#就是愛分享
#1226假日分享1
#如果受夠了每天漲停板的文章
#想要認真學習的好友
#歡迎正面積極共襄盛舉
#看完可貼圖留言，讓龍捲風操盤戰隊知道有多少人在閱讀！
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★Telegram:https://t.me/imoney168
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◆2021 年全球三大記憶體廠陸續將大規模量產下一代 DDR5 DRAM 的情況下，預計記憶體市場將迎接下一個成長週期
DDR5 DRAM 的 #傳輸速率 可高達 6,400 Mbps，
是 DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 的 2 倍。
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DDR5 的工作電壓為 1.1V，比 DDR4 的 1.2V 降低 9%
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DDR5 #最大容量為 64 Gb，是 DDR4 產品 4 倍！
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根據市場研究及調查單位 TrendForce 預測，
DDR5 在 PC DRAM 市場中的市占率，將從 2020 年的不到 1%，
成長到 2021 年 10%，足足是 10 倍以上的成長(目前有何產品是能成長10倍)
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甚至， DDR5 產品在伺服器的 DRAM 市場中，市佔率也將從 2020 年的 4% 提升到 2021 年 15%。
據集邦科技資料顯示，越靠近年底，DRAM 現貨價格漲勢越發強勁。主要動能來自於筆電及桌機等消費電子需求，且明年上半年預期將供不應求，拉貨更加積極。部分產品單月漲幅已達 22.4%，相當可觀。
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連低階的
產品生命週期即將走完的 DDR3 價格也跟著大漲，2GB 現貨價格甚至上揚近 23.8%，這是由於其他網通設備如 NAS、智慧電視、機上盒、物聯網等需求也大增，漲勢也將延續至明年
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◆除此之外，
記憶體廠商也在 NAND Flash 快閃記憶體發展角力
美光 11 月也宣布，已開始量產全球首批 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。美光指出，新 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體讀寫方面性能提高 35% 以上，業界預期，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長將比 DRAM 市場更快，原因在於智慧型手機向 5G 發展，以及資料中心的伺服器對 SSD 的需求所造成，這使得 NAND Flash 快閃記憶體市場到 2024 前將以每年 30% 到 35% 的速度增長，相較於而 DRAM 的年平均成長率為 15%~20% 而言，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長速度快很多，也使得炒商更注重 NAND Flash 快閃記憶體市場發展。
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◆再來就是NOR FLASH
由於大陸NOR Flash大廠 #兆易創新 每月委由 #中芯國際 代工1萬片，先前美國限制設備出口中芯國際，旺宏及華邦電已有轉單效應，因中芯國際正式被美國列入黑名單，可能進一步影響市場供需狀況。
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記憶體製造廠旺宏董事長吳敏求先前表示，中芯為中國記憶體廠兆易創新代工，若中芯被美國列入黑名單，不排除造成NOR Flash市場供不應求。
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先前美國限制設備出口中芯國際，已帶來台廠轉單效應。
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蘋果擔心中芯無法順利為大客戶兆易創新代工生產編碼型快閃記憶體(NOR Flash)，因而將原本預計交給兆易創新的新iPhone OLED面板外掛NOR Flash訂單，改下給華邦電及旺宏兩家台廠。
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【結論】
據市調機構集邦科技統計，12月以來，記憶體綜合價格指數(DXI)已大漲逾二成，並預期明年第1季合約價止跌。
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據集邦科技觀察，美光(Micron)桃園廠跳電意外，帶動DRAM現貨價提前於12月開始漲價，加上年底及農曆年補貨需求升溫，推升DRAM現貨價走揚，12月來現貨價漲幅達1至2成。據集邦科技統計，12月來DXI已攀升26%
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《此為龍捲風操盤戰隊內部研究報告，轉載務必註明出處，投資人須審慎評估自身可承擔風險，盈虧自負》

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是 DDR4 DRAM 的 3,200 Mbps 的 2 倍。
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DDR5 的工作電壓為 1.1V，比 DDR4 的 1.2V 降低 9%
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DDR5 #最大容量為 64 Gb，是 DDR4 產品 4 倍！
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根據市場研究及調查單位 TrendForce 預測，
DDR5 在 PC DRAM 市場中的市占率，將從 2020 年的不到 1%，
成長到 2021 年 10%，足足是 10 倍以上的成長(目前有何產品是能成長10倍)
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甚至， DDR5 產品在伺服器的 DRAM 市場中，市佔率也將從 2020 年的 4% 提升到 2021 年 15%。
據集邦科技資料顯示，越靠近年底，DRAM 現貨價格漲勢越發強勁。主要動能來自於筆電及桌機等消費電子需求，且明年上半年預期將供不應求，拉貨更加積極。部分產品單月漲幅已達 22.4%，相當可觀。
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連低階的
產品生命週期即將走完的 DDR3 價格也跟著大漲，2GB 現貨價格甚至上揚近 23.8%，這是由於其他網通設備如 NAS、智慧電視、機上盒、物聯網等需求也大增，漲勢也將延續至明年
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◆除此之外，
記憶體廠商也在 NAND Flash 快閃記憶體發展角力
美光 11 月也宣布，已開始量產全球首批 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。美光指出，新 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體讀寫方面性能提高 35% 以上，業界預期，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長將比 DRAM 市場更快，原因在於智慧型手機向 5G 發展，以及資料中心的伺服器對 SSD 的需求所造成，這使得 NAND Flash 快閃記憶體市場到 2024 前將以每年 30% 到 35% 的速度增長，相較於而 DRAM 的年平均成長率為 15%~20% 而言，NAND Flash 快閃記憶體市場的成長速度快很多，也使得炒商更注重 NAND Flash 快閃記憶體市場發展。
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◆再來就是NOR FLASH
由於大陸NOR Flash大廠 #兆易創新 每月委由 #中芯國際 代工1萬片，先前美國限制設備出口中芯國際，旺宏及華邦電已有轉單效應，因中芯國際正式被美國列入黑名單，可能進一步影響市場供需狀況。
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記憶體製造廠旺宏董事長吳敏求先前表示，中芯為中國記憶體廠兆易創新代工，若中芯被美國列入黑名單，不排除造成NOR Flash市場供不應求。
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先前美國限制設備出口中芯國際，已帶來台廠轉單效應。
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蘋果擔心中芯無法順利為大客戶兆易創新代工生產編碼型快閃記憶體(NOR Flash)，因而將原本預計交給兆易創新的新iPhone OLED面板外掛NOR Flash訂單，改下給華邦電及旺宏兩家台廠。
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【結論】
據市調機構集邦科技統計，12月以來，記憶體綜合價格指數(DXI)已大漲逾二成，並預期明年第1季合約價止跌。
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據集邦科技觀察，美光(Micron)桃園廠跳電意外，帶動DRAM現貨價提前於12月開始漲價，加上年底及農曆年補貨需求升溫，推升DRAM現貨價走揚，12月來現貨價漲幅達1至2成。據集邦科技統計，12月來DXI已攀升26%
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《此為龍捲風操盤戰隊內部研究報告，轉載務必註明出處，投資人須審慎評估自身可承擔風險，盈虧自負》