#US

바이든은 대선 토론에서의 결점을 인정, 민주당은 여전히 바이든을 지지

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Biden concedes debate fumbles but declares he will defend democracy. Dems stick by him — for now

https://apnews.com/article/trump-biden-debate-age-democrats-b93d7ffaad75fd423ea3953fe16287f0

DOW -0.12%
NASDAW -0.71%
S&P500 -0.41%

Fed가 선호하는 인플레이션 수치는 가격 압력이 더욱 완화되는 것을 나타내고 있음

Fed가 주로 추적하는 물가 측정 데이터에 따르면 미국 경제의 인플레이션 압력이 계속 완화되는 것으로 나타남

금요일 상무부 보고서에 따르면 소비자 물가는 4월에서 5월까지 변동이 없었으며, 4년 만에 가장 완만한 실적을 기록함

1년 전과 비교했을 때, 지난달 물가는 2.6% 상승했으며, 4월보다 약간 낮았음

변동성이 큰 식품 및 에너지 가격을 제외하면, 소위 핵심 인플레이션은 4월에서 5월까지 0.1% 상승했는데, 이는 팬데믹이 폭발하여 경제를 폐쇄한 '20년 이후 가장 낮은 상승률임

그리고 1년 전과 비교했을 때, Core 가격은 5월에 2.6% 상승했는데, 이는 3년 이상 가장 낮은 상승률임

실제 상품 가격은 4월부터 5월까찌 0.4% 하락함. 예를 들어 휘발유 가격은 3.4%, 가구 가격은 1%, 오락용품 및 차량 가격은 1.6% 하락. 반면에, 레스토랑 식사, 항공료 등을 포함한 서비스 가격은 0.2% 상승함

최근 수치는 금리 인하를 시작하기 전에 인플레이션 목표인 2%를 향해 지속 둔화되고 있다는 확신을 가져야한다고 말한 Fed의 정책입안자들이 선호하는 데이터임

대부분 경제학자들이 9월에 시작할 수 있다고 생각하는 Fed의 금리 인하는 결국 소비자와 기업의 대출 금리를 낮추게 될 것임

Fith Ratings의 올루 소놀라 미국 격제 리서치 책임자는 "이번 달에 본 추세가 앞으로 두 달 동안 계속 지속된다면 마침내 9월 금리 인하에 필요한 자신감을 갖게 될 것"이라고 작성함

인플레이션은 '22년 최고치에 비해 크게 냉각됨. 그럼에도 불구하고 인플레이션으로 인한 가격 상승은 펜데믹 이전보다 훨씬 높은 수준으로 유지되어 많은 미국인들에게 좌절감을 안겨주고 조 바이든 대통령의 재선에 대한 잠재적인 위협이 되고 있음

https://apnews.com/article/inflation-prices-election-federal-reserve-rates-economy-b5e545b2591d8c249424624ff43d60ef

# 중국 월별 스마트폰 출하량 업데이트 (24년 5월)

[ SK증권 박형우, 권민규]
IT부품/전기전자, 2차전지

▶️ 스마트폰 출하량 :
+14% YoY,
+26% MoM

▶️ 애플 출하량 :
+40% YoY ★
+44% MoM

▶️ 1~5월 누적 스마트폰 출하량
+11% YoY

* SK증권 리서치 IT팀 채널 :
https://t.me/skitteam

"내년 메모리 캐파 역성장할 수도"…삼성전자, 생산량 확대 선제 대응

사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다.

실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다.

정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다. 삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다. 정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다.

삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다. 현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다.

내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다. 삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며, 국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다.

먼저 D램의 경우, 삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다. 삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼, HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다.

또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다. 이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다. 올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다.

낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다. 시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데, 이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다.

반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다. 최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다.

업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고, 내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.

https://zdnet.co.kr/view/?no=20240628092446#_enliple

#US

5월 미국의 인플레이션 수치가 냉각되면서 Fed의 금리 인하 기대감이 높아지고 있음

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US inflation cools in May, boosting hopes of Fed rate cut

https://www.reuters.com/markets/us/us-inflation-cools-may-consumer-spending-rises-moderately-2024-06-28/

#Nestle

Nestle는 2분기부터 안정적인 매출 성장을 예상함

스위스 식품 대기업 Nestle CEO는 비용 인플레이션이 완화됨에 따라 2분기부터 올해 남은 기간 동안 안정적인 판매량 성장을 목표로 하고 있다고 밝힘

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Nestle sees stable sales growth from Q2, CEO tells paper

https://www.reuters.com/business/retail-consumer/nestle-sees-stable-sales-growth-q2-ceo-tells-paper-2024-06-29/

#US

조 바이든 대통령은 민주당 후보에서 교체될 수 있을까?

미 대선 토론에서 조 바이든 대통령이 불안한 모습을 보인 이후, 일부 민주당 의원들은 조 바이든의 대선 후보 자격에 공개적으로 의문을 표하고 있음

조 바이든을 대선 후보에서 교체하기에는 여러 난관들이 있음

해당 글은 인터뷰 기반으로 진행될 예정

Q. 민주당은 어떤 대안을 가지고 있나?

A. 민주당은 바이든 대신 후보로 내세울 인물이 없음. 바이든은 올해 당의 대선 후보에 사실상 경쟁자 없이 출마함

그는 이번 여름이 지나야 공식적으로 지명될 예정이므로 변화를 만들 시간이 아직 있고, 이를 실행하기 위한 몇 가지 시나리오를 준비중

바이든이 지명되기 전에 스스로 물러나기로 결정할 수도 있고, 자신이 모은 대의원을 차지하려는 다른 사람들에게 도전을 받을 수도 있음

아니면 8월 시카고에서 열리는 민주당 전당대회 이후 바이든이 물러나 민주당 전국위원회에서 그의 자리에 트럼프에 맞설 사람을 선출할 수도 있음

Q. 그 다음에는 무슨 일이 일어나나요?

A. 지금 당장은 그 과정이 바이든에게 달려 있음. 그가 물러나는 데 동의하거나, 과정 후반에 그를 강제적으로 물러나게 하려는 도전자와 마주해야 함

하지만, 지금까지 바이든은 물러나고 싶어하지 않았고, 그에게 도전하는 상대도 없음

그의 잠재적 태체자 중 일부인 카말라 해리스 부통령과 개빈 뉴섬 캘리포니아 주지사는 토론 후 그를 옹호하는 발언을 했으며, 그들의 지지를 보여주는 대리역할을 수행함

Q. 바이든이 물러나면 어떻게 되나요?

A. 바이든은 지난 몇 달 동안 미국 여러주에서 예비 선거에 승리하며 거의 4,000명의 민주당 대의원을 확보함

대의원들은 바이든에게 투표를 했지만, 그가 사임한다면 다른 민주당 후보들 사이에서 경쟁이 일어날 것

Q. 바이든을 대신할 사람은 누구인가?

A. 여러 후보가 경쟁에 뛰어들 수 있지만 확실한 1위는 없음

해리스 부통령이 1순위 이지만, 그녀는 낮은 여론조사 결과로 인해 문제를 겪고 있음

그 외 주요 후보들이 있지만 이들은 현재 바이든이 당선되도록 돕기 위해 노력하고 있는 바이든 지지자이자 캠페인 대리인들임

https://www.reuters.com/world/us/how-democrats-could-replace-biden-presidential-candidate-before-november-2024-06-28/

#3DD램

■ 2D와 3D는 어떻게 다른가?

현재 범용으로 생산되는 2D D램과 SK하이닉스가 개발 중인 3D D램의 차이를 간략히 집어봄

우선 두 D램은 기억 소자(1개 트랜지스터+1개 커패시터)의 모양이 다름

기존에는 평평한 실리콘 웨이퍼 위에 전하 알갱이의 움직임을 제어하는 트랜지스터를 배치하고, 또 트랜지스터를 통과한 알갱이들이 저장되는 커패시터가 굴뚝처럼 우뚝 솟게 있음

3D D램은 다름. 트랜지스터와 커패시터를 눕혀놈

평면에 있던 기억 소자들을 눕혀서, 마치 아파트처럼 수직으로 쭉 쌓는 것임. 이렇게 하면 EUV 노광 장비같은 대당 2,000억원 이상의 고가 설비를 활용하지 않아도 됨

한계에 도달한 '무어의 법칙'에서 그나마 자유로워질 수 있음. 또 기억 셀 사이 공간이 여유로워 간섭 현상이 덜하다는 장점이 있음

현존하는 2D D램의 최대 용량은 32Gb. 즉 320억개의 소자가 한 개 칩의 평면 속에 욱여넣어져 있는데, 3D D램이 상용화된다면 40층으로 셀을 쌓은다고 가정했을 때 아주 넉넉하게 해도 48Gb(480억 개 비트) 정도를 확보할 수 있다는 계산이 나옴

■ 3D D램이 형성되는 방법

기존 메모리에서는 비트라인가 워드라인을 모두 수평으로 놓음

하지만, 3D D램에서는 비트라인을 수직 기둥으로, 워드라인을 수평으로 놓는 방법을 택함

이렇게 비트라인을 수직으로 놓을 때 메모리에 저장된 0 또는 1을 정확하게 판별하는 '센싱 마진'이 더 좋다는 결론이 나옴

워드라인과 연결된 트랜지스터의 대문 역할을 하는 '게이트'의 구조도 특이함

게이트올어라운드(GAA), 그러니까 전하 알갱이 들이 지나가는 통로인 채널을 감싸고 있는 구조를 약간 변형한 더블 게이트. 그러니깐 햄버거 패티를 감싸고 있는 빵처럼 두 개의 게이트가 채널을 감싸고 있는 것이 특이함

전하를 저장하는 커패시터 모양도 다름

현존 D램 커패시터는 아주 가늘고 긴 굴뚝 모양임. 되도록 많은 전하를 저장하기 위해서 이렇게 만든 것임

반면에 SK하이닉스의 3D D램 커패시터는 길이가 짧고 뭉툭함

그 이유는 커패시터의 면적이 기존 D램보다 작기 때문임. 3D D램 특성상 비트라인 한개 당 관리해야하는 셀 수가 기존 D램 대비 1/10이나 적다는 특성이 있다고 함

그러면 비트라인은 100명 책임지던 걸 딱 10명만 관리하면 되니까 부담을 확실히 덜게 되겠죠? 각 커패시터에 저장된 전하 수가 줄더라도 여유롭게 정보 판별을 더 잘할 수 있께 됨

또 D램 셀을 구동하는 구변(peri.) 회로는 D램 소자들 아래 배치됨

이 컨셉은 3D 낸드플래시의 PUC 또는 COP 기술과 유사함. 낸드 소자들 바로 아래에 주변회로가 위치시키는 것인데, 똑같은 워리임

아파트 야외 주차장을 지하주차장으로 옮긴 것과 비슷함

독특한 점은 셀이 만들어지는 웨이퍼와 주변회로가 별개로 제작돼서 하이브리드 본딩이라는 패키징 기술로 결합함

지금까지 D램에서는 없던 시도임. 중국 낸드회사 YMTC의 엑스태킹이라는 낸드 결합 기술과도 유사함. 다만, 하이브리드 본딩 연결을 위한 셀과 구동회로의 배선을 만드는 것도 HBM에 사용된 TSV와 버금가는 아주 정교한 기술이 필요함. 범프를 활용하는 일반적이 칩 패키징보다 더 어려운 영역임

■ 3D D램 상용화는 언제쯤?

SK하이닉스가 확인한 수율은 56.1%임. 범용 D램의 경우 최종 연구개발 이후 양산에 들어가기 위해 필요한 수율은 60~80% 정도로 알려짐

물론 이 테스트 웨이퍼는 양산까지 정말 많은 과정과 시간이 필요함

상용화 가능 단수는 약 40단으로 언급이 되는데, 딱 5단만 쌓아서 만든 결과물이기 때문임

그래도 상용화에 대한 의문이 가득찬 상태에서 두 개 웨이퍼를 결합한 뒤에도 절반의 칩이나 살아남아서 제대로 움직인단 걸 보여준 건 정말 유의미함

그리고 최첨단 패키징 방식인 하이브리드 본딩도 컨디션이 아주 좋음

■ SK하이닉스는 3D D램을 몇단까지 만들 계획일까?

SK하이닉스는 현재의 5단에서 32단 » 64단 » 96단 » 128단 » 160단 » 192단까지 갈 수 있다는 가능성을 보여줌

3D 낸드의 단수 쌓기와 아주 비슷한 전개임. 또 재밌는 것은 넷 다이, 즉 같은 단수라도 공정에 따라 데이터 저장 공간 수가 더 늘어날 수 있다고도 언급함

이것도 낸드의 발전 흐름과 비슷한데, 예건대 최근 낸드 업계에서는 단위 면적 당 채널홀을 9개 뚫은 9홀에서 14개의 구멍인 14홀까지 세밀하게 뚫어서 비트 수를 늘리는 흐름과 유사함

https://n.news.naver.com/mnews/hotissue/article/011/0004359642?cid=1088367