다시 힘받는 낙관론에 뉴욕증시 상승…S&P500, 전쟁 손실 만회(종합) | 연합뉴스

도널드 트럼프 미 대통령은 이날 백악관에서 기자들과 만나 "(이란 측으로부터) 연락을 받아왔다"며 "그들은 합의를 매우 간절하게 원한다"고 말했다.

이란에 대한 해상봉쇄가 시작됐다고 공식 확인한 데 이어 나온 발언이었지만, 시장은 양국 간 합의 가능성에 주목했다.

여기에 미국과 이란이 물밑에서 접촉을 이어가고 있다는 미 언론 보도들이 나오면서 뉴욕증시는 상승세로 돌아섰다.

https://www.yna.co.kr/view/AKR20260414006751072

샌디스크 12% 폭등, 반도체지수 1.68%↑ 9000 돌파(종합) - 뉴스1

월가 최대의 낸드 메모리 업체 샌디스크가 12% 정도 폭등하는 등 대부분 반도체주가 랠리, 반도체지수도 1.68% 상승, 9000포인트를 돌파했다.

미-이란 전쟁 이후 지정학적 불안 고조로 월가의 기술주가 약세를 면치 못했었다. 그러나 이날은 다시 위험 감수 현상이 나타나며 월가의 주요 기술주가 대부분 랠리했다.

인텔이 4.49% 급등하는 등 대만의 TSMC가 0.28% 하락한 것을 제외하고 반도체주가 일제히 랠리했다.

특히 오늘도 메모리 업체의 주가가 급등했다. 샌디스크는 11.83% 폭등한 952.50달러로 장을 마감했다.이는 샌디스크가 이달 말 나스닥100에 편입한다는 소식 때문이다.

샌디스크뿐만 아니라 미국 최대 D램 업체 마이크론은 1.42%, 샌디스크의 모회사 웨스턴 디지털은 1.96% 각각 상승했다.

https://www.news1.kr/world/usa-canada/6135198

“TSMC, 첨단 패키징 공정 확장… 공장 2곳 신설” - 조선일보

대만 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 첨단 패키징(AP) 공정 확장에 나섰다.

13일 공상시보·경제일보 등 대만 언론에 따르면 TSMC가 16일 열릴 예정인 올해 1분기 실적 설명회에서 관련 계획을 공개할 예정이다. 대만 매체들은 소식통을 인용해 TSMC가 대만 북부 신주와 남부 타이난의 8인치(200㎜) 웨이퍼 공장 4곳을 순차적으로 첨단 웨이퍼 공장으로 전환하고, 기존의 패키징 테스트 공장이 첨단 2㎚(나노미터·10억분의 1ｍ)를 지원할 수 있도록 할 예정이라고 보도했다.

웨이저자 TSMC 회장은 지난 1월 실적 발표를 진행하며 올해 자본지출 규모를 작년 409억 달러(약 61조1000억원)보다 27∼37% 많은 520억∼560억달러(약 77조7000억∼83조6000억원)로 전망한 바 있다. 이런 투자는 자이·타이난 지역에 각각 첨단 패키징 7공장(AP7), 8공장(AP8)을 건설하는 데 투입된다는 것이다. TSMC는 두 공장을 첨단 패키징 중심지로 육성할 계획인 것으로 전해졌다.

운영 중인 대만 내 신주 1공장(AP1)은 신주와 타이중에서 생산하는 2나노 고급 공정에 필요한 첨단 패키징, 타오위안 룽탄 3공장(AP3)은 주로 애플 고급 프로세서에 필요한 패키징, 타이중 5공장(AP5)은 25 팹의 2나노 공정을 위한 첨단 패키징 지원을 담당할 계획인 것으로 알려졌다. 자이현 타이바오 지역에 건설 중인 AP7은 2028년 말 이후 양산이 목표라고 대만 언론은 보도했다.

https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/13/GJQTSMBSMIZTAMTDG5QWINBXGY/

“SSD가 차 한 대 값”… 기업용 30TB 제품 가격 1년 새 5배 급등 - 조선일보

인공지능(AI) 서버 수요 폭증으로 기업용 SSD(eSSD) 시장에서 이례적인 가격 급등 현상이 나타나고 있다. 14일 업계에 따르면 AI 인프라 확대의 수혜가 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 낸드플래시까지 전이되면서, 일부 고사양 제품 가격이 승용차 한 대 값에 맞먹는 수준까지 치솟았다.

스토리지 솔루션 기업 Vdura가 집계한 ‘플래시 변동성 지수(Flash Volatility Index)’에 따르면, 30테라바이트(TB)급 TLC(트리플 레벨 셀) 기반 엔터프라이즈 SSD 가격은 작년 2분기 약 3000달러(약 446만원) 수준에서 올해 1분기 1만7500달러(약 2400만원) 안팎까지 상승했다. 1년 사이 가격이 약 5배(472%) 가까이 폭등한 셈이다.

시장조사업체 트렌드포스는 올 1분기 기업용 SSD 가격이 전 분기 대비 53~58% 상승하며 역대 최대 상승폭을 기록한 데 이어, 올 2분기에도 낸드플래시 계약 가격이 70~75% 추가 상승하는 ‘메모리 쇼크’가 지속될 것으로 내다봤다.

이 같은 현상은 단순한 수급 불균형을 넘어 AI 중심으로 스토리지 시장 구조가 재편되고 있다는 신호로 해석된다. AI 서버는 기존 범용 제품보다 고용량·고성능 SSD를 집중적으로 요구하며, 제한된 낸드 생산 역량이 고부가 제품으로 쏠리면서 전체 시장 가격을 끌어올리는 구조가 형성됐다.

여기에 HDD 공급 여건도 변수로 작용하고 있다. 장기 보관용 ‘콜드 데이터’ 수요는 늘고 있으나, HDD 시장의 성장성 둔화로 공급 확대가 지연되면서 스토리지 전반의 조달 부담이 커졌다. 최근 24TB HDD 가격은 불과 수개월 만에 약 74만원에서 100만원선까지 치솟았다. SSD와 HDD의 용량 대비 가격 격차가 22.6배 이상 벌어지면서, 비용 절감을 위해 두 매체를 병행하는 ‘하이브리드 스토리지’ 전략이 다시 확산되는 흐름도 감지된다.

이는 글로벌 eSSD 시장 상위권을 형성한 삼성전자와 SK하이닉스에는 강력한 호재다. 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 지난해 약 33.8%, SK하이닉스(솔리다임 포함)는 30.2%의 점유율을 바탕으로 고부가 시장을 장악하고 있다.

https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/14/HBSDMMTGMYYGMMRSMMYGIZBRGY/

2026.04.14 15:29:53
기업명: 테크윙(시가총액: 1조 9,972억) A089030
보고서명: 단일판매ㆍ공급계약체결

계약상대 : Micron Memory Malaysia SDN. BHD.
계약내용 : 반도체 검사장비 공급계약 체결
공급지역 : 말레이시아
계약금액 : 229억

계약시작 : 2026-04-13
계약종료 : 2026-10-02
계약기간 : 5개월
매출대비 : 14.37%

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260414900549
최근계약 : https://www.awakeplus.co.kr/board/contract/089030
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=089030

[(삼성/조현렬) OCI홀딩스, 스페이스X 수주설]

보고서: bit.ly/4dFW3x0


■ News, OCI홀딩스-스페이스X 수주설

금일 장 종료 후
OCI홀딩스와 스페이스X의
태양광 폴리실리콘 장기공급계약 추진에 대한
국내 언론보도가 발표.
OCI홀딩스 말레이시아 자회사인
OCI TerraSus가 스페이스X와
약 1조원 규모로 3~5년 다년 계약 추진을 보도.


■ Details, 확인 어려우나 가능한 시나리오

해당 기사에 대한
회사 측 입장이 없기에
확인 어렵지만,
충분히 가능한 시나리오.
스페이스X가 준비 중인
태양전지는
실리콘계 HJT와 페로브스카이트
탠덤 셀로 추정.
따라서 IRA 보조금 수취 위한
비중국산 폴리실리콘 구매 유인 클 것.
현재 OCI홀딩스의 Capa
(3.5만톤/실 생산은 최대 3.2만톤) 중
50%가 장기 공급계약으로 체결되어 있기에,
현재 기사에 언급된 규모(연간 0.9~1.5만톤)는
충분히 계약가능한 상황.


■ View, 2026~28년 머스크팀 모멘텀 확대될 것

스페이스X 뿐만 아니라
Tesla도 2028년까지 미국 내 100GW의
태양광 패널(100% 실리콘계)
생산능력 확보 목표.
즉, 머스크팀(스페이스X/Tesla)의
미국 태양광 제조업 진출이
OCI홀딩스에겐
비중국 고객이 확대된다는 점에서
펀더멘털 개선 및
모멘텀 확대가 지속될 전망.
신재생 내 선호의견 유지.

(컴플라이언스 기승인)

종전협상 낙관론 지속에 美 S&P 500지수 최고치 근접(종합) | 연합뉴스

미국과 이란이 종전 협상을 재개할 것이란 기대감에 14일(현지시간) 뉴욕증시가 강세로 마감했다.

&P 500 지수는 이날 상승으로 지난 1월 28일 기록한 사상 최고치(7,002.28) 경신을 코앞에 두게 됐다.

나스닥 지수는 지난달 31일 이후 이날까지 10거래일 연속 상승 흐름을 이어갔다. 이는 2021년 11월 이후 최장 연속 상승 흐름이다.

미국과 이란 간 1차 종전 협상 결렬 이후에도 양측 간 대화가 재개될 것이란 낙관론이 시장 강세를 유지하는 원동력이 됐다.

미국과 이란 간 전쟁에 따른 에너지 가격 상승의 여파로 급등할 것으로 예상됐던 3월 미국의 생산자 물가는 우려했던 것만큼 크게 오르지는 않은 것으로 확인돼 인플레이션 관련 시장 우려를 덜었다.

이날 미 노동부가 발표한 3월 미국의 생산자물가지수(PPI) 상승률은 전월 대비 0.5%로, 다우존스 집계 전문가 전망(1.1%)을 크게 밑돌았다.

한편 종전 협상 재개 기대감에 국제 유가는 급락했다.

5월 인도분 미국산 서부텍사스산원유 선물 종가는 91.28달러로, 전장보다 7.9% 급락했고, 6월 인도분 브렌트유 선물 종가는 배럴당 94.79달러로, 전장보다 4.6% 내렸다.

https://www.yna.co.kr/view/AKR20260415007051072

목표가 상향 봇물, 마이크론 또 9% 폭등 - 뉴스1

증권사의 목표가 상향이 봇물을 이루며 미국 최대 D램 업체 마이크론이 9% 이상 폭등했다.

14일(현지 시각) 뉴욕증시에서 마이크론은 9.17% 폭등한 465.66달러를 기록했다.

이날 마이크론이 폭등한 것은 증권사가 잇달아 목표가를 상향하고 있기 때문이다.

https://www.news1.kr/world/usa-canada/6136579

삼성전자, HBM4용 D램 수율 개선 총력전… “하반기 중 완성 단계 목표” - 조선일보

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4용 D램 수율을 끌어올리는 데 총력을 기울이고 있다. 현재 업계 최첨단 10나노 6세대(1c) D램 수율은 예상보다 빠르게 끌어올렸지만, HBM4에 필요한 실효 수율은 아직 추가 보완이 필요한 상태다.

15일 업계에 따르면 삼성전자의 1c D램 수율은 최근 의미 있는 수준까지 올라온 것으로 전해졌다. 업계에서 추정하는 1c D램 수율은 소위 ‘성숙 수율’로 칭하는 80%를 넘겼다. 다만 이를 곧바로 HBM4 양산 수율과 동일 선상에서 보기는 어렵다는 게 업계의 대체적인 시각이다.

삼성전자 안팎에선 HBM4용 D램의 경우 수율이 아직 60% 미만인 것으로 추정하고 있다. 올 하반기 중 HBM4용 D램 수율을 사실상 완성 단계로 끌어올려 엔비디아를 비롯한 주요 인공지능(AI) 고객사 대응력을 높인다는 것이 현재의 계획이다. HBM4에 사용되는 D램의 경우 적층과 패키징, 발열 제어, 신호 안정성 확보 등 추가 공정이 붙기 때문에 같은 1c 공정 기반 제품이라도 범용 D램과 HBM4의 난도가 다르다.

업계에서는 삼성전자의 HBM4 전략을 두고 초기 진입은 성공적이었지만 진짜 승부는 지금부터라는 평가가 나온다. 삼성전자 입장에서는 올 하반기 중 HBM4용 D램 수율을 완성 단계에 근접시키는 것이 가장 시급한 과제가 됐다. 1c D램 수율 개선이 첨단 공정 정상화의 신호라면, HBM4 실효 수율 안정화는 인공지능(AI) 메모리 시장 주도권을 굳히기 위한 마지막 관문이라는 해석이다.

https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/15/MQZDGM3CGRRDCOLGGU3DENJVHA/

VP VANCE: WE ARE NEGOTIATING WITH IRAN. CEASEFIRE IS HOLDING ...

한국 반도체에 대한 미국 투자자 피드백 (GS)

1. 메모리 시장 전망에 대한 상반된 시각

• 미국 투자자 내 뚜렷한 견해차: 아시아 투자자들에 비해 낙관론자와 신중론자 사이의 논쟁이 훨씬 더 치열하게 전개

• 신중론(Bear)의 핵심 근거: 2026년 2분기부터 메모리 가격 상승세가 둔화되고 2026년 말이나 2027년 초부터는 가격이 하락할 수 있다는 우려

• 낙관론(Bull)의 핵심 근거: 삼성전자의 2026년 1분기 영업이익이 과거 2017-2018년 슈퍼 사이클 당시의 연간 평균 이익을 상회할 만큼 이익 창출 능력이 새로운 차원에 진입

• 밸류에이션 재평가 기대: 이익 체력 강화로 ROE가 대폭 상승함에 따라 P/B 기준 밸류에이션 배수가 과거보다 상향 조정되어야 한다는 논리

2. 장기 공급 계약(LTA)에 대한 심층 피드백

• 부정적 인식 우세: 투자자들은 장기 계약 논의가 시작되는 시점을 통상 해당 산업 업황의 정점 신호로 해석하며 회의적인 태도를 보임

• 낮은 신뢰도: 과거 메모리 산업에서 고객사들이 계약을 제대로 이행하지 않고 파기했던 사례들을 근거로 계약의 구속력을 낮게 평가

• 골드만삭스의 반론: 이번에는 공급자가 아닌 고객사가 먼저 계약을 요청할 만큼 수급이 타이트하며, 선입금이나 가격 하한선(Floor) 등 구속력 있는 조항이 포함될 가능성이 커 과거와는 질적으로 다름

3. 삼성전자와 SK하이닉스에 대한 선호도 비교

• 삼성전자에 대한 소폭 높은 선호도: 조사 대상 투자자들 사이에서 SK하이닉스보다 삼성전자에 대한 선호도가 약간 더 높게 나타남

• 삼성전자 선호 이유: 범용 메모리 비중이 높아 업황 개선 시 이익 증가 폭이 크고, HBM 시장에서의 추격 가능성 및 임박한 주주 환원 확대 정책에 기대감

• SK하이닉스 선호 이유: 높은 주가 탄력성(Beta)과 ROE 대비 매력적인 밸류에이션, 그리고 미국 ADR 상장 추진에 따른 가치 재평가 가능성

4. HBM 및 기술적 쟁점 사항

• HBM4 시장 점유율: 특정 경쟁사의 생산 확대 차질 소식이 전해지면서 고속 램프업에 문제가 없는 삼성전자가 HBM4 점유율을 확대할 것이라는 전망이 지배적

• HBM 가격의 상방 압력: 범용 DRAM 가격이 이미 HBM3E 수준을 넘어섰고 연말에는 HBM4 수준에 육박할 것으로 예상되어 2027년 HBM 가격 협상 시 공급자 우위 환경 조성

• 메모리 최적화 기술: 터보퀀트 등 최적화 기술로 인한 수요 감소 우려는 낮으며, 오히려 제본스의 역설이 적용되어 장기적으로는 전체 시장(TAM) 규모를 키울 것으로 피드백

5. 공급 제약 및 리스크 요인

• 예상치 못한 공급 과잉 가능성 차단: 향후 12-18개월 동안 유의미한 Clean Room 증설이 어려워 갑작스러운 공급 과잉이 발생할 확률은 낮다고 판단

• 중국 공급망 주시: 투자자들은 2028년 이후의 신규 공급 물량과 중국 업체들의 DRAM 및 NAND 시장 진입 속도에 대해 높은 경계심을 보임 

• 거시 경제 리스크: 중동 분쟁, 고유가, 고금리 등 대외 변수와 아직 확정되지 않은 장기 계약 조건 등으로 인해 공격적인 비중 확대에는 신중한 분위기

2026.04.15 10:59:58
기업명: 테크윙(시가총액: 2조 935억) A089030
보고서명: 연결재무제표기준영업(잠정)실적(공정공시)

매출액 : 524억(예상치 : 455억+/ 15%)
영업익 : 97억(예상치 : 28억/ +246%)
순이익 : -(예상치 : -)

**최근 실적 추이**
2026.1Q 524억/ 97억/ -
2025.4Q 339억/ 6억/ -45억
2025.3Q 418억/ 71억/ -67억
2025.2Q 489억/ 64억/ 217억
2025.1Q 346억/ 18억/ -16억

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260415900206
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=089030

종전 낙관론 지속에 美 S&P500·나스닥 지수 사상 최고치 마감(종합) | 연합뉴스

미·이란 종전 협상 낙관론이 지속된 가운데 뉴욕증시 대표 주가지수인 스탠더드앤드푸어스(S&P) 500 지수와 나스닥 종합지수가 사상 최고치를 경신했다.

이날 강세 마감으로 뉴욕증시 주요 지수는 미·이란 전쟁 충격에 따른 하락분을 만회한 것을 넘어서 강한 상승 흐름을 이어가는 분위기다.

도널드 트럼프 미국 대통령은 이날 폭스비즈니스 방송과의 인터뷰에서 이란과의 전쟁 종료 시점에 대해 "곧 끝날 것"이라고 말해 시장의 종전 협상 낙관론을 뒷받침했다.

1분기 실적 발표 시즌이 시작된 가운데 기업들이 호실적을 내놓을 것이란 기대감도 전쟁 불확실성으로 억눌렸던 투자 심리가 되살아나는 데 기여했다.

https://www.yna.co.kr/view/AKR20260416007952072

머스크 자체 개발 AI칩 공개, 테슬라 8% 급등(상보) - 뉴스1

일론 머스크 테슬라 최고경영자가 자체 개발한 인공지능(AI) 전용 칩을 공개하자 테슬라 주가가 8% 가까이 폭등했다.

이날 머스크는 자신의 X(옛 트위터)에 AI5 칩의 ‘테이프아웃(Tape-out)’ 소식을 공개했다.

https://www.news1.kr/world/usa-canada/6138035

#파운드리

머스크 “AI5 칩 설계 완료... 삼성전자·TSMC에 감사” - 조선일보

일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 차세대 인공지능(AI) 칩 ‘AI5′의 설계를 마쳤다고 밝혔다. AI5를 생산하는 삼성전자와 대만 TSMC에 대한 감사의 뜻도 밝혔다.

머스크 CEO는 15일 X(옛 트위터) 계정을 통해 “테슬라 AI 칩 설계 팀이 AI5 테이프 아웃을 해낸 것을 축하한다”며 “AI6, 도조3 등 흥미로운 칩들을 개발하고 있다”고 밝혔다. 테이프 아웃은 칩 설계를 최종 확정해 제조 단계로 넘긴다는 뜻이다.

머스크는 AI5 칩을 생산하는 삼성전자와 TSMC를 향해 “생산을 지원해줘서 고맙다”며 “이 칩은 역사상 가장 많이 생산되는 AI 칩 중 하나가 될 것”이라고 했다.

https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/15/LANTDNYETNFZ5JYXHYINXP5YYM/

ASML “1분기 한국 EUV 반입 집중”…삼성 신규 팹 가동 임박 - 전자신문

삼성전자와 SK하이닉스의 신규 팹 가동이 임박한 것으로 나타났다. ASML의 극자외선(EUV) 노광장비가 이미 한국 고객사들 팹에 장비 반입을 완료, 올해 1분기 매출을 인식한 것으로 나타났다.

EUV는 주문부터 설치완료까지 리드타임이 12~24개월로 오래 걸려, 통상 장비의 제어권이 고객에게 넘어가는 시점에 이를 매출로 인식한다.

ASML은 15일(현지시간) 진행된 2026년 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “한국의 메모리 제조사들이 차세대 HBM(고대역폭메모리) 및 선단 공정 전환을 위해 최신 EUV 장비를 대거 확충했다”며 “한국 지역 매출 급등의 원인은 기존 주문분의 대량 인도뿐만 아니라, 신규 팹에 대한 장비 반입(Move In)이 1분기에 집중된 영향”이라고 밝혔다.

ASML은 한국 고객사명을 직접 언급하지 않았지만, 1분기 실적 기여 상당 부분은 삼성전자와 SK하이닉스로 좁혀진다. 1대에 수천억원에 달하는 EUV 장비를 수십대 규모로 들여놓을 수 있는 신규 팹은 현재 삼성전자 P4/P5팹과 SK하이닉스 M15X 정도밖에 없다.

이와 관련 로저 다센 ASML 최고재무책임자(CFO)는 “한국 시장의 비중 확대는 매우 전략적인 움직임이며, AI 반도체의 핵심인 HBM4와 D램 공정에서 리소그래피 기술의 중요성이 그 어느때보다 커졌다”며 “하이-NA EUV도 현재 메모리 고객사들도 기술검증 단계에서 매우 활발하게 참여하고 있고, 2026년 말에서 2027년 경 메모리 생산에 실질적으로 기여할 것으로 기대한다”고 설명했다.

https://m.etnews.com/20260416000002

#HBM4E

삼성전자, 7세대 HBM 개발 속도… 5월 첫 샘플 나온다 - 조선일보

HBM4와 동일한 공정 활용… 기술적으로 안정

삼성전자가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 개발에 속도를 높이고 있다. 다음 달 목표 성능에 도달한 첫 번째 HBM4E 샘플 개발을 완료할 계획인 것으로 전해졌다. 삼성전자는 이를 토대로 내부 검증을 완료한 뒤 고객사에 납품할 방침이다. 최근 6세대 HBM(HBM4)의 업계 첫 양산 출하를 공식 발표한 가운데, 차세대 HBM 시장까지 선점하겠다는 전략이다.

16일 업계에 따르면, 삼성전자는 다음 달 HBM4E의 첫 번째 샘플을 생산할 계획인 것으로 파악됐다. 직전 세대 대비 성능을 대폭 개선한 HBM4E의 두뇌를 담당하는 로직 다이 샘플을 다음 달 중순까지 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부에서 생산해 메모리 사업부에 전달하고, 이를 HBM4E용 D램과 함께 패키징해 샘플을 제조할 방침이다. 삼성전자는 내부 성능 평가를 거쳐 목표 수준에 도달한 샘플을 엔비디아에 납품할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 HBM4E 개발에 속도를 높여 차세대 HBM 시장을 선점하겠다는 계획이다. 앞서 삼성전자는 HBM4에서 경쟁사 대비 첨단 공정을 적용하는 승부수를 띄웠고, 업계 첫 양산 출하에 성공했다고 밝힌 바 있다. HBM4의 로직 다이와 HBM4용 D램 모두 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론에 비해 앞선 공정을 활용해 성능에서 우위를 점했다는 게 회사 측 설명이다. 현재는 수익성 제고를 위해 총력을 다하고 있는 것으로 전해진다.

삼성전자는 HBM4E에 HBM4와 동일하게 로직 다이에 4나노 파운드리 공정을, D램은 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한다. 일부 성능 개선을 위한 세부 공정이 새로 적용돼 완전히 같은 공정은 아니지만, HBM4E에 처음으로 파운드리 첨단 공정과 1c D램을 활용하는 경쟁사와 비교하면 기술적으로 안정돼 있다는 평가가 나온다.

https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/16/MRQTCNZYGA2WCNBSMI4DQZRXMM/