Раскрыты спецификации HBM3E и GDDR7

HBM3E:
— скорость до 9,8 Гбит/c.
— пропускная способность 1,2 ТБ/c.
— объем чипов до 3 ГБ.
— максимальное число микросхем памяти на чип — 12.

GDDR7:
— прирост производительности на 40 %
— прирост эффективности на 20 %
— скоростью до 36 Гбит/c.
— пропускная способность 5 ТБ/c при 384-битной шине.

Новая видеопамять появится в следующем поколении видеокарт Nvidia и AMD

#HBM3 #Samsung #GDDR7