주식돋보기
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지극히 사적인 견해와 시장정보를 참여자들과 공유하는데 선의의 목적이 있습니다. 시세를 인위적으로 호도할 뜻이 없음을 명확히 하며 투자판단과 책임은 전적으로 투자자 본인에게 있습니다. 재배포 및 임의 사용시 법적책임이 따를 수 있음을 공지 합니다.

* 본 내용은 매도/매수의 의견이 아닙니다.
* 매매에 대한 책임은 본인에게있습니다.
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하나증권_산업_무선통신_20230831164818.pdf
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하나 김홍식


통신 이슈/전략 Weekly

테마주라 폄하 말고 통신장비주 보세요


다음주 통신서비스 업종 종목별 투자 매력도는 SKT>KT=LGU+ 순으로 제시하며, 장기 기대배당수익률 관점에서 통신서비스 업종에 전혀 관심이 없는 투자가일지라도 25% 수익률 목표로 SKT 매수를 고민할 것을 권고한다

네트워크장비 업종 종목별 투자 매력도는 쏠리드>이노와이어리스>RFHIC=HFR로 제시한다.
(시티증권) 삼성전자 리포트

삼성이 23년 4부기부터 엔비디아에 HBM3 공급할 것으로 기대.
24년에는 HBM3의 메인 공급처 중 하나가 될 것.

2분기에 샘플 보냈고, 현재 퀄 진행 중.
퀄은 3분기 말에 완료될 가능성 높음.

HBM3를 엔비디아, AMD에 공급을 고려하여 내년 영업이익 7% 상향
내년 엔비디아 내 점유율 30%까지 기대하며, 다음 세대인 HBM3P 공급도 기대해볼 수 있음

삼성은 GAA 파운드리, HBM, 어드밴스드 패키징을 함께 제공할 수 있는게 경쟁사 대비 장점

목표 주가를 12만원으로 올림
23년/24년/25년 영업이익을 각각 +1%/+7%/+10% 상향한다!
삼뿌로 스팩 쉽지 않겠구려
“10점 만점에 11점(?)“
9/4 (월) ”HPSP(403870)“
● 세계유일 독보적 고압수소 어닐링 장비
● 11월 동탄(삼성전자 뒤)으로 이전 계획
● 삼성, TSMC가 주고객사(메모리쪽도 확장)
● 한미반도체가 HPSP 지분 18%를 보유
● 영업이익률 55% /순이익률 42%

삼성증권 레포 타이틀 ‘10점 만점에 10점’....‘한국의 ASML’(대신증권) 그 밖에 다양한 수식어를 보유...
전세계 유일무이, 전무후무한 고압수소 어닐링 장비업체...자기것이 있느냐 없느냐는 IT장비의 미래를 좌우.
극단적인 월드와이드 독보적 기업, 노광장비 ASML, 증착장비 AMAT(어플라이드 머티리얼),
디스플레이 증착장비는 캐논 도키 등...투식투자자 대다수가 다 아는 좋은 회사들 주가도 좋아야지...

드디어, 삼성이 움직이기 시작했다(?). 보도자료에 따르면 ‘엔비디아를 삼성이 뚫었다(?)’
외국인 수급도 동조.(금요일 삼성전자 외국인 3천억대 순매수) 현재 반도체 대세는 엔비디아 GPU와 바인딩 되는 HBM

HPSP의 고압수소 어닐링은 비메모리 선단공정(10nm이하 첨단공정)용(?)
HBM의 하이브리드 본딩이나 페키징은 후공정(?)
하지만, 메모리 비메모리 모두 미세화가 빠르게 진행. 어닐링 확장성(고객사도 다변화)

어닐링(Annealing) 이란? 풀림..연화..안정화 공정이라고 지칭.
이전 공정에서의 스트레스나 잔류. 응력 등을 제거 혹은 완화 시켜주는 개념.
반도체 실리콘 웨이퍼에 B, 보론(붕소), P(인) 같은 이온을 때려 박으면 불안정한 상태가 됨...
즉, 이온주입(Ion Implantation) 공정시 계면에 데미지를 입은 웨이퍼에 상처가 아물도록 온도 변화를 주는 공정.
쉽게 말해 고속도로의 멘홀뚜껑...웨이퍼에 강제로 이온주입 시키면 고속도로의 수많은 멘홀뚜껑이 열려(일종의 포트홀처럼)
그걸 어닐링이 쭈루룩 덮고 정렬해주는 역할을 한다고 보면 됨. 초딩 수준의 이해력으론 숯불가마의 살엄음 동동식혜 같은...

HPSP의 고압수소어닐링 장비는 일반적으로 700도~1000도 이상의 고온을 사용하는 기존 어닐링 장비 대비 450도~600도 사이 저온 공정으로 웨이퍼 손상을 막을수 있다.
지금은 전공정(열처리)에서 주로 활용되고 있으나, 그 활용성은 전공정 내에서도, 후공정으로도 뻗어갈 수 있다.
(ex)산화공정, Advanced Packaging 공정 등/ High-K 메탈케이트와 궁합.

High-K :반도체의 게이트나 커패시터를 만들 때 사용하는 신물질.
반도체 회로의 미세화에 따라 디자인 룰이 50나노 이하로 내려가면 크로스토크(Cross Talk)와 같은 전류 누설이 문제가 된다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 절연막으로 하이-K를 사용함으로써 전하를 가두어 전류 누설을
막을 수 있다. 대표적인 하이-K 물질은 하프늄 다이옥사이드(HfO²), 지르코늄 다이옥사이드(ZrO²) 등이 있다
23년말 준공 동탄 신공장 Capa 2배 증가. 기술적 해자를 바탕으로 높은 영업이익률 중장기 유지.