Samsung запустила в массовое производство девятое поколение памяти V-NAND
Samsung запустила в массовое производство новое, уже девятое поколение памяти V-NAND. Новое поколение памяти имеет на 50% более высокую плотность по сравнению с восьмым поколением.
Производителю удалось на 33% увеличить скорость ввода/вывода данных, теперь она составляет 3.2 Гбит/с. Также смогли добиться снижения энергопотребления на 10%.
Samsung уже начала массовое производство памяти V-NAND TLC емкостью 1 ТБ. Новая память найдет применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях высокой емкости, потребность в которых формируется в том числе на фоне растущего интереса к применени...
Читать на сайте ИА “Бизнес Код“
#Samsung
#Память
#NAND
Samsung запустила в массовое производство новое, уже девятое поколение памяти V-NAND. Новое поколение памяти имеет на 50% более высокую плотность по сравнению с восьмым поколением.
Производителю удалось на 33% увеличить скорость ввода/вывода данных, теперь она составляет 3.2 Гбит/с. Также смогли добиться снижения энергопотребления на 10%.
Samsung уже начала массовое производство памяти V-NAND TLC емкостью 1 ТБ. Новая память найдет применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях высокой емкости, потребность в которых формируется в том числе на фоне растущего интереса к применени...
Читать на сайте ИА “Бизнес Код“
#Samsung
#Память
#NAND
Samsung запустила в массовое производство девятое поколение памяти V-NAND
Samsung запустила в массовое производство новое, уже девятое поколение памяти V-NAND. Новое поколение памяти имеет на 50% более высокую плотность по сравнению с восьмым поколением.
Производителю удалось на 33% увеличить скорость ввода/вывода данных, теперь она составляет 3.2 Гбит/с. Также смогли добиться снижения энергопотребления на 10%.
Samsung уже начала массовое производство памяти V-NAND TLC емкостью 1 ТБ. Новая память найдет применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях высокой емкости, потребность в которых формируется в том числе на фоне растущего интереса к применени...
Читать на сайте ИА “Бизнес Код“
#Samsung
#Память
#NAND
Samsung запустила в массовое производство новое, уже девятое поколение памяти V-NAND. Новое поколение памяти имеет на 50% более высокую плотность по сравнению с восьмым поколением.
Производителю удалось на 33% увеличить скорость ввода/вывода данных, теперь она составляет 3.2 Гбит/с. Также смогли добиться снижения энергопотребления на 10%.
Samsung уже начала массовое производство памяти V-NAND TLC емкостью 1 ТБ. Новая память найдет применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях высокой емкости, потребность в которых формируется в том числе на фоне растущего интереса к применени...
Читать на сайте ИА “Бизнес Код“
#Samsung
#Память
#NAND
Samsung создала рекордный чип GDDR7 DRAM
Компания Samsung сообщила о разработке первого в отрасли чипа памяти GDDR7 DRAM с рекордным на текущий момент объёмом 24 ГБит. Кроме рекордной ёмкости, новый чип отличается и самой большой скоростью, обеспечивая скорость на уровне 40 Гбит/с, что на 25% превышает скоростные параметры предыдущего поколения чипов памяти.
Производитель заявил, что в ряде сценариев производительность чипа может быть увеличена до 42.5 Гбит/с. Отдельно отмечается, что вместе с ростом ёмкости и производительности памяти компании Samsung удалось повысить энергоэффективность чипа на 30% по сравнению с предыдущим поколением.
Такие чипы памяти будут востребованы в новейших системах обработки данных искусственного интеллекта, когда требуется обрабатывать большие объёмы информации и необходимо обеспечить снижение затрат на работу этих систем. Ранее ИА «Бизнес Код» писало, что Samsung показал…
Читать на сайте ИА "Бизнес Код"
#samsung #Драм #Память
Компания Samsung сообщила о разработке первого в отрасли чипа памяти GDDR7 DRAM с рекордным на текущий момент объёмом 24 ГБит. Кроме рекордной ёмкости, новый чип отличается и самой большой скоростью, обеспечивая скорость на уровне 40 Гбит/с, что на 25% превышает скоростные параметры предыдущего поколения чипов памяти.
Производитель заявил, что в ряде сценариев производительность чипа может быть увеличена до 42.5 Гбит/с. Отдельно отмечается, что вместе с ростом ёмкости и производительности памяти компании Samsung удалось повысить энергоэффективность чипа на 30% по сравнению с предыдущим поколением.
Такие чипы памяти будут востребованы в новейших системах обработки данных искусственного интеллекта, когда требуется обрабатывать большие объёмы информации и необходимо обеспечить снижение затрат на работу этих систем. Ранее ИА «Бизнес Код» писало, что Samsung показал…
Читать на сайте ИА "Бизнес Код"
#samsung #Драм #Память