하이닉스 vs 삼성전자 HBM4 수율차이 약 1.5배 (디지타임스)

디지타임스: 삼성전자의 HBM4 수율이 50~60%보다 낮지만, 하이닉스는 80~90%를 목표로 하고 있어

디지타임즈의 소식통에 따르면 삼성의 HBM 전용 1c D램 수율은 여전히 50%에서 60% 수준이며 안정적으로 70%를 넘지 못하고 있고, 최종 패키징 수율은 이보다 낮을 것으로 예상됩니다. 또한, 삼성의 12단 HBM3E 수율은 2025년 하반기에 약 70%에 도달했으나, 안정적인 양산을 위해 필요하다고 널리 인식되는 80% 수준에는 못 미쳤습니다. 반면 SK하이닉스는 더 강력한 수율 기반을 가지고 HBM4 사이클에 진입합니다. 기존 HBM3E 제품은 대략 80%에서 90%의 수율을 달성했으며, 회사는 패키징 공정의 추가 개선을 통해 HBM4 수율도 비슷한 수준으로 유지하는 것을 목표로 하고 있습니다. 분석가들은 이러한 수율 우위가 성능 지표가 다르더라도 SK하이닉스가 선도적인 HBM 공급업체로서의 지위를 유지할 수 있는 밑바탕이 된다고 말합니다.

삼성전자는 HBM4 제품에 SK하이닉스보다 앞선 1c D램 공정 노드를 사용하고 있으며, HBM 로직 다이에도 SK하이닉스나 마이크론보다 먼저 4나노 공정을 채택했습니다. 이러한 선택은 성능 면에서 삼성전자에 우위를 제공할 것으로 기대됩니다. 반면 SK하이닉스는 안정적인 수율을 바탕으로 상업적 우위를 확보하는 전략을 취하고 있는 것으로 보입니다.

업계 소식통은 삼성전자가 2026년 2월부터 HBM4 출하에 자신감을 보임에 따라, SK하이닉스가 양산 능력을 확대한다는 소식은 제품 성능에 대한 시장의 우려를 불식시키고 HBM 시장에서의 주도권을 유지하기 위한 상업적 실현 가능성을 입증하려는 의도로 보인다고 전했습니다.

https://www.digitimes.com/news/a20260204PD215/samsung-hbm4-sk-hynix-policy-technology.html?mod=3&q=HBM
https://www.digitimes.com/news/a20260203PD221/sk-hynix-hbm4-nvidia-dram-production.html?mod=3&q=HBM
https://www.g-enews.com/view.php?ud=202602050619382481fbbec65dfb_1
https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0005247064?sid=101