ОКБ "Эфир" pinned «Конкурс на 750р Победители - 2 человека 75/25% 3 и последующие места не призовые. Условия: - Сделать проект до 2.02.25 - Проект должен запускаться на интерпретаторе - Проект присылать одним архивом с описанием в личку @Letmeto @MrMiscipitlick Чат для о…»
ОКБ "Эфир"
Будете участвовать?
Этот опрос закроется по окончании срока конкурса
Сдаётся мне что бесплатно означает совсем без оплаты денег, но этот сайт считает иначе
❤🔥6
У нас появилась страничка на сартапиуме!
(Вообще давно была, я просто обновил и теперь она актуальна)
Startupium
Эфир-32 | Интересный стартап на startupium.ru
Микроконтроллер первого уровня полностью спроектрированный в России и разрабатываемый для производства в ней.
👍7
Forwarded from Паразитное сопротивление
В большинстве современных микросхем есть или несколько разных напряжений питания, или несколько доменов питания с одним номиналом напряжения.
Для перехода от более низкого напряжения к более высокому используют схему на левом рисунке. Питание V1 должно быть достаточно высоким для того, чтобы стабильно открывать n-канальные транзисторы, и тогда защелка наверху будет стабильно переключаться, формируя хорошие логические уровни в домене V2.
Схема справа применяется в случае, если у двух доменов разные не только питания, но и земли. В этом случае нам потребуются два шифтера, включенных последовательно.
Бывают еще более сложные левелшифтеры, применяемые в высоковольных схемах, но они настолько другие, что про них можно писать книги.
P.S. На вход инвертора можно подавать напряжение выше питания, так что шифтер с высокого питания на низкое — это просто инвертор с низким питанием на транзисторах с толстым оксидом.
Для перехода от более низкого напряжения к более высокому используют схему на левом рисунке. Питание V1 должно быть достаточно высоким для того, чтобы стабильно открывать n-канальные транзисторы, и тогда защелка наверху будет стабильно переключаться, формируя хорошие логические уровни в домене V2.
Схема справа применяется в случае, если у двух доменов разные не только питания, но и земли. В этом случае нам потребуются два шифтера, включенных последовательно.
Бывают еще более сложные левелшифтеры, применяемые в высоковольных схемах, но они настолько другие, что про них можно писать книги.
P.S. На вход инвертора можно подавать напряжение выше питания, так что шифтер с высокого питания на низкое — это просто инвертор с низким питанием на транзисторах с толстым оксидом.
❤🔥4❤3🔥3
Forwarded from Паразитное сопротивление
Вот так выглядят левелшифтеры для высоких напряжений. Слева — простейший статический вариант с высоковольтными транзисторами как ограничителями напряжения. Справа — более сложная схема с генератором коротких импульсов (PG) в нижней части, который заряжает триггер сверху.
Главная проблема таких схем — уверенное включение защелки сверху, как при нормальной работе, так и при стартапе схемы, а также защита всего и вся от перенапряжений. Особенно сложно, когда пара VssH-VddH — это движущиеся напряжения, как это часто бывает в DC/DC конвертерах. Поэтому в реальности показанные принципиальные схемы обвешаны большим количеством вспомогательных схем и могут выглядеть довольно монструозно.
Главная проблема таких схем — уверенное включение защелки сверху, как при нормальной работе, так и при стартапе схемы, а также защита всего и вся от перенапряжений. Особенно сложно, когда пара VssH-VddH — это движущиеся напряжения, как это часто бывает в DC/DC конвертерах. Поэтому в реальности показанные принципиальные схемы обвешаны большим количеством вспомогательных схем и могут выглядеть довольно монструозно.
❤🔥4🔥3🥰1
Красивое видео
https://youtu.be/vDGyZk4BKms?si=ROiEPAW7kZi9nG6o
https://youtu.be/vDGyZk4BKms?si=ROiEPAW7kZi9nG6o
YouTube
Краш-тест двух поколений Chevrolet | 1959 vs 2009
https://avtodeti.ru/krash_test_avtokresla/iihs/ Краш-тест IIHS старого и нового поколений Chevrolet - 1959 vs 2009/
Facebook https://facebook.com/avtodeti
Twitter https://twitter.com/AvtodetiRu
Instagram https://instagram.com/avtodeti
Google+ https://pl…
Facebook https://facebook.com/avtodeti
Twitter https://twitter.com/AvtodetiRu
Instagram https://instagram.com/avtodeti
Google+ https://pl…
Forwarded from ГРАН отвечает
Наиболее распространенный компонент на HDI платах — BGA (англ. Ball Grid Array) микросхемы. Контактные площадки для компонента ВGА выполняются круглыми, а их диаметр может быть менее 0,20 мм. Для таких маленьких площадок становится важным их правильное проектирование и отсутствие искажения формы и размера на готовой плате.
Рассмотрим типичные ошибки при проектировании:
⁃ Ширина проводника, подводимого к площадке, равна или соизмерима с размером площадки.
В результате этого происходит увеличение площадки BGA, она становится вытянутой в сторону проводника, что может усложнить монтаж микросхемы.
⁃ Часть площадок микросхемы выполнены на полигоне меди и для них задано прямое подключение, а часть — на базовом материале.
Площадки на меди в таком случае определятся размером масочного вскрытия, а на размер площадок на материале окажет влияние боковой подтрав. Это два не связанных между собой фактора — в результате на готовой плате диаметры таких площадок будут разные.
⁃ Для одной и той же микросхемы по-разному заданы площадки в посадочном месте: для части площадок выполнено стандартное вскрытие в маске — больше размера площадки, а для другой части — меньше размера площадок.
Таким образом, получаем ранее описанный эффект площадок, расположенных на меди и на материале.
Для получения площадок одинакового диаметра нужно:
⁃ Использовать проводники шириной меньше ширины площадки.
⁃ Корректировать вскрытия в маске для площадок
ВGА микросхем в местах подключения.
Такую правку масочного вскрытия проводят инженеры на производстве при подготовке производственных файлов платы. Эти изменения выполняются с помощью макросов, встроенных в производственную программу подготовки. После согласования с заказчиком мы вносим коррекцию во вскрытие в маске для ВGА площадок.
⁃ Не делать прямого подключения через полигон меди к площадкам BGA.
⁃ При создании посадочного места компонента не использовать разные типы вскрытия в маске.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Forwarded from Росэл
«Росэлектроника» завершила испытания «спецпринтера» для АЭС
Новое знакосинтезирующее печатающее устройство (ЗСПУ-У) может применяться в аппаратных залах атомных станций, диспетчерских аэродромов и аэропортов, нефтеперабатывающих заводах и нефтебазах.
Спецпринтер способен обеспечить защиту данных на подобных объектах.
Он документирует в отчетный документаппаратный журнал, в котором системой объективного контроля фиксируются все действия операторов дежурной смены.
ЗСПУ-У может работать при температурах от -10 до +55° С.
В составе «Росэлектроники» устройство разрабатывает НПП «Сигнал».
Надежность модернизированного импортозамещающего устройства подтвердили все виды необходимых испытаний. Изделие готово к серийному производству, которое планируется начать до конца 2024 года.
📱 ruselectronics_official
📱 rostecru
Новое знакосинтезирующее печатающее устройство (ЗСПУ-У) может применяться в аппаратных залах атомных станций, диспетчерских аэродромов и аэропортов, нефтеперабатывающих заводах и нефтебазах.
Спецпринтер способен обеспечить защиту данных на подобных объектах.
Он документирует в отчетный документаппаратный журнал, в котором системой объективного контроля фиксируются все действия операторов дежурной смены.
ЗСПУ-У может работать при температурах от -10 до +55° С.
В составе «Росэлектроники» устройство разрабатывает НПП «Сигнал».
Надежность модернизированного импортозамещающего устройства подтвердили все виды необходимых испытаний. Изделие готово к серийному производству, которое планируется начать до конца 2024 года.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍7❤🔥1