ОКБ "Эфир"
236 subscribers
901 photos
64 videos
65 files
283 links
Download Telegram
Вы готовы, дети?
🐳7🎅4❤‍🔥1
Конкурс на 750р
Победители - 2 человека 75/25% 3 и последующие места не призовые.

Условия:
- Сделать проект до 2.02.25
- Проект должен запускаться на интерпретаторе
- Проект присылать одним архивом с описанием в личку @Letmeto @MrMiscipitlick

Чат для обсуждения/получения помощи с интерпретатором.

Ссылка на материалы

Победителя выбирает аудитория.

Хештег #ЭПроект
(Выкладывание проектов на своих каналах одобряется)
❤‍🔥5
Юмор, без политики.
Желание собрать белый ПК +10%
❤‍🔥11🔥2💩1
ОКБ "Эфир" pinned «Конкурс на 750р Победители - 2 человека 75/25% 3 и последующие места не призовые. Условия: - Сделать проект до 2.02.25 - Проект должен запускаться на интерпретаторе - Проект присылать одним архивом с описанием в личку @Letmeto @MrMiscipitlick Чат для о…»
ОКБ "Эфир"
Будете участвовать?
Этот опрос закроется по окончании срока конкурса
Немного калькуляторного
👍8❤‍🔥3🔥31
❤‍🔥5
Нас уже 240, спасибо всем! 🎉
❤‍🔥7
Сдаётся мне что бесплатно означает совсем без оплаты денег, но этот сайт считает иначе
❤‍🔥6
В большинстве современных микросхем есть или несколько разных напряжений питания, или несколько доменов питания с одним номиналом напряжения.

Для перехода от более низкого напряжения к более высокому используют схему на левом рисунке. Питание V1 должно быть достаточно высоким для того, чтобы стабильно открывать n-канальные транзисторы, и тогда защелка наверху будет стабильно переключаться, формируя хорошие логические уровни в домене V2.

Схема справа применяется в случае, если у двух доменов разные не только питания, но и земли. В этом случае нам потребуются два шифтера, включенных последовательно.

Бывают еще более сложные левелшифтеры, применяемые в высоковольных схемах, но они настолько другие, что про них можно писать книги.

P.S. На вход инвертора можно подавать напряжение выше питания, так что шифтер с высокого питания на низкое — это просто инвертор с низким питанием на транзисторах с толстым оксидом.
❤‍🔥43🔥3
Вот так выглядят левелшифтеры для высоких напряжений. Слева — простейший статический вариант с высоковольтными транзисторами как ограничителями напряжения. Справа — более сложная схема с генератором коротких импульсов (PG) в нижней части, который заряжает триггер сверху.

Главная проблема таких схем — уверенное включение защелки сверху, как при нормальной работе, так и при стартапе схемы, а также защита всего и вся от перенапряжений. Особенно сложно, когда пара VssH-VddH — это движущиеся напряжения, как это часто бывает в DC/DC конвертерах. Поэтому в реальности показанные принципиальные схемы обвешаны большим количеством вспомогательных схем и могут выглядеть довольно монструозно.
❤‍🔥4🔥3🥰1
Относительно нормальный, но вроде рабочий полусумматор.

P.s. я немного напутал в схеме и
C -- когда реле выключено
0 -- когда включено
5❤‍🔥2🔥2🐳1
Forwarded from Bipolar Junk Transistor
👍7❤‍🔥2🥰21
Зотягивает
🔥9👍3❤‍🔥1💯1
У одного из участников первые успехи в работе с ассемблером.🎉

Чат конкурса

Подписаться
🎉102❤‍🔥2😁1
💬 Как снизить искажение формы площадок BGA на готовой плате?

Наиболее распространенный компонент на HDI платах — BGA (англ. Ball Grid Array) микросхемы. Контактные площадки для компонента ВGА выполняются круглыми, а их диаметр может быть менее 0,20 мм. Для таких маленьких площадок становится важным их правильное проектирование и отсутствие искажения формы и размера на готовой плате.

Рассмотрим типичные ошибки при проектировании:
⁃ Ширина проводника, подводимого к площадке, равна или соизмерима с размером площадки.
В результате этого происходит увеличение площадки BGA, она становится вытянутой в сторону проводника, что может усложнить монтаж микросхемы.


⁃ Часть площадок микросхемы выполнены на полигоне меди и для них задано прямое подключение, а часть — на базовом материале.
Площадки на меди в таком случае определятся размером масочного вскрытия, а на размер площадок на материале окажет влияние боковой подтрав. Это два не связанных между собой фактора — в результате на готовой плате диаметры таких площадок будут разные.


⁃ Для одной и той же микросхемы по-разному заданы площадки в посадочном месте: для части площадок выполнено стандартное вскрытие в маске — больше размера площадки, а для другой части — меньше размера площадок.
Таким образом, получаем ранее описанный эффект площадок, расположенных на меди и на материале.


Для получения площадок одинакового диаметра нужно:
⁃ Использовать проводники шириной меньше ширины площадки.
⁃ Корректировать вскрытия в маске для площадок
ВGА микросхем в местах подключения.
Такую правку масочного вскрытия проводят инженеры на производстве при подготовке производственных файлов платы. Эти изменения выполняются с помощью макросов, встроенных в производственную программу подготовки. После согласования с заказчиком мы вносим коррекцию во вскрытие в маске для ВGА площадок.

⁃ Не делать прямого подключения через полигон меди к площадкам BGA.
⁃ При создании посадочного места компонента не использовать разные типы вскрытия в маске.

😊 #печатныеплаты #HDI #правилапроектирования
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM