#фотоцитата
#Силантьев
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата

к.ф.-м.н., Иванов Владимир Викторович, зам. руководителя приоритетного технологического направления «Электронные технологии» по формированию и переносу изображения, НИИМЭ:

Современные методы вычислительной литографии обеспечивают высокую точность моделирования, однако сопровождаются значительными вычислительными затратами и сложностями с производительностью. Совместное использование физического моделирования и машинного обучения открывает путь к созданию нового поколения гибридных вычислительных систем, способных не только предсказывать, но и активно оптимизировать любые технологические процессы Дальнейшее развитие этого направления через создание отраслевых стандартов и открытых датасетов будет иметь критическое значение для поддержания темпов технологического прогресса.

#Иванов
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата

к.т.н. Усачев Николай Александрович, НИЯУ МИФИ:

Характеризация технологических процессов (ТП) является необходимым условием контрактного производства ЭКБ как общего применения, так и для систем критической инфраструктуры. В ходе этапов характеризации формируется массив данных, необходимых для проектирования и понимания возможности использования ТП для создания доверенной ЭКБ.

🤩 ТРЕК ОБЗОРНО-ДИСКУССИОННЫХ ЗАСЕДАНИЙ
«Доверенные ПАК и ЭКБ для критической гражданской инфраструктуры»

#Усачев
#трек
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Дмитрий Иванов раскрывает стратегию импортозамещения «Диполь Технологии» на форуме «Микроэлектроника 2025»

В ходе форума «Микроэлектроника 2025» состоялась серия интервью с ключевыми игроками отрасли. На площадке сообщества Electronica Connect о современных вызовах и путях развития отечественной электроники побеседовали с Дмитрием Ивановым, генеральным директором АО «Диполь Технологии».

🤩 Смотреть ролик:
🤩 ВКонтакте
🤩 Rutube

#интервью
#Диполь
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Отечественная ЭКБ для ИИ: ниши и векторы развития обсудили на Форуме

23 сентября на форуме «Микроэлектроника 2025» при поддержке Минпромторга России и ФГАУ «ЦИТ» прошел круглый стол «Отечественная электронная компонентная база и программно-аппаратные комплексы для систем искусственного интеллекта: ниши, вызовы и векторы развития». Модератором выступил директор ФГАУ «ЦИТ» Эдуард Шантаев.

🤩 Смотрите ролик на официальных ресурсах Форума:
🤩 ВКонтакте 🤩 Rutube

#круглыйстол
#дневникфорума
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Как из вуза получить готовых инженеров?

25 сентября на Форуме НИУ МИЭТ организовал круглый стол «Передовые инженерные школы для электронной промышленности», многие из участников которого знают ответ на вопрос, вынесенный в заголовок.

Руководителями мероприятия выступили д.т.н. Алексей Переверзев, проректор по инновационному развитию НИУ МИЭТ, директор Передовой инженерной школы (ПИШ) МИЭТ, и Роман Вовчук, начальник отдела взаимодействия с индустриальными партнерами ПИШ Методического центра «Передовые инженерные школы» НИЯУ МИФИ.

🤩 Подробнее

#круглыйстол
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата

Щербинин Андрей Андреевич, Заместитель начальника управления программ и проектов, Российский научный фонд:

Только благодаря вовлечению научных исследований в цепочку создания продукции можно открыть возможность для технологических прорывов.
Программы российского научного фонда решают первый, самый рискованный шаг на пути прикладного внедрения науки.

🤩 Круглый стол «Технологии электроники и подходы к научным исследованиям»

#Щербинин
#микроэлектроника2025


🤩 Форум Микроэлектроника

🤩Продолжаем делиться цитатами участников форума «Микроэлектроника 2025».
О чем говорили на Секции № 9 «Специальное технологическое оборудование»:

🤩 Петров Станислав Игоревич, к.ф.-м.н., заместитель генерального директора по науке и технологиям:

Производители ЭКБ остро нуждаются в современном технологическом оборудовании для широкого спектра применений: от СВЧ-транзисторов и лазеров до фотоприемников и компонентов квантовых компьютеров. В 2025 году, в рамках Комплексной программы «Развитие электронного машиностроения до 2030 года», завершится тестирование установок МОС-гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии для роста структур на подложках до 150 мм. С 2026 года будут доступны установки физического осаждения и плазмохимической обработки для серийного производства СВЧ-транзисторов и МИС на пластинах Ø100-150 мм.

🤩 Плотников Дмитрий Сергеевич, технический руководитель направления химической обработки, АО «Нанотроника»:

Идея нашего ОКР в том, что мы разрабатываем узлы под оригинальное оборудование с точным соответствием ему. Каждый разработанный узел проверяется на работающем оборудовании. Такой подход позволяет сделать не просто близкую копию, а в дальнейшем разработать вариации: увеличение числа зон давления от 3 до 5 для более тонкой настройки профиля полировки, оптимизация удерживающего кольца и др.

🤩 Барков Валерий Николаевич, заместитель начальника Специального конструкторского бюро, АО «ЭЗАН»:

Для автоматизации техпроцессов необходима целая экосистема, которая позволит технологическим и инжиниринговым компаниям строить различные масштабируемые системы управления. «ЭЗАН» предлагает набор технических и программных средств, на основе которых можно построить законченную систему АСУ ТП. В частности, нами ведется работа по созданию системы автоматизации технологического процесса установки эпитаксии карбида кремния на подложках диаметром до 150 мм методом химического газофазного осаждения.

🤩 Старостенко Александр Анатольевич, к.ф.н., ИЯФ СО РАН:

Исследовательские работы на испытательном стенде ионного источника в самом разгаре. Результаты обнадеживают. Завершается изготовление деталей и узлов экспериментальной версии инжектора ионов для установки ионной имплантации ТМ-200Т.

🤩 Постников Александр Сергеевич, руководитель проектов, ООО «ФОРМ»:

Синергия разработки российских силовых полупроводниковых приборов и отечественных Тестеров для измерений статических и динамических, зарядовых, емкостных и энергетических характеристик мощных IGBT, MOSFET и FRD (до 4000 В/300 А), а также автоматических комплексов для измерений супервысоковольтных транзисторов и диодов (до 7000 В/100 А) на пластине позволяет достичь технологического суверенитета РФ в области силовой электроники.

🤩 Малышев Роман Анатольевич, главный конструктор, ООО «Совтест АТЕ»:

Развитие микроэлектронной промышленности неизбежно приведет к потребности в оборудовании для зондового контроля пластин, ориентированного на массовый выпуск продукции. Это ключ к переходу на следующий уровень технологического суверенитета. Комбинация системы перемещений на базе аэростатических опор и применение алгоритмов нейронных сетей в системе технического зрения – технологический скачок, который позволил сразу встать на уровень с мировыми производителями систем такого класса точности.

🤩 Новиков Сергей Андреевич, руководитель Прикладной лаборатории, АО «НТО»:

Современные технологии микро- и наноэлектроники требуют высокой точности, воспроизводимости и гибкости производственных процессов. Сегодня важно целенаправленно создавать готовые, оптимизированные технологические решения, которые позволят производителям ЭКБ быстрее внедрять производство новой продукции. Мы значительно повысили точность, воспроизводимость и расширили номенклатуру процессов, в частности, для плазмохимического травления сложных гетероструктур и прецизионного окисления.

#цитата
#Петров
#Плотников
#Барков
#Старостенко
#Постников
#Малышев
#Новиков
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩Секция № 4 «Технологии и компоненты микро-и наноэлектроники»: яркие цитаты докладчиков

🤩 Константинов Вячеслав Сергеевич, старший научный сотрудник, АО «НИИМЭ»:

Нами предложен алгоритм для MC FeRAM на основе дифференциальной 2Т2C-ячейки, который позволяет выявить ошибки чтения долговременного хранения МС. Алгоритм позволяет выявить все ошибки длительнного хранения, кроме случая, когда деградация поляризации близка к 100%. Алгоритм специфичен, т.е не работает для ошибок, которые не связаны с долговременным хранением: например, ошибки ввиду электрического пробоя или ввиду воздействия спецфакторов.

🤩 Маркеев Андрей Михайлович, д.т.н., главный научный сотрудник, МФТИ:

При атомно-слоевом осаждении TIO2 нанометровой толщины на двумерные полупроводниковые материалы MoS2 показано, что на MoS2 стандартный TDMAT/H20 ACO TiO2 процесс в силу дефицита поверхностный центров не позволяет получить сплошные слои нанометрового уровня. Функционализация поверхности MoS2 ионами гелия низких энергий позволяет получать методом ACO сплошные 1-нанометровые слои TiO2.

🤩 Чхало Николай Иванович, член-корр. РАН, заведующий отделом, ИФМ РАН:

ИФМ РАН разработана концепция рентгеновского литографа, базирующаяся на достижениях последних лет в области твердотельных гибридных лазеров, ксенонового лазерно-плазменного источника на длине волны 11.2 нм, более эффективных Ru/Be многослойных рентгеновских зеркал. Это позволит создать отечественный литограф, конкурентоспособный, в том числе на мировом рынке. При сопоставимой производительности ожидается уменьшение почти на порядок энергопотребления, цены и стоимости эксплуатации.

🤩 Суханов Дмитрий Александрович, заместитель технического директора, Остек-Микроэлектроника:

Основной принцип, принятый для оптимизации процесса осаждения золота, – это использование компактных реакторов фонтанного типа, которые проводят процесс на одной пластине. Предложенное нами решение позволяет достичь однородного покрытия поверхности (неравномерность <2% на пластине 150 мм - это полученный факт) и, таким образом, снизить стоимость создания общего слоя пленки и всего изделия.

🤩 Резванов Аскар Анварович, к.ф.-м.н., начальник лаборатории, АО «НИИМЭ»:

Как результат проведения исследований по использованию термически разлагаемого полимера, нанесенного газофазным осаждением, для травления low-k диэлектрика с малым повреждением представлен новый метод для защиты low-k в виде одноступенчатой последовательности заполнения пор. При этом данный подход позволяет заполнять любые low-k пористости 14%/радиуса пор 0,8 нм и снизить итоговые RC-задержки в системе металлизации более чем на 50% при шаге линий 100 нм и менее.

#цитата
#Константинов
#Маркеев
#Чхалов
#Суханов
#Резванов
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

Максим Вакштейн: Этапы работы и соответствующие меры поддержки должны выстраиваться в цепочку, приводящую к результату

🤩Опубликовано интервью с модератором пленарного заседания «Искусственный интеллект: применение, перспективы и вызовы» форума «Микроэлектроника 2025», генеральным директором Фонда перспективных исследований, к.х.н. Максимом Сергеевичем Вакштейном.

🤩 Подробнее

#интервью
#ФПИ
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

На Форуме «Микроэлектроника 2025» обсудили развитие электронного машиностроения и нейроморфных технологий

🤩Алексей Алексеев (АО «НТО»), выступивший модератором круглого стола «Актуальные вопросы развития отечественного электронного машиностроения», рассказал, что в центре обсуждения были актуальная повестка развития отрасли и формирование предложений по разработке специальных инструментов поддержки.
Он упомянул Комплексную программу «Развитие электронного машиностроения до 2030 года», отметив, что в рамках круглого стола участники обсудили ход ее реализации, перспективы продления и внедрения первых результатов разработок на действующие производства.

🤩Вячеслав Дёмин (НИЦ «Курчатовский институт») подвел итоги круглого стола «Нейроморфная электроника и нейроинтерфейсы: от науки к практике». Он рассказал, что участники обсудили создание прототипов и конечных изделий энергоэффективных и высокопроизводительных аппаратно-программных нейроморфных устройств обработки информации и нейроинтерфейсов.

🤩 Смотреть ролик:
🤩 ВКонтакте
🤩 Rutube

#дневникфорума
#Алексеев
#Демин
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩Секция № 7 «СВЧ интегральные схемы и модули»: публикуем цитаты спикеров

🤩 Саури Антон Давидович, руководитель лаборатории дизайна и СВЧ-измерений, НИЯУ МИФИ:

В качестве предварительного моделирования для активных компонентов мы выбрали модель Angelov, поскольку ранее в МИФИ проводились работы, и она показала хорошую сходимость с нашими топологиями. В качестве референсного дизайна мы взяли топологию и модель зарубежного транзистора и провели работу по определению параметров модели Angelov. В результате мы получили достаточно хорошую сходимость. Ошибка между моделями составила не более 5%. Мы ожидаем от нашего транзистора коэффициент усиления на 10 ГГц порядка 10 дБ, максимально доступный стабильный коэффициент усиления на 40 ГГц порядка 8 дБ, граничная частота усиления по мощности в районе 100 ГГц, мощность насыщения 1 Вт и КПД на 40 ГГц около 50%.

🤩 Перепелица Дмитрий Георгиевич, главный конструктор, Национальная компьютерная корпорация:

Разработанный IQ-демодулятор состоит из трех основных узлов: двух двойных балансных смесителей, синфазного делителя Уилкинсона и формирователя квадратуры — моста Ланге. Двойной балансный смеситель разработан на основе двух трансформаторов Маршинда и диодного моста из четырех диодов Шоттки, который присутствует в данном техпроцессе. Синфазный делитель разработан в компактных размерах для обеспечения минимальных габаритов IQ-демодулятора. Квадратурный мост Ланге разрабатывался “вручную”, потому что отсутствовал в библиотеке элементов pdk. Низкое значение разбаланса амплитуды и фазы в синфазном делителе и мосте Ланге позволили добиться высокого значения подавления зеркального канала.

🤩 Коколов Андрей Александрович, заведующий лабораторией ПРИСиСнК, ТУСУР:

КНИ-переключатели занимают место между нитридными и галлиево-арсенидными переключателями по своей входной мощности. Потери, как правило, сравнимы с аналогами на технологии А3B5. При этом одним из значительных преимуществ КНИ-технологии и, в целом, кремниевых технологий является то, что цена при массовом производстве будет значительно ниже. По результатам исследований можно сделать вывод, что рассмотренная КНИ-технология пригодна для разработки и изготовления СВЧ- устройств: переключаемых возвращателей, аттенюаторов вплоть до частоты 20-25 ГГц и может быть даже в

ыше.

🤩 Терехин Владислав Владимирович, инженер 2 категории, ООО «ИПК»Электрон-Маш»:

Стандартное решение трехвыводного широкополосного усилителя, где первый вывод – вход, второй вывод – выход, объединенный с питанием, третий – земля. В принципиальной схеме кристалла смещение задается резистивным делителем на кристалле, который берет энергию из питания. У такой схемы есть один недостаток, который заключается в резисторе, стоящем в цепи питания. Когда подается питание, часть мощности рассеивается на этом резисторе в виде тепла. Эту мощность можно было бы преобразовать в полезный сигнал. Вследствие этого уменьшается общий КПД усилителя. Чтобы решить эту проблему, мы разработали четырехвыводную версию данного усилителя: добавили отдельный вывод для сме

щения.

🤩 Занавескин Максим Леонидович, к.ф.-м.н., начальник отдела прикладных наноэлектронных структур, НИЦ «Курчатовский институт»:

В НИЦ «Курчатовский институт» завершается разработка СВЧ-технологического процесса 0,25 мкм GaN/Si, и появилась уникальная возможность принять участие в его безвозмездном опробовании. Основная цель первого, по сути, “foundry” запуска – ознакомление разработчиков ЭКБ СВЧ с возможностями нового отечественного техпроцесса для получения отзывов по результатам изготовления разработанных кристаллов в режиме контрактного производства. В запуске принимает участие 15 российских компаний.

#цитата
#Саури
#Перепелица
#Коколов
#Терехин
#Занавескин
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

Интервью с модераторами круглых столов на форуме «Микроэлектроника 2025»

🤩Академик РАН Николай Колачевский (ФИАН) выступил модератором круглого стола «Облачный доступ к квантовым вычислителям – увеличение доступности технологии и расширение круга пользователей». Он рассказал, что целью дискуссии была оценка российских инструментов для удаленного доступа к квантовым вычислителям.
Отвечая на вопрос о перспективах технологии, Николай Колачевский отметил высокий потенциал масштабируемости таких решений и их широкого применения в задачах оптимизации и моделирования сложных систем.

🤩Лилиана Поликарпова (АО «НИИМЭ») подвела итоги круглого стола «Лучшие практики в кадровой политике микроэлектроники: наставничество и новые инструменты привлечения талантов». Она сообщила, что участники детально обсудили комплекс мер для привлечения талантливой молодежи в отрасль, удержания опытных специалистов, а также развитие института наставничества.
Особое внимание было уделено мерам государственной поддержки в сфере дополнительного профессионального образования и внедрению цифровых инструментов в образовательный процесс. Лилиана Поликарпова подчеркнула значимость кадровой темы, отметив, что в этом году в программе Форума было представлено сразу три круглых стола, посвященных вопросам подготовки кадров для электронной промышленности.

🤩 Смотреть ролик:
🤩 ВКонтакте
🤩 Rutube

#дневникфорума
#Колачевский
#Поликарпова
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

Круглый стол «Координация государственных мер поддержки» прошел на форуме «Микроэлектроника 2025»

23 сентября на форуме «Микроэлектроника 2025» состоялся круглый стол, организованный Фондом перспективных исследований (ФПИ). Модератором мероприятия выступил руководитель Центра перспективной электроники ФПИ Алексей Заблоцкий.

В ходе мероприятия были представлены истории успеха в таких областях, как силовая электроника, микроболометрические тепловизионные матрицы и системы автоматизированного проектирования для микроэлектроники.

Также на круглом столе обсуждались изменения и нововведения в государственных мерах поддержки, касающиеся электронной и радиоэлектронной отрасли.

🤩 Смотреть ролик:
🤩 ВКонтакте
🤩 Rutube

#дневникфорума
#ФПИ
#Заблоцкий
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата
#Беспалов

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Модераторы рассказали о ключевых инициативах для технологического суверенитета на форуме «Микроэлектроника 2025»

В ходе деловой программы Форума прошли круглые столы, посвященные развитию отечественных САПР, реализации программы по СВЧ-электронике и перспективам широкозонных материалов.

🤩 Смотрите ролик на официальных ресурсах Форума:
🤩 ВКонтакте и 🤩 Rutube

#дневникфорума
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника

#фотоцитата
#Зданович

🤩 Форум Микроэлектроника

🤩 Отечественные САПР: дорожные карты и господдержка обсуждены на Форуме

23 сентября на форуме «Микроэлектроника 2025» состоялся круглый стол «Актуальные вопросы создания отечественных САПР и маршрутов проектирования ЭКБ и электронных модулей». Модераторами выступили к.ф.-м.н., директор по развитию систем проектирования АО «НИИМЭ» Дмитрий Шипицин и д.т.н., проректор по инновационному развитию НИУ МИЭТ Алексей Переверзев.

Участники обсудили дорожные карты разработки, стратегии лицензирования и формы государственной поддержки отечественных систем проектирования электронных компонентов и модулей. Также были представлены демо отдельных продуктов – инструментов разрабатываемого маршрута.

🤩 Смотрите ролик на официальных ресурсах Форума:
🤩 ВКонтакте
🤩 Rutube

#дневникфорума
#Шипицин
#Переверзев
#микроэлектроника2025

🤩 Форум Микроэлектроника