Конкурс на 750р
Победители - 2 человека 75/25% 3 и последующие места не призовые.
Условия:
- Сделать проект до 2.02.25
- Проект должен запускаться на интерпретаторе
- Проект присылать одним архивом с описанием в личку @Letmeto @MrMiscipitlick
Чат для обсуждения/получения помощи с интерпретатором.
Ссылка на материалы
Победителя выбирает аудитория.
Хештег #ЭПроект
(Выкладывание проектов на своих каналах одобряется)
Победители - 2 человека 75/25% 3 и последующие места не призовые.
Условия:
- Сделать проект до 2.02.25
- Проект должен запускаться на интерпретаторе
- Проект присылать одним архивом с описанием в личку @Letmeto @MrMiscipitlick
Чат для обсуждения/получения помощи с интерпретатором.
Ссылка на материалы
Победителя выбирает аудитория.
Хештег #ЭПроект
(Выкладывание проектов на своих каналах одобряется)
❤🔥5
ОКБ "Эфир" pinned «Конкурс на 750р Победители - 2 человека 75/25% 3 и последующие места не призовые. Условия: - Сделать проект до 2.02.25 - Проект должен запускаться на интерпретаторе - Проект присылать одним архивом с описанием в личку @Letmeto @MrMiscipitlick Чат для о…»
ОКБ "Эфир"
Будете участвовать?
Этот опрос закроется по окончании срока конкурса
Сдаётся мне что бесплатно означает совсем без оплаты денег, но этот сайт считает иначе
❤🔥6
У нас появилась страничка на сартапиуме!
(Вообще давно была, я просто обновил и теперь она актуальна)
Startupium
Эфир-32 | Интересный стартап на startupium.ru
Микроконтроллер первого уровня полностью спроектрированный в России и разрабатываемый для производства в ней.
👍7
Forwarded from Паразитное сопротивление
В большинстве современных микросхем есть или несколько разных напряжений питания, или несколько доменов питания с одним номиналом напряжения.
Для перехода от более низкого напряжения к более высокому используют схему на левом рисунке. Питание V1 должно быть достаточно высоким для того, чтобы стабильно открывать n-канальные транзисторы, и тогда защелка наверху будет стабильно переключаться, формируя хорошие логические уровни в домене V2.
Схема справа применяется в случае, если у двух доменов разные не только питания, но и земли. В этом случае нам потребуются два шифтера, включенных последовательно.
Бывают еще более сложные левелшифтеры, применяемые в высоковольных схемах, но они настолько другие, что про них можно писать книги.
P.S. На вход инвертора можно подавать напряжение выше питания, так что шифтер с высокого питания на низкое — это просто инвертор с низким питанием на транзисторах с толстым оксидом.
Для перехода от более низкого напряжения к более высокому используют схему на левом рисунке. Питание V1 должно быть достаточно высоким для того, чтобы стабильно открывать n-канальные транзисторы, и тогда защелка наверху будет стабильно переключаться, формируя хорошие логические уровни в домене V2.
Схема справа применяется в случае, если у двух доменов разные не только питания, но и земли. В этом случае нам потребуются два шифтера, включенных последовательно.
Бывают еще более сложные левелшифтеры, применяемые в высоковольных схемах, но они настолько другие, что про них можно писать книги.
P.S. На вход инвертора можно подавать напряжение выше питания, так что шифтер с высокого питания на низкое — это просто инвертор с низким питанием на транзисторах с толстым оксидом.
❤🔥4❤3🔥3
Forwarded from Паразитное сопротивление
Вот так выглядят левелшифтеры для высоких напряжений. Слева — простейший статический вариант с высоковольтными транзисторами как ограничителями напряжения. Справа — более сложная схема с генератором коротких импульсов (PG) в нижней части, который заряжает триггер сверху.
Главная проблема таких схем — уверенное включение защелки сверху, как при нормальной работе, так и при стартапе схемы, а также защита всего и вся от перенапряжений. Особенно сложно, когда пара VssH-VddH — это движущиеся напряжения, как это часто бывает в DC/DC конвертерах. Поэтому в реальности показанные принципиальные схемы обвешаны большим количеством вспомогательных схем и могут выглядеть довольно монструозно.
Главная проблема таких схем — уверенное включение защелки сверху, как при нормальной работе, так и при стартапе схемы, а также защита всего и вся от перенапряжений. Особенно сложно, когда пара VssH-VddH — это движущиеся напряжения, как это часто бывает в DC/DC конвертерах. Поэтому в реальности показанные принципиальные схемы обвешаны большим количеством вспомогательных схем и могут выглядеть довольно монструозно.
❤🔥4🔥3🥰1
Красивое видео
https://youtu.be/vDGyZk4BKms?si=ROiEPAW7kZi9nG6o
https://youtu.be/vDGyZk4BKms?si=ROiEPAW7kZi9nG6o
YouTube
Краш-тест двух поколений Chevrolet | 1959 vs 2009
https://avtodeti.ru/krash_test_avtokresla/iihs/ Краш-тест IIHS старого и нового поколений Chevrolet - 1959 vs 2009/
Facebook https://facebook.com/avtodeti
Twitter https://twitter.com/AvtodetiRu
Instagram https://instagram.com/avtodeti
Google+ https://pl…
Facebook https://facebook.com/avtodeti
Twitter https://twitter.com/AvtodetiRu
Instagram https://instagram.com/avtodeti
Google+ https://pl…
Forwarded from ГРАН отвечает
Наиболее распространенный компонент на HDI платах — BGA (англ. Ball Grid Array) микросхемы. Контактные площадки для компонента ВGА выполняются круглыми, а их диаметр может быть менее 0,20 мм. Для таких маленьких площадок становится важным их правильное проектирование и отсутствие искажения формы и размера на готовой плате.
Рассмотрим типичные ошибки при проектировании:
⁃ Ширина проводника, подводимого к площадке, равна или соизмерима с размером площадки.
В результате этого происходит увеличение площадки BGA, она становится вытянутой в сторону проводника, что может усложнить монтаж микросхемы.
⁃ Часть площадок микросхемы выполнены на полигоне меди и для них задано прямое подключение, а часть — на базовом материале.
Площадки на меди в таком случае определятся размером масочного вскрытия, а на размер площадок на материале окажет влияние боковой подтрав. Это два не связанных между собой фактора — в результате на готовой плате диаметры таких площадок будут разные.
⁃ Для одной и той же микросхемы по-разному заданы площадки в посадочном месте: для части площадок выполнено стандартное вскрытие в маске — больше размера площадки, а для другой части — меньше размера площадок.
Таким образом, получаем ранее описанный эффект площадок, расположенных на меди и на материале.
Для получения площадок одинакового диаметра нужно:
⁃ Использовать проводники шириной меньше ширины площадки.
⁃ Корректировать вскрытия в маске для площадок
ВGА микросхем в местах подключения.
Такую правку масочного вскрытия проводят инженеры на производстве при подготовке производственных файлов платы. Эти изменения выполняются с помощью макросов, встроенных в производственную программу подготовки. После согласования с заказчиком мы вносим коррекцию во вскрытие в маске для ВGА площадок.
⁃ Не делать прямого подключения через полигон меди к площадкам BGA.
⁃ При создании посадочного места компонента не использовать разные типы вскрытия в маске.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM