Думаю многим будет интересно посмотреть как выглядит сервер для задач искусственного интеллекта.
STH обозревает продукт от Supermicro, особенно хочется отменить механику (мне понравилась идея с ручками мидплейна на странице 4) и систему охлаждения.
STH обозревает продукт от Supermicro, особенно хочется отменить механику (мне понравилась идея с ручками мидплейна на странице 4) и систему охлаждения.
ServeTheHome
Supermicro SYS-821GE-TNHR 8x NVIDIA H200 GPU Air Cooled AI Server
In our Supermicro SYS-821GE-TNHR review, we see what makes this super popular 8U air-cooled NVIDIA HGX H200 server the standard setter
👍4❤1
Сегодня поговорим об утечках и как с ними бороться.
Сталкивались ли вы с положительным потенциалом на отключенном домене питания? Самый вероятный сценарий появления напряжения на отключенном питании связан с утечками через соседние домены.
Рассмотрим пример:
На картинке 1 представлены две цифровые микросхемы, микросхема DD1 питается от домена 3V3_STB, DD2 от 3V3. Предположим, 3V3_STB присутствует, 3V3 отключено, в этом случае на питании 3V3 гарантировано появится потенциал. Его размер зависит от токонесущей способности выводов A1 - A3 и сопротивления между 3V3 и землей.
Почему так происходит?
Рассмотрим детальнее выводы A1 и D1. На картинке 2 представлена внутренняя структура микросхемы DD2. На входах цифровых микросхем стоят защитные диоды на питание и землю, через них и будет происходить утечка на 3V3.
На картинке 3 показан путь тока, домен 3V3_STB отказывается соединен с доменом 3V3 через транзистор и диод.
Есть несколько вариантов решения проблемы утечек:
1. Уменьшить сопротивление шины 3V3 (картинка 4). В этом случае ток, формируемый микросхемой, подключенной к домену 3V3_STB создаст лишь небольшое падение на резисторе.
2. Разорвать путь протекания тока. Для этих целей можно использовать буфер с высокоомным выходом (картинка 5). Буфер транслирует сигналы с входа на выход только при наличии питания 3V3 на выводе OE.
3. Снизить ток утекающий в домен. Для этого достаточно добавить последовательные резисторы между A1 и D1.
4. Программно запрещать (при такой возможности) выставлять логическую единицу на выводе A1 до установления питания 3V3.
Сталкивались ли вы с положительным потенциалом на отключенном домене питания? Самый вероятный сценарий появления напряжения на отключенном питании связан с утечками через соседние домены.
Рассмотрим пример:
На картинке 1 представлены две цифровые микросхемы, микросхема DD1 питается от домена 3V3_STB, DD2 от 3V3. Предположим, 3V3_STB присутствует, 3V3 отключено, в этом случае на питании 3V3 гарантировано появится потенциал. Его размер зависит от токонесущей способности выводов A1 - A3 и сопротивления между 3V3 и землей.
Почему так происходит?
Рассмотрим детальнее выводы A1 и D1. На картинке 2 представлена внутренняя структура микросхемы DD2. На входах цифровых микросхем стоят защитные диоды на питание и землю, через них и будет происходить утечка на 3V3.
На картинке 3 показан путь тока, домен 3V3_STB отказывается соединен с доменом 3V3 через транзистор и диод.
Есть несколько вариантов решения проблемы утечек:
1. Уменьшить сопротивление шины 3V3 (картинка 4). В этом случае ток, формируемый микросхемой, подключенной к домену 3V3_STB создаст лишь небольшое падение на резисторе.
2. Разорвать путь протекания тока. Для этих целей можно использовать буфер с высокоомным выходом (картинка 5). Буфер транслирует сигналы с входа на выход только при наличии питания 3V3 на выводе OE.
3. Снизить ток утекающий в домен. Для этого достаточно добавить последовательные резисторы между A1 и D1.
4. Программно запрещать (при такой возможности) выставлять логическую единицу на выводе A1 до установления питания 3V3.
👍7❤4🔥3
Думаю, опытным схемотехникам приведенные выше приемы хорошо известны. Теперь же, я приведу более интересный пример из смежной области, который давно обсуждал с коллегами.
Предположим, у вас есть материнская плата (Baseboard) и карточка (Add-in card). На материнской плате стоит I2C буфер (DD1), линии которого подтянуты к 3V3. I2C материнской платы идет на разъем PCIe карты. На карточке стоит I2C устройство (DD2), линии которого подтянуты к локальному домену питания 3V3_AIC, формируемому на карточке.
Что произойдет с I2C шиной материнской платы в момент вставления карты в разъем и как можно изменить схему, чтобы этого не произошло?
Предположим, у вас есть материнская плата (Baseboard) и карточка (Add-in card). На материнской плате стоит I2C буфер (DD1), линии которого подтянуты к 3V3. I2C материнской платы идет на разъем PCIe карты. На карточке стоит I2C устройство (DD2), линии которого подтянуты к локальному домену питания 3V3_AIC, формируемому на карточке.
Что произойдет с I2C шиной материнской платы в момент вставления карты в разъем и как можно изменить схему, чтобы этого не произошло?
🤔6🔥3👍1
С первой ревизии
Понравилось задача из одной книги по архитектуре. Довольно редкий случай, когда решений подобных задач может помочь в работе. Коллеги инженеры, у кого какие идеи?
Мои рассуждения по поводу задачи:
У нас есть 8 ядер по 2 CPI (циклов на инструкцию) на частоте 3 ГГц время на выполнение одной инструкции:
(1 / 3ГГц * 8) * 2 = 83 пс, это 1 / 83 пс = 12 * 10^9 инструкций за секунду.
Из них 12 * 10^9 * 0.67% = 80.4 * 10^6 промахов за секунду.
Требуемая пропускная способность будет равна количеству промахов за секунду на размерность шины L2, поскольку L2 обращается к SDRAM в момент промаха.
Итого требуемая пропускная способность:
80.4 * 10^6 * 32 B = 2572.8 MB/c, если требуется в два раза больше то 5146 MB/с, это соотвествует одной планке DDR2-667 исходя из картинки в комментариях.
У нас есть 8 ядер по 2 CPI (циклов на инструкцию) на частоте 3 ГГц время на выполнение одной инструкции:
(1 / 3ГГц * 8) * 2 = 83 пс, это 1 / 83 пс = 12 * 10^9 инструкций за секунду.
Из них 12 * 10^9 * 0.67% = 80.4 * 10^6 промахов за секунду.
Требуемая пропускная способность будет равна количеству промахов за секунду на размерность шины L2, поскольку L2 обращается к SDRAM в момент промаха.
Итого требуемая пропускная способность:
80.4 * 10^6 * 32 B = 2572.8 MB/c, если требуется в два раза больше то 5146 MB/с, это соотвествует одной планке DDR2-667 исходя из картинки в комментариях.
🔥8🤯2👍1
PCB_Design.pdf
762.9 KB
Нашел в своих закромах документ с вопросами для подготовки к собеседованию по топологии. Вопросы идут по возрастанию сложности от «что такое печатная плата» до технологических процессов и высокоскоростных интерфейсов.
🔥11❤6👍4💊1
Мой первый пост на Хабре, в котором разбираю тестовое задание на схемотехника в Яндекс.
Обсудить или предложить улучшения можно в любых комментариях.
Обсудить или предложить улучшения можно в любых комментариях.
👍22❤3👎1
Forwarded from Встраиваемые системы
Rugged Embedded Systems. Computing in Harsh Environments.pdf
13.8 MB
Книга Rugged Embedded Systems. Computing in Harsh Environments.
В книге рассматриваются различные вопросы, которые возникают при проектировании электроники и, в частности, вычислительных систем для встраиваемого применения.
Кроме того, после каждого раздела содержится огромное количество ссылок на литературу, что само по себе ценно.
#Rugged
✔️ Встраиваемые системы. Подписаться.
В книге рассматриваются различные вопросы, которые возникают при проектировании электроники и, в частности, вычислительных систем для встраиваемого применения.
Кроме того, после каждого раздела содержится огромное количество ссылок на литературу, что само по себе ценно.
#Rugged
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥6❤1
Почему стабилитроны на 4,5-5,5В самые лучшие?
Взглянем на графики импеданса и температурного коэффициента стабилитрона в зависимости от напряжения пробоя.
Температурный коэффициент ниже этого диапазона отрицательный, выше - положительный. Аналогично с импедансом.
С чем это связано?
Эффект туннельного пробоя с отрицательным температурным коэффициентом преобладает на малых напряжениях. На высоких напряжениях доминирует эффект лавинного пробоя с положительным температурным коэффициентом. Эти два эффекта сталкиваются в диапазоне напряжений 4,5-5,5В, компенсируя друг друга. Этим и объясняется популярность стабилитронов в этом диапазоне.
Взглянем на графики импеданса и температурного коэффициента стабилитрона в зависимости от напряжения пробоя.
Температурный коэффициент ниже этого диапазона отрицательный, выше - положительный. Аналогично с импедансом.
С чем это связано?
Эффект туннельного пробоя с отрицательным температурным коэффициентом преобладает на малых напряжениях. На высоких напряжениях доминирует эффект лавинного пробоя с положительным температурным коэффициентом. Эти два эффекта сталкиваются в диапазоне напряжений 4,5-5,5В, компенсируя друг друга. Этим и объясняется популярность стабилитронов в этом диапазоне.
❤8👍4💯1
Небольшая статья про подходы к оценке временной разбежки между электрическими сигналами на плате. Хорошее напоминание о том, зачем требуется выравнивать фазу, главное делать это с умом.
👍10❤2
Написал статью про конденсаторы, будет интересна для инженеров всех уровней. Начинаем с классификации, а под конец разбираем неожиданные сюрпризы от этих ребят.
Teletype
Как выбрать конденсатор?
При переходе в категорию "конденсаторы" на сайтах популярных дистрибьютеров можно увидеть до миллиона результатов. Какой же выбрать...
❤13👍11🔥3❤🔥1💯1
Aluminium capacitors.pdf
4 MB
В продолжении темы конденсаторов.
Наткнулся на такой интересный документик по электролитам пока писал статью.
Наткнулся на такой интересный документик по электролитам пока писал статью.
👍8❤5🔥4
LVDS Owner’s Manual.pdf
3.2 MB
Прекрасное пособие по LVDS и не только. Автор рассказывает с какими проблемами вы столкнетесь на высоких частотах и как их решать. Расскажут про терминацию, потери и отражения, как моделировать тракт сигнал и настраивать эквалайзеры. И все это с реальными примерами.
👍16🔥7
Forwarded from Господа Топологи (Lock Dok)
TI PCB Design Guidelines for Reduced EMI.pdf
372.8 KB
PCB Design Guidelines For Reduced EMI
Texas Instruments 1999
Texas Instruments 1999
👍10
Зачем нужны эквалайзеры для высокоскоростных интерфейсов?
Рассказываю про их назначение, архитектуру и применения в реальных системах.
Рассказываю про их назначение, архитектуру и применения в реальных системах.
Teletype
Разбираемся с высокочастными эквалайзерами
Предположим, у вас есть передатчик TX и приемник RX, которые соединены трактом. Пусть TX - DP порт PCIe CPU, а RX - UP порт PCIe...
🔥17👍5😍1
