. Это устройство основано на применении лазера 1550 нм, потребляет менее 1 мВт энергии и совместимо с полупроводниковыми технологиями.
🇬🇧 В Бристольском университете, Великобритания, разработали чипы для квантовой телепортации фотонов между микросхемами, основанный за запутанных фотонах. В эксперименте было достигнуто 88,5% совпадений квантовых состояний при передаче через оптоволокно. В 2021 году был представлен фотонный квантовый чип, способный генерировать запутанные фотоны.
🇺🇸 В Массачусетском технологическом университете, США (Lincoln Lab) занимаются разработкой компактных квантовых фотонных частиц, включая интеграцию источников запутанных частиц в фотонные чипы для использования в коммуникационных применениях.
🇨🇦 Институт квантовых вычислений, Канада, исследования в области фотонных чипов, включая разработку источников запутанных фотонов и их интеграцию в квантовые сети.
🇺🇸 PsiQuantum, США. Уже упомянутый выше стартап, который также разрабатывает чипы с интегрированными источниками запутанных фотонов.
🇷🇺 В России над интеграцией источников запутанных фотонов работает группа А.К. Федорова, НИЯУ МИФИ, в сотрудничестве с рядом других организаций.
В общем, тема «горячая» и трендовая. То, что ею занимаются уже и крупные коммерческие компании, может быть признаком того, что технология перемещается из статуса предмета академических исследований в статус подготовки к коммерциализации и практическому использованию.
@RUSmicro
Cisco демонстрирует прототип квантового сетевого чипа
6 мая 2025 Cisco показала прототип чипа для объединения в сеть квантовых компьютеров и сообщила, что открывает новую лабораторию в Санта-Монике, Калифорния, для дальнейшего изучения квантовых вычислений. Тему сегодня предложила Reuters.
Особенность новинки в том, что она во многом использует те же технологии что и существующие кремниевые чипы. В Cisco говорят о том, что этот чип позволит объединять отдельные квантовые компьютеры в более крупные структуры. Впрочем, в компании уверены, что и до того, как это станет востребованным сценарием, новый чип может быть задействован в других полезных сценариях, например, в биржевых вычислениях, где важна синхронизация времени торгов.
Cisco несколько запаздывает в теме квантовых технологий относительно других крупных IT-компаний, таких как Google, Amazon и Microsoft, которые уже анонсировали собственные чипы для квантовых вычислений. Что до лаборатории, то и Nvidia планирует открыть лабораторию квантовых вычислений. Кроме того, в этой области работает множество стартапов, например, PsiQuantum уже привлекла сотни миллионов долларов на свои разработки.
Пока все эти компании соревнуются в основном в создании все большего количества кубитов, Cisco двинулась в другом направлении – в направлении их связывания.
Компания заявляет, что чип, разработанный ее специалистами в сотрудничестве с исследователями Калифорнийского университета в Санта-Барбаре, работает, вызывая квантовую запутанность в парах фотонов, а затем отправляя их на два отдельных квантовых компьютера.
В течение небольшого интервала времени квантовые компьютеры могут использовать эти запутанные фотоны для мгновенной связи, независимо от того, насколько далеко они находятся друг от друга.
Несмотря на кажущуюся простоту и полезность идеи и решения, у Cisco пока нет официальных планов получения доходов от данного проекта, тем более что речь идет о прототипе чипа.
Тем не менее, для того чтобы строить квантовую сеть, нужен источник запутанных частиц. И если у Cisco действительно получилось реализовать его на основе чипа, это хороший «строительный блок» для сетей будущего.
Если посмотреть на остальной пейзаж в данной области, то темой генерации запутанных частиц занимаются не только в Cisco и Калифорнийском университете.
🇮🇹 Так в Университете Павии, Италия, создали SoC с кольцевым микрорезонатором диаметром 20 мкм, генерирующую до 10 млн пар запутанных фотонов в секунду. Это устройство основано на применении лазера 1550 нм, потребляет менее 1 мВт энергии и совместимо с полупроводниковыми технологиями.
🇬🇧 В Бристольском университете, Великобритания, разработали чипы для квантовой телепортации фотонов между микросхемами, основанный за запутанных фотонах. В эксперименте было достигнуто 88,5% совпадений квантовых состояний при передаче через оптоволокно. В 2021 году был представлен фотонный квантовый чип, способный генерировать запутанные фотоны.
🇺🇸 В Массачусетском технологическом университете, США (Lincoln Lab) занимаются разработкой компактных квантовых фотонных частиц, включая интеграцию источников запутанных частиц в фотонные чипы для использования в коммуникационных применениях.
🇨🇦 Институт квантовых вычислений, Канада, исследования в области фотонных чипов, включая разработку источников запутанных фотонов и их интеграцию в квантовые сети.
🇺🇸 PsiQuantum, США. Уже упомянутый выше стартап, который также разрабатывает чипы с интегрированными источниками запутанных фотонов.
🇷🇺 В России над интеграцией источников запутанных фотонов работает группа А.К. Федорова, НИЯУ МИФИ, в сотрудничестве с рядом других организаций.
В общем, тема «горячая» и трендовая. То, что ею занимаются уже и крупные коммерческие компании, может быть признаком того, что технология перемещается из статуса предмета академических исследований в статус подготовки к коммерциализации и практическому использованию.
@RUSmicro
Reuters
Cisco shows quantum networking chip, opens new lab
Cisco Systems on Tuesday showed a prototype chip for networking quantum computers together and said it is opening a new lab in Santa Monica, California, to further pursue quantum computing.
🇷🇺 Мнения. Интервью. Россия
Николай Иванович Шелепин, д.т.н., Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, о ландшафте и горизонтах российской микроэлектроники в интервью изданию Время электроники
Что мне показалось интересным:
🔹 Не самое оптимистичное (в плане возможности быстрой реализации) отношение к плану освоения 28-нм технологии на пластинах диаметром 300 мм. Если до 2022 года этот план мог быть реализован до 2027 года, то сейчас это вряд ли возможно и потому, как считает, г-н Шелепин, достижение цели может быть сдвинуто на «неопределенное время». При этом освоение этой технологии остается приоритетом для РФ.
🔹 Скептичен г-н Шелепин и в отношении возможности овладеть техпроцессами ниже 14нм на базе EUV, поскольку для этого нужен далеко не только литограф, но и все остальное оборудование, способное работать с такими технологиями.
🔹 По его мнению, государство провело работу над ошибками, в частности, нарастило финансирование на реализацию Стратегии развития электронной промышленности до 2030 года до сравнимых с инвестициями некоторых других стран (конечно, не уровня США, Китая или Тайваня). Не менее важно и то, что разработки теперь идут по всем стратегически важным направлениям: технологическое оборудование, сверхчистые материалы, САПР, технологии изготовления фотошаблонов, технологии изготовления микросхем.
🔹 Остро стоит проблема кадров. Можно и нужно выделить средства, поставить цели, но кто будет их реализовывать?
🔹 Стратегия получила более конкретное наполнение в виде двух документов: Концепции технологического развития на период до 2030 года и указа президента РФ Основы государственной политики России в области развития электронной промышленности на период до 2030 года и дальнейшую перспективу.
🔹 «Решение обозначенных задач в части достижения технологического уровня 28 нм в 2027 г. и 14 нм в 2030 г. при условии невозможности закупок соответствующего технологического оборудования представляется нереальным».
🔹 Важный тезис, который следует держать в уме, рассуждая об эффективности инвестиций в российскую микроэлектронику – «значительные инвестиции в развитие отрасли начались практически только в 2022 году, и время их отдачи в виде практически реализованных достижений еще не наступило».
🔹 Уровень взаимодействия всего микроэлектронного сообщества с правительством – самый высокий.
🔹 Технологический уровень китайских передовых компаний существенно превосходит российских, вдобавок их больше. Но китайские компании не хотят попасть в ограничительные списки США из-за сотрудничества с РФ. Поэтому закупки зарубежных микросхем, включая китайские, затруднены.
🔹 Параллельный импорт зарубежных микросхем – паллиатив, необходимость, которая не мешает развитию отечественной микроэлектроники.
🔹 Рассчитывать на участие в БРИКС как на фактор, заметно облегчающий развитие российской микроэлектроники – не приходится. (..)
Николай Иванович Шелепин, д.т.н., Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, о ландшафте и горизонтах российской микроэлектроники в интервью изданию Время электроники
Что мне показалось интересным:
🔹 Не самое оптимистичное (в плане возможности быстрой реализации) отношение к плану освоения 28-нм технологии на пластинах диаметром 300 мм. Если до 2022 года этот план мог быть реализован до 2027 года, то сейчас это вряд ли возможно и потому, как считает, г-н Шелепин, достижение цели может быть сдвинуто на «неопределенное время». При этом освоение этой технологии остается приоритетом для РФ.
🔹 Скептичен г-н Шелепин и в отношении возможности овладеть техпроцессами ниже 14нм на базе EUV, поскольку для этого нужен далеко не только литограф, но и все остальное оборудование, способное работать с такими технологиями.
🔹 По его мнению, государство провело работу над ошибками, в частности, нарастило финансирование на реализацию Стратегии развития электронной промышленности до 2030 года до сравнимых с инвестициями некоторых других стран (конечно, не уровня США, Китая или Тайваня). Не менее важно и то, что разработки теперь идут по всем стратегически важным направлениям: технологическое оборудование, сверхчистые материалы, САПР, технологии изготовления фотошаблонов, технологии изготовления микросхем.
🔹 Остро стоит проблема кадров. Можно и нужно выделить средства, поставить цели, но кто будет их реализовывать?
🔹 Стратегия получила более конкретное наполнение в виде двух документов: Концепции технологического развития на период до 2030 года и указа президента РФ Основы государственной политики России в области развития электронной промышленности на период до 2030 года и дальнейшую перспективу.
🔹 «Решение обозначенных задач в части достижения технологического уровня 28 нм в 2027 г. и 14 нм в 2030 г. при условии невозможности закупок соответствующего технологического оборудования представляется нереальным».
🔹 Важный тезис, который следует держать в уме, рассуждая об эффективности инвестиций в российскую микроэлектронику – «значительные инвестиции в развитие отрасли начались практически только в 2022 году, и время их отдачи в виде практически реализованных достижений еще не наступило».
🔹 Уровень взаимодействия всего микроэлектронного сообщества с правительством – самый высокий.
🔹 Технологический уровень китайских передовых компаний существенно превосходит российских, вдобавок их больше. Но китайские компании не хотят попасть в ограничительные списки США из-за сотрудничества с РФ. Поэтому закупки зарубежных микросхем, включая китайские, затруднены.
🔹 Параллельный импорт зарубежных микросхем – паллиатив, необходимость, которая не мешает развитию отечественной микроэлектроники.
🔹 Рассчитывать на участие в БРИКС как на фактор, заметно облегчающий развитие российской микроэлектроники – не приходится. (..)
(2)
🔹 Приходится сожалеть об упущенных возможностях, например, о проекте 2009 года строительства нового завода и освоения технологии 65нм на пластинах 300 мм. На него не нашлось финансирования.
🔹 Основная цель на сегодня – достижение технологической независимости РФ без погони за самыми передовыми уровнями.
🔹 Необходим общий научный центр с типовым технологическим оборудованием для изготовления КМОП микросхем с технологическим уровнем не хуже 180 нм или 90 нм, с набором аналитического и контрольно-измерительного оборудования. Этот центр не должен заниматься серийным производством, но только разработкой техпроцессов, тестированием и испытанием создаваемого технологического оборудования и материалов. В общем, аналог бельгийского IMEC.
🔹 Рассуждая о том, как нам обустроить развитие микроэлектроники, г-н Шелепин обозначил 4 основных тезиса:
▫️ решения об инвестициях следует принимать с опорой на мнения профессионалов;
▫️ квалифицированно контролировать исследование разработки на всех этапах НИОКР;
▫️ принимать программы и дорожные карты с указанием четких узлов и временных этапов;
▫️ обеспечить господдержку предприятий и организаций, занимающихся разработкой ключевых узлов развития технологий.
С этими тезисами сложно спорить, но также сложно представить себе их реализованными у нас, особенно, первых трех.
🔹 Рассуждая о качестве образования г-н Шелепин отметил важность стажировки и выполнения дипломной работы или магистерской диссертации непосредственно на предприятиях. Без этого придется терять еще год на дообучение специалиста, да и то, при наличии хорошего наставника. Качество существующих учебных программ г-н Шелепин считает удовлетворительным, но отмечает нехватку высококвалифицированных преподавателей.
Еще раз посоветую читать интервью в полном объеме, чтобы составить собственное объективное впечатление.
@RUSmicro
#интервью #мнения
🔹 Приходится сожалеть об упущенных возможностях, например, о проекте 2009 года строительства нового завода и освоения технологии 65нм на пластинах 300 мм. На него не нашлось финансирования.
🔹 Основная цель на сегодня – достижение технологической независимости РФ без погони за самыми передовыми уровнями.
🔹 Необходим общий научный центр с типовым технологическим оборудованием для изготовления КМОП микросхем с технологическим уровнем не хуже 180 нм или 90 нм, с набором аналитического и контрольно-измерительного оборудования. Этот центр не должен заниматься серийным производством, но только разработкой техпроцессов, тестированием и испытанием создаваемого технологического оборудования и материалов. В общем, аналог бельгийского IMEC.
🔹 Рассуждая о том, как нам обустроить развитие микроэлектроники, г-н Шелепин обозначил 4 основных тезиса:
▫️ решения об инвестициях следует принимать с опорой на мнения профессионалов;
▫️ квалифицированно контролировать исследование разработки на всех этапах НИОКР;
▫️ принимать программы и дорожные карты с указанием четких узлов и временных этапов;
▫️ обеспечить господдержку предприятий и организаций, занимающихся разработкой ключевых узлов развития технологий.
С этими тезисами сложно спорить, но также сложно представить себе их реализованными у нас, особенно, первых трех.
🔹 Рассуждая о качестве образования г-н Шелепин отметил важность стажировки и выполнения дипломной работы или магистерской диссертации непосредственно на предприятиях. Без этого придется терять еще год на дообучение специалиста, да и то, при наличии хорошего наставника. Качество существующих учебных программ г-н Шелепин считает удовлетворительным, но отмечает нехватку высококвалифицированных преподавателей.
Еще раз посоветую читать интервью в полном объеме, чтобы составить собственное объективное впечатление.
@RUSmicro
#интервью #мнения
🇷🇺 Измерительные приборы. КИП. Россия
Томский НИИПП разработал три новые модели устройств контроля качества микроэлектроники
В Томском НИИ полупроводниковых приборов (Росэл - Ростех) разработали новые модели измерительных устройств. Первая из них, на фото внешне напоминающая микроскоп, это ручная зондовая станция Omega Air – 150COAX, предназначенная для измерений и контроля электрических величин полупроводниковых пластин. Такой прибор может эффективно использоваться, например, при разработке и внедрении СВЧ монолитных интегральных схем.
Кроме ручной станции, в НИИПП создали еще и две полуавтоматические станции – Terra-200COAX (на фото) и Terra-200T. Они могут тестировать полупроводниковые приборы по постоянному току, а также в ВЧ и СВЧ диапазонах. Станции могут работать с неразделенными полупроводниковыми пластинами. Модель 200Т способна проверять параметры полупроводниковых приборов в температурном диапазона от -55°С до +150°С.
В Росэл утверждают, что новинки могут заменить зарубежные аналоги, широко используемые на российском рынке, поскольку не уступают им по техническим параметрам, но при этом обойдутся покупателю дешевле.
В комплект поставляемых зондовых станций входят: сама станция, микроскоп, манипуляторы для проведения измерений. Для полуавтоматического варианта станции также предусмотрено специальное программное обеспечение.
@RUSmicro, фото Росэл
#зондовые
Томский НИИПП разработал три новые модели устройств контроля качества микроэлектроники
В Томском НИИ полупроводниковых приборов (Росэл - Ростех) разработали новые модели измерительных устройств. Первая из них, на фото внешне напоминающая микроскоп, это ручная зондовая станция Omega Air – 150COAX, предназначенная для измерений и контроля электрических величин полупроводниковых пластин. Такой прибор может эффективно использоваться, например, при разработке и внедрении СВЧ монолитных интегральных схем.
Кроме ручной станции, в НИИПП создали еще и две полуавтоматические станции – Terra-200COAX (на фото) и Terra-200T. Они могут тестировать полупроводниковые приборы по постоянному току, а также в ВЧ и СВЧ диапазонах. Станции могут работать с неразделенными полупроводниковыми пластинами. Модель 200Т способна проверять параметры полупроводниковых приборов в температурном диапазона от -55°С до +150°С.
В Росэл утверждают, что новинки могут заменить зарубежные аналоги, широко используемые на российском рынке, поскольку не уступают им по техническим параметрам, но при этом обойдутся покупателю дешевле.
В комплект поставляемых зондовых станций входят: сама станция, микроскоп, манипуляторы для проведения измерений. Для полуавтоматического варианта станции также предусмотрено специальное программное обеспечение.
@RUSmicro, фото Росэл
#зондовые
🇷🇺 Перспективные материалы. Алмазы. Россия
В МИРЭА создали полевой транзистор на основе алмаза
Специалисты лаборатории Алмазная СВЧ-электроника (заведующий – Андрей Алтухов) РТУ МИРАЭ работают с алмазными кристаллами.
В лаборатории создан полевой транзистор на основе алмаза, который использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 мкм, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что улучшает характеристики прибора. По заявлению г-на Алтухова, от транзистора ожидают на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. Такой транзистор обеспечивает сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности.
Такие транзисторы могут найти применение в системах связи нового поколения, в космических применениях и в атомной промышленности.
В лаборатории создают новые технологии и оборудование для особо точной обработки поверхности алмазных подложек. На основе алмазных материалов здесь создают сенсоры радиации и космических лучей, оптоэлектронные устройства с использованием алмазных сенсоров, быстродействующие и мощные транзисторы и диоды.
Заказчиками и потребителями результатов работ лаборатории РТУ МИРЭА, выполняемых совместно с её партнёрами, являются флагман российской СВЧ-промышленности АО «НПП «Исток» им. Шокина», предприятия группы «Алмазная Долина», предприятия ракетно-космической отрасли, включая ракетно-космическую корпорацию «Энергия» имени С.П. Королёва, АО «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнёва», предприятия ГК «Росатом» и другие лидеры рынка.
В мире активно экспериментируют с алмазными технологиями, выпускаются алмазные подложки все большей площади, на их основе создают обычно различные транзисторы, как правило, силовые.
Транзистор запатентован, посмотреть патент можно здесь.
На фиг. 1 представлено устройство алмазного транзистора, в соответствии с предлагаемой полезной моделью,где цифрами обозначены: (1) - алмазный изолирующий кристалл; (2) - слой электропроводящего алмаза; (3) - слой титана (Ti); (4) - слой нитрида титана (TiN); (5) - слой титана (Ti); (6) - слой золота (Au); (7) - сформированный полиэнергетической ионной имплантацией приповерхностный слой алмаза, обогащенный бором (B); (8) - слой изолятора (Al2O3, или SiO2, или Si3N4; (9) - контакт затвора.
Толщина первого слоя (3) Ti порядка 40 нм, толщина слоя (4) TiN порядка 60 нм, толщина второго слоя (5) Ti порядка 5 нм и толщина слоя (6) Au порядка 1 мкм. Слой изолятора (8) состоит из Al2O3. Этот слой изолятора можно сформировать также на основе таких диэлектрических пленок, как SiO2или Si3N4.
Испытания показали, что экспериментальные структуры алмазного транзистора демонстрируют повышение температурной стойкости при работе на повышенных температурах, начиная примерно свыше 250°С и при температурах примерно (350-400)°С и более градусов, при этом сопротивление канала при комнатной температуре примерно на порядок величины ниже, чем сопротивление канала алмазного транзистора по прототипу.
📌 Хорошая статья по патентам в области алмазных технологий для микроэлектроники https://habr.com/ru/companies/onlinepatent/articles/894624/ (ссылку подсказали в ChipChat)
@RUSmicro
#алмазные
В МИРЭА создали полевой транзистор на основе алмаза
Специалисты лаборатории Алмазная СВЧ-электроника (заведующий – Андрей Алтухов) РТУ МИРАЭ работают с алмазными кристаллами.
В лаборатории создан полевой транзистор на основе алмаза, который использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 мкм, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что улучшает характеристики прибора. По заявлению г-на Алтухова, от транзистора ожидают на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. Такой транзистор обеспечивает сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности.
Такие транзисторы могут найти применение в системах связи нового поколения, в космических применениях и в атомной промышленности.
В лаборатории создают новые технологии и оборудование для особо точной обработки поверхности алмазных подложек. На основе алмазных материалов здесь создают сенсоры радиации и космических лучей, оптоэлектронные устройства с использованием алмазных сенсоров, быстродействующие и мощные транзисторы и диоды.
Заказчиками и потребителями результатов работ лаборатории РТУ МИРЭА, выполняемых совместно с её партнёрами, являются флагман российской СВЧ-промышленности АО «НПП «Исток» им. Шокина», предприятия группы «Алмазная Долина», предприятия ракетно-космической отрасли, включая ракетно-космическую корпорацию «Энергия» имени С.П. Королёва, АО «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнёва», предприятия ГК «Росатом» и другие лидеры рынка.
В мире активно экспериментируют с алмазными технологиями, выпускаются алмазные подложки все большей площади, на их основе создают обычно различные транзисторы, как правило, силовые.
Транзистор запатентован, посмотреть патент можно здесь.
На фиг. 1 представлено устройство алмазного транзистора, в соответствии с предлагаемой полезной моделью,где цифрами обозначены: (1) - алмазный изолирующий кристалл; (2) - слой электропроводящего алмаза; (3) - слой титана (Ti); (4) - слой нитрида титана (TiN); (5) - слой титана (Ti); (6) - слой золота (Au); (7) - сформированный полиэнергетической ионной имплантацией приповерхностный слой алмаза, обогащенный бором (B); (8) - слой изолятора (Al2O3, или SiO2, или Si3N4; (9) - контакт затвора.
Толщина первого слоя (3) Ti порядка 40 нм, толщина слоя (4) TiN порядка 60 нм, толщина второго слоя (5) Ti порядка 5 нм и толщина слоя (6) Au порядка 1 мкм. Слой изолятора (8) состоит из Al2O3. Этот слой изолятора можно сформировать также на основе таких диэлектрических пленок, как SiO2или Si3N4.
Испытания показали, что экспериментальные структуры алмазного транзистора демонстрируют повышение температурной стойкости при работе на повышенных температурах, начиная примерно свыше 250°С и при температурах примерно (350-400)°С и более градусов, при этом сопротивление канала при комнатной температуре примерно на порядок величины ниже, чем сопротивление канала алмазного транзистора по прототипу.
📌 Хорошая статья по патентам в области алмазных технологий для микроэлектроники https://habr.com/ru/companies/onlinepatent/articles/894624/ (ссылку подсказали в ChipChat)
@RUSmicro
#алмазные
🇷🇺 🇩🇪 Фотоника. Оптические компьютеры. Россия. Германия
Российские и германские ученые создали полностью оптический логический вентиль, способный работать на частотах до 240 ГГц при комнатной температуре
Оптический логический вентиль разработали в Сколтехе, а экспериментами с ним занимались уже совместно ученые Сколтеха и Вуппертальского университета Германии. Было показано, что транзистор может работать на частоте 240 ГГц при комнатной температуре.
В статье, опубликованной в журнале Physical Review B, авторы рассмотрели, что ограничивает время в интервалах между конденсациями поляритонов. Ограничителем скорости переключения транзисторов, как выяснилось, выступает так называемый эффект бимолекулярного гашения.
В Сколтехе исследованиями в этой области занимается лаборатория гибридной фотоники Сколтеха, возглавляемая профессором Павлосом Лагудакисом.
Интерес к фотонике объясняется тем, что обычные полупроводниковые транзисторы на основе кремния сильно нагреваются при повышении тактовых частот. Оптические системы в теории могут работать на несколько порядков быстрее, чем электронные.
Ранее ученые уже создали универсальный логический элемент NOR, основанный на поляритонных конденсатах. Он работоспособен при комнатных температурах, имеет несколько входов, а также является полностью оптическим. Эти элементы можно соединять в цепи.
В случае поляритонных транзисторов, их быстродействие определяется тем, насколько быстро могут изменяться последовательные логические состояния, поскольку процесс требует достаточного истощения остаточной популяции поляритонов из предыдущего состояния «1», чтобы можно было отличить это состояние от нового, соответствующего «0». Этот эффект бимолекулярного гашения ограничивает максимальную тактовую частот поляритонного устройства - делокализация поляритонов приводит к дополнительным потерям.
Созданный вентиль – очередной шаг к созданию фотонных компьютеров, которые в теории могли бы работать в сотни раз быстрее традиционных компьютеров.
@RUSmicro
#оптические #фотонные
Российские и германские ученые создали полностью оптический логический вентиль, способный работать на частотах до 240 ГГц при комнатной температуре
Оптический логический вентиль разработали в Сколтехе, а экспериментами с ним занимались уже совместно ученые Сколтеха и Вуппертальского университета Германии. Было показано, что транзистор может работать на частоте 240 ГГц при комнатной температуре.
В статье, опубликованной в журнале Physical Review B, авторы рассмотрели, что ограничивает время в интервалах между конденсациями поляритонов. Ограничителем скорости переключения транзисторов, как выяснилось, выступает так называемый эффект бимолекулярного гашения.
В Сколтехе исследованиями в этой области занимается лаборатория гибридной фотоники Сколтеха, возглавляемая профессором Павлосом Лагудакисом.
Интерес к фотонике объясняется тем, что обычные полупроводниковые транзисторы на основе кремния сильно нагреваются при повышении тактовых частот. Оптические системы в теории могут работать на несколько порядков быстрее, чем электронные.
Ранее ученые уже создали универсальный логический элемент NOR, основанный на поляритонных конденсатах. Он работоспособен при комнатных температурах, имеет несколько входов, а также является полностью оптическим. Эти элементы можно соединять в цепи.
В случае поляритонных транзисторов, их быстродействие определяется тем, насколько быстро могут изменяться последовательные логические состояния, поскольку процесс требует достаточного истощения остаточной популяции поляритонов из предыдущего состояния «1», чтобы можно было отличить это состояние от нового, соответствующего «0». Этот эффект бимолекулярного гашения ограничивает максимальную тактовую частот поляритонного устройства - делокализация поляритонов приводит к дополнительным потерям.
Созданный вентиль – очередной шаг к созданию фотонных компьютеров, которые в теории могли бы работать в сотни раз быстрее традиционных компьютеров.
@RUSmicro
#оптические #фотонные
🇺🇸 Вести из лабораторий. Нитридные ферроэлектрики. США
В Мичиганском центре характеристик материалов начали тестировать опытные образцы электронных компонентов на основе нитридных ферроэлектриков с вюрцитной структурой
В Мичиганском университете вот уже не первый год изучают нитридные ферроэлектрики со структурой вюрцита.
Нитридные ферроэлектрики - это класс материалов, основанных на нитридах (соединениях азота с металлами, например, AlN), обладающих ферроэлектрическими свойствами. То есть способных иметь спонтанную электрическую поляризацию, которую можно переключать внешним электрическим полем.
До недавних времен ферроэлектрические свойства изучали применительно к оксидам, например, BaTiO₃, Pb(Zr,Ti)O₃. Но оказалось, что нитриды в этом плане могут быть интереснее. Прежде всего потому, что у них гексагональная структура, как у GaN, AlN, что во-первых обещает их совместимость, а во-вторых позволяет добиваться устойчивых ферроэлектрических состояний в гетероструктурах на основе нитридов группы III (AlGaN, InGaN).
Внутри такого материала возникают области с поляризацией, способной изменяться под воздействием поля и сохраняться после снятия поля, сохраняя информацию. Это означает, что нитридные ферроэлектрики способны хранить информацию с помощью электрических полей. Кроме того, они не разрушаются при смене полярности, что обещает множественную востребованность в различных областях электроники.
Исследованиями в Мичиганском университете занимались Эммануил Киупакис (Emmanouil Kioupakis) и Зетиан Ми (Zetian Mi), экспериментировали они, в частности, с ScGaN (нитридом скандия-галлия). Была выявлена гексагональная (вюрцитная) кристаллическая решетка, которая при смене поляризации может выгибаться, создавая конфигурации с разорванными связями. Возникающие разрывы создавали заряд, необходимый для стабилизации структуры. Об этом пишет Security Lab.
Свободные связи не только не дают материалу разрушаться, но формируют канал для электротока. По нему может пройти ток в 100 раз сильнее, чем в привычных GaN транзисторах! Причем проводимостью можно управлять, управляя электрическим полем.
Это обещает возможность создания новых полевых транзисторов, как высокомощных, так и высокочастотных, а также способных работать в условиях экстремально высоких температур.
Экспериментальные образцы таких транзисторов уже создали в Центре нанопроизводства Лури и уже начали их испытывать.
@RUSmicro
#горизонты
В Мичиганском центре характеристик материалов начали тестировать опытные образцы электронных компонентов на основе нитридных ферроэлектриков с вюрцитной структурой
В Мичиганском университете вот уже не первый год изучают нитридные ферроэлектрики со структурой вюрцита.
Нитридные ферроэлектрики - это класс материалов, основанных на нитридах (соединениях азота с металлами, например, AlN), обладающих ферроэлектрическими свойствами. То есть способных иметь спонтанную электрическую поляризацию, которую можно переключать внешним электрическим полем.
До недавних времен ферроэлектрические свойства изучали применительно к оксидам, например, BaTiO₃, Pb(Zr,Ti)O₃. Но оказалось, что нитриды в этом плане могут быть интереснее. Прежде всего потому, что у них гексагональная структура, как у GaN, AlN, что во-первых обещает их совместимость, а во-вторых позволяет добиваться устойчивых ферроэлектрических состояний в гетероструктурах на основе нитридов группы III (AlGaN, InGaN).
Внутри такого материала возникают области с поляризацией, способной изменяться под воздействием поля и сохраняться после снятия поля, сохраняя информацию. Это означает, что нитридные ферроэлектрики способны хранить информацию с помощью электрических полей. Кроме того, они не разрушаются при смене полярности, что обещает множественную востребованность в различных областях электроники.
Исследованиями в Мичиганском университете занимались Эммануил Киупакис (Emmanouil Kioupakis) и Зетиан Ми (Zetian Mi), экспериментировали они, в частности, с ScGaN (нитридом скандия-галлия). Была выявлена гексагональная (вюрцитная) кристаллическая решетка, которая при смене поляризации может выгибаться, создавая конфигурации с разорванными связями. Возникающие разрывы создавали заряд, необходимый для стабилизации структуры. Об этом пишет Security Lab.
Свободные связи не только не дают материалу разрушаться, но формируют канал для электротока. По нему может пройти ток в 100 раз сильнее, чем в привычных GaN транзисторах! Причем проводимостью можно управлять, управляя электрическим полем.
Это обещает возможность создания новых полевых транзисторов, как высокомощных, так и высокочастотных, а также способных работать в условиях экстремально высоких температур.
Экспериментальные образцы таких транзисторов уже создали в Центре нанопроизводства Лури и уже начали их испытывать.
@RUSmicro
#горизонты
🇰🇷 🇨🇳 Вести из лабораторий. Перовскиты и транзисторы. Корея. Китай
Созданы транзисторы p-типа на базе оловянных перовскитов
Статья о совместных исследованиях корейских и китайских ученых, опубликованная в журнале Nature Electronics , посвящена актуальной теме — разработке и улучшению транзисторов на основе оловянных галогенидных перовскитов (Sn2+). Эти материалы рассматривают как перспективную альтернативу свинцовым перовскитам в связи с растущими экологическими и токсикологическими опасениями, связанными с использованием свинца.
На базе этого материала можно создавать тонкопленочные транзисторы (TFT) с p-каналом, производительность которых сопоставима с коммерческой низкотемпературной технологией поликремния. Однако высококачественное осаждение перовскитной пленки с использованием промышленных технологий производства остается сложной задачей.
Ученые сообщили об изготовлении TFT на базе галогенида олова (Sn2+) с p-каналом с использованием метода осаждения из паровой фазы с неорганическим иодидом цезия-олова (CsSnI3). Хлорид свинца (PbCl2) используется для инициации процесса, запуская твердотельные реакции и преобразование испаряемых соединений-прекурсоров. Это позволяет создавать плотные и однородные перовскитные пленки, а также меняет изначально высокую плотность дырок, что позволяет использовать такие пленки в качестве канальных слоев. Оптимизированные TFT демонстрируют среднюю подвижность дырочного поля около 33.8 см2 В−1 с−1, с отношением тока включения/выключения (Ion/Ioff) около 108 и однородность даже при большой площади.
Утверждается, что созданные устройства демонстрируют более высокую стабильность, чем при их формировании осаждением из раствора. Созданные таким способом перовскитные транзисторы можно использовать в дисплеях на органических светодиодах, или в логических устройствах и схемах для монолитной трехмерной интеграции, где требуются низкие технологические температуры.
@RUSmicro
#материалы #перовскиты
Созданы транзисторы p-типа на базе оловянных перовскитов
Статья о совместных исследованиях корейских и китайских ученых, опубликованная в журнале Nature Electronics , посвящена актуальной теме — разработке и улучшению транзисторов на основе оловянных галогенидных перовскитов (Sn2+). Эти материалы рассматривают как перспективную альтернативу свинцовым перовскитам в связи с растущими экологическими и токсикологическими опасениями, связанными с использованием свинца.
На базе этого материала можно создавать тонкопленочные транзисторы (TFT) с p-каналом, производительность которых сопоставима с коммерческой низкотемпературной технологией поликремния. Однако высококачественное осаждение перовскитной пленки с использованием промышленных технологий производства остается сложной задачей.
Ученые сообщили об изготовлении TFT на базе галогенида олова (Sn2+) с p-каналом с использованием метода осаждения из паровой фазы с неорганическим иодидом цезия-олова (CsSnI3). Хлорид свинца (PbCl2) используется для инициации процесса, запуская твердотельные реакции и преобразование испаряемых соединений-прекурсоров. Это позволяет создавать плотные и однородные перовскитные пленки, а также меняет изначально высокую плотность дырок, что позволяет использовать такие пленки в качестве канальных слоев. Оптимизированные TFT демонстрируют среднюю подвижность дырочного поля около 33.8 см2 В−1 с−1, с отношением тока включения/выключения (Ion/Ioff) около 108 и однородность даже при большой площади.
Утверждается, что созданные устройства демонстрируют более высокую стабильность, чем при их формировании осаждением из раствора. Созданные таким способом перовскитные транзисторы можно использовать в дисплеях на органических светодиодах, или в логических устройствах и схемах для монолитной трехмерной интеграции, где требуются низкие технологические температуры.
@RUSmicro
#материалы #перовскиты
🇨🇳 Геополитика. Санкции. Производители. Китай
SMIC сталкивается с проблемами выхода годных, т.к. затруднилось обслуживание западного оборудования
После нескольких раундов ограничений, наложенных США на продажи и обслуживание оборудования для производства полупроводников в Китай, крупнейшее производство в стране, SMIC, наконец признала последствия санкций. Компания сообщила о перебоях в производстве микросхем, связанных с обслуживанием оборудования и закупками нового, что сократило ее доходы в 2q2025. Об этом сообщает Tom’s hardware
Недавно компания столкнулась с двумя проблемами. Во-первых, произошел неожиданный «инцидент» во время планового ежегодного обслуживания, который нарушил работу производственных линий и поставил под угрозу точность процесса, что сказалось на выходе годных.
Кроме того, проверка недавно развернутого на предприятии оборудования выявила проблемы с производительностью, что потребовало работ по устранению этих проблем, и негативно сказалось на выходе годных. Проблемы продолжались более месяца в течение 1q2025, и судя по всему, скажутся на объеме производства и в 2q2025.
Тем не менее компания сохранила стабильными средние цены продажи (ASP), так что потери в выручке были связаны исключительно со снижением объемов производства из-за снижения выхода годных.
Производителям микросхем требуется ежегодное техобслуживание производственного оборудования. Правительство США запрещает американским производителям оборудования для изготовления пластин обслуживать передовое оборудование, проданное в Китай. Инженеры SMIC могут и самостоятельно выпускать ряд плановых работ по техобслуживанию, но их квалификация не столь высока и потому могут случаться неприятные инциденты. Что и произошло в 1q2025.
Есть трудности и с развертыванием вновь закупленного оборудования.
Обычно эксплуатационные проблемы, такие, как снижение выхода годных изделий или проблемы с оборудованием, обычно влияют на прибыльность (например, на валовую прибыль), поскольку они повышают затраты на единицу произведенной продукции, не сокращая доход напрямую. Но в случае с со SMIC операционные проблемы снизили выход продукции. Это, вероятно, означает, что было завершено меньше пластин или микросхем, что их было меньше отгружено, в итоге при стабильных ценах сократилась выручка. Таким образом, эксплуатационные проблемы негативно повлияли на прибыль (за счет более высоких расходов на производство единицы) и на выручку (из-за меньшего количества поставленных на рынок микросхем).
SMIC перенаправила от $30 до $75 млн, забрав их из своего бюджета на НИОКР, чтобы разобраться с новым оборудованием. Обычно в SMIC выделяют на НИОКР от 8% до 10% дохода, что соответствует $180-225 млн. Однако поскольку деньги пришлось отправить на настройку и доводку нового оборудования, компании пришлось сократить расходы на НИОКР до $150 млн.
Что касается капитальных расходов, то в SMIC рассчитывают выделить $7.5 млрд в 2025 году на строительство новых производственных мощностей.
В 1q2025 SMIC получила $2.247 млрд (+1.8% кк).
Продажи пластин составили 95,2% от общего объема и выросли почти на 5% кк, что обусловлено ростом продаю 200-м пластин на 18% и ростом продаж 300 мм пластин на 2%. Загрузка фабрики достигла 89,6% что на 4.1% больше, чем в предыдущем квартале. Уровни загрузки на площадках, где производятся пластины 300 мм оставались высокими, тогда как площадки, где производятся 200 мм пластины, соответствовали уровням загрузки характерной для крупных производств.
@RUSmicro
#геополитика #санкции
SMIC сталкивается с проблемами выхода годных, т.к. затруднилось обслуживание западного оборудования
После нескольких раундов ограничений, наложенных США на продажи и обслуживание оборудования для производства полупроводников в Китай, крупнейшее производство в стране, SMIC, наконец признала последствия санкций. Компания сообщила о перебоях в производстве микросхем, связанных с обслуживанием оборудования и закупками нового, что сократило ее доходы в 2q2025. Об этом сообщает Tom’s hardware
Недавно компания столкнулась с двумя проблемами. Во-первых, произошел неожиданный «инцидент» во время планового ежегодного обслуживания, который нарушил работу производственных линий и поставил под угрозу точность процесса, что сказалось на выходе годных.
Кроме того, проверка недавно развернутого на предприятии оборудования выявила проблемы с производительностью, что потребовало работ по устранению этих проблем, и негативно сказалось на выходе годных. Проблемы продолжались более месяца в течение 1q2025, и судя по всему, скажутся на объеме производства и в 2q2025.
Тем не менее компания сохранила стабильными средние цены продажи (ASP), так что потери в выручке были связаны исключительно со снижением объемов производства из-за снижения выхода годных.
Производителям микросхем требуется ежегодное техобслуживание производственного оборудования. Правительство США запрещает американским производителям оборудования для изготовления пластин обслуживать передовое оборудование, проданное в Китай. Инженеры SMIC могут и самостоятельно выпускать ряд плановых работ по техобслуживанию, но их квалификация не столь высока и потому могут случаться неприятные инциденты. Что и произошло в 1q2025.
Есть трудности и с развертыванием вновь закупленного оборудования.
Обычно эксплуатационные проблемы, такие, как снижение выхода годных изделий или проблемы с оборудованием, обычно влияют на прибыльность (например, на валовую прибыль), поскольку они повышают затраты на единицу произведенной продукции, не сокращая доход напрямую. Но в случае с со SMIC операционные проблемы снизили выход продукции. Это, вероятно, означает, что было завершено меньше пластин или микросхем, что их было меньше отгружено, в итоге при стабильных ценах сократилась выручка. Таким образом, эксплуатационные проблемы негативно повлияли на прибыль (за счет более высоких расходов на производство единицы) и на выручку (из-за меньшего количества поставленных на рынок микросхем).
SMIC перенаправила от $30 до $75 млн, забрав их из своего бюджета на НИОКР, чтобы разобраться с новым оборудованием. Обычно в SMIC выделяют на НИОКР от 8% до 10% дохода, что соответствует $180-225 млн. Однако поскольку деньги пришлось отправить на настройку и доводку нового оборудования, компании пришлось сократить расходы на НИОКР до $150 млн.
Что касается капитальных расходов, то в SMIC рассчитывают выделить $7.5 млрд в 2025 году на строительство новых производственных мощностей.
В 1q2025 SMIC получила $2.247 млрд (+1.8% кк).
Продажи пластин составили 95,2% от общего объема и выросли почти на 5% кк, что обусловлено ростом продаю 200-м пластин на 18% и ростом продаж 300 мм пластин на 2%. Загрузка фабрики достигла 89,6% что на 4.1% больше, чем в предыдущем квартале. Уровни загрузки на площадках, где производятся пластины 300 мм оставались высокими, тогда как площадки, где производятся 200 мм пластины, соответствовали уровням загрузки характерной для крупных производств.
@RUSmicro
#геополитика #санкции
Tom's Hardware
China's premier chipmaker SMIC faces chip yield woes as equipment maintenance and validation efforts stall
Sanctions finally hit SMIC.
🇪🇺 Производственное оборудование. Нидерланды
ASML ускоряет расширение производства в Нидерландах
Новый кампус компании может быть запущен не в волшебном 2030 году, а уже в 2028.
В 2028 году, как сообщила компания, она планирует перевести сотрудников в новый кампус Brainport Industries невдалеке от Эйндховена. Соответствующее обновление планов было представлено в рамках презентации компании. Об этом рассказывает Tom's hardware.
Ранее планировалось завершить создание и начать обживать новый кампус «около 2030 года или позднее». А теперь сообщается, что первые из дополнительных 20 тысяч сотрудников будут обустраиваться на новых местах уже в 2028 году.
Расширенный кампус добавит 357 тыс. квадратных метров к площадям ASML (примерно 50 футбольных полей). Территорию пересекает река, предусмотрены парковочные места для 4200 велосипедов.
В 2024 году правительство Нидерландов выделило 1.7 млрд евро на содействие этому проекту.
Есть и проблемы, конечно же, по части необходимых мощностей электросети Нидерландов, которая не первый год «скрипит» и едва справляется с текущими потребностями. Есть какая-то проблема, связанная с хранением азота. Решены не все земельные вопросы, пока что выкуплено лишь 80% необходимой земли. И, как обычно в Европе, в любой момент могут «возбудиться» и создать проблемы экологи.
Тем не менее расширение грядет и понятно, что ASML не хочет лишаться технологического лидерства, несмотря на активизацию конкурентов в США, в Японии и в Китае.
@RUSmicro
#производственноеоборудование
ASML ускоряет расширение производства в Нидерландах
Новый кампус компании может быть запущен не в волшебном 2030 году, а уже в 2028.
В 2028 году, как сообщила компания, она планирует перевести сотрудников в новый кампус Brainport Industries невдалеке от Эйндховена. Соответствующее обновление планов было представлено в рамках презентации компании. Об этом рассказывает Tom's hardware.
Ранее планировалось завершить создание и начать обживать новый кампус «около 2030 года или позднее». А теперь сообщается, что первые из дополнительных 20 тысяч сотрудников будут обустраиваться на новых местах уже в 2028 году.
Расширенный кампус добавит 357 тыс. квадратных метров к площадям ASML (примерно 50 футбольных полей). Территорию пересекает река, предусмотрены парковочные места для 4200 велосипедов.
В 2024 году правительство Нидерландов выделило 1.7 млрд евро на содействие этому проекту.
Есть и проблемы, конечно же, по части необходимых мощностей электросети Нидерландов, которая не первый год «скрипит» и едва справляется с текущими потребностями. Есть какая-то проблема, связанная с хранением азота. Решены не все земельные вопросы, пока что выкуплено лишь 80% необходимой земли. И, как обычно в Европе, в любой момент могут «возбудиться» и создать проблемы экологи.
Тем не менее расширение грядет и понятно, что ASML не хочет лишаться технологического лидерства, несмотря на активизацию конкурентов в США, в Японии и в Китае.
@RUSmicro
#производственноеоборудование
Tom's Hardware
ASML accelerates 50-football-fields-size mega expansion plans in the Netherlands
Presentation suggests new campus may be operational by 2028, rather than 2030.
🇨🇳 Технологии упаковки. Производство памяти. Патенты. Китай
Китайская YMTC доминирует в патентах на гибридное соединение, что создает проблемы для Samsung и SK Hynix
Гиганты в области производства памяти, а это, прежде всего, южнокорейские SK Hynix и Samsung Electronics, ускоренно разрабатывают HBM4 и многослойные NAND микросхемы.
Это привлекает повышенный интерес к технологии гибридного соединения чипов (hybrid bonding). Компании усердно патентуют свои разработки. Южнокорейские лидеры Samsung и SK Hynix, по данным ZDNet, на которые ссылается TrendForce, оформили намного меньше патентов, чем китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Об этом сообщает TrendForce.
В итоге теперь уже корейцы платят Китаю за лицензии на технологию гибридного соединения. В частности, Samsung Electronics подписала лицензионное соглашение с YMTC о внедрении технологии гибридного соединения в свои NAND следующего поколения. Говорят, что на этот шаг корейская компания была вынуждена пойти, убедившись в сложностях обхода патентов YMTC.
YMTC, крупнейший производитель NAND в Китае, занимается массовым использованием технологии гибридного склеивания под брендом Xtacking уже около 4 лет. Компания использует метод «от пластины к пластине» (W2W), производя ячейки памяти и периферийные схемы на отдельных пластинах, а затем их склеивая.
По данным ZDNet, YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридными соединениями в период с 2017 по январь 2024 года.
Для сравнения, у Samsung Electronics, которая первые патентные заявки по этой технологии начала оформлять с 2015 года, на январь 2024 года располагала 83-мя патентами. SK hynix, которая начала подавать заявки в 2020 году, раскрыла всего 11.
Южнокорейские компании только сейчас начали активно наращивать усилия в области гибридного соединения. Это позволяет им создавать более тонкие стеки слоя, формировать больше слоев, снижать потери сигнала и повышать выход годных. Эти преимущества особенно важны для SK Hynix, лидирующей в области HBM в мире.
Но и Samsung намерена производить 12-слойные HBM к концу 2025 года, поэтому сейчас в компании ведут активные исследования в этой области. Сообщается, что Samsung работает со своей дочерней структурой Sedaily в области производства оборудования SEMES (технологии TSV и 3D-упаковки).
По данным TrendForce, акцент при производстве HBM все более переключается на передовые технологии упаковки, такие как гибридное соединение. Основные производители рассматривают переход на гибридное соединение в 16-слойных продуктах HBM4 и планируют внедрить эту технологию в 20-слойные HBM5.
@RUSmicro
#патенты #HBM #тренды #гибридноесоединение #упаковка
Китайская YMTC доминирует в патентах на гибридное соединение, что создает проблемы для Samsung и SK Hynix
Гиганты в области производства памяти, а это, прежде всего, южнокорейские SK Hynix и Samsung Electronics, ускоренно разрабатывают HBM4 и многослойные NAND микросхемы.
Это привлекает повышенный интерес к технологии гибридного соединения чипов (hybrid bonding). Компании усердно патентуют свои разработки. Южнокорейские лидеры Samsung и SK Hynix, по данным ZDNet, на которые ссылается TrendForce, оформили намного меньше патентов, чем китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Об этом сообщает TrendForce.
В итоге теперь уже корейцы платят Китаю за лицензии на технологию гибридного соединения. В частности, Samsung Electronics подписала лицензионное соглашение с YMTC о внедрении технологии гибридного соединения в свои NAND следующего поколения. Говорят, что на этот шаг корейская компания была вынуждена пойти, убедившись в сложностях обхода патентов YMTC.
YMTC, крупнейший производитель NAND в Китае, занимается массовым использованием технологии гибридного склеивания под брендом Xtacking уже около 4 лет. Компания использует метод «от пластины к пластине» (W2W), производя ячейки памяти и периферийные схемы на отдельных пластинах, а затем их склеивая.
По данным ZDNet, YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридными соединениями в период с 2017 по январь 2024 года.
Для сравнения, у Samsung Electronics, которая первые патентные заявки по этой технологии начала оформлять с 2015 года, на январь 2024 года располагала 83-мя патентами. SK hynix, которая начала подавать заявки в 2020 году, раскрыла всего 11.
Южнокорейские компании только сейчас начали активно наращивать усилия в области гибридного соединения. Это позволяет им создавать более тонкие стеки слоя, формировать больше слоев, снижать потери сигнала и повышать выход годных. Эти преимущества особенно важны для SK Hynix, лидирующей в области HBM в мире.
Но и Samsung намерена производить 12-слойные HBM к концу 2025 года, поэтому сейчас в компании ведут активные исследования в этой области. Сообщается, что Samsung работает со своей дочерней структурой Sedaily в области производства оборудования SEMES (технологии TSV и 3D-упаковки).
По данным TrendForce, акцент при производстве HBM все более переключается на передовые технологии упаковки, такие как гибридное соединение. Основные производители рассматривают переход на гибридное соединение в 16-слойных продуктах HBM4 и планируют внедрить эту технологию в 20-слойные HBM5.
@RUSmicro
#патенты #HBM #тренды #гибридноесоединение #упаковка
[News] China’s YMTC Dominates Hybrid Bonding Patents, Pressuring South Korean Memory Giants Samsung and SK hynix | TrendForce News
As memory giants accelerate development in HBM4 and high-layer NAND, hybrid bonding technology is drawing heightened attention. South Korean leaders S...
🇺🇸 🇹🇼 Производители оборудования. США
Инвестиции TSMC в Аризоне создадут 12 тысяч рабочих мест
Такую цифру назвала Роуз Кастанерес, президент TSMC Аризона. Но это будет после завершения всего объема строительства и выхода фабов на проектные мощности. Тему сегодня обсуждает TrendForce.
Проект TSMC в Аризоне относится к категории «многострадальных». Первые анонсы этого проекта состоялись в 2020 году, когда появился американский Закон о чипах, предусматривающий инвестиционную поддержку компаний, занимающихся развертыванием современных производственных мощностей в США. Включая зарубежные компании.
После того, как правительство США усилило свое давление на руководство тайваньской компании, в марте 2025 года TSMC объявила о дополнительных инвестициях в США в размере $100 млрд еще в 3 фабрики, два упаковочных предприятия и в НИОКР центр в Аризоне.
Как ожидается, это нарастит количество рабочих мест до 12 тысяч после завершения двух инвестиционных фаз, когда все 6 производственных объектов в Аризоне выйдут на серийное производство.
Еще большим будет влияние этих проектов в виде создания рабочих мест партнерами компании, в частности, только в строительстве заказы TSMC поддержат порядка 40 тысяч рабочих мест в ближайшие 4 года.
Стройка, буксовавшая на старте, сейчас идет активно. Первая фабрика уже вышла на этап массового производства в 4q2024. Завершено строительство второй фабрики. Строительство 3-й и 4-й фабрик должно стартовать с конца 2025 года.
Идет процесс загрузки мощностей. В частности, заключен договор с AMD, американская фабрика TSMC скоро начнет производство флагманских чипов в США, впервые в истории AMD.
Кроме того, AMD переводит производство своих чипов 4нм с Samsung Foundry на американские фабрики TSMC.
Компания Nvidia производит чипы Blackwell следующего поколения на фабрике TSMC в Финиксе. Уместно вспомнить о планах Nvidia инвестировать до $500 млрд в производство в США серверов ИИ в ближайшие 4 года.
Ожидается, что другими крупными клиентами американских контрактных фабов TSMC станут Apple, Broadcom, Qualcomm и, возможно, Intel.
@RUSmicro
Инвестиции TSMC в Аризоне создадут 12 тысяч рабочих мест
Такую цифру назвала Роуз Кастанерес, президент TSMC Аризона. Но это будет после завершения всего объема строительства и выхода фабов на проектные мощности. Тему сегодня обсуждает TrendForce.
Проект TSMC в Аризоне относится к категории «многострадальных». Первые анонсы этого проекта состоялись в 2020 году, когда появился американский Закон о чипах, предусматривающий инвестиционную поддержку компаний, занимающихся развертыванием современных производственных мощностей в США. Включая зарубежные компании.
После того, как правительство США усилило свое давление на руководство тайваньской компании, в марте 2025 года TSMC объявила о дополнительных инвестициях в США в размере $100 млрд еще в 3 фабрики, два упаковочных предприятия и в НИОКР центр в Аризоне.
Как ожидается, это нарастит количество рабочих мест до 12 тысяч после завершения двух инвестиционных фаз, когда все 6 производственных объектов в Аризоне выйдут на серийное производство.
Еще большим будет влияние этих проектов в виде создания рабочих мест партнерами компании, в частности, только в строительстве заказы TSMC поддержат порядка 40 тысяч рабочих мест в ближайшие 4 года.
Стройка, буксовавшая на старте, сейчас идет активно. Первая фабрика уже вышла на этап массового производства в 4q2024. Завершено строительство второй фабрики. Строительство 3-й и 4-й фабрик должно стартовать с конца 2025 года.
Идет процесс загрузки мощностей. В частности, заключен договор с AMD, американская фабрика TSMC скоро начнет производство флагманских чипов в США, впервые в истории AMD.
Кроме того, AMD переводит производство своих чипов 4нм с Samsung Foundry на американские фабрики TSMC.
Компания Nvidia производит чипы Blackwell следующего поколения на фабрике TSMC в Финиксе. Уместно вспомнить о планах Nvidia инвестировать до $500 млрд в производство в США серверов ИИ в ближайшие 4 года.
Ожидается, что другими крупными клиентами американских контрактных фабов TSMC станут Apple, Broadcom, Qualcomm и, возможно, Intel.
@RUSmicro
[News] TSMC’s $165B Arizona Investment to Create 12,000 Jobs Once All Facilities Are Operational | TrendForce News
According to Commercial Times, citing Wccftech, Rose Castanares, president of TSMC Arizona, recently stated in an interview with Axios that TSMC’s tot...
🇹🇼 Техпроцессы 14А. Тайвань
Тайваньская TSMC планирует начать производство пластин по техпроцессу 1.4 нм в 2028 году
TSMC на сегодня возглавляет технологическую гонку. С мая 2025 года TSMC принимает заказы на производство пластин по техпроцессу 2 нм. Apple, предположительно, станет первым получателем готовых пластин по этой технологии. Об этом пишет wccftech.
Кроме того, тайваньской TSMC потребуется не менее 3 лет для освоения производства нового узла A14.
Ранее о планах движения к узлу A14 объявляли Intel и Samsung Electronics. Но недавно Samsung объявила, что отказывается от разработки собственной технологии A14, причины названы не были. В Rapidus планы перехода к A14 пока не привязаны к временным ориентирам, компания заявила лишь, что, если освоение ею техпроцесса 2нм пройдет без проблем, она построит фаб под А14. Планы Intel на 14А выглядят более серьезно. Компания в конце апреля 2025 года поделилась показателями производительности своего будущего узла 14A, планируемого к выпуску в 2027 году. Одно из основных вероятных улучшений – снижение энергопотребления вплоть до 35%.
С другой стороны, после этого сообщалось, что компания Samsung создала команду, сосредоточенную на разработке чипов 1 нм с планами перехода к массовому производству в 2029 году. Если Samsung выдержит этот график, это может создать некоторую конкуренцию для TSMC, по крайней мере, собьет цены на продукцию тайваньской компании.
Узлы A14 TSMC обещают 15-процентное повышение производительности и 30-процентное снижение энергопотребления.
Пока что нет информации о том, какой клиент намекнул на то, что первым разместит заказы на эти чипы. Можно предположить, вслед за wccftech, что тесные взаимоотношения Apple с TSMC могут сделать эту сделку реальностью.
Кроме того, TSMC собирается представить технологию упаковки следующего поколения, которая объединит множество чипов с различными функциями в одном корпусе. Производство таких чипов начнется в 2027 году.
@RUSmicro
#A14
Тайваньская TSMC планирует начать производство пластин по техпроцессу 1.4 нм в 2028 году
TSMC на сегодня возглавляет технологическую гонку. С мая 2025 года TSMC принимает заказы на производство пластин по техпроцессу 2 нм. Apple, предположительно, станет первым получателем готовых пластин по этой технологии. Об этом пишет wccftech.
Кроме того, тайваньской TSMC потребуется не менее 3 лет для освоения производства нового узла A14.
Ранее о планах движения к узлу A14 объявляли Intel и Samsung Electronics. Но недавно Samsung объявила, что отказывается от разработки собственной технологии A14, причины названы не были. В Rapidus планы перехода к A14 пока не привязаны к временным ориентирам, компания заявила лишь, что, если освоение ею техпроцесса 2нм пройдет без проблем, она построит фаб под А14. Планы Intel на 14А выглядят более серьезно. Компания в конце апреля 2025 года поделилась показателями производительности своего будущего узла 14A, планируемого к выпуску в 2027 году. Одно из основных вероятных улучшений – снижение энергопотребления вплоть до 35%.
С другой стороны, после этого сообщалось, что компания Samsung создала команду, сосредоточенную на разработке чипов 1 нм с планами перехода к массовому производству в 2029 году. Если Samsung выдержит этот график, это может создать некоторую конкуренцию для TSMC, по крайней мере, собьет цены на продукцию тайваньской компании.
Узлы A14 TSMC обещают 15-процентное повышение производительности и 30-процентное снижение энергопотребления.
Пока что нет информации о том, какой клиент намекнул на то, что первым разместит заказы на эти чипы. Можно предположить, вслед за wccftech, что тесные взаимоотношения Apple с TSMC могут сделать эту сделку реальностью.
Кроме того, TSMC собирается представить технологию упаковки следующего поколения, которая объединит множество чипов с различными функциями в одном корпусе. Производство таких чипов начнется в 2027 году.
@RUSmicro
#A14
Wccftech
TSMC Plans To Commence 1.4nm Wafer Production In 2028, With The Advanced Lithography Delivering As Much As Up To 30 Percent Performance…
After 2nm wafers, TSMC states that it will start 1.4nm production in 2028, with the new technology intended to deliver outstanding attributes
🇨🇳 Чипы ИИ. Китай
HiSilicon Ascend 910D AI от Huawei, чего от него ожидать?
Как ожидается, этот ИИ-ускоритель следующего поколения сможет показать более высокую производительность, чем уже сравнительно старый H100 Nvidia, сообщает Reuters. Китайская новинка будет уступать графическим процессорам Blackwell B200 и Blackwell Ultra B300 Nvidia, не говоря уже о процессорах Rubin следующего поколения, выход которых ожидается в 2026 году. Подробности – от Tom’s hardware.
Однако подход Huawei, подразумевающий создание наборов (pods) из сотен процессоров, должен позволить Ascend 910D конкурировать с модулями на основе графических процессоров Blackwell и будущих графических процессоров Rubin Nvidia.
Huawei готовится начать испытания процессора ИИ Ascend 910D с тем, чтобы превзойти производительность процессора H100 Nvidia и предложить отечественную альтернативу в условиях экспортных ограничений США. По данным источников, Huawei обратилась к нескольким местным компаниям, чтобы оценить, соответствует ли новый чип Ascend 910D требованиям производительности и развертывания. Первые образцы ожидаются к концу мая.
Кроме того, в Huawei планируют начать крупномасштабные отгрузки двухчиповых процессоров Ascend 910C AI китайским клиентам в июне 2025. Это те самые процессоры, что удалось выпустить на TSMC, оформив заказ через стороннюю компанию.
В отношении Ascend 910D сохраняется неизвестность – будут ли новые чипы производиться на мощностях SMIC или в Huawei вновь найдут способ обойти санкции США.
Достижения уровня производительности Huawei H100 будет непростым делом для Huawei. Двухчиповый Ascend 910C обеспечивает производительность около 780 BF16 TFLOPS, тогда как H100 выдает около 2000 BF16 TFLOPS. Чтобы достичь уровня производительности H100, Huawei придется перепроектировать архитектуру Ascend 910D и, возможно, нарастить количество вычислительных чиплетов. (..)
HiSilicon Ascend 910D AI от Huawei, чего от него ожидать?
Как ожидается, этот ИИ-ускоритель следующего поколения сможет показать более высокую производительность, чем уже сравнительно старый H100 Nvidia, сообщает Reuters. Китайская новинка будет уступать графическим процессорам Blackwell B200 и Blackwell Ultra B300 Nvidia, не говоря уже о процессорах Rubin следующего поколения, выход которых ожидается в 2026 году. Подробности – от Tom’s hardware.
Однако подход Huawei, подразумевающий создание наборов (pods) из сотен процессоров, должен позволить Ascend 910D конкурировать с модулями на основе графических процессоров Blackwell и будущих графических процессоров Rubin Nvidia.
Huawei готовится начать испытания процессора ИИ Ascend 910D с тем, чтобы превзойти производительность процессора H100 Nvidia и предложить отечественную альтернативу в условиях экспортных ограничений США. По данным источников, Huawei обратилась к нескольким местным компаниям, чтобы оценить, соответствует ли новый чип Ascend 910D требованиям производительности и развертывания. Первые образцы ожидаются к концу мая.
Кроме того, в Huawei планируют начать крупномасштабные отгрузки двухчиповых процессоров Ascend 910C AI китайским клиентам в июне 2025. Это те самые процессоры, что удалось выпустить на TSMC, оформив заказ через стороннюю компанию.
В отношении Ascend 910D сохраняется неизвестность – будут ли новые чипы производиться на мощностях SMIC или в Huawei вновь найдут способ обойти санкции США.
Достижения уровня производительности Huawei H100 будет непростым делом для Huawei. Двухчиповый Ascend 910C обеспечивает производительность около 780 BF16 TFLOPS, тогда как H100 выдает около 2000 BF16 TFLOPS. Чтобы достичь уровня производительности H100, Huawei придется перепроектировать архитектуру Ascend 910D и, возможно, нарастить количество вычислительных чиплетов. (..)