1억이 아니라 2억원 정도. 아틀라스 1대당....#아틀라스' 산다…현대차 '파격 승부수' 근데. 이게 추후 인건비절감으로 간다....그리고 제조원가는 내려간다....아틀라스' 산다…현대차 '파격 승부수' https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0005239828?rc=N&ntype=RANKING&sid=001
👍8❤2
#티에스이, HBM 프로브카드 '메모리 3사' 뚫었다
티에스이(TSE)가 국내외 메모리반도체업체의 고대역폭메모리(HBM)용 프로브카드 품질(퀄) 테스트를 통과했다. 외산이 과점하던 HBM용 프로브카드 시장에 국내 업체가 본격 진입하는 셈이다.
티에스이 관계자는 20일 "여러 반도체업체로부터 HBM용 프로브카드 퀄 테스트 승인을 받았다"며 "A 기업과 공급 일정을, B 기업과 양산 물량을 협의하고 있다"고 밝혔다. A 기업과 B 기업 모두 양산 공급이 확정됐다.
프로브카드는 웨이퍼 위 칩(다이)을 검사할 때 사용하는 테스트 소모품이다. 칩-테스트 장비(테스터) 간 신호를 이어주는 인터페이스로, 테스터의 전기 신호를 미세한 바늘(핀) 변환해 칩에 전달한다. 프로브카드 테스트는 전 공정 완료 후 패키징 전에 수행한다.
프로브카드는 낸드플레시, D램, HBM용 순으로 기술 난도가 높다. D램용 프로카드가 낸드에 비해 검사 핀이 2~3배 많고, HBM용은 D램보다 핀이 3배 가량 많기 때문이다. 국내 업체가 D램용 프로브카드를 국산화한 것도 최근 일이다.
가격도 HBM용 프로브카드가 낸드용 프로브카드보다 2~3배 비싼 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "낸드용 프로브카드는 보통 1억원 내외"라며 "D램용 프로브카드는 2억~3억원 수준"이라고 말했다. 이어 "낸드용은 사양에 따라 3만~5만개의 핀이 필요하고, D램용은 최소 5만개 이상, HBM용은 사양에 따라 최대 15만개의 핀이 들어간다"며 "HBM용 프로브카드는 사양에 따라 D램용 가격과 비슷하거나 더 비쌀 수 있다"고 부연했다. HBM의 실리콘관통전극(TSV)의 미세 간격에 대응해 핀을 배열해야하기 때문이다. 시장조사기관 모르도르 인텔리전스에 따르면 첨단 프로브카드의 경우 개당 가격이 최대 36억원에 달한다.
메모리 업체들은 그동안 주로 미국·일본 업체가 만든 HBM용 프로브카드를 사용했다. 미국 폼팩터와 일본 MJC·JEM 등이 주로 공급했다.
티에스이는 "그동안 HBM용 프로브카드의 핀을 미세 간격(피치)으로 배치하는 기술 확보가 어려웠으나, 이를 확보했다"고 밝혔다. 이어 "티에스이는 프로브카드 제조 수직 계열화가 잘 돼 있다"며 "프로브카드 자체 기술력과 경쟁사 대비 80% 저렴한 단가와 빠른 기술 지원으로 시장 진입장벽을 넘었다"고 강조했다. 티에스이 자회사 타이거일렉이 프로브카드용 주 인쇄회로기판(PCB)을, 메가터치가 핀을 제조·공급한다. TSE의 낸드용 프로브카드 가격은 약 3200만원 수준으로 추산된다
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=51084
티에스이(TSE)가 국내외 메모리반도체업체의 고대역폭메모리(HBM)용 프로브카드 품질(퀄) 테스트를 통과했다. 외산이 과점하던 HBM용 프로브카드 시장에 국내 업체가 본격 진입하는 셈이다.
티에스이 관계자는 20일 "여러 반도체업체로부터 HBM용 프로브카드 퀄 테스트 승인을 받았다"며 "A 기업과 공급 일정을, B 기업과 양산 물량을 협의하고 있다"고 밝혔다. A 기업과 B 기업 모두 양산 공급이 확정됐다.
프로브카드는 웨이퍼 위 칩(다이)을 검사할 때 사용하는 테스트 소모품이다. 칩-테스트 장비(테스터) 간 신호를 이어주는 인터페이스로, 테스터의 전기 신호를 미세한 바늘(핀) 변환해 칩에 전달한다. 프로브카드 테스트는 전 공정 완료 후 패키징 전에 수행한다.
프로브카드는 낸드플레시, D램, HBM용 순으로 기술 난도가 높다. D램용 프로카드가 낸드에 비해 검사 핀이 2~3배 많고, HBM용은 D램보다 핀이 3배 가량 많기 때문이다. 국내 업체가 D램용 프로브카드를 국산화한 것도 최근 일이다.
가격도 HBM용 프로브카드가 낸드용 프로브카드보다 2~3배 비싼 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "낸드용 프로브카드는 보통 1억원 내외"라며 "D램용 프로브카드는 2억~3억원 수준"이라고 말했다. 이어 "낸드용은 사양에 따라 3만~5만개의 핀이 필요하고, D램용은 최소 5만개 이상, HBM용은 사양에 따라 최대 15만개의 핀이 들어간다"며 "HBM용 프로브카드는 사양에 따라 D램용 가격과 비슷하거나 더 비쌀 수 있다"고 부연했다. HBM의 실리콘관통전극(TSV)의 미세 간격에 대응해 핀을 배열해야하기 때문이다. 시장조사기관 모르도르 인텔리전스에 따르면 첨단 프로브카드의 경우 개당 가격이 최대 36억원에 달한다.
메모리 업체들은 그동안 주로 미국·일본 업체가 만든 HBM용 프로브카드를 사용했다. 미국 폼팩터와 일본 MJC·JEM 등이 주로 공급했다.
티에스이는 "그동안 HBM용 프로브카드의 핀을 미세 간격(피치)으로 배치하는 기술 확보가 어려웠으나, 이를 확보했다"고 밝혔다. 이어 "티에스이는 프로브카드 제조 수직 계열화가 잘 돼 있다"며 "프로브카드 자체 기술력과 경쟁사 대비 80% 저렴한 단가와 빠른 기술 지원으로 시장 진입장벽을 넘었다"고 강조했다. 티에스이 자회사 타이거일렉이 프로브카드용 주 인쇄회로기판(PCB)을, 메가터치가 핀을 제조·공급한다. TSE의 낸드용 프로브카드 가격은 약 3200만원 수준으로 추산된다
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=51084
디일렉(THE ELEC)
티에스이, HBM 프로브카드 '메모리 3사' 뚫었다 - 디일렉(THE ELEC)
티에스이(TSE)가 국내외 메모리반도체업체의 고대역폭메모리(HBM)용 프로브카드 품질(퀄) 테스트를 통과했다. 외산이 과점하던 HBM용 프로브카드 시장에 국내 업
❤8
Forwarded from 하나 중국/신흥국 전략 김경환
·중국 탄산리튬 선물 +8.99% 상한가 마감
•16만위안/톤 회복
>商品期货收盘,碳酸锂主力合约涨停、涨幅8.99%,沪银、沪锡涨超3%,PTA涨超2%,沪金、钯涨近2%。焦煤跌超4%,焦炭
•16만위안/톤 회복
>商品期货收盘,碳酸锂主力合约涨停、涨幅8.99%,沪银、沪锡涨超3%,PTA涨超2%,沪金、钯涨近2%。焦煤跌超4%,焦炭
🤩1
#DB하이텍(시가총액: 3조 6,848억)
보고서명: 주요사항보고서(자기주식처분결정)
* 보통주
처분수량 : 300,816주(258억)
전체대비 :
* 우선주
처분수량 : (-)
전체대비 :
처분목적 : 종업원 상여 및 사내근로복지기금 출연
중개업자 : -
결정일자 : 2026-01-20
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260120000357
보고서명: 주요사항보고서(자기주식처분결정)
* 보통주
처분수량 : 300,816주(258억)
전체대비 :
* 우선주
처분수량 : (-)
전체대비 :
처분목적 : 종업원 상여 및 사내근로복지기금 출연
중개업자 : -
결정일자 : 2026-01-20
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260120000357
❤4
제법 뭔 이야기같으면서도..어쩌면 할 수 있는 부분........배터리업계에선 전기자동차와 에너지저장장치(ESS)에 이은 미래 먹거리로 휴머노이드를 꼽는다. 휴머노이드 특성상 고효율 배터리가 반드시 장착돼야 하기 때문이다. 유니트리 등 중국 기업들이 휴머노이드 양산에 들어간 데 이어 테슬라와 보스턴다이내믹스 등도 양산 계획을 밝힌 만큼 몇 년 안에 큰 시장이 열릴 것으로 배터리업계는 기대하고 있다. #2차전지 #배터리 #로봇배터리..........https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0005239844?rc=N&ntype=RANKING&sid=001
Naver
"인간형 로봇 97조 시장…韓 삼원계 배터리 유리"
배터리업계에선 전기자동차와 에너지저장장치(ESS)에 이은 미래 먹거리로 휴머노이드를 꼽는다. 휴머노이드 특성상 고효율 배터리가 반드시 장착돼야 하기 때문이다. 유니트리 등 중국 기업들이 휴머노이드 양산에 들어간 데
👍15❤3
또 돈땡겼네.................#엔켐(시가총액: 1조 3,787억)
보고서명: 주요사항보고서(전환사채권발행결정)
발행금액 : 105억(전체대비 : 0.75%)
발행방법 : 사모
전환가액 : 63,833원(현재가 : 5,098원)
최저조정 : 44,700원
표면이율 : 0.0%
만기이율 : 3.0%
납입일자 : 2026-01-29
청구시작 : 2027-01-30
청구종료 : 2028-12-29
* 투자자
이차전지자산관리
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260120000352
보고서명: 주요사항보고서(전환사채권발행결정)
발행금액 : 105억(전체대비 : 0.75%)
발행방법 : 사모
전환가액 : 63,833원(현재가 : 5,098원)
최저조정 : 44,700원
표면이율 : 0.0%
만기이율 : 3.0%
납입일자 : 2026-01-29
청구시작 : 2027-01-30
청구종료 : 2028-12-29
* 투자자
이차전지자산관리
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20260120000352
❤2