🇰🇷 SK hynix заключила контракт на поставку EUV-сканеров ASML на сумму $7,9 млрд с поставкой до конца 2027 года. Это крупнейший публично раскрытый заказ на EUV-оборудование от одного заказчика.

По оценкам, речь идет примерно о 30 EUV-сканерах в течение двух лет (против ранее ожидаемых 26). Оборудование будет распределено между двумя площадками:

🔹 M15X в Чхонджу – производство HBM-памяти
🔹 новый кластер Yongin – выпуск передовой DRAM

Обе линии ориентированы на рост спроса со стороны ИИ-инфраструктуры. SK hynix уже занимает более 60% рынка HBM и является ключевым поставщиком для Nvidia.

Сделка напрямую связана с ускорением ввода новых мощностей. Запуск первой чистой комнаты в Yongin перенесен с мая на февраль 2027 года. Общий объем инвестиций в первую фазу проекта – $21,5 млрд. Площадка рассчитана на два корпуса и шесть чистых комнат.

📍Заказ также рассматривается как попытка заранее закрепить поставки EUV-оборудования на фоне ограниченного предложения, чтобы получить оборудование раньше конкурентов. На конец 2025 года портфель заказов ASML составлял €38,8 млрд, а сроки поставок остаются узким местом для всей отрасли.

📈 Дополнительно SK hynix наращивает инвестиции в последующие этапы производства: ранее компания объявила о строительстве комплекса передового корпусирования в Чхонджу стоимостью $13 млрд для сборки HBM-чипов.

📀 Рост закупок EUV отражает структурный сдвиг в памяти: переход к HBM и усложнение DRAM усиливают зависимость от передовой литографии и делают доступ к оборудованию критическим фактором конкуренции с Samsung и TSMC.

⚡️Перегрузка мощностей TSMC приводит к задержкам поставок для клиентов на фоне бума ИИ

Американская компания Broadcom – один из крупнейших разработчиков полупроводников, специализирующийся на сетевых решениях, оптических интерфейсах и компонентах для дата-центров и ИИ-инфраструктуры – заявляет о системных ограничениях в цепочке поставок. По данным компании, ключевой проблемой стала загрузка мощностей TSMC.

🪫 По словам представителей Broadcom, еще несколько лет назад производственные возможности TSMC казались практически неограниченными, но сейчас передовые линии работают на пределе. Именно это в 2026 году начинает сдерживать выпуск продукции по всей отрасли. Расширение мощностей ожидается, но заметный эффект будет только ближе к 2027 году.

🧩 Проблемы затрагивают не только производство самих чипов. Дефицит проявляется и в смежных сегментах – например, в лазерных компонентах и печатных платах. В случае плат сроки поставки для оптических трансиверов выросли с примерно 6 недель до 6 месяцев. Ограничения фиксируются как у тайваньских, так и у китайских производителей.

В ответ компании меняют подход к работе с поставщиками и переходят на более длинные контракты, чтобы заранее гарантировать себе объемы производства. Уже сейчас заключаются соглашения на 3–4 года, а Samsung обсуждает с клиентами контракты сроком до 5 лет.

⛓️‍💥Ситуация показывает, что дефицит формируется не в одном звене, а по всей цепочке: спрос на инфраструктуру для ИИ растет быстрее, чем отрасль успевает наращивать производство – от фабрик до компонентов.

#ЭлМаш #технологии #TSMC

📀 По прогнозам SEMI, в 2026 году мировые расходы на оборудование для производства 300-мм пластин вырастут на 18 % и составят 133 миллиарда долларов, а в 2027 году – на 14 % и составят 151 миллиард долларов. Об этом говорится в последнем отчете 300mm Fab Outlook.

Основной фактор роста – масштабирование инфраструктуры под задачи ИИ, включая как центры обработки данных, так и периферийные устройства. Дополнительно рост поддерживается политикой технологической независимости и локализацией производственных цепочек.

🔹 Наибольший вклад формирует сегмент логики и контрактного производства. В 2027–2029 гг. на него придется около 228 млрд долл. США инвестиций. Ключевой фактор – ввод мощностей на передовых технологических узлах (2 нм и ниже), необходимых для повышения плотности транзисторов и энергоэффективности чипов в задачах обучения ИИ. При этом спрос на зрелые техпроцессы также сохраняется – за счет массовой электроники и периферийных устройств.

🔹 Второе место по объемам инвестиций занимает сегмент памяти, который выходит на новый цикл роста с совокупными инвестициями 175 млрд долл. США в 2027–2029 гг., из которых:
– 111 млрд долл. США в DRAM;
– 62 млрд долл. США в 3D NAND.

Изменяется сама структура спроса: обучение ИИ-моделей требует увеличения поставок высокоскоростной памяти (HBM), тогда как эксплуатация моделей – роста емкости хранения, что поддерживает спрос на NAND в дата-центрах. Это частично сглаживает традиционную волатильность рынка памяти.

🌏 Регионально инвестиции остаются распределенными между основными производственными центрами:
– в Китае рост обеспечивается расширением внутреннего производства и государственными программами;
– на Тайване инвестиции сосредоточены на передовых узлах – 2 нм и ниже;
– Южная Корея наращивает вложения в память, включая DRAM и HBM;
– в США инвестиции направлены на развитие собственной производственной базы и локализацию цепочек поставок;
– Япония, Европа и Юго-Восточная Азия увеличивают вложения с более низкой базы за счет господдержки и стратегий технологической устойчивости.

В целом, по оценке SEMI, отрасль переходит от выраженной цикличности к более устойчивой модели роста. Инвестиции все в большей степени определяются долгосрочным спросом на вычислительную инфраструктуру для ИИ, а не краткосрочными колебаниями рынка.

🔬 Исследователи из американского Национального института стандартов и технологий (NIST) предложили новый подход к корпусированию фотонных интегральных схем, позволяющий им работать в условиях, где традиционные решения не выдерживают.

Ключевое ограничение фотонных ИС – соединение оптоволокна с кристаллом. Стандартные адгезивы – органические полимерные клеи – склонны к растрескиванию, дегазации и деградации при воздействии экстремально низких температур, радиации, вакуума или высоких температур. При разрушении соединения чип теряет работоспособность.

🆕 В новой работе вместо органических материалов используется гидроксид-каталитическое связывание. Соединение формируется через раствор гидроксида натрия на молекулярном уровне с образованием неорганического стеклообразного слоя между оптическим волокном и фотонным чипом.

Команда NIST впервые продемонстрировала, что метод HCB обеспечивает как высокоточную юстировку оптического волокна, так и эффективную передачу света, необходимую для работы фотонных интегральных схем, при одновременном формировании прочного корпусирования, устойчивого к экстремальным условиям.

📍 Текущий процесс формирования соединения занимает несколько дней, что ограничивает масштабирование, однако исследователи подчеркивают, что это инженерная задача, а не фундаментальный барьер.