🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: The European Physical Journal - Plus (EPJ Plus)
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 3.911
🗓 سال چاپ: 2020
💬 اعتبار ژورنال = Q1
New high-voltage and high-speed β-Ga2O3 MESFET with amended electric field distribution by an insulator layer

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
🔅 از مجموعه ژورنال های الزویر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال : 3.382
🗓 سال چاپ: 2020
💬 اعتبار ژورنال = Q2
Investigation of Tied Double Gate 4H-SiC Junctionless FET in 7 nm Channel Length with a Symmetrical Dual p+ Layer

به دست آوردن منحنی مشخصه خروجی (I-V) ترانزیستور bjt در برنامه ORCAD 👆👆👆👆👆👆

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال : IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
🔅 از مجموعه ژورنال های IEEE
📶 ایمپکت فکتور ژورنال : 1.76
🗓 سال چاپ : 2020
💬 اعتبار ژورنال = Q2
A β-Ga2O3 MESFET to Amend the Carrier Distribution by using a Tunnel Diode

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال : Materials Today Communications
🔅 از مجموعه ژورنال های الزویر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال : 3.38
🗓 سال چاپ : 2021
💬 اعتبار ژورنال = Q2
Scattering Mechanisms in β-Ga2O3 Junctionless SOI MOSFET: Investigation of Electron Mobility and Short Channel Effects

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال : Physics Letters A
🔅 از مجموعه ژورنال های الزویر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال : 2.67
🗓 سال چاپ : 2021
💬 اعتبار ژورنال = Q2
β-Ga2O3 Double Gate Junctionless FET with an Efficient Volume Depletion Region

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: The European Physical Journal - Plus (EPJ Plus)
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 3.911
🗓 سال چاپ: 2021
💬 اعتبار ژورنال = Q1
Investigation of 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless MOSFET including negative capacitance and quantum confinements

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی و آقای فرشاد قلی پور از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: Silicon
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 2.67
🗓 سال چاپ: 2021
💬 اعتبار ژورنال = Q2
A New Technique for Improving Kink Effect in High-Voltage LDMOS Transistors: M-shape Drift Region

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی و آقای مهدی خورابه از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: Silicon
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 2.67
🗓 سال چاپ: 2021
💬 اعتبار ژورنال = Q2
Improvement of a Novel SOI- MESFET with an Embedded GaN Layer for High-Frequency Operations

🌀 #معرفی_مقاله

اولین مقاله ISI خودم که به تنهایی نوشته شده است
💢 ژورنال: Silicon
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 2.67
🗓 سال چاپ: 2021
💬 اعتبار ژورنال = Q2
β-Ga2O3 Junctionless FET with an Ω Shape 4H-SiC Region in Accumulation Mode

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی و خانم آیدا معتمدی از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: Computational Electronics
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 1.807
🗓 سال چاپ: 2022
💬 اعتبار ژورنال = Q2
Physical analysis of β-Ga2O3 gate-all-around nanowire junctionless transistors: short-channel effects and temperature dependence

🌀 #معرفی_مقاله

جدیدترین مقاله بنده با همکاری پروفسور علی اصغر اروجی و آقای فرشاد قلی پور از دانشگاه سمنان
💢 ژورنال: Computational Electronics
🔅 از مجموعه ژورنال های اشپرینگر
📶 ایمپکت فکتور ژورنال: 1.807
🗓 سال چاپ: 2022
💬 اعتبار ژورنال = Q2
An embedded β-Ga2O3 layer in a SOI-LDMOS to improve breakdown voltage

🌀 #Paper introduction

My latest ISI article in collaboration with Professor Ali Asghar Orouji from Semnan University

💢 Journal: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials
🔅 From the collection of Wiley Publications
📶 Journal Impact Factor: 1.981
🗓 Year: 2022
💬 Quartile of Journal: Q2

Stacked Single Gate SOI 4H-SiC Junctionless FET with a Buried P-type 4H-SiC layer
Free Link : Free Link

My latest ISI article entiteled: Investigation of Junctionless Fin-FET Characterization in Deep Cryogenic Temperature: DC and RF analysis

💢 Journal: IEEE Access
🔅 From the collection of IEEE
📶 Journal Impact Factor: 3.48
🗓 Year: 2022
💬 Quartile of Journal: Q1

https://ieeexplore.ieee.org/document/9978291

My latest ISI paper with Dr. Gharibshahian, and professor orouji entiteled: High-performance α-FAPbI3 perovskite solar cells with an optimized interface energy band alignment by a Zn(O,S) electron transport layer

💢 Journal: Journal of Materials Science: Materials in Electronics
🔅 From the collection of Springer
📶 Journal Impact Factor: 2.78
🗓 Year: 2023
💬 Quartile of Journal: Q2

https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-022-09565-z

s10854-022-09565-z.pdf

My latest ISI paper with Dr. Saeid Mohammadi entiteled: Junction-less SOI FET with an Embedded p+ Layer: Investigation of DC, RF, and Negative Capacitance Characteristics


💢 Journal: Silicon Journal
🔅 From the collection of Springer
📶 Journal Impact Factor: 2.941
🗓 Year: 2023
💬 Scopus Quartile of Journal: Q2

https://link.springer.com/article/10.1007/s12633-023-02315-8

My latest ISI paper with Mr. Seyed Mohammad Hosein Jafari, and Dr. Orouji entiteled: A Modulation Electric Field Technique to Improve the LD-MOSFET Performance with a P-type Ga2O3 Pocket

💢 Journal: Silicon Journal
🔅 From the collection of Springer
📶 Journal Impact Factor: 2.941
🗓 Year: 2023
💬 Scopus Quartile of Journal: Q2

https://link.springer.com/article/10.1007/s12633-023-02326-5

My latest ISI paper with Dr. Saeid Mohammadi entitled: Switching performance assessment of gate-all-around InAs–Si vertical TFET with a triple metal gate, a simulation study

💢 Journal: Nanoscale Research Letters
🔅 From the collection of Springer
📶 Journal Impact Factor: 5.41
🗓 Year: 2023
💬 Scopus Quartile of Journal: Q1

https://link.springer.com/article/10.1186/s11671-023-03816-6