Forwarded from 이지스 리서치 (주식 투자 정보 텔레그램)
올해 코스피 사이드카 37번, 코스닥 사이드카 22번
이게 시장이냐
대한민국이라는 브랜드 가치는 그 어느 때보다도 높은데, 증시는 더 후진국으로 후퇴
누가 이렇게 만든건가요
이게 시장이냐
대한민국이라는 브랜드 가치는 그 어느 때보다도 높은데, 증시는 더 후진국으로 후퇴
누가 이렇게 만든건가요
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Forwarded from 하나 중국/신흥국 전략 김경환
>>리튬배터리 음극재 하반기 전망: 3년 하락 사이클 종료 임박… 업황 반전 조짐
•신에너지 음극재 산업은 2020년 공급 부족에서 2024년 심각한 공급 과잉에 이르는 4단계 산업 사이클을 거쳤으며, 2026년 상반기 데이터를 바탕으로 볼 때 2026년 하반기-2027년에는 수급이 타이트한 균형 국면에 진입해 가격 상승 여력이 커질 전망
•ESS 수요의 폭발적인 증가와 전기차 고속충전 기술의 전면적인 보급이 산업의 수급 구조를 재편하고 있음. 또한 일체형 흑연화 공정의 자체 조달 능력과 신형 장입 공정이 핵심 경쟁력으로 부상, 향후 상위 업체와 하위 업체 간 경쟁력 및 생존 가능성의 격차가 더욱 확대될 것으로 분석
>锂电负极夏季展望:周期拐点悄悄涌现,三年下行周期出清接近尾声? https://wallstreetcn.com/member/articles/3776907#from=ios
•신에너지 음극재 산업은 2020년 공급 부족에서 2024년 심각한 공급 과잉에 이르는 4단계 산업 사이클을 거쳤으며, 2026년 상반기 데이터를 바탕으로 볼 때 2026년 하반기-2027년에는 수급이 타이트한 균형 국면에 진입해 가격 상승 여력이 커질 전망
•ESS 수요의 폭발적인 증가와 전기차 고속충전 기술의 전면적인 보급이 산업의 수급 구조를 재편하고 있음. 또한 일체형 흑연화 공정의 자체 조달 능력과 신형 장입 공정이 핵심 경쟁력으로 부상, 향후 상위 업체와 하위 업체 간 경쟁력 및 생존 가능성의 격차가 더욱 확대될 것으로 분석
>锂电负极夏季展望:周期拐点悄悄涌现,三年下行周期出清接近尾声? https://wallstreetcn.com/member/articles/3776907#from=ios
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Forwarded from 급등일보 미국주식🇺🇸 속보·매크로·리서치
[궈진증권: 데이터 수집은 물리적 AI의 최대 병목 현상이며, 데이터 인프라는 폭발적으로 성장할 전망] 7월 16일 진시데이터는 궈진증권이 발표한 연구 보고서를 인용하여, 휴머노이드 로봇으로 대표되는 물리적 AI 분야에서 데이터가 가장 큰 병목 현상이며, 데이터 인프라의 폭발적인 성장이 관련 공급망에 큰 수혜를 줄 것이라고 보도했다. 데이터는 물리적 AI 발전을 저해하는 핵심 병목 현상이 되었으며, 데이터 인프라 구축의 가속화는 데이터 수집 산업 사슬의 지속적인 확장을 견인할 것으로 예상된다. 보고서는 다음과 같은 분야를 중점적으로 다룬다. I. 데이터 수집 장비 및 공급망: 카메라, IMU, 촉각 센서 등 높은 평균 성능 지수(ASP)와 잘 정돈된 분야에 집중; II. 데이터 비용 및 품질에 제약이 있는 데이터 수집 기업; III. 특정 분야별 응용 분야: 특정 분야에서 데이터 시나리오 자원에 제약이 있는 기업에 집중.
Forwarded from 루팡
CXMT 투자설명서 분석) 메모리 반도체 사이클의 서사는 지금 어디쯤 와 있는가?
중국 최대의 DRAM 제조사인 창신메모리(창신과기, CXMT)가 295억 위안(약 5조 5천억 원) 규모의 IPO를 통해 과창판 상장을 추진합니다. 이는 2026년 중국 A주 시장 최대 규모이자 과창판 역사상 두 번째로 큰 규모입니다.
최근 SK하이닉스의 미국 시장 상장 직후 메모리 섹터가 급락했던 사례는 AI 열풍 뒤에 숨은 메모리 반도체의 전통적 '주기(사이클)'가 여전히 유효함을 보여줍니다. 창신메모리의 투자설명서를 토대로 현재 메모리 반도체 주기의 위치와 창신메모리가 직면한 기회 및 한계를 분석했습니다.
결론적으로 이번 메모리 주기의 정점은 2027년 하반기에서 2028년 초가 될 가능성이 높습니다.
1. 메모리 주기의 현재 위치: 어디까지 와 있는가?
HBM은 주기를 완화하지만 만병통치약은 아니다 (2028년이 분수령)
글로벌 메모리 대기업들은 3~5년짜리 장기 공급 계약(LTA)을 통해 HBM 물량을 선점하며 주기를 평탄화하려 합니다.
하지만 장기 계약은 불황기 최소 가격을 보장해 주는 대신, 호황기 가격 상승에 따른 마진 극대화를 제한하여 가격 탄력성을 떨어뜨립니다.
수요 측면에서 HBM 공급 부족은 2026년 6%, 2027년 9%로 예상되어 향후 3년간 수요가 꺾일 우려는 낮습니다.
진짜 고비는 공급 측면에 있습니다. 주요 기업(SK하이닉스, 마이크론, 삼성전자)의 신규 HBM 공장 완공 및 양산 시점이 2027~2028년에 집중되어 있습니다. 따라서 2028년 대규모 증설 물량이 시장에 쏟아지는 시점이 주기의 핵심 변곡점이 될 것입니다.
범용 DRAM의 반사 수혜와 HBM의 밸류에이션 역할
글로벌 3대 메모리 기업이 선단 공정 생산 능력을 HBM과 서버용 DDR5로 대거 전환하면서, 일반 DRAM 시장의 공급 부족(2026년 약 7% 부족 예상)이 발생했습니다. 이로 인해 범용 DRAM 가격이 급등했습니다.
창신메모리와 같이 범용 DRAM에 집중하는 기업들은 대기업들이 비워둔 시장에서 강력한 단기 반사 수혜(이중 붉은 이익)를 누리고 있습니다.
그러나 장기적인 기업 가치(밸류에이션)를 결정하는 핵심은 여전히 HBM입니다. HBM 공급 능력이 없는 기업은 장기 계약(LTA)을 통해 미래 가격을 고정하기 어렵기 때문에, 결국 전통적인 심한 주기적 평가 가치 틀에 갇히게 됩니다.
DRAM 주기의 정점은 HBM보다 먼저 온다
HBM이 기업들의 인프라 투자(CapEx)에 의존하는 반면, 일반 DRAM은 스마트폰, PC 등 전형적인 소비재 수요의 영향을 크게 받습니다.
현재 소비재 전자제품 시장의 경기 회복은 AI 시장만큼 뜨겁지 않으며, 2026년 스마트폰과 PC 출하량은 오히려 감소세를 보이고 있습니다.
세트 업체들은 공급 부족에 대비해 2024년부터 재고를 선제적으로 쌓아왔으며, 현재 재고 수준은 두 배 가까이 늘어났습니다. 이로 인해 DRAM 가격 상승세는 이미 둔화하기 시작했습니다.
결과적으로 DRAM 주기의 정점은 HBM 대규모 증설이 이루어지는 2028년보다 수 분기 앞선 2027년 말(4분기)에 찾아올 가능성이 높습니다.
2. 창신메모리가 직면한 도전 과제
뛰어난 단기 재무 성과
창신메모리의 단기 재무 지표는 독보적입니다. 2026년 1분기 매출 508억 위안(전년 대비 719% 증가), 순이익 247.6억 위안(전년 대비 1688% 증가)을 기록하며 폭발적인 성장을 이루었습니다.
2025년 4분기 기준 글로벌 DRAM 시장 점유율은 7.67%로 세계 4위, 중국 1위 자리를 굳혔습니다. 지난 2년간 제조 원가도 꾸준히 하락하여 강력한 기초 체력을 보여주고 있습니다.
HBM 기술 격차와 공정 한계
일반 DDR 제품군에서는 선두 업체들과의 격차를 좁혔으나, HBM 기술 격차는 여전히 큽니다. 삼성과 SK하이닉스가 HBM4 단계에 진입하는 동안 창신메모리는 HBM3 샘플 검증 및 소량 양산 단계에 머물러 있습니다.
특히 HBM4부터는 베이스 다이(Base Die) 생산을 메모리 공정이 아닌 파운드리(로직 공정)에 위탁해야 합니다. 순수 DRAM IDM(종합반도체기업)인 창신메모리는 FinFET이나 GAA 같은 미세 로직 공정 노하우가 부족합니다.
장비 반입 규제(EUV 장비 부재)와 첨단 패키징(CoWoS 등) 기술 확보의 어려움도 HBM 경쟁력을 높이는 데 큰 걸림돌입니다.
한정된 투자 자금 규모
이번 IPO로 공모하는 295억 위안 중 차세대 DRAM 선단 기술 연구개발(R&D)에 배정된 예산은 90억 위안에 불과합니다. 이마저도 HBM 외에 다른 미래 기술 개발에 나누어 쓰여야 합니다.
글로벌 메모리 거인들이 매년 수십조 원의 설비투자를 집행하는 '쩐의 전쟁' 구도에서, 이 정도 자금 규모로는 기술 격차를 단번에 극복하기에 턱없이 부족합니다. 이는 창신메모리의 장기 기업 가치 상승을 제한하는 요인입니다.
3. 요약 및 전망
창신메모리의 이번 IPO는 중국 메모리 산업이 글로벌 시장에서 자립을 선언하는 '성인식'과 같습니다. 주당 8.66위안(상장 시가총액 약 5,800억 위안)으로 책정된 공모가는 이전 시장 예상치보다 낮아 투자자들에게 비교적 합리적인 진입 기회를 제공합니다.
단기적으로 창신메모리는 대기업의 HBM 전환에 따른 일반 DRAM 시장의 공급 부족 수혜를 톡톡히 누릴 것입니다.
하지만 2027년 말 일반 DRAM 주기 정점 도래와 장기적인 HBM 기술 격차 극복이라는 과제가 남아 있으므로, 투자자들은 단기적인 급등 기대보다는 중국 반도체 자립이라는 장기적 관점의 인내심을 가질 필요가 있습니다.
https://wallstreetcn.com/articles/3777080#from=ios
중국 최대의 DRAM 제조사인 창신메모리(창신과기, CXMT)가 295억 위안(약 5조 5천억 원) 규모의 IPO를 통해 과창판 상장을 추진합니다. 이는 2026년 중국 A주 시장 최대 규모이자 과창판 역사상 두 번째로 큰 규모입니다.
최근 SK하이닉스의 미국 시장 상장 직후 메모리 섹터가 급락했던 사례는 AI 열풍 뒤에 숨은 메모리 반도체의 전통적 '주기(사이클)'가 여전히 유효함을 보여줍니다. 창신메모리의 투자설명서를 토대로 현재 메모리 반도체 주기의 위치와 창신메모리가 직면한 기회 및 한계를 분석했습니다.
결론적으로 이번 메모리 주기의 정점은 2027년 하반기에서 2028년 초가 될 가능성이 높습니다.
1. 메모리 주기의 현재 위치: 어디까지 와 있는가?
HBM은 주기를 완화하지만 만병통치약은 아니다 (2028년이 분수령)
글로벌 메모리 대기업들은 3~5년짜리 장기 공급 계약(LTA)을 통해 HBM 물량을 선점하며 주기를 평탄화하려 합니다.
하지만 장기 계약은 불황기 최소 가격을 보장해 주는 대신, 호황기 가격 상승에 따른 마진 극대화를 제한하여 가격 탄력성을 떨어뜨립니다.
수요 측면에서 HBM 공급 부족은 2026년 6%, 2027년 9%로 예상되어 향후 3년간 수요가 꺾일 우려는 낮습니다.
진짜 고비는 공급 측면에 있습니다. 주요 기업(SK하이닉스, 마이크론, 삼성전자)의 신규 HBM 공장 완공 및 양산 시점이 2027~2028년에 집중되어 있습니다. 따라서 2028년 대규모 증설 물량이 시장에 쏟아지는 시점이 주기의 핵심 변곡점이 될 것입니다.
범용 DRAM의 반사 수혜와 HBM의 밸류에이션 역할
글로벌 3대 메모리 기업이 선단 공정 생산 능력을 HBM과 서버용 DDR5로 대거 전환하면서, 일반 DRAM 시장의 공급 부족(2026년 약 7% 부족 예상)이 발생했습니다. 이로 인해 범용 DRAM 가격이 급등했습니다.
창신메모리와 같이 범용 DRAM에 집중하는 기업들은 대기업들이 비워둔 시장에서 강력한 단기 반사 수혜(이중 붉은 이익)를 누리고 있습니다.
그러나 장기적인 기업 가치(밸류에이션)를 결정하는 핵심은 여전히 HBM입니다. HBM 공급 능력이 없는 기업은 장기 계약(LTA)을 통해 미래 가격을 고정하기 어렵기 때문에, 결국 전통적인 심한 주기적 평가 가치 틀에 갇히게 됩니다.
DRAM 주기의 정점은 HBM보다 먼저 온다
HBM이 기업들의 인프라 투자(CapEx)에 의존하는 반면, 일반 DRAM은 스마트폰, PC 등 전형적인 소비재 수요의 영향을 크게 받습니다.
현재 소비재 전자제품 시장의 경기 회복은 AI 시장만큼 뜨겁지 않으며, 2026년 스마트폰과 PC 출하량은 오히려 감소세를 보이고 있습니다.
세트 업체들은 공급 부족에 대비해 2024년부터 재고를 선제적으로 쌓아왔으며, 현재 재고 수준은 두 배 가까이 늘어났습니다. 이로 인해 DRAM 가격 상승세는 이미 둔화하기 시작했습니다.
결과적으로 DRAM 주기의 정점은 HBM 대규모 증설이 이루어지는 2028년보다 수 분기 앞선 2027년 말(4분기)에 찾아올 가능성이 높습니다.
2. 창신메모리가 직면한 도전 과제
뛰어난 단기 재무 성과
창신메모리의 단기 재무 지표는 독보적입니다. 2026년 1분기 매출 508억 위안(전년 대비 719% 증가), 순이익 247.6억 위안(전년 대비 1688% 증가)을 기록하며 폭발적인 성장을 이루었습니다.
2025년 4분기 기준 글로벌 DRAM 시장 점유율은 7.67%로 세계 4위, 중국 1위 자리를 굳혔습니다. 지난 2년간 제조 원가도 꾸준히 하락하여 강력한 기초 체력을 보여주고 있습니다.
HBM 기술 격차와 공정 한계
일반 DDR 제품군에서는 선두 업체들과의 격차를 좁혔으나, HBM 기술 격차는 여전히 큽니다. 삼성과 SK하이닉스가 HBM4 단계에 진입하는 동안 창신메모리는 HBM3 샘플 검증 및 소량 양산 단계에 머물러 있습니다.
특히 HBM4부터는 베이스 다이(Base Die) 생산을 메모리 공정이 아닌 파운드리(로직 공정)에 위탁해야 합니다. 순수 DRAM IDM(종합반도체기업)인 창신메모리는 FinFET이나 GAA 같은 미세 로직 공정 노하우가 부족합니다.
장비 반입 규제(EUV 장비 부재)와 첨단 패키징(CoWoS 등) 기술 확보의 어려움도 HBM 경쟁력을 높이는 데 큰 걸림돌입니다.
한정된 투자 자금 규모
이번 IPO로 공모하는 295억 위안 중 차세대 DRAM 선단 기술 연구개발(R&D)에 배정된 예산은 90억 위안에 불과합니다. 이마저도 HBM 외에 다른 미래 기술 개발에 나누어 쓰여야 합니다.
글로벌 메모리 거인들이 매년 수십조 원의 설비투자를 집행하는 '쩐의 전쟁' 구도에서, 이 정도 자금 규모로는 기술 격차를 단번에 극복하기에 턱없이 부족합니다. 이는 창신메모리의 장기 기업 가치 상승을 제한하는 요인입니다.
3. 요약 및 전망
창신메모리의 이번 IPO는 중국 메모리 산업이 글로벌 시장에서 자립을 선언하는 '성인식'과 같습니다. 주당 8.66위안(상장 시가총액 약 5,800억 위안)으로 책정된 공모가는 이전 시장 예상치보다 낮아 투자자들에게 비교적 합리적인 진입 기회를 제공합니다.
단기적으로 창신메모리는 대기업의 HBM 전환에 따른 일반 DRAM 시장의 공급 부족 수혜를 톡톡히 누릴 것입니다.
하지만 2027년 말 일반 DRAM 주기 정점 도래와 장기적인 HBM 기술 격차 극복이라는 과제가 남아 있으므로, 투자자들은 단기적인 급등 기대보다는 중국 반도체 자립이라는 장기적 관점의 인내심을 가질 필요가 있습니다.
https://wallstreetcn.com/articles/3777080#from=ios
Wallstreetcn
拆解长鑫招股书:存储的周期叙事走到哪儿了? - 华尔街见闻
长鑫科技295亿元IPO叩开科创板,深拆招股书可见:2027年下半年到2028年初,可能将是本轮存储周期的阶段性高点。HBM长协锁价弱弹性,DRAM红利已近拐点。业绩暴增背后,HBM代差与募投克制,让估值天花板悬而未决。
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Forwarded from 습관이 부자를 만든다. 🧘
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주린이 심리 사이클 ㅋ
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Forwarded from 시황맨의 주식이야기
주요 종목 6월 고점 대비 최대 낙폭. 시황맨
6월 최고점 대비 7월 최저점 하락률입니다.
어지간한 대형주 대부분 불과 한 달 사이 반토막.
많이 올랐다는 관점에서 보면 다르겠지만.
금융 위기 아닌 상황에서 단기 낙폭으로는 과해 보이긴 합니다.
6월 최고점 대비 7월 최저점 하락률입니다.
어지간한 대형주 대부분 불과 한 달 사이 반토막.
많이 올랐다는 관점에서 보면 다르겠지만.
금융 위기 아닌 상황에서 단기 낙폭으로는 과해 보이긴 합니다.