‘암과의 전쟁’ 선포한 백악관, ‘캔서 문샷’ 뭐길래 [암 정복 우주선 쏜 美]①
https://economist.co.kr/article/view/ecn202311280032

캔서 문샷은 미국 백악관이 추진하는 암 정복 프로젝트다. 암으로 인한 사망률을 획기적으로 줄이기 위해 추진됐다. 25년 내 미국 현지의 암 관련 사망률을 50% 이상 낮추는 것이 목표다. 조 바이든 미국 대통령은 지난해 연설에서 “캔서 문샷은 내가 대통령으로 출마한 이유 중 하나”라며 “국민의 의료권을 확대하기 위해 대통령으로서 모든 권한을 행사하겠다”고 말했다.

국내 기업들도 이런 장점을 노려 캔서 엑스에 잇따라 참여하고 있다. 항암제를 개발하는 HLB와 진단 분야 기업인 HLB파나진이 대표적이다. GC셀과 딥바이오, 랩지노믹스, 싸이토젠, 아이엠비디엑스, 엔젠바이오, 이원다이애그노믹스(EDGC), 젠큐릭스, 큐브바이오, 프레스티지바이오파마 등도 자사의 기술력을 앞세워 캔서 엑스 참여 기업에 이름을 올렸다.


‘캔서 문샷’ 올라탄 K-바이오…美 항암 시장 진출 발판될까 [암 정복 우주선 쏜 美]②
https://economist.co.kr/article/view/ecn202311280033

하지만 캔서 엑스에 참여하고 있는 국내 기업 중 구체적인 프로젝트에 참여한다고 밝힌 기업은✅ 루닛뿐이다. 루닛은 디지털 분야의 기업 14곳과 캔서 엑스의 첫 번째 공식 프로젝트를 추진한다.

올해 6월 창립 멤버 92곳을 발표했다. 이 중 국내 기업은 루닛이 유일하다. 이 조직에 창립 기업으로 참여한 곳은 대다수가 아스트라제네카와 존슨앤드존슨, 다케다제약, 아마존 웹 서비스(AWS), 오라클, 인텔 등 다국적 제약사나 대형 정보통신기술(ICT) 기업이다.


‘암 정복 프로젝트’ 중단될까…美 대선에 쏠린 눈 [암 정복 우주선 쏜 美]③
https://economist.co.kr/article/view/ecn202312040029

전문가들은 미국 백악관의 암 정복 프로젝트인 ‘캔서 문샷’이 2024년 말 진행될 미국 대선 이후에도 좌초되지 않을지 주목하고 있다.

#CXL

■ CXL(Compute Express Link)란?

Compute(연산하다), Express(고속), Link(연결하다)를 합친 단어로서 빠르게 연결해서 계산하도록 도와주는 컴퓨팅 규격임

인공지능의 도입이 가속화됨에 따라 데이터의 엄청난 용량과 저장공간이 필요해짐. CXL 규격은 노트북, 테블릿, 스마트폰 등 모든 전자기기들이 마치 같은 생각을 한 듯 함께 연산하게끔 도와주는 역할을 함.

■ 기존 구조의 단점(확장성과 공유)

서버 등 IT 기기 안에서 기존 CPU와 D램 구조는 'DDR'이라는 규격으로 서로를 연결함. CPU라는 연산 공장 옆에 D램이라는 재료 보관 창고를 두고, DDR이라는 특급 고속도로를 놓아서 각종 정보를 전달하는 것임.

이런 구조는 2가지 문제가 있음. 확장성과 공유임.

우선, 확장성 측면에서 보게 되면, DDR 규격은 CPU와 D램 사이에 여러 개의 채널을 놓고 정보를 전달함. 그런데, DDR 특성 상 1개 채널에 오류가 발생하면 나머지 모든 채널에 문제가 생김.

기존 환경에서는 큰 문제가 없었지만, 앞으로 D램이 더 많이 필요해지는 상황에서 별도의 'D램 창고'를 꾸려 정보를 처리하고 싶은 회사 입장에서는 안정성에 문제를 가질 수 밖에 없음

두번째 문제는 공유임. DDR 환경에서는 별도 외부 장치나 네트워크가 따로 없으면 D램이 한개의 호스트하고만 연동이 됨. 데이터센터 속에서 CPU가 여러 대 있고, D램도 여러개가 있는데, 딱 정해진 수의 메모리로만, 정해진 CPU로만 연산을 한다면 유연성이 부족함. 놀고 있는 메모리와 CPU가 많을 것이고, 때론 연산에 과부하가 걸린 메모리도 많아 비효율적임.

CXL은 DDR이 가지고 있는 이 두가지 문제를 해결하기 위한 프로토콜, 즉, 사람들끼리의 약속임.

■ CXL 규격 종류

CXL 1.0: 기존 컴퓨팅 구조에서 크게 벗어나지 않음. 기존 SSD 슬롯에 CXL D램 '익스팬더'를 장착하여 호스트 기기 속에서만 D램 용량이 늘어남

CXL 2.0: 2.0의 핵심가치는 확장성임. 다수의 CPU 장치 바깥으로 확장해서 갖춰진 별도의 'D램 창고'에 연결할 수 있음. 다만, 각 CPU마다 메모리 풀에 연결된 선이 다르기 때문에 공유가 힘듦

CXL 3.0: 확장성과 공유가 접목된 시스템. CPU와 D램 창고 간 통로가 일원화되어 다수의 프로세서와 메모리들이 한 개의 거대한 컴퓨터처럼 작동할 수 있음

■ CXL 현황

얼마전 인텔이 5세대 서버 칩인 제온 CPU를 발표함. 제온에서는 CXL 1.1 메모리를 적용할 수 있음. 아직 확장성에서 한정적임.

일단, 세계 메모리 1위 업체인 삼성전자는 2.0을 만족하는 D램 모듈은 개발해놓은 상태임.

다만, 2.0 규격 이상을 만족하는 CPU나 각종 프로세서들이 없다보니 아직 시장은 실체가 없는 상황임.

출처1 출처2
글쓴이 텔레그램: https://t.me/PRROEresearch

#반도체

반도체 소재 실적 = 웨이퍼 투입량

•궈밍치 : 애플 Vision Pro 2024년 출하량 50만대 예상. 이미 양산 돌입했으며 1월 첫주 출하 시작, 빠르면 1월말-2월초 판매 시작 예상

>天风国际分析师郭明錤表示，2024年Vision Pro出货预估约50万部。目前Vision Pro已量产，预计在2024年1月首周开始大量出货。根据目前的大量出货时程，Apple最有可能将在1月底或2月初发售Vision Pro。

#비전프로

애플 비전프로 출시가 불러일으킬 디스플레이 업계의 변화

■ 기존 XR기기와 애플 비전프로의 가장 큰 차별화 포인트는 H/W 스펙의 변화: (LCD » OLEDoS)

기존 디바이스가 스마트폰 수준의 부품을 탑재했다면 비전프로는 고사양 노트북 급의 부품을 채용했기 대문에 성능 부분에서 현격한 변화를 예상

특히 HMD 형태의 XR기기에서 메이저 업체로서 애플이 처음 OLEDoS를 탑재하며 LCD 위주로 형성된 XR 디스플레이 시장에 새로운 활력을 제공할 것

■ LCD가 VR 시장에서 주류가 된 이유

1) 주사율 문제의 해결: LCD 기반 제조사들의 지속적인 R&D를 통해 더 빠르게 반응하는 액정 재료와 전극 구조의 발전으로 OLED의 기술적 약점 보완
2) 번짐현상(모션블러) 최소화: 백라이트 스트로빙(백라이트를 계속 켜두는 것이 아닌 매우 빠른 속도로 디스플레이가 업데이트 되는 동안 꺼지는 기능) 기술로 모션블러 현상을 최소화
3) LCD는 OLED 대비 최대 픽셀 밀집도가 높고, 서브 픽셀 간 간격이 더 좁기 때문이 격자 구조 현상(Screen Door Effect)을 줄일 수 있음

■ OLEDoS 공급업체

1) Sony와 Seeya: 해당 업체는 XR 업계에 OLEDoS를 공급중임. 양산라인 확장을 긍정적으로 검토중
2) 삼성디스플레이: eMagin(미국 RGB 방식 OLEDoS 증착기술 확보업체)를 인수하며 XR 기기용 OLEDoS 투자를 적극적으로 진행중
3) LG디스플레이: 애플의 전략적 공급처인 LG디스플레이도 해당 기술을 확보하고 있는만큼 향후 양산 투자를 검토중

#EUV #HighNA #에스앤에스텍 #에프에스티 #동진쎄미켐

■ High NA EUV란?

High NA EUV 장비와 기존 EUV 장비의 가장 큰 차이점은 렌즈 크기임. NA(Numerical Aperture)는 '렌즈 개구수'라는 뜻인데, 기존 EUV에서 사용하고 있는 장비는 0.33 정도의 크기임. High NA EUV에 사용되는 크기는 0.55임. 이 렌즈 크기 수를 확대해서 미세 패터닝을 조금 더 세밀하게 할 수 있음

■ 미세 패터닝의 발전 방향

지금까지 미세 패터닝 역사를 살펴보면 노광 장비 렌즈 크기를 키우거나, 미세 파장을 줄이는 방식으로 패터닝을 진행해왔음.

렌즈 크기를 늘리다가 한계에 부딪히면 파장을 바꾸고, 그런 파장들이 Krf, Arf, EUV가 있는데, 기존 EUV의 한계를 돌파하기 위해서 이번에는 렌즈의 크기를 키우는 것임

현재 ASML은 2030년을 타겟으로 차세대 노광 장비도 개발하고 있는데, 개구수가 0.75이고, EUV 다음 파장인 6.7나노 파장도 연구하고 있음

■ High NA EUV 장비의 첫 출하

현재 High NA EUV 장비가 첫 출하가 완료됨. 기존에는 인텔에 들어가는 것이라고 알려졌지만, 벨기에 소재 반도체 연구소 '아이맥'에 장비가 입고됨.

해당 연구소에서 삼성전자, SK하이닉스, TSMC, 인텔 등 기업이 와서 같이 연구를 할 것으로 예상됨

두번째 장비는 인텔에 납품될 예정이고, 시기는 24년 초를 예상함. 양산용은 2025년에나 본격적으로 들어갈 예정임.

■ 국내 EUV 밸류체인의 현황

메모리 반도체 업황이 살아날 것으로 예상되면서, 24년 하반기부터는 파운드리도 회복되지 않겠냐는 관점이 있음. 그렇다 보니 선단 공정에 필요한 장비, 소재, 부품에 관심을 가질 필요가 있음.

대표적인 부품, 소재는 1) 블랭크마스크 2) 펠리클 3) 포토레지스트 임

1) 블랭크마스크: 패턴이 노광되기 전 마스크

국내 업체에서 EUV 포토마스크는 아직 안하고 있음. 블랭크마스크를 가공하는 건 삼성전자, SK하이닉스에서 인하우스로 처리하고 있음. 블랭크마스크는 일본 호야와 아사히글라스에게 의존하고 있는 상태임.

국내에서는 DUV용 블랭크마스크를 제조하는 에스앤에스텍이 EUV 블랭크마스크를 개발하는 중임. 내년 상반기 양산을 타켓으로 개발 진행 중.

2) 펠리클: 포토마스크를 보호하는 막

펠리클은 반도체 회로도를 담은 포토마스크를 보호하는 부품임. 포토. EUV 펠리클은 일본 미쓰이화학 제품을 사용하고 있음.

EUV용으로 투과율 90%을 충족하는 업체는 에스엔에스택과 에프에스티임. 에프에스티는 올해 투과율은 괜찮았는데, 수율 이슈가 있었음. 내년 하반기 제품 공급을 목표로 개발 진행중임.

3) 포토레지스트

타 제품에 비해서 포토레지스트쪽은 국산화속도가 느린편임. 시네츠, JSR, TOK, 스미토모화학들이 많이 장악중이고, 동진쎄미캠이 1~2개 제품을 납품 중임.

2나노 이하부터는 유기물에서 무기물 기반의 포토레지스트가 사용됨. 인프리아, 램리서치가 하고 있는 상황임. 국내에서는 삼성SDI, 동진쎄미켐, 와이씨켐이 개발 중.

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=24891

SK하이닉스 DRAM 풀케파가 400K 쯤 됩니다. 내년에 HBM만 100K로 늘린다는 이야기가 있는데 HBM은 다이 사이즈가 일반 D램대비 2배는 커서 HBM 후공정 100K면 전공정 웨이퍼 200K가 필요 합니다. 그러면 하이닉스는 일반 D램 CAPA는 200K로 반토막 나게 됩니다. 그래서 하이닉스는 D램 투자를 더이상 미룰 수 없다고 봅니다.

#ADC #이중항체

■ 항암치료제 시장 동향

3세대 항암제로 불리는 '면역관문억제제'가 시장에 나온 이후 적응증 범위가 확대되며 주요 암의 표준치료 요법으로 자리 잡음

항암제 시장 경쟁이 심화되면서 혁신 모달리티 (Modaility)를 적용한 개발 시도가 많아지고 있음

모달리티는 의약품이 표적을 타겟하는 방법, 약물이 약효를 나타내는 방식을 의미함. 항체 약물 접합체(ADC), 이중항체, 세포·유전자치료제가 대표적임

대형 제약사들은 병용요법으로 면역관문억제제 생태계에 편입될 수 있는 파이프라인에 주목하고 있음

■ 항체 약물 접합체(ADC)

'항체'에 '약물'을 붙이고 암세포에 보내 필요한 부위에만 약물을 전달하는 기술임. 항체는 암세포 표면의 특정 항원에만 결합하는 면역 단백질임.

ADC는 미사일(항체)이 표적(암세포)에 빠르고 정확하게 날아가 탄두(약물)을 터뜨리는 것과 같음. 그만큼 다른 세포에 손상을 주지 않아 부작용이 적으면서 치료 효과가 높다는 평가를 받음

- 애브비: 차세대 ADC를 개발하는 미국 바이오 기업 '이뮤노젠'을 13조 규모에 인수. 이뮤노젠의 난소암 치료제 '엘라히어'는 지난해 11월 미국 FDA로부터 최초로 ADC 조건후 허가를 받은 약임

- BMS: 11조원 규모에 시스트이뮨이 개발 중인 ADC 후보 물질의 글로벌 판권을 구매

- 머크: 일본 다이이찌산쿄와 최대 30조원 규모의 ADC 3종에 대한 글로벌 개발과 상업화 계약

■ 이중항체

이중항체는 두 개의 다른 타킷(항원)을 동시에 인식하는 항체로, 한 번에 하나의 타깃(항원)에만 결합할 수 있는 단일 항체보다 치료 효과가 높다는 특징을 가지고 있음

예를 들어, 이중항체 항암제의 한 쪽은 암세포를 타깃으로 하고, 다른 한쪽은 면역세포와 반응하는 방식으로 암세포를 공격하면서 동시에 면역력을 강화할 수 있음.

즉, 면역항암제와 표적항암제의 기능을 동시에 수행하는 것임.

https://n.news.naver.com/mnews/article/366/0000957481?sid=101

#HBM4

삼성전자는 HBM4의 로직다이를 당초 8나노미터 (nm)에서 4나노 공정으로 설계하는 방안을 추진

HBM4는 또 한번 기술적 변혁을 이뤄낼 전망이다. HBM4의 I/O 수는 2048개로, HBM3(1024개) 대비 2배 많다. 주요 업체들이 목표로 정한 HBM4의 양산 시점은 내후년인 2025년이다.

제조 공정에도 변화가 일어난다. 기존 HBM에는 D램과 D램 사이를 수천 개의 마이크로 범프(Bump)로 연결하는 패키징 기술이 쓰였다. 반면 HBM4부터는 하이브리드 본딩이 적용된다. 하이브리드 본딩은 마이크로 범프 대신 구리를 통해 칩을 직접 연결한다.

또한 기존 D램 공정에서 생산되던 로직다이가 파운드리에서 양산되는 구조로 바뀐다. 로직다이란 HBM을 적층한 코어다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 다이다. HBM과 GPU 등 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결해 데이터를 고속으로 연결한다.

삼성전자는 이 로직다이의 성능을 한층 강화하는 전략을 구상하고 있다. 당초 삼성전자 및 주요 경쟁사는 로직다이의 공정을 8나노로 설계해 왔다. 최근 삼성전자는 해당 설계를 4나노로 변경하는 방안을 추진 중인 것으로 파악됐다.

로직다이의 선폭을 줄이는 경우 HBM의 PPA(성능, 전력효율성, 면적)를 전반적으로 향상시킬 수 있다. 나아가 4나노 기반의 로직 기능을 추가할 수 있어, 고객사의 요구에 맞춰 맞춤형 제품을 공급하는 데 유리하다.

https://v.daum.net/v/20231226134624813

#HBM3E

■ 엔비디아는 원활한 HBM공급을 위해 SK하이닉스와 Micron에게 선수금 지급

엔비디아는 HBM 공급을 받기 위해 SK하이닉스와 Micron에게 7,000억~1조 원 사이의 선수금을 지급함. 세부 내용은 공개되지 않았지만, HBM3E 제품에 대한 물량 공급을 보장하는 성격으로 해석 됨

■ 메모리 업체 입장

엔비디아를 비롯해 AMD, 마이크로소프트, 아마존 등 빅테크 기업들이 생선형 AI를 위한 인프라 확보를 위해 HBM 공급을 끊임없이 요구하고 있는 상황임.

메모리 반도체 기업 입장에서는 TSV 공정의 비용 절감과 수율을 확보하는 것이 가장 큰 난관임

또한, HBM이 지속적으로 차세대 제품으로 진화할때마다 요구되는 공정 스텝과 필요한 생산설비가 달라진다는 것도 리스크 요인임.

HBM의 가장 큰 난관은 대규모 데이터 전송에 따른 급격한 발열 문제인데 HBM3E부터는 발열 컨트롤이 어려운 상황임.

■ 메모리 업체별 HBM 투자 현황

1) 삼성전자: 엔비디아와 HBM3, HBM3E 제품 적합성 테스트를 마무리 짓고 공급계약을 체결함. 다만, HBM3E의 경우 SK하이닉스가 1b(10나노 5세대) D램으로 제품 테스트를 통과한 것과 달리 삼성전자는 1a나노(10나노 4세대) 제품으로 HBM3E를 생산하기 때문에 추가 공정 등 비용 증가 요소들이 존재

2) SK하이닉스: 엔비디아에 받은 선수금을 TSV 설비 확충에 집중적으로 투자할 예정. 지난 3분기에 TSV 라인 신설 관련 작업들이 일사천리로 이뤄졌다는 점이 이를 방증

https://n.news.naver.com/mnews/article/366/0000957655

#CXL

■ 업체별 CXL 현황

1) 퀼리타스반도체: 차세대 인터페이스 규격인 PCle 6.0 파이(PHY) IP 기술 개발

PCle는 고속 데이터 전송을 위한 인터에피스임. CXL는 PCle를 기반으로 CPU,GPU 등을 메모리와 연결함.

현재 주로 사용되는 기술은 PCle 4.0으로 퀄리타스 반도체는 현재 8nm FinFET 공정에 PCle 4.0 PHY IP를 공급하고 있음.

퀄리타스반도체가 개발 중인 PCle 6.0은 PCle 4.0보다 2배 빠른 속도의 성능을 가짐. CXL 기술이 적용된 5나노 PCle 6.0 PHY 개발을 24년에 완료하고 24년 말부터 양산에 적용될 예정

2) 오픈엣지테크놀로지: CXL 컨트롤러 칩 개발에 필요한 IP를 보유

CXL 컨트롤러는 프로세서(CPU) 등으로부터 명령어를 받은 D램을 제어하는 시스템 반도체로, 데이터를 읽고 쓰는 기능을 담당해 CXL 메모리 장치의 핵심 부품임.

오픈엣지테크놀로지가 보유한 CXL 컨트롤러 IP와 DDR PHY IP가 CXL 메모리 컨트롤러 개발에 필수적이라 향후 IP가 채택될 가능성이 높음

3) 파네시아(비상장): 세계 최초로 CXL 3.0 IP를 개발

CXL 3.0은 CXL 2.0과 비교할 때 속도가 2배가량 빠름. CXL 기반 시스템을 구성하는데 필요한 HW와 SW를 보유

4) 티엘비: 메모리 반도체 모듈 PCB 기업

메모리 모듈 PCB는 여러 개의 D램 칩을 회로기판 위에 탑재한 모듈임. 24년부터 IDM에서 CXL 양산이 시작되면 티엘비가 보유한 CXL 관련 모듈 매출도 증가할 것으로 전망됨.

5) 네오셈: 세계 최초로 CXL D램 검사장비 개발

22년 CXL 1.0 D램, 23년 CXL 2.0 D램 검사장비 개발

https://n.news.naver.com/mnews/article/366/0000957538?sid=105

#HBM #유진테크

■ HBM CAPEX 확대 수혜주

1) 유진테크: 삼성전자, SK하이닉스, 마이코론 등에 저압식 화학증착(LP-CVD) 장비를 납품

LP-CVD는 가스 화학반응으로 형성된 입자들을 반도체 표면에 떨어뜨리는 방식으로, 절연·전도성 박막을 형성하는 기술임. LP-CVD는 저압에서 높은 온도로 박막을 증착

유진테크 LP-CVD가 주목받는 이유는 최선단 공정인 10나노급 5세대(1bnm)에 적용할 수 있기 때문임. HBM3E와 DDR5 모두 최선단 공정이 적용되는데, 유진테크의 LP-CVD 장비가 활용됨.

2) HPSP: 고압 수소 어닐링장비 공급

고압 수소 어닐링 장비는 10나노급 5세대(1bnm) 수율 개선에 기여

3) 에스티아이: 반도체 후공정 장비인 리플로우 장비 공급

리플로우 장비는 반도체 칩 간 연결이 필요한 본딩 공정에 활용. 메모리 반도체 기업들의 설비투자로 HBM향 리플로우 장비 매출이 증가할 것으로 기대

4) 테크윙: HBM용 테스트 핸들러 공급

현재 테크윙은 256파라 테스트 핸들러를 개발해 고객사 요구에 맞춰 커스터마이징을 진행 중임. 파라는 검사장비가 동시에 검사할 수 있는 수량을 뜻함.

테크윙의 주요 고객사는 마이크론으로 전체 매출에 55%를 차지

https://n.news.naver.com/article/366/0000957738?sid=105

DRAM의 경우 1C부터는 EUV를 바로 5개 레이어에 적용합니다. 사실 삼전이 DRAM 테크 전환이 급격히 느려진게 EUV 도입 이후 입니다. EUV도 안써본 마이크론이 한번에 1c로 스무스하게 전환한다? 이건 사실 어려보이고 1c부터가 다시 삼성전자가 마이크론보다 더 빠르게 공정 전환을 할 수 있는 시기니 어떻게 보면? 여기가 승부처가 될 수 있습니다. 또한 NAND도 키옥시아는 당장 내년에 죽네 마네 하고, SK하이닉스나 마이크론도 DRAM쪽 투자가 우선이라 NAND는 투자 크게 하기 힘든 환경이라. NAND도 감가상각이 완료된 시안1과 곧 만료시기가 도래하는 P1을 전환투자하고 여유가 된다면 P4 PH1에 NAND투자하면 또 다시 앞서가는 삼성전자가 될 수가 있다고 생각되어 지네요