🇺🇸 Коммутационные микросхемы. Микросхемы для ИИ-кластеров. США
Cisco Systems объявила о выпуске нового коммутационного чипа Silicon One G300 и роутеров на базе чипа Silicon One P200.
Эти продукты предназначены для создания сетей в крупных центрах обработки данных (ЦОД) и в масштабных кластерах искусственного интеллекта (ИИ).
Основная задача, которую они должны решать - оптимизация работы инфраструктуры, снижение общей стоимости владения (TCO) и адаптация к динамичным нагрузкам ИИ.
🔹 Cisco Silicon One G300, это ASIC с пропускной способностью 102.4 Тбит/с, поддержкой до 512 портов, встроенными SerDes 200 Гбит/с, поддержкой портов 1.6Т. Он предназначен для использования в составе коммутатора Cisco 8000 / Nexus 9000.
🔹 Cisco Silicon One P200 - чип с пропускной способностью 51.2 Тбит/с для соединения ЦОД на расстояниях до 1000 км, распределенных ИИ-кластеров. На его основе представлен роутер Cisco 8223.
Особенность G300 - ставка сделана не только на высокую пропускную способность, но также на программируемость и на интеллектуальное управление трафиком.
Для этого в чип встроена система Intelligent Collective Networking предотвращения перегрузок в сетях ИИ.
Ее основные компоненты:
▫️ общий буфер пакетов: 252 МБ встроенной памяти, доступной для любого порта, что должно сглаживать всплески трафика;
▫️ аппаратный балансировщик нагрузки, который во много раз быстрее перенаправляет трафик по оптимальному пути, что сокращает время исполнения задач ИИ.
G300 поддерживает язык программирования P4, что позволяет менять функциональность чипа программным путем. Это должно позволять адаптировать оборудование к новым стандартам (например, Ultra Ethernet) без замены «железа».
G300 должен стать альтернативой чипам Broadcom Tomahawk и Nvidia Spectrum-X.
В целом все идет по сценарию - просто наращивать мощность чипов - уже не вариант, нужно повышать его энергоэффективность, а также снижать стоимость владения.
Выход чипа G300 иллюстрирует новый этап в эволюции сетей для центров обработки данных: программируемость и интеллектуальное управление трафиком становятся не менее важными, чем «сырая» пропускная способность. Поставки систем на базе G300 начнутся во второй половине 2026 года.
@RUSmicro
Cisco Systems объявила о выпуске нового коммутационного чипа Silicon One G300 и роутеров на базе чипа Silicon One P200.
Эти продукты предназначены для создания сетей в крупных центрах обработки данных (ЦОД) и в масштабных кластерах искусственного интеллекта (ИИ).
Основная задача, которую они должны решать - оптимизация работы инфраструктуры, снижение общей стоимости владения (TCO) и адаптация к динамичным нагрузкам ИИ.
🔹 Cisco Silicon One G300, это ASIC с пропускной способностью 102.4 Тбит/с, поддержкой до 512 портов, встроенными SerDes 200 Гбит/с, поддержкой портов 1.6Т. Он предназначен для использования в составе коммутатора Cisco 8000 / Nexus 9000.
🔹 Cisco Silicon One P200 - чип с пропускной способностью 51.2 Тбит/с для соединения ЦОД на расстояниях до 1000 км, распределенных ИИ-кластеров. На его основе представлен роутер Cisco 8223.
Особенность G300 - ставка сделана не только на высокую пропускную способность, но также на программируемость и на интеллектуальное управление трафиком.
Для этого в чип встроена система Intelligent Collective Networking предотвращения перегрузок в сетях ИИ.
Ее основные компоненты:
▫️ общий буфер пакетов: 252 МБ встроенной памяти, доступной для любого порта, что должно сглаживать всплески трафика;
▫️ аппаратный балансировщик нагрузки, который во много раз быстрее перенаправляет трафик по оптимальному пути, что сокращает время исполнения задач ИИ.
G300 поддерживает язык программирования P4, что позволяет менять функциональность чипа программным путем. Это должно позволять адаптировать оборудование к новым стандартам (например, Ultra Ethernet) без замены «железа».
G300 должен стать альтернативой чипам Broadcom Tomahawk и Nvidia Spectrum-X.
В целом все идет по сценарию - просто наращивать мощность чипов - уже не вариант, нужно повышать его энергоэффективность, а также снижать стоимость владения.
Выход чипа G300 иллюстрирует новый этап в эволюции сетей для центров обработки данных: программируемость и интеллектуальное управление трафиком становятся не менее важными, чем «сырая» пропускная способность. Поставки систем на базе G300 начнутся во второй половине 2026 года.
@RUSmicro
👍2❤1
🇬🇧 ИИ-чипы. Участники рынка. Инвестиции. Великобритания. Европа
Британский производитель полупроводников Fractile объявил о крупнейшем в истории компании расширении
Инвестиции в размере 100 млн фунтов стерлингов ($136 млн) планируется направить на создание в Бристоле нового инженерного центра и существенное наращивание команды. Стратегия рассчитана на ближайшие 3 года.
Новый центр будет не только разрабатывать чипы ИИ для инференса, но также заниматься их интеграцией в ИИ-системы, в Бристоле будет действовать и лаборатория по тестированию ИИ.
Об этом сообщал министр по вопросам ИИ Великобритании.
Компания разрабатывает чипы с вычислениями в памяти, которые должны значительно повысить скорость и снизить энергопотребление при работе с крупнейшими моделями ИИ. (И эти туда же).
В Великобритании, конечно же, сейчас также продвигают идею «технологического суверенитета» — развития внутренних компетенций в области критически важной цифровой инфраструктуры, чтобы снизить зависимость от иностранных поставщиков. Вот только хватит ли британцам кадров и денег на реализацию этого в теории грамотного плана.
@RUSmicro
Британский производитель полупроводников Fractile объявил о крупнейшем в истории компании расширении
Инвестиции в размере 100 млн фунтов стерлингов ($136 млн) планируется направить на создание в Бристоле нового инженерного центра и существенное наращивание команды. Стратегия рассчитана на ближайшие 3 года.
Новый центр будет не только разрабатывать чипы ИИ для инференса, но также заниматься их интеграцией в ИИ-системы, в Бристоле будет действовать и лаборатория по тестированию ИИ.
Об этом сообщал министр по вопросам ИИ Великобритании.
Компания разрабатывает чипы с вычислениями в памяти, которые должны значительно повысить скорость и снизить энергопотребление при работе с крупнейшими моделями ИИ. (И эти туда же).
В Великобритании, конечно же, сейчас также продвигают идею «технологического суверенитета» — развития внутренних компетенций в области критически важной цифровой инфраструктуры, чтобы снизить зависимость от иностранных поставщиков. Вот только хватит ли британцам кадров и денег на реализацию этого в теории грамотного плана.
@RUSmicro
❤1👍1
🇨🇳 Крупнейшие производители микросхем. Участники рынка. Китай
SMIC продолжит наращивать мощности по производству полупроводников на кремниевых пластинах
Крупнейший в Китае контрактный производитель чипов, Semiconductor Manufacturing International Corp, предупредил о снижении рентабельности в 2026 году, поскольку ожидает резкого роста амортизационных отчислений в связи с масштабным расширением мощностей для удовлетворения высокого спроса на чипы. Об этом пишет Reuters.
В частности, компания ожидает, что ее выручка не вырастет в 1q2026 относительно 4q2025, тогда как амортизационные отчисления в 2026 году поднимутся на 30% относительно их уровня в 2025 году.
По словам Чжао, цепочка поставок полупроводников, ранее основанная на зарубежном проектировании и производстве для китайского рынка, в течение 2025 года перешла на китайское производство.
Наиболее быстрый переход наблюдался в сегменте аналоговых схем, за которыми следуют драйверы дисплеев, датчики изображения и память, микроконтроллеры (MCU) и логические микросхемы.
К концу 2026 года SMIC планирует увеличить ежемесячную мощность примерно на 40 000 пластин, эквивалентных 12-дюймовым, сообщил Чжао. В 2025 году ежемесячная мощность увеличилась на 50 000 пластин, эквивалентных 12-дюймовым.
Я не видел официальных данных компании SMIC о ее производственных мощностях в эквиваленте 12-дюймовых пластин. Моя примерная оценка на начало 2026 года – от 350 до 420 тысяч 12-дюймовых пластин в месяц. В целом по Китаю есть оценка от SEMI, что общая мощность в месяц составляет на начало 2026 года 2.4 млн пластин в 12-дюймовом эквиваленте. Учитывая, что SMIC - крупный участник рынка, очевидно, что в Китае есть множество других фабов, включая и сравнительно больших по объемам производства.
@RUSmicro
SMIC продолжит наращивать мощности по производству полупроводников на кремниевых пластинах
Крупнейший в Китае контрактный производитель чипов, Semiconductor Manufacturing International Corp, предупредил о снижении рентабельности в 2026 году, поскольку ожидает резкого роста амортизационных отчислений в связи с масштабным расширением мощностей для удовлетворения высокого спроса на чипы. Об этом пишет Reuters.
В частности, компания ожидает, что ее выручка не вырастет в 1q2026 относительно 4q2025, тогда как амортизационные отчисления в 2026 году поднимутся на 30% относительно их уровня в 2025 году.
«Мы сохранили высокие капитальные затраты, что привело к быстрому росту выручки, но также оказало значительное давление на валовую прибыль из-за амортизации», - заявил со-генеральный директор SMIC Чжао Хайцзюнь в рамках телеконференции.
По словам Чжао, цепочка поставок полупроводников, ранее основанная на зарубежном проектировании и производстве для китайского рынка, в течение 2025 года перешла на китайское производство.
Наиболее быстрый переход наблюдался в сегменте аналоговых схем, за которыми следуют драйверы дисплеев, датчики изображения и память, микроконтроллеры (MCU) и логические микросхемы.
К концу 2026 года SMIC планирует увеличить ежемесячную мощность примерно на 40 000 пластин, эквивалентных 12-дюймовым, сообщил Чжао. В 2025 году ежемесячная мощность увеличилась на 50 000 пластин, эквивалентных 12-дюймовым.
Я не видел официальных данных компании SMIC о ее производственных мощностях в эквиваленте 12-дюймовых пластин. Моя примерная оценка на начало 2026 года – от 350 до 420 тысяч 12-дюймовых пластин в месяц. В целом по Китаю есть оценка от SEMI, что общая мощность в месяц составляет на начало 2026 года 2.4 млн пластин в 12-дюймовом эквиваленте. Учитывая, что SMIC - крупный участник рынка, очевидно, что в Китае есть множество других фабов, включая и сравнительно больших по объемам производства.
@RUSmicro
👍6❤1
🇨🇳 Чипы ИИ. Производители. Участники рынка. Китай
ByteDance форсирует создание собственного ИИ-чипа — 100 000 единиц до конца 2026 года
Китайская материнская компания TikTok разрабатывает процессор для ИИ под кодовым названием SeedChip и ведёт переговоры с Samsung о производстве, сообщают источники Reuters.
Цифры и сроки:
▫️ Март 2026 - получение первых образцов
▫️ Планируется выпустить 100 000 единиц чипа в 2026 году
▫️ Перспектива - наращивание до 350 000 в год
▫️ Бюджет компании на ИИ в 2026‑м - более ¥160 млрд ($22 млрд)
▫️ Из них ~$11 млрд - на чипы Nvidia (H200 и другие)
▫️ Остальное - на развитие собственных решений
А что другие?
ByteDance — не первопроходец. Alibaba в январе 2026 года представила чип Zhenwu для тяжёлых ИИ-нагрузок, Baidu уже продаёт свои решения клиентам и готовит IPO подразделения Kunlunxin.
Разработка SeedChip активизирована на фоне:
• Жёсткого экспортного контроля США
• Стратегии всех Big Tech (Google, Amazon, Microsoft) - снижать зависимость от Nvidia
• Амбиций ByteDance трансформировать бизнес (видео, e-commerce, облака) через ИИ
Руководитель чат‑бота Doubao/Dola г‑н Чжао подтвердил: модели ByteDance пока отстают от OpenAI, но пообещал продолжить масштабные инвестиции в 2026 году.
Официальная позиция
В ByteDance заявили, что «информация о собственном проекте по разработке чипов неточна». Samsung от комментариев отказался.
Ранее Reuters сообщал, что ByteDance также сотрудничает с Broadcom над передовым ИИ‑процессором — тот проект ориентирован на производство на TSMC.
@RUSmicro
ByteDance форсирует создание собственного ИИ-чипа — 100 000 единиц до конца 2026 года
Китайская материнская компания TikTok разрабатывает процессор для ИИ под кодовым названием SeedChip и ведёт переговоры с Samsung о производстве, сообщают источники Reuters.
Цифры и сроки:
▫️ Март 2026 - получение первых образцов
▫️ Планируется выпустить 100 000 единиц чипа в 2026 году
▫️ Перспектива - наращивание до 350 000 в год
▫️ Бюджет компании на ИИ в 2026‑м - более ¥160 млрд ($22 млрд)
▫️ Из них ~$11 млрд - на чипы Nvidia (H200 и другие)
▫️ Остальное - на развитие собственных решений
А что другие?
ByteDance — не первопроходец. Alibaba в январе 2026 года представила чип Zhenwu для тяжёлых ИИ-нагрузок, Baidu уже продаёт свои решения клиентам и готовит IPO подразделения Kunlunxin.
Разработка SeedChip активизирована на фоне:
• Жёсткого экспортного контроля США
• Стратегии всех Big Tech (Google, Amazon, Microsoft) - снижать зависимость от Nvidia
• Амбиций ByteDance трансформировать бизнес (видео, e-commerce, облака) через ИИ
Руководитель чат‑бота Doubao/Dola г‑н Чжао подтвердил: модели ByteDance пока отстают от OpenAI, но пообещал продолжить масштабные инвестиции в 2026 году.
Официальная позиция
В ByteDance заявили, что «информация о собственном проекте по разработке чипов неточна». Samsung от комментариев отказался.
Ранее Reuters сообщал, что ByteDance также сотрудничает с Broadcom над передовым ИИ‑процессором — тот проект ориентирован на производство на TSMC.
@RUSmicro
👍3
🇺🇸 🇨🇳 Регулирование. Геополитика и микроэлектроника. Производственное оборудование. США. Китай
В США активизировали усилия по ограничению доступа Китая к оборудованию для производства чипов
За последние дни американские законодатели резко нарастили давление на администрацию с требованием закрыть оставшиеся лазейки, позволяющие Китаю закупать в США современное оборудование, а в Конгрессе созрел новый законопроект о прямом запрете поставок.
9 февраля двухпартийная группа направила письмо госсекретарю Марко Рубио и министру торговли Говарду Лютнику. В нем содержатся такие требования:
👊 Распространить контроль на весь Китай, а не только на отдельные компании (Entity List) - из-за невозможности отследить конечного пользователя;
👊 Заставить союзников (Нидерланды, Япония, Южная Корея) ввести полное эмбарго на продажу оборудования, которое КНР не может произвести сама;
👊 Ограничить сервисное обслуживание и ремонт уже поставленного оборудования (многие станки требуют постоянного техобслуживания);
👊 Если союзники откажутся, то в США смогут действовать в одностороннем порядке через запрет использования американских компонентов в оборудовании конкурентов.
С 1 января 2026 года в США заменили бессрочный статус VEU (Validated End User) для заводов Samsung и SK hynix в Китае на ежегодные лицензии . Теперь корейские гиганты вынуждены каждый год доказывать, что оборудование не пойдет на усиление китайского техсуверенитета. Продление в 2027 году - под большим вопросом.
Сенаторы Уоррен (дем) и Бэнкс (республиканец) объявили 10 февраля о планах внести закон о полном запрете экспорта определённых ИИ-чипов в Китай. Это прямой ответ на решение администрации Трампа разрешить ограниченные поставки H200 и MI325X. Ранее уже был принят AI Overwatch Act вводит двухлетний запрет на экспорт Blackwell B200 и предусматривает 30-дневное вето Конгресса на любые экспортные лицензии.
А еще в США расширяют Outbound Investment Security Program. Есть немалая вероятность того, что "странами-нарушителями" в терминах этого документа станут Куба, Иран, Севкорея, РФ и Венесуэла.
Отвечая на эти меры Китай наращивает импорт через 3-и страны.
В этих условиях до американских законотворцев, наконец, дошло - точечные санкции не работают, нужен страновой контроль. К этому несложному выводу стоило бы прийти еще 5 лет назад. Но, похоже, созрели только сейчас.
@RUSmicro
В США активизировали усилия по ограничению доступа Китая к оборудованию для производства чипов
За последние дни американские законодатели резко нарастили давление на администрацию с требованием закрыть оставшиеся лазейки, позволяющие Китаю закупать в США современное оборудование, а в Конгрессе созрел новый законопроект о прямом запрете поставок.
9 февраля двухпартийная группа направила письмо госсекретарю Марко Рубио и министру торговли Говарду Лютнику. В нем содержатся такие требования:
👊 Распространить контроль на весь Китай, а не только на отдельные компании (Entity List) - из-за невозможности отследить конечного пользователя;
👊 Заставить союзников (Нидерланды, Япония, Южная Корея) ввести полное эмбарго на продажу оборудования, которое КНР не может произвести сама;
👊 Ограничить сервисное обслуживание и ремонт уже поставленного оборудования (многие станки требуют постоянного техобслуживания);
👊 Если союзники откажутся, то в США смогут действовать в одностороннем порядке через запрет использования американских компонентов в оборудовании конкурентов.
С 1 января 2026 года в США заменили бессрочный статус VEU (Validated End User) для заводов Samsung и SK hynix в Китае на ежегодные лицензии . Теперь корейские гиганты вынуждены каждый год доказывать, что оборудование не пойдет на усиление китайского техсуверенитета. Продление в 2027 году - под большим вопросом.
Сенаторы Уоррен (дем) и Бэнкс (республиканец) объявили 10 февраля о планах внести закон о полном запрете экспорта определённых ИИ-чипов в Китай. Это прямой ответ на решение администрации Трампа разрешить ограниченные поставки H200 и MI325X. Ранее уже был принят AI Overwatch Act вводит двухлетний запрет на экспорт Blackwell B200 и предусматривает 30-дневное вето Конгресса на любые экспортные лицензии.
А еще в США расширяют Outbound Investment Security Program. Есть немалая вероятность того, что "странами-нарушителями" в терминах этого документа станут Куба, Иран, Севкорея, РФ и Венесуэла.
Отвечая на эти меры Китай наращивает импорт через 3-и страны.
В этих условиях до американских законотворцев, наконец, дошло - точечные санкции не работают, нужен страновой контроль. К этому несложному выводу стоило бы прийти еще 5 лет назад. Но, похоже, созрели только сейчас.
@RUSmicro
🇷🇺 Производство ИК-матриц. Господдержка. Планы. Россия
В России к 2028 году хотят наладить серийное производство ИК-матриц
Об этом рассказывает CNews со ссылкой на трехступенчатый проект Минпромторга по поддержке реновации российских предприятий.
Поддержка обеспечена для предприятий Астрон и MAPPER (оба входят в ГК Ростех). Ожидается, что к 2028 году предприятия должны заработать, их мощность может достичь 11.5 тысяч ИК-матриц. На поддержку планируется направить от 4 до 15 млрд. В основном, эти средства будут задействованы для закупки производственного оборудования. В основном - по импорту.
Технологии, используемые для создания ИК-матриц - одни из самых сложных в микроэлектронике в плане реализации. Используются такие материалы, как оксид ванадия, аморфный гидрированный кремний, кадмий-ртуть-теллур, антимонид индия. Выращивание соответствующих структур некоторые считают не столько производством, сколько искусством. Процесс эпитаксии требует прецизионного контроля. Для неохлаждаемых матриц требуется обеспечивать теплоизоляцию на уровне пикселей. Сложной является процедура гибридизации - соединение фоточувствительной матрицы с кремниевой микросхемой считывания. Требуются матрицы с большой площадью, что всегда усложняет достижение высокого уровня годных.
Для успешного серийного производства нужно решить три группы ключевых проблем - материалы, оборудование, квалифицированные кадры. Это непросто.
Необходимые инвестиции для создания производства ИК-матриц в мире - от сотен миллионов до миллиардов долларов. В условиях России это будут пытаться сделать за меньшие деньги (на 1-2 порядка).
Насколько мне известно, только такие страны как США, Франция, Израиль, Россия и Китай освоили выпуск ИК-матриц. Если говорить о ключевых зарубежных производителях, то это американские Teledyne (FLIR Systems), L3Harris, DRS Technologies, RTX (Raytheon), французская Lynred (Sofradir), германская AIM, израильская SCD, китайская IRay Technology Co.
@RUSmicro
В России к 2028 году хотят наладить серийное производство ИК-матриц
Об этом рассказывает CNews со ссылкой на трехступенчатый проект Минпромторга по поддержке реновации российских предприятий.
Поддержка обеспечена для предприятий Астрон и MAPPER (оба входят в ГК Ростех). Ожидается, что к 2028 году предприятия должны заработать, их мощность может достичь 11.5 тысяч ИК-матриц. На поддержку планируется направить от 4 до 15 млрд. В основном, эти средства будут задействованы для закупки производственного оборудования. В основном - по импорту.
Технологии, используемые для создания ИК-матриц - одни из самых сложных в микроэлектронике в плане реализации. Используются такие материалы, как оксид ванадия, аморфный гидрированный кремний, кадмий-ртуть-теллур, антимонид индия. Выращивание соответствующих структур некоторые считают не столько производством, сколько искусством. Процесс эпитаксии требует прецизионного контроля. Для неохлаждаемых матриц требуется обеспечивать теплоизоляцию на уровне пикселей. Сложной является процедура гибридизации - соединение фоточувствительной матрицы с кремниевой микросхемой считывания. Требуются матрицы с большой площадью, что всегда усложняет достижение высокого уровня годных.
Для успешного серийного производства нужно решить три группы ключевых проблем - материалы, оборудование, квалифицированные кадры. Это непросто.
Необходимые инвестиции для создания производства ИК-матриц в мире - от сотен миллионов до миллиардов долларов. В условиях России это будут пытаться сделать за меньшие деньги (на 1-2 порядка).
Насколько мне известно, только такие страны как США, Франция, Израиль, Россия и Китай освоили выпуск ИК-матриц. Если говорить о ключевых зарубежных производителях, то это американские Teledyne (FLIR Systems), L3Harris, DRS Technologies, RTX (Raytheon), французская Lynred (Sofradir), германская AIM, израильская SCD, китайская IRay Technology Co.
@RUSmicro
👍8❤2⚡1
🇨🇳 Производство вычислительной техники. Производство ПК. Участники рынка. Тренды. Китай
Китайская компания Lenovo повышает цены на ПК из-за дефицита памяти
Lenovo Group предупредила о решении повысить цены на ПК, чтобы компенсировать растущие затраты на микросхемы памяти, - сообщает Reuters. Кроме того, компания намерена ускорить продвижение на рынок решений для инференса ИИ.
Это хорошо иллюстрирует общие проблемы, с которыми сталкиваются производители ПК, - дефицит микросхем памяти, связанный со взрывным спросом на ИИ, снижает рентабельность бизнеса производителей электроники, создавая для них сложное положение. Производители DRAM (Samsung, SK Hynix, Micron) сокращают выпуск традиционной памяти (DDR4/DDR5) в пользу высокомаржинальной HBM для ускорителей Nvidia/Huawei. Это создает структурный дефицит обычной DRAM, применяемой в ПК.
Выручка Lenovo за 3-й финансовый квартал 2025 года (4q2025) выросла на 18% до $22,2 млрд, превзойдя ожидания в $20,6 млрд, но чистая прибыль упала на 21% до $546 млн из-за списания на реструктуризацию в размере $285 млн. (Скорректированная чистая прибыль (non-HKFRS) выросла на 36% до $589 млн).
Реструктуризация направлена на усиление ориентации компании Lenovo на рынок искусственного интеллекта и, как надеются в компании, позволит сократить расходы на $200 млн в течение ближайших 3 лет, заявил генеральный директор Lenovo.
6 января 2026 на CES / Tech World компания Lenovo представила три специализированных инференс-сервера:
▫️ThinkSystem SR675i V3 (8x PCIe Gen5 GPU, полный цикл ИИ) для тяжелых LLM, RAG и симуляций;
▫️ThinkSystem SR650i V4 – для ЦОД общего назначения
▫️ ThinkEdge SE455i V3 – для ритейла, телекома и т.п.
Президент Lenovo в Северной Америке Райан Маккерди рекомендовал партнерам и корпоративным заказчикам немедленно размещать заказы: «Текущие цены — самые низкие, которые будут существовать в ближайшие 6–12 месяцев».
@RUSmicro
Китайская компания Lenovo повышает цены на ПК из-за дефицита памяти
Lenovo Group предупредила о решении повысить цены на ПК, чтобы компенсировать растущие затраты на микросхемы памяти, - сообщает Reuters. Кроме того, компания намерена ускорить продвижение на рынок решений для инференса ИИ.
Это хорошо иллюстрирует общие проблемы, с которыми сталкиваются производители ПК, - дефицит микросхем памяти, связанный со взрывным спросом на ИИ, снижает рентабельность бизнеса производителей электроники, создавая для них сложное положение. Производители DRAM (Samsung, SK Hynix, Micron) сокращают выпуск традиционной памяти (DDR4/DDR5) в пользу высокомаржинальной HBM для ускорителей Nvidia/Huawei. Это создает структурный дефицит обычной DRAM, применяемой в ПК.
Выручка Lenovo за 3-й финансовый квартал 2025 года (4q2025) выросла на 18% до $22,2 млрд, превзойдя ожидания в $20,6 млрд, но чистая прибыль упала на 21% до $546 млн из-за списания на реструктуризацию в размере $285 млн. (Скорректированная чистая прибыль (non-HKFRS) выросла на 36% до $589 млн).
Реструктуризация направлена на усиление ориентации компании Lenovo на рынок искусственного интеллекта и, как надеются в компании, позволит сократить расходы на $200 млн в течение ближайших 3 лет, заявил генеральный директор Lenovo.
6 января 2026 на CES / Tech World компания Lenovo представила три специализированных инференс-сервера:
▫️ThinkSystem SR675i V3 (8x PCIe Gen5 GPU, полный цикл ИИ) для тяжелых LLM, RAG и симуляций;
▫️ThinkSystem SR650i V4 – для ЦОД общего назначения
▫️ ThinkEdge SE455i V3 – для ритейла, телекома и т.п.
Президент Lenovo в Северной Америке Райан Маккерди рекомендовал партнерам и корпоративным заказчикам немедленно размещать заказы: «Текущие цены — самые низкие, которые будут существовать в ближайшие 6–12 месяцев».
@RUSmicro
🇰🇷 Производство памяти. HBM. Участники рынка. Корея
Samsung начал отгружать чипы HBM4 неназванным клиентам
Впрочем, основной «подозреваемый», это, конечно, Nvidia с ускорителем Vera Rubin, который начнут выпускать в 2H2026. До сих пор Samsung заметно отставала от своего основного конкурента в области передовой памяти, от южнокорейской компании SK Hynix. Но не в этот раз.
Samsung заявляет для своих микросхем такие характеристики, как стабильная скорость доступа в 11,7 Гбит/с, что на 22% больше, чем у HBM3. По данным компании, максимальная скорость у чипов может достигать и 13 Гбит/с. Впрочем, в этом плане лучше подождать независимых оценок.
В планах компании – начать поставки образцов чипов HBM4E, то есть следующего поколения за HBM – в 2H2026. Прогноз роста доходов от HBM в 2026 году - более чем в 3 раза!
SK hynix пока что не добилась того же уровня выхода годных для HBM4, как у HBM3E. И в целом пока что не начала массовых отгрузок.
Американская Micron утверждает, что находится в стадии «крупномасштабного производства HBM4 и начала поставки чипов клиентам». Однако SemiAnalysis ставит это под сомнение, утверждая, что Micron не прошёл квалификацию Nvidia по скорости (>11 Гбит/с) и не получил заказов на 2026 год. По данным SemiAnalysis, рыночные доли на основе долей в заказах HBM4 выглядят так: 70% приходится на SK Hynix, 30% - на Samsung, 0% - на Micron.
Конкуренция явно обострилась, пирог чипов памяти для ИИ слишком высокомаржинальный, чтобы им делиться. Несмотря на явные усилия и успехи Samsung, SK Hynix пока что не лишится своего доминирования на рынке HBM. Если лезть глубже в технологии, то изделия SK Hynix показывают более высокую целостность сигнала и отличаются прогрессивной упаковкой, тогда как у Samsung привлекает 4-нм логика, что дает высокую энергоэффективность. Micron пока отстает по скорости (pin speed), что не позволило изделиям компании пройти квалификационный барьер Nvidia, который на текущий момент составляет 11 Гбит/с.
@RUSmicro
Samsung начал отгружать чипы HBM4 неназванным клиентам
Впрочем, основной «подозреваемый», это, конечно, Nvidia с ускорителем Vera Rubin, который начнут выпускать в 2H2026. До сих пор Samsung заметно отставала от своего основного конкурента в области передовой памяти, от южнокорейской компании SK Hynix. Но не в этот раз.
Samsung заявляет для своих микросхем такие характеристики, как стабильная скорость доступа в 11,7 Гбит/с, что на 22% больше, чем у HBM3. По данным компании, максимальная скорость у чипов может достигать и 13 Гбит/с. Впрочем, в этом плане лучше подождать независимых оценок.
В планах компании – начать поставки образцов чипов HBM4E, то есть следующего поколения за HBM – в 2H2026. Прогноз роста доходов от HBM в 2026 году - более чем в 3 раза!
SK hynix пока что не добилась того же уровня выхода годных для HBM4, как у HBM3E. И в целом пока что не начала массовых отгрузок.
Американская Micron утверждает, что находится в стадии «крупномасштабного производства HBM4 и начала поставки чипов клиентам». Однако SemiAnalysis ставит это под сомнение, утверждая, что Micron не прошёл квалификацию Nvidia по скорости (>11 Гбит/с) и не получил заказов на 2026 год. По данным SemiAnalysis, рыночные доли на основе долей в заказах HBM4 выглядят так: 70% приходится на SK Hynix, 30% - на Samsung, 0% - на Micron.
Конкуренция явно обострилась, пирог чипов памяти для ИИ слишком высокомаржинальный, чтобы им делиться. Несмотря на явные усилия и успехи Samsung, SK Hynix пока что не лишится своего доминирования на рынке HBM. Если лезть глубже в технологии, то изделия SK Hynix показывают более высокую целостность сигнала и отличаются прогрессивной упаковкой, тогда как у Samsung привлекает 4-нм логика, что дает высокую энергоэффективность. Micron пока отстает по скорости (pin speed), что не позволило изделиям компании пройти квалификационный барьер Nvidia, который на текущий момент составляет 11 Гбит/с.
@RUSmicro
👍3
🇮🇳 Разработка микросхем. Индия
Qualcomm завершила разработку (tape-out) 2-нм чипа в Индии
Работы проводились в инженерных центрах Qualcomm в Бангалоре, Ченнаи и Хайдарабаде, что указывает на растущую роль индийских команд разработчиков в разработке чипов следующего поколения.
Хотя 2-нм чип не будет производиться внутри страны, это достижение отражает прогресс Индии в освоении сложных этапов проектирования полупроводников в условиях, когда правительство активизирует свои усилия в рамках Индийской полупроводниковой миссии (ISM) 2.0.
Qualcomm – не единственная компания, «накачивающая» Индию технологиями. Тайваньский производитель чипов MediaTek выразил заинтересованность в будущем производстве чипов в Индии. «Мы открыты для производства чипов в Индии», — цитирует издание слова Анку Джайна, управляющего директора MediaTek India.
К декабрю 2025 года правительство Индии одобрило 10 полупроводниковых проектов в шести штатах, общая сумма инвестиций которых оценивается примерно в 1,6 триллиона рупий. Ключевые проекты включают сборочный и испытательный центр Micron в Гуджарате, инициативы по производству и упаковке, возглавляемые Tata Electronics в Гуджарате и Ассаме, а также совместный проект с участием CG Power, Renesas и STARS Microelectronics.
В Индии действует программа ISM 2.0 (2026-2027 годы). ISM 2.0 направлен на расширение этой базы, уделяя больше внимания оборудованию, материалам и полномасштабному проектированию микросхем. Дорожная карта также определяет долгосрочные цели для передовых производственных узлов, таких как 3 нм и 2 нм, при этом правительство намерено обеспечить 70–75% внутреннего спроса на микросхемы в Индии к 2029 году.
Важно отметить, что в рамках ISM 2.0 внимание обращается не только, например, на производстве чипов, но и на выстраивании всей цепочки создания стоимости: оборудование, материалы, интеллектуальная собственность, исследования, рабочая сила.
Стратегическая задача - вывести Индию из статуса крупного потребителя полупроводников в статус значимого мирового производителя и лидера в области проектирования в течение следующего десятилетия.
@RUSmicro
Qualcomm завершила разработку (tape-out) 2-нм чипа в Индии
Работы проводились в инженерных центрах Qualcomm в Бангалоре, Ченнаи и Хайдарабаде, что указывает на растущую роль индийских команд разработчиков в разработке чипов следующего поколения.
Хотя 2-нм чип не будет производиться внутри страны, это достижение отражает прогресс Индии в освоении сложных этапов проектирования полупроводников в условиях, когда правительство активизирует свои усилия в рамках Индийской полупроводниковой миссии (ISM) 2.0.
Qualcomm – не единственная компания, «накачивающая» Индию технологиями. Тайваньский производитель чипов MediaTek выразил заинтересованность в будущем производстве чипов в Индии. «Мы открыты для производства чипов в Индии», — цитирует издание слова Анку Джайна, управляющего директора MediaTek India.
К декабрю 2025 года правительство Индии одобрило 10 полупроводниковых проектов в шести штатах, общая сумма инвестиций которых оценивается примерно в 1,6 триллиона рупий. Ключевые проекты включают сборочный и испытательный центр Micron в Гуджарате, инициативы по производству и упаковке, возглавляемые Tata Electronics в Гуджарате и Ассаме, а также совместный проект с участием CG Power, Renesas и STARS Microelectronics.
В Индии действует программа ISM 2.0 (2026-2027 годы). ISM 2.0 направлен на расширение этой базы, уделяя больше внимания оборудованию, материалам и полномасштабному проектированию микросхем. Дорожная карта также определяет долгосрочные цели для передовых производственных узлов, таких как 3 нм и 2 нм, при этом правительство намерено обеспечить 70–75% внутреннего спроса на микросхемы в Индии к 2029 году.
Важно отметить, что в рамках ISM 2.0 внимание обращается не только, например, на производстве чипов, но и на выстраивании всей цепочки создания стоимости: оборудование, материалы, интеллектуальная собственность, исследования, рабочая сила.
Стратегическая задача - вывести Индию из статуса крупного потребителя полупроводников в статус значимого мирового производителя и лидера в области проектирования в течение следующего десятилетия.
@RUSmicro
👍3
🇺🇸 Производители оборудования. GAA. Суб-2нм. США
Applied Materials представила инструменты для суб‑2‑нм GAA‑чипов и усиливает кооперацию с Кореей
Американская Applied Materials, один из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, анонсировала три новые системы для техпроцессов ангстремного масштаба. Решения нацелены на резкий рост производительности ИИ-чипов и одновременно - на сдерживание взрывного роста энергопотребления оборудованием в этом сегменте.
Представленные продукты, Viba, Sym3G Magnum и Spectral, оптимизированы под Gate-All-Around (GAA).
🔹 Viba. Предназначена для обработки поверхности на атомарном уровне.
🔹 Sym3G Magnum. Формирует полости истока/стока. Точно контролирует плотность ионов и угла наклона, что позволяет формировать прямоугольное дно, равномерный доступ к нанолистам и обеспечивает высокий выход годны.
🔹 Spectral. ALD установка для осаждения молибдена. Замена вольфрама на молибден в ключевых проводящих слоях обеспечивает снижение контактного сопротивления более, чем на 15%, при этом сохраняется низкое сопротивление даже на сверхтонких дорожках.
В компании связывают свою новую линейку с энергетическим кризисом из-за роста ИИ-инфраструктуры.
Что касается «корейского вектора», то Applied Materials рассматривает Корею как приоритетный рынок и усиливает локальное присутствие:
🔹 Samsung Electronics вошла в число первых финансирующих участников исследовательского центра EPIC Center, который Applied строит в Кремниевой долине.
🔹 В 2H2026 года в Осане (Кёнгидо) официально откроется Korea Collaboration Center (KCC) - площадка для совместных разработок с местными заказчиками и университетами.
Рынок оборудования для GAA и ангстремных техпроцессов стремительно нагревается. Прямые конкуренты Applied, Lam Research и Tokyo Electron, также ведут разработки в области GAA. Однако Applied делает ставку не только на «железо», но и на интеграцию с экосистемой заказчика через исследовательские коллаборации, что особенно заметно на примере корейских партнёрств.
@RUSmicro
Applied Materials представила инструменты для суб‑2‑нм GAA‑чипов и усиливает кооперацию с Кореей
Американская Applied Materials, один из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, анонсировала три новые системы для техпроцессов ангстремного масштаба. Решения нацелены на резкий рост производительности ИИ-чипов и одновременно - на сдерживание взрывного роста энергопотребления оборудованием в этом сегменте.
Представленные продукты, Viba, Sym3G Magnum и Spectral, оптимизированы под Gate-All-Around (GAA).
🔹 Viba. Предназначена для обработки поверхности на атомарном уровне.
🔹 Sym3G Magnum. Формирует полости истока/стока. Точно контролирует плотность ионов и угла наклона, что позволяет формировать прямоугольное дно, равномерный доступ к нанолистам и обеспечивает высокий выход годны.
🔹 Spectral. ALD установка для осаждения молибдена. Замена вольфрама на молибден в ключевых проводящих слоях обеспечивает снижение контактного сопротивления более, чем на 15%, при этом сохраняется низкое сопротивление даже на сверхтонких дорожках.
В компании связывают свою новую линейку с энергетическим кризисом из-за роста ИИ-инфраструктуры.
Что касается «корейского вектора», то Applied Materials рассматривает Корею как приоритетный рынок и усиливает локальное присутствие:
🔹 Samsung Electronics вошла в число первых финансирующих участников исследовательского центра EPIC Center, который Applied строит в Кремниевой долине.
🔹 В 2H2026 года в Осане (Кёнгидо) официально откроется Korea Collaboration Center (KCC) - площадка для совместных разработок с местными заказчиками и университетами.
Рынок оборудования для GAA и ангстремных техпроцессов стремительно нагревается. Прямые конкуренты Applied, Lam Research и Tokyo Electron, также ведут разработки в области GAA. Однако Applied делает ставку не только на «железо», но и на интеграцию с экосистемой заказчика через исследовательские коллаборации, что особенно заметно на примере корейских партнёрств.
@RUSmicro
🔥4❤1👍1
🇷🇺 Производство материалов. Россия
Томский ИХТЦ запустил производство сверхчистого трибромида бора и готовит первые поставки
В феврале 2026 года Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) на базе Томского госуниверситета объявил о завершении проекта и запуске полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты марки 6N5. Первые промышленные поставки запланированы на 2026 год.
Проект выполнен по заказу Минпромторга России и стал первым завершённым в масштабной программе импортозамещения шести критических химических веществ для микроэлектроники (общий бюджет под эти разработки - 1,9 млрд рублей).
🎓 Что такое трибромид бора 6N5?
Трибромид бора (BBr₃) — ключевой реагент для легирования полупроводников в микроэлектронике. Обозначение «6N5» указывает на степень чистоты 99,99995%, что соответствует содержанию примесей не более 5 частей на миллион (0,5 ppm) и является мировым стандартом для передовых технологических процессов.
🎓 Где применяется?
В первую очередь - в производстве полупроводников: плазмохимическое и реактивное ионное травление, осаждение тонких плёнок, легирование кремниевых пластин. Также востребован в оптоэлектронике, фотонике, органическом синтезе и создании специальных материалов.
🔹 Участники проекта
▫️ Томск (ИХТЦ ТГУ) — головной разработчик, организация полного цикла производства;
▫️ Новосибирск (Институт неорганической химии СО РАН) — методики аналитического контроля и стандарты качества;
▫️ Нижний Новгород (ООО «НПИ») — технологические решения и инжиниринг.
🔹 Производственные параметры
Мощность установки: 24 кг в год, что соответствует потребностям опытного и мелкосерийного производства микроэлектронных компонентов. Продукт будет поставляться в формате, интегрированном в технологические линии заказчиков: кварцевые ампулы различного объёма и специальные ёмкости-барботеры, исключающие контакт вещества с атмосферой. Для использования в крупносерийном производстве процесс нужно будет масштабировать, что не является простой задачей.
Руководитель проекта в ИХТЦ Ася Водянкина:
Директор ИХТЦ Алексей Князев:
📌 Значимость проекта в плане импортзамещения
Основные поставки трибромида бора в Россию на фоне отсутствия собственного производства осуществлялись из Китая, Германии и США, а также от American Elements, Albemarle, Solvay и Mitsubishi.
Проект решает задачи обеспечения технологической независимости и укрепления российских компетенций в области высокочистого химического синтеза.
🔹 Перспективы и планы
ИХТЦ уже формирует портфель заказов от промышленных потребителей. Вероятно понадобится:
- масштабировать технологические процессы при сохранении чистоты 6N5;
- сертифицировать продукцию на соответствие отраслевым стандартам, впрочем, российская специфика (от которой хотелось бы когда-нибудь уйти) - проверять все самостоятельно на производстве.
@RUSmicro
Томский ИХТЦ запустил производство сверхчистого трибромида бора и готовит первые поставки
В феврале 2026 года Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) на базе Томского госуниверситета объявил о завершении проекта и запуске полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты марки 6N5. Первые промышленные поставки запланированы на 2026 год.
Проект выполнен по заказу Минпромторга России и стал первым завершённым в масштабной программе импортозамещения шести критических химических веществ для микроэлектроники (общий бюджет под эти разработки - 1,9 млрд рублей).
🎓 Что такое трибромид бора 6N5?
Трибромид бора (BBr₃) — ключевой реагент для легирования полупроводников в микроэлектронике. Обозначение «6N5» указывает на степень чистоты 99,99995%, что соответствует содержанию примесей не более 5 частей на миллион (0,5 ppm) и является мировым стандартом для передовых технологических процессов.
🎓 Где применяется?
В первую очередь - в производстве полупроводников: плазмохимическое и реактивное ионное травление, осаждение тонких плёнок, легирование кремниевых пластин. Также востребован в оптоэлектронике, фотонике, органическом синтезе и создании специальных материалов.
🔹 Участники проекта
▫️ Томск (ИХТЦ ТГУ) — головной разработчик, организация полного цикла производства;
▫️ Новосибирск (Институт неорганической химии СО РАН) — методики аналитического контроля и стандарты качества;
▫️ Нижний Новгород (ООО «НПИ») — технологические решения и инжиниринг.
🔹 Производственные параметры
Мощность установки: 24 кг в год, что соответствует потребностям опытного и мелкосерийного производства микроэлектронных компонентов. Продукт будет поставляться в формате, интегрированном в технологические линии заказчиков: кварцевые ампулы различного объёма и специальные ёмкости-барботеры, исключающие контакт вещества с атмосферой. Для использования в крупносерийном производстве процесс нужно будет масштабировать, что не является простой задачей.
Руководитель проекта в ИХТЦ Ася Водянкина:
«Нашей задачей было не просто наладить синтез вещества, а построить завершённый технологический цикл, включая систему контроля качества на каждом этапе. Это необходимо для обеспечения стабильных характеристик материала, что критически важно для микроэлектроники».
Директор ИХТЦ Алексей Князев:
«Мы ориентировались на потребности отечественных предприятий. Их ключевым требованием было не просто импортозамещение, а получение материала гарантированного качества по конкурентной цене. Этот критерий стал для нас основным, и в ходе реализации проекта он был достигнут».
📌 Значимость проекта в плане импортзамещения
Основные поставки трибромида бора в Россию на фоне отсутствия собственного производства осуществлялись из Китая, Германии и США, а также от American Elements, Albemarle, Solvay и Mitsubishi.
Проект решает задачи обеспечения технологической независимости и укрепления российских компетенций в области высокочистого химического синтеза.
🔹 Перспективы и планы
ИХТЦ уже формирует портфель заказов от промышленных потребителей. Вероятно понадобится:
- масштабировать технологические процессы при сохранении чистоты 6N5;
- сертифицировать продукцию на соответствие отраслевым стандартам, впрочем, российская специфика (от которой хотелось бы когда-нибудь уйти) - проверять все самостоятельно на производстве.
@RUSmicro
👍12❤5
🇺🇸 Регулирование. Оборудование для производства микросхем. Экспортное регулирование. Штрафы. Участники рынка. США
Applied Materials выплатит $252 млн за «незаконный экспорт» в Китай оборудования для производства микросхем
Минторг США объявил о достижении соглашения с Applied Materials (AMAT) – производитель выплатит $252 млн в рамках урегулирования претензий по поводу незаконного экспорта оборудования китайской SMIC. Это второй по величине штраф в истории Бюро промышленности и безопасности (BIS) — больше только штраф Seagate ($300 млн) в 2023 году.
Расследование стало следствием эксклюзивного отчёта Reuters в 2023 году, впервые раскрывшего схему поставок и факт уголовного расследования.
Суть нарушений. Вскоре после того, как Минторг в декабре 2020 года внёс SMIC в «чёрный список» (Entity List), заработала схема обхода ограничений: оборудование AMAT, произведённое в США, направлялось дочерней компании в Южной Корее (Applied Materials Korea), а оттуда - в Китай, где его в конечном итоге получала SMIC. Таким образом поставлялись ионные имплантаторы - критическое оборудование для производства чипов .
Масштаб. Незаконные поставки произошли 56 раз в 2021 и 2022 годах. Общая стоимость оборудования составила $126 млн.
Штраф. Сумма в $252 млн ровно в 2 раза превышает стоимость поставок. Это максимальный штраф, разрешённый американским законодательством (выше ×2 назначить нельзя).
Кадровые и корпоративные последствия. В рамках урегулирования Applied Materials подтвердила, что сотрудники и старшие менеджеры, ответственные за нелегальные поставки, покинули компанию. Кроме того, компания обязалась проводить серию аудитов экспортного комплаенса и ежегодно сертифицировать их результаты перед BIS.
Закрытие других расследований. Минюст США (DOJ) и Комиссия по ценным бумагам и биржам (SEC) уведомили Applied Materials о закрытии параллельных расследований без применения каких-либо мер.
В Applied Materials заявили, что удовлетворены достигнутым соглашением. Для Минторга США это дело стало важным прецедентом: подчёркивается, что экспортные правила распространяются на любые цепочки поставок, включая реэкспорт через третьи страны.
@RUSmicro
Applied Materials выплатит $252 млн за «незаконный экспорт» в Китай оборудования для производства микросхем
Минторг США объявил о достижении соглашения с Applied Materials (AMAT) – производитель выплатит $252 млн в рамках урегулирования претензий по поводу незаконного экспорта оборудования китайской SMIC. Это второй по величине штраф в истории Бюро промышленности и безопасности (BIS) — больше только штраф Seagate ($300 млн) в 2023 году.
Расследование стало следствием эксклюзивного отчёта Reuters в 2023 году, впервые раскрывшего схему поставок и факт уголовного расследования.
Суть нарушений. Вскоре после того, как Минторг в декабре 2020 года внёс SMIC в «чёрный список» (Entity List), заработала схема обхода ограничений: оборудование AMAT, произведённое в США, направлялось дочерней компании в Южной Корее (Applied Materials Korea), а оттуда - в Китай, где его в конечном итоге получала SMIC. Таким образом поставлялись ионные имплантаторы - критическое оборудование для производства чипов .
Масштаб. Незаконные поставки произошли 56 раз в 2021 и 2022 годах. Общая стоимость оборудования составила $126 млн.
Штраф. Сумма в $252 млн ровно в 2 раза превышает стоимость поставок. Это максимальный штраф, разрешённый американским законодательством (выше ×2 назначить нельзя).
Кадровые и корпоративные последствия. В рамках урегулирования Applied Materials подтвердила, что сотрудники и старшие менеджеры, ответственные за нелегальные поставки, покинули компанию. Кроме того, компания обязалась проводить серию аудитов экспортного комплаенса и ежегодно сертифицировать их результаты перед BIS.
Закрытие других расследований. Минюст США (DOJ) и Комиссия по ценным бумагам и биржам (SEC) уведомили Applied Materials о закрытии параллельных расследований без применения каких-либо мер.
В Applied Materials заявили, что удовлетворены достигнутым соглашением. Для Минторга США это дело стало важным прецедентом: подчёркивается, что экспортные правила распространяются на любые цепочки поставок, включая реэкспорт через третьи страны.
@RUSmicro
🔥3❤2
Хотите работать в команде, где верификация является ключевым инструментом обеспечения качества SoC и напрямую влияет на архитектурные решения?
Мы в поиске специалистов в команду Semiconductors, которая разрабатывает собственные IP и SoC на базе RISC-V: от архитектуры до системного уровня. Для нас UVM не просто формальность, а инструмент контроля сложных аппаратных систем.
• Полный цикл планирования и стратегии верификации IP/SoC;
• Создание и поддержка автоматизированных тестовых окружений на UVM;
• Разработка тестов и сценариев для функционального тестирования;
• Локализация и анализ ошибок на всех уровнях (от блока до системы).
Технологии: Verilog/SystemVerilog, опыт работы с RTL-симуляторами, Linux, UVM, AMBA-интерфейсы, python/tcl.
Уровень: Junior / Middle / Senior (от 2 лет).
• Удалённая работа (РФ/РБ) или офис в городах присутствия — Москве, Санкт-Петербурге, Нижнем Новгороде, Екатеринбурге, Минске.
• Амбициозные проекты в уникальной инженерной команде.
• Реальный карьерный рост: как вертикальный, так и горизонтальный.
• ДМС с первого дня, поддержка спортивных инициатив сотрудников и другие бенефиты.
1️⃣ Подайте заявку до 22 февраля и пройдите HR-скрининг.
2️⃣ Пройдите техническое и менеджерское интервью.
3️⃣ Получите оффер в течение 3 дней.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍7
🇯🇵 Передовые производства микроэлектроники. 2нм. Япония
Rapidus ускоряет освоение 2-нм техпроцесса
Согласно официальным планам, представленным в Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, дорожная карта Rapidus выглядит следующим образом:
🔹 В 2027 году компания планирует начать производство кристаллов по техпроцессу 2нм, а в 2028 году финансовом году перейти к крупномасштабному производству. На начальном этапе, как ожидается, производственные мощности компании составят около 6000 пластин (12 дюймов в месяц), но примерно через год объемы производства, как ожидается, вырастут до 25 тысяч пластин в месяц.
В Rapidus ставят перед собой задачу обеспечивать выпуск полупроводниковых микросхем по самым передовым технологиям. А потому среди целей компании – начать в 2029 году производство чипов по техпроцессу 1.4 нм, а в перспективе достичь уровня в 1 нм (сроки освоения данного техпроцесса компания не называет).
Производство 2нм GAA планируется наладить на фабрике IIJ-1 в Титосе, Хоккайдо. Это фаб полного цикла – от изготовления пластин до формирования структур на пластинах, разделения пластин, упаковки и корпусирования кристаллов.
Проект активно развивается. В частности, первая производственная линия запущена еще в апреле 2025 года. Вот уже почти год идет отладка процесса GAA 2нм. Компания сообщала о прогрессе в этом еще летом 2025 года.
В 1q2026 компания планирует начать поставки клиентам PDK (Process Design Kit) – набора файлов, необходимых для проектирования чипов под процесс 2нм GAA компании (2HP). Как заявляет компания, это техпроцесс позволяет достигать плотности размещения элементов в 237.31 MTr/кв.мм, что близко к показателям техпроцесса в 236.17 МТр/кв.мм и превосходит возможности Intel 18A с его плотностью в 184,21 МТр/мм² .
Поскольку в Rapidus понимают, что отстают от лидеров рынка, TSMC и Samsung, которые уже начали массовое производство чипов в 2025 году, в Rapidus намерены выиграть за счет предложения рынку «гибких и быстрых» услуг. Ключевым отличием может стать концепция срочной обработки отдельных пластин или их небольших партий. В частности, если традиционные производственные циклы достигают 120 дней, то Rapidus обещает сокращение этих сроков до 50 дней, а в случае срочных заказов – до невероятных 15 дней!
Проект пользуется активной поддержкой правительства страны, в частности, компания уже получила значительную господдержку. В 2025-2027 финансовых годах, правительство Японии намерено выделить еще $19 млрд.
Как и всегда ключевым вопросом остается – получится ли у компании выйти на приемлемый уровень выхода годных. Не менее сложно будет заполучить крупных клиентов для загрузки новых мощностей. Выход на рынок нового конкурента в виде Rapidus, конечно, окажет давление на ценовую политику TSMC и Samsung, но насколько заказчики масштабов Apple, Qualcomm и Nvidia захотят предавать свои заказы новому участнику рынка? Впрочем, безусловно, если у японцев «все срастется», то и это сценарий вполне реалистичен.
@RUSmicro
Rapidus ускоряет освоение 2-нм техпроцесса
Согласно официальным планам, представленным в Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, дорожная карта Rapidus выглядит следующим образом:
🔹 В 2027 году компания планирует начать производство кристаллов по техпроцессу 2нм, а в 2028 году финансовом году перейти к крупномасштабному производству. На начальном этапе, как ожидается, производственные мощности компании составят около 6000 пластин (12 дюймов в месяц), но примерно через год объемы производства, как ожидается, вырастут до 25 тысяч пластин в месяц.
В Rapidus ставят перед собой задачу обеспечивать выпуск полупроводниковых микросхем по самым передовым технологиям. А потому среди целей компании – начать в 2029 году производство чипов по техпроцессу 1.4 нм, а в перспективе достичь уровня в 1 нм (сроки освоения данного техпроцесса компания не называет).
Производство 2нм GAA планируется наладить на фабрике IIJ-1 в Титосе, Хоккайдо. Это фаб полного цикла – от изготовления пластин до формирования структур на пластинах, разделения пластин, упаковки и корпусирования кристаллов.
Проект активно развивается. В частности, первая производственная линия запущена еще в апреле 2025 года. Вот уже почти год идет отладка процесса GAA 2нм. Компания сообщала о прогрессе в этом еще летом 2025 года.
В 1q2026 компания планирует начать поставки клиентам PDK (Process Design Kit) – набора файлов, необходимых для проектирования чипов под процесс 2нм GAA компании (2HP). Как заявляет компания, это техпроцесс позволяет достигать плотности размещения элементов в 237.31 MTr/кв.мм, что близко к показателям техпроцесса в 236.17 МТр/кв.мм и превосходит возможности Intel 18A с его плотностью в 184,21 МТр/мм² .
Поскольку в Rapidus понимают, что отстают от лидеров рынка, TSMC и Samsung, которые уже начали массовое производство чипов в 2025 году, в Rapidus намерены выиграть за счет предложения рынку «гибких и быстрых» услуг. Ключевым отличием может стать концепция срочной обработки отдельных пластин или их небольших партий. В частности, если традиционные производственные циклы достигают 120 дней, то Rapidus обещает сокращение этих сроков до 50 дней, а в случае срочных заказов – до невероятных 15 дней!
Проект пользуется активной поддержкой правительства страны, в частности, компания уже получила значительную господдержку. В 2025-2027 финансовых годах, правительство Японии намерено выделить еще $19 млрд.
Как и всегда ключевым вопросом остается – получится ли у компании выйти на приемлемый уровень выхода годных. Не менее сложно будет заполучить крупных клиентов для загрузки новых мощностей. Выход на рынок нового конкурента в виде Rapidus, конечно, окажет давление на ценовую политику TSMC и Samsung, но насколько заказчики масштабов Apple, Qualcomm и Nvidia захотят предавать свои заказы новому участнику рынка? Впрочем, безусловно, если у японцев «все срастется», то и это сценарий вполне реалистичен.
@RUSmicro
🔥4❤2🤔1
🇹🇼 Производство GaAs полупроводников. Участники рынка. Тайвань
Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них
Тайваньская компания Win Semiconductor, мировой лидер в контрактном производстве полупроводниковых структур на арсенид-галлиевых пластинах, прогнозирует x2 - x3 рост спроса в 2026 году. Причина - бум рынка оптических модулей передачи данных 1.6T, которые используются при развитии инфраструктуры ИИ-ЦОД и магистральных каналов связи. Кроме того, микросхемы GaAs активно применяют также в низкоорбитальных спутниках и в смартфонах.
WIN Semiconductors предоставляет услуги по разработке и производству монолитных микроволновых интегральных схем (MMIC) и радиочастотных микросхем (RFIC) для различных применений — от 50 МГц до 170 ГГц. Компания поддерживает широкий спектр технологий, включая HBT (гетеропереход биполярный транзистор), pHEMT, GaN HEMT и другие.
Рынок GaAs-фаундри относительно невелик по сравнению с кремниевым, но он растет, особенно по части высокочастотных и малошумящих применений, что актуально в телекоме, аэрокосмической отрасли, оборонной промышленности. По данным на 2024 год, глобальный рынок GaAs-фаундри оценивался в $853 млн, а к 2031 году прогнозировался рост до $1079 млн при среднегодовом темпе роста (CAGR) 3,5% - возможно теперь эти прогнозы придется пересмотреть.
@RUSmicro
Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них
Тайваньская компания Win Semiconductor, мировой лидер в контрактном производстве полупроводниковых структур на арсенид-галлиевых пластинах, прогнозирует x2 - x3 рост спроса в 2026 году. Причина - бум рынка оптических модулей передачи данных 1.6T, которые используются при развитии инфраструктуры ИИ-ЦОД и магистральных каналов связи. Кроме того, микросхемы GaAs активно применяют также в низкоорбитальных спутниках и в смартфонах.
WIN Semiconductors предоставляет услуги по разработке и производству монолитных микроволновых интегральных схем (MMIC) и радиочастотных микросхем (RFIC) для различных применений — от 50 МГц до 170 ГГц. Компания поддерживает широкий спектр технологий, включая HBT (гетеропереход биполярный транзистор), pHEMT, GaN HEMT и другие.
Рынок GaAs-фаундри относительно невелик по сравнению с кремниевым, но он растет, особенно по части высокочастотных и малошумящих применений, что актуально в телекоме, аэрокосмической отрасли, оборонной промышленности. По данным на 2024 год, глобальный рынок GaAs-фаундри оценивался в $853 млн, а к 2031 году прогнозировался рост до $1079 млн при среднегодовом темпе роста (CAGR) 3,5% - возможно теперь эти прогнозы придется пересмотреть.
@RUSmicro
❤4🤔1
🇫🇷 Научная инфраструктура. Чистые комнаты. FD-SOI. Франция. Европа
CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения
CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.
Что уникального в новой чистой комнате?
Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.
Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.
Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.
Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.
@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology
CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения
CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.
Что уникального в новой чистой комнате?
Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.
Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.
Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.
«Разработанные в FAMES прорывные технологии призваны поддерживать будущие поколения микросхем FD-SOI с размером элементов менее 10 нм, обеспечивая создание высокопроизводительных и энергоэффективных компонентов для Европы», — сказал Жан-Рене Лекепей, заместитель директора и технический директор CEA-Leti.
Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.
@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology
👍2
🔬 Горизонты технологий. Материалы GeSn. Перспективные полупроводники. Европа
В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.
GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.
Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!
Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).
Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.
Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.
Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.
🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.
Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.
@RUSmicro
В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.
GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.
Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!
Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).
Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.
Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.
Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.
🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.
Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.
@RUSmicro
👍4
🇪🇺 Производители полупроводниковых структур. Участники рынка. Европа. Нидерланды
Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем
Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.
Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.
Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.
Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.
На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.
@RUSmicro
Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем
Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.
Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.
Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.
Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.
На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.
@RUSmicro
❤1
🔬 Мнения. Производственное оборудование
TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?
TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.
Экономика прежде всего
Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.
Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.
Технологическая уверенность
TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.
Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.
Кто выиграет
Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.
У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.
Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.
Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.
Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)
TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?
TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.
Экономика прежде всего
Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.
Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.
Технологическая уверенность
TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.
Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.
Кто выиграет
Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.
У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.
Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.
Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.
Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)
(2)
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?
У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.
Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.
@RUSmicro
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?
У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.
Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.
@RUSmicro
❤3