⚡️Перегрузка мощностей TSMC приводит к задержкам поставок для клиентов на фоне бума ИИ
Американская компания Broadcom – один из крупнейших разработчиков полупроводников, специализирующийся на сетевых решениях, оптических интерфейсах и компонентах для дата-центров и ИИ-инфраструктуры – заявляет о системных ограничениях в цепочке поставок. По данным компании, ключевой проблемой стала загрузка мощностей TSMC.
🪫 По словам представителей Broadcom, еще несколько лет назад производственные возможности TSMC казались практически неограниченными, но сейчас передовые линии работают на пределе. Именно это в 2026 году начинает сдерживать выпуск продукции по всей отрасли. Расширение мощностей ожидается, но заметный эффект будет только ближе к 2027 году.
🧩 Проблемы затрагивают не только производство самих чипов. Дефицит проявляется и в смежных сегментах – например, в лазерных компонентах и печатных платах. В случае плат сроки поставки для оптических трансиверов выросли с примерно 6 недель до 6 месяцев. Ограничения фиксируются как у тайваньских, так и у китайских производителей.
В ответ компании меняют подход к работе с поставщиками и переходят на более длинные контракты, чтобы заранее гарантировать себе объемы производства. Уже сейчас заключаются соглашения на 3–4 года, а Samsung обсуждает с клиентами контракты сроком до 5 лет.
⛓️💥Ситуация показывает, что дефицит формируется не в одном звене, а по всей цепочке: спрос на инфраструктуру для ИИ растет быстрее, чем отрасль успевает наращивать производство – от фабрик до компонентов.
#ЭлМаш #технологии #TSMC
Американская компания Broadcom – один из крупнейших разработчиков полупроводников, специализирующийся на сетевых решениях, оптических интерфейсах и компонентах для дата-центров и ИИ-инфраструктуры – заявляет о системных ограничениях в цепочке поставок. По данным компании, ключевой проблемой стала загрузка мощностей TSMC.
🪫 По словам представителей Broadcom, еще несколько лет назад производственные возможности TSMC казались практически неограниченными, но сейчас передовые линии работают на пределе. Именно это в 2026 году начинает сдерживать выпуск продукции по всей отрасли. Расширение мощностей ожидается, но заметный эффект будет только ближе к 2027 году.
🧩 Проблемы затрагивают не только производство самих чипов. Дефицит проявляется и в смежных сегментах – например, в лазерных компонентах и печатных платах. В случае плат сроки поставки для оптических трансиверов выросли с примерно 6 недель до 6 месяцев. Ограничения фиксируются как у тайваньских, так и у китайских производителей.
В ответ компании меняют подход к работе с поставщиками и переходят на более длинные контракты, чтобы заранее гарантировать себе объемы производства. Уже сейчас заключаются соглашения на 3–4 года, а Samsung обсуждает с клиентами контракты сроком до 5 лет.
⛓️💥Ситуация показывает, что дефицит формируется не в одном звене, а по всей цепочке: спрос на инфраструктуру для ИИ растет быстрее, чем отрасль успевает наращивать производство – от фабрик до компонентов.
#ЭлМаш #технологии #TSMC
👍1🔥1
📀 По прогнозам SEMI, в 2026 году мировые расходы на оборудование для производства 300-мм пластин вырастут на 18 % и составят 133 миллиарда долларов, а в 2027 году – на 14 % и составят 151 миллиард долларов. Об этом говорится в последнем отчете 300mm Fab Outlook.
Основной фактор роста – масштабирование инфраструктуры под задачи ИИ, включая как центры обработки данных, так и периферийные устройства. Дополнительно рост поддерживается политикой технологической независимости и локализацией производственных цепочек.
🔹 Наибольший вклад формирует сегмент логики и контрактного производства. В 2027–2029 гг. на него придется около 228 млрд долл. США инвестиций. Ключевой фактор – ввод мощностей на передовых технологических узлах (2 нм и ниже), необходимых для повышения плотности транзисторов и энергоэффективности чипов в задачах обучения ИИ. При этом спрос на зрелые техпроцессы также сохраняется – за счет массовой электроники и периферийных устройств.
🔹 Второе место по объемам инвестиций занимает сегмент памяти, который выходит на новый цикл роста с совокупными инвестициями 175 млрд долл. США в 2027–2029 гг., из которых:
– 111 млрд долл. США в DRAM;
– 62 млрд долл. США в 3D NAND.
Изменяется сама структура спроса: обучение ИИ-моделей требует увеличения поставок высокоскоростной памяти (HBM), тогда как эксплуатация моделей – роста емкости хранения, что поддерживает спрос на NAND в дата-центрах. Это частично сглаживает традиционную волатильность рынка памяти.
🌏 Регионально инвестиции остаются распределенными между основными производственными центрами:
– в Китае рост обеспечивается расширением внутреннего производства и государственными программами;
– на Тайване инвестиции сосредоточены на передовых узлах – 2 нм и ниже;
– Южная Корея наращивает вложения в память, включая DRAM и HBM;
– в США инвестиции направлены на развитие собственной производственной базы и локализацию цепочек поставок;
– Япония, Европа и Юго-Восточная Азия увеличивают вложения с более низкой базы за счет господдержки и стратегий технологической устойчивости.
В целом, по оценке SEMI, отрасль переходит от выраженной цикличности к более устойчивой модели роста. Инвестиции все в большей степени определяются долгосрочным спросом на вычислительную инфраструктуру для ИИ, а не краткосрочными колебаниями рынка.
Основной фактор роста – масштабирование инфраструктуры под задачи ИИ, включая как центры обработки данных, так и периферийные устройства. Дополнительно рост поддерживается политикой технологической независимости и локализацией производственных цепочек.
🔹 Наибольший вклад формирует сегмент логики и контрактного производства. В 2027–2029 гг. на него придется около 228 млрд долл. США инвестиций. Ключевой фактор – ввод мощностей на передовых технологических узлах (2 нм и ниже), необходимых для повышения плотности транзисторов и энергоэффективности чипов в задачах обучения ИИ. При этом спрос на зрелые техпроцессы также сохраняется – за счет массовой электроники и периферийных устройств.
🔹 Второе место по объемам инвестиций занимает сегмент памяти, который выходит на новый цикл роста с совокупными инвестициями 175 млрд долл. США в 2027–2029 гг., из которых:
– 111 млрд долл. США в DRAM;
– 62 млрд долл. США в 3D NAND.
Изменяется сама структура спроса: обучение ИИ-моделей требует увеличения поставок высокоскоростной памяти (HBM), тогда как эксплуатация моделей – роста емкости хранения, что поддерживает спрос на NAND в дата-центрах. Это частично сглаживает традиционную волатильность рынка памяти.
🌏 Регионально инвестиции остаются распределенными между основными производственными центрами:
– в Китае рост обеспечивается расширением внутреннего производства и государственными программами;
– на Тайване инвестиции сосредоточены на передовых узлах – 2 нм и ниже;
– Южная Корея наращивает вложения в память, включая DRAM и HBM;
– в США инвестиции направлены на развитие собственной производственной базы и локализацию цепочек поставок;
– Япония, Европа и Юго-Восточная Азия увеличивают вложения с более низкой базы за счет господдержки и стратегий технологической устойчивости.
В целом, по оценке SEMI, отрасль переходит от выраженной цикличности к более устойчивой модели роста. Инвестиции все в большей степени определяются долгосрочным спросом на вычислительную инфраструктуру для ИИ, а не краткосрочными колебаниями рынка.
❤2👍2
🔬 Исследователи из американского Национального института стандартов и технологий (NIST) предложили новый подход к корпусированию фотонных интегральных схем, позволяющий им работать в условиях, где традиционные решения не выдерживают.
Ключевое ограничение фотонных ИС – соединение оптоволокна с кристаллом. Стандартные адгезивы – органические полимерные клеи – склонны к растрескиванию, дегазации и деградации при воздействии экстремально низких температур, радиации, вакуума или высоких температур. При разрушении соединения чип теряет работоспособность.
🆕 В новой работе вместо органических материалов используется гидроксид-каталитическое связывание. Соединение формируется через раствор гидроксида натрия на молекулярном уровне с образованием неорганического стеклообразного слоя между оптическим волокном и фотонным чипом.
Команда NIST впервые продемонстрировала, что метод HCB обеспечивает как высокоточную юстировку оптического волокна, так и эффективную передачу света, необходимую для работы фотонных интегральных схем, при одновременном формировании прочного корпусирования, устойчивого к экстремальным условиям.
📍 Текущий процесс формирования соединения занимает несколько дней, что ограничивает масштабирование, однако исследователи подчеркивают, что это инженерная задача, а не фундаментальный барьер.
Ключевое ограничение фотонных ИС – соединение оптоволокна с кристаллом. Стандартные адгезивы – органические полимерные клеи – склонны к растрескиванию, дегазации и деградации при воздействии экстремально низких температур, радиации, вакуума или высоких температур. При разрушении соединения чип теряет работоспособность.
🆕 В новой работе вместо органических материалов используется гидроксид-каталитическое связывание. Соединение формируется через раствор гидроксида натрия на молекулярном уровне с образованием неорганического стеклообразного слоя между оптическим волокном и фотонным чипом.
Команда NIST впервые продемонстрировала, что метод HCB обеспечивает как высокоточную юстировку оптического волокна, так и эффективную передачу света, необходимую для работы фотонных интегральных схем, при одновременном формировании прочного корпусирования, устойчивого к экстремальным условиям.
📍 Текущий процесс формирования соединения занимает несколько дней, что ограничивает масштабирование, однако исследователи подчеркивают, что это инженерная задача, а не фундаментальный барьер.
С 14 по 16 апреля в Москве прошла 28-я международная выставка электроники ExpoElectronica.
Мероприятие вновь подтвердило статус крупнейшей отраслевой площадки России, собрав ведущих производителей, разработчиков и поставщиков электронных компонентов и систем.
В рамках ExpoElectronica были продемонстрированы установка для осаждения диэлектрических слоев SiO2, SiON, SiGe на пластинах диаметром до 200 мм «Изофаз-Д» и установка быстрого термического отжига для обработки полупроводниковых пластин в инертной среде «БТО ТМ 200-01». Оборудование разработано и произведено АО НИИТМ совместно с командой промышленного дизайна АО «МНТЦ МИЭТ».
Также на полях ExpoElectronica в рамках деловой программы была анонсирована III научно-техническая конференция Союзного государства «Электронное машиностроение– 2026», которая пройдет 16–17 июня 2026 года в Минске.
В рамках своего выступления на заседании «Прототипирование интегральных микросхем в рамках технологического сервиса MWP на базе отечественных производств» Алексей Леонидович Переверзев, первый заместитель генерального директора АО «МНТЦ МИЭТ», анонсировал проведение первого Международного конкурса программных проектов в области САПР микроэлектроники — Марафон «Траектория САПР 2026». Последний этап Марафона и итоги будут подведены в Минске в рамках конференции «Электронное машиностроение».
Подробнее о конференции и Марафоне можно узнать на сайте конференции https://emkonf.ru/
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлектронноеМашиностроение2026 #ЭлМаш #Наука #МНТЦ #Технологии #Промдизайн
Мероприятие вновь подтвердило статус крупнейшей отраслевой площадки России, собрав ведущих производителей, разработчиков и поставщиков электронных компонентов и систем.
В рамках ExpoElectronica были продемонстрированы установка для осаждения диэлектрических слоев SiO2, SiON, SiGe на пластинах диаметром до 200 мм «Изофаз-Д» и установка быстрого термического отжига для обработки полупроводниковых пластин в инертной среде «БТО ТМ 200-01». Оборудование разработано и произведено АО НИИТМ совместно с командой промышленного дизайна АО «МНТЦ МИЭТ».
Также на полях ExpoElectronica в рамках деловой программы была анонсирована III научно-техническая конференция Союзного государства «Электронное машиностроение– 2026», которая пройдет 16–17 июня 2026 года в Минске.
В рамках своего выступления на заседании «Прототипирование интегральных микросхем в рамках технологического сервиса MWP на базе отечественных производств» Алексей Леонидович Переверзев, первый заместитель генерального директора АО «МНТЦ МИЭТ», анонсировал проведение первого Международного конкурса программных проектов в области САПР микроэлектроники — Марафон «Траектория САПР 2026». Последний этап Марафона и итоги будут подведены в Минске в рамках конференции «Электронное машиностроение».
Подробнее о конференции и Марафоне можно узнать на сайте конференции https://emkonf.ru/
#ЭлектронноеМашиностроение2026 #ЭлМаш #Наука #МНТЦ #Технологии #Промдизайн
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥5
🔬 Исследователи из Калифорнийского университета в Дейвисе (University of California, Davis) показали, что кристаллы галогенидных перовскитов способны обратимо менять свою кристаллическую решетку под воздействием света. Работа опубликована в журнале Advanced Materials и описывает эффект фотострикции – деформации материала при освещении, ранее нехарактерный для классических полупроводников.
⚛️ Перовскиты представляют собой класс полупроводников с общей структурой ABX₃, где кристаллическая решетка формируется вокруг центрального атома, окруженного октаэдром из шести атомов. В отличие от кремния или арсенида галлия, такие материалы могут включать как органические, так и неорганические компоненты и потенциально дешевле в производстве.
⚡️В эксперименте кристаллы облучались лазером, а изменения решетки фиксировались с помощью рентгеновского зондирования. Выяснилось, что структура материала быстро изменяется под действием света и возвращается в исходное состояние после его отключения. Эффект является воспроизводимым и управляемым.
Ключевая особенность – управляемый отклик материала на свет. За счет изменения состава перовскита можно настраивать ширину запрещенной зоны (bandgap), то есть диапазон длин волн, при которых материал начинает поглощать излучение. При этом деформация решетки зависит не только от длины волны, но и от мощности излучения: отклик носит не дискретный, а градуируемый характер.
📍 Эффект открывает возможность создания устройств, в которых механические или электрические свойства управляются светом:
▪︎ фоточувствительные сенсоры;
▪︎ микроактуаторы;
▪︎ элементы оптоэлектроники с управляемыми параметрами.
Фактически речь идет о переходе к «адаптивным» полупроводниковым материалам, где функциональность определяется не только структурой устройства, но и внешним воздействием. Это расширяет архитектурные возможности за пределы традиционной кремниевой электроники.
💬 Электронное машиностроение в MAX
⚛️ Перовскиты представляют собой класс полупроводников с общей структурой ABX₃, где кристаллическая решетка формируется вокруг центрального атома, окруженного октаэдром из шести атомов. В отличие от кремния или арсенида галлия, такие материалы могут включать как органические, так и неорганические компоненты и потенциально дешевле в производстве.
⚡️В эксперименте кристаллы облучались лазером, а изменения решетки фиксировались с помощью рентгеновского зондирования. Выяснилось, что структура материала быстро изменяется под действием света и возвращается в исходное состояние после его отключения. Эффект является воспроизводимым и управляемым.
Ключевая особенность – управляемый отклик материала на свет. За счет изменения состава перовскита можно настраивать ширину запрещенной зоны (bandgap), то есть диапазон длин волн, при которых материал начинает поглощать излучение. При этом деформация решетки зависит не только от длины волны, но и от мощности излучения: отклик носит не дискретный, а градуируемый характер.
📍 Эффект открывает возможность создания устройств, в которых механические или электрические свойства управляются светом:
▪︎ фоточувствительные сенсоры;
▪︎ микроактуаторы;
▪︎ элементы оптоэлектроники с управляемыми параметрами.
Фактически речь идет о переходе к «адаптивным» полупроводниковым материалам, где функциональность определяется не только структурой устройства, но и внешним воздействием. Это расширяет архитектурные возможности за пределы традиционной кремниевой электроники.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤1
Forwarded from АО НИИТМ
«Для нас важно, чтобы промышленный дизайн оборудования НИИТМ учитывал потребности наших заказчиков: повышал удобство эксплуатации и обслуживания технологических модулей, а также служил инструментом повышения конкурентоспособности. С этой задачей мы обратились к нашим коллегам, команде промышленного дизайна «МНТЦ МИЭТ», — отметил генеральный директор АО НИИТМ М.Г. Бирюков.
«Промышленный дизайн и инжиниринг — одно из ключевых направлений АО «МНТЦ МИЭТ». В рамках данного направления была разработана система стилевого единства оборудования, которую мы в настоящий момент масштабируем и внедряем в отрасли электронного машиностроения.
Хочу сделать акцент: это большой и сложный проект и не просто каталог цветов и шрифтов. Это комплексный документ, который охватывает полный цикл — от разработки корпусов оборудования до конкретных рекомендаций для конструкторов по созданию эргономичного и эстетически единообразного внешнего вида.
По сути, мы запустили долгосрочную дизайн-программу, конечная цель которой — кардинально обновить эстетику всей отрасли» - прокомментировал Александр Львов, генеральный директор АО «МНТЦ МИЭТ».
@NIITM_official | #НИИТМ_разработки #МНТЦ_МИЭТ
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍3
🇺🇸 Американская Applied Materials представила новые системы под GAA-транзисторы 2 нм и ниже
Компания вывела на рынок две новые установки — Precision Selective Nitride PECVD и Trillium ALD, ориентированные на производство микросхем для ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Речь идет о переходе к транзисторам типа Gate-All-Around (GAA), где затвор окружает кремниевые нанослои со всех сторон. Такая архитектура обеспечивает более точный контроль тока, но существенно усложняет технологию: формирование транзисторов и межсоединений требует более 500 технологических операций на пластине, а требования к точности каждого процесса резко возрастают.
⚙️ Установка Precision Selective Nitride PECVD выполняет селективное осаждение нитрида кремния при более низких температурах. Она используется для формирования и сохранения изоляционных областей между транзисторами на последующих этапах обработки.
⚙️ Система Trillium ALD отвечает за формирование металлического затвора в GAA-структурах. Она объединяет несколько стадий осаждения металлов на одной платформе, поддерживает высокий вакуум и обеспечивает контроль толщины слоев на уровне ангстремов.
🏭 По данным компании, обе системы уже используются ведущими контрактными производителями при разработке техпроцессов 2 нм и более продвинутых узлов.
#ЭлМаш #технологии #AppliedMaterials
💬 Электронное машиностроение в MAX
Компания вывела на рынок две новые установки — Precision Selective Nitride PECVD и Trillium ALD, ориентированные на производство микросхем для ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Речь идет о переходе к транзисторам типа Gate-All-Around (GAA), где затвор окружает кремниевые нанослои со всех сторон. Такая архитектура обеспечивает более точный контроль тока, но существенно усложняет технологию: формирование транзисторов и межсоединений требует более 500 технологических операций на пластине, а требования к точности каждого процесса резко возрастают.
⚙️ Установка Precision Selective Nitride PECVD выполняет селективное осаждение нитрида кремния при более низких температурах. Она используется для формирования и сохранения изоляционных областей между транзисторами на последующих этапах обработки.
⚙️ Система Trillium ALD отвечает за формирование металлического затвора в GAA-структурах. Она объединяет несколько стадий осаждения металлов на одной платформе, поддерживает высокий вакуум и обеспечивает контроль толщины слоев на уровне ангстремов.
🏭 По данным компании, обе системы уже используются ведущими контрактными производителями при разработке техпроцессов 2 нм и более продвинутых узлов.
#ЭлМаш #технологии #AppliedMaterials
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤3👍2
🇸🇪🇳🇱 Шведская компания AlixLabs и нидерландская компания VDL ETG Projects объявили о подписании меморандума о взаимопонимании по индустриализации технологии APS (Atomic Pitch Splitting)
🔬 Технология APS направлена на уменьшение шага топологии за счет атомно-слоевого травления (ALE, Atomic Layer Etching). В отличие от классического подхода, где требуемая геометрия формируется в литографии, здесь исходный рисунок задается с более крупным шагом, а затем уточняется через последовательные циклы травления с атомарной точностью. Такой подход рассматривается как более экономичная и энергоэффективная альтернатива усложняющимся схемам мультипаттернинга (multi-patterning) и EUV-литографии.
🤝 В рамках соглашения VDL ETG Projects будет играть ключевую роль в разработке и производстве промышленного оборудования APS, используя компетенции в системной интеграции и создании высокотехнологичных установок. Цель сотрудничества – довести технологию от стадии НИОКР к надежным промышленным решениям, готовым к внедрению на полупроводниковых фабриках.
По оценке компаний, внедрение технологии APS может снизить стоимость обработки и повысить производительность за счет более эффективного формирования структур на наноуровне.
⚙️ Технология ориентирована на применение в логике и памяти при переходе к следующим топологическим нормам. Фактически речь идет о попытке сформировать альтернативный подход к масштабированию, где часть задач литографии переносится на этап травления.
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлМаш #технологии #ALE
🔬 Технология APS направлена на уменьшение шага топологии за счет атомно-слоевого травления (ALE, Atomic Layer Etching). В отличие от классического подхода, где требуемая геометрия формируется в литографии, здесь исходный рисунок задается с более крупным шагом, а затем уточняется через последовательные циклы травления с атомарной точностью. Такой подход рассматривается как более экономичная и энергоэффективная альтернатива усложняющимся схемам мультипаттернинга (multi-patterning) и EUV-литографии.
🤝 В рамках соглашения VDL ETG Projects будет играть ключевую роль в разработке и производстве промышленного оборудования APS, используя компетенции в системной интеграции и создании высокотехнологичных установок. Цель сотрудничества – довести технологию от стадии НИОКР к надежным промышленным решениям, готовым к внедрению на полупроводниковых фабриках.
По оценке компаний, внедрение технологии APS может снизить стоимость обработки и повысить производительность за счет более эффективного формирования структур на наноуровне.
⚙️ Технология ориентирована на применение в логике и памяти при переходе к следующим топологическим нормам. Фактически речь идет о попытке сформировать альтернативный подход к масштабированию, где часть задач литографии переносится на этап травления.
#ЭлМаш #технологии #ALE
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Forwarded from Электричка Технологии
Зондовую станцию OmegaAir-150COAX для тестирования чипов представил Ростех
Инженеры Ростеха представили ручную зондовую станцию для проверки работоспособности микрочипов прямо на кремниевой пластине. Оборудование под маркой OmegaAir-150COAX предназначено для измерения и контроля электрических параметров полупроводников в лабораторных условиях, в том числе в помещениях с умеренным и холодным макроклиматом.
▪️Станция принимает пластины диаметром до 150 миллиметров и поддерживает установку до четырёх микропозиционеров — механизмов для точного подвода измерительных зондов к контактным площадкам. Оператор быстро позиционирует инструмент с минимальными усилиями благодаря продуманной эргономике и трём фиксированным положениям рабочего стола: загрузка, выравнивание, контакт с образцом. Гальваническая развязка столика исключает паразитные наводки при чувствительных измерениях, а компактные габариты (600×480×480 мм) позволяют разместить оборудование даже в небольшой лаборатории
⚡️OmegaAir-150COAX уже готова к эксплуатации в измерительных центрах и научно-исследовательских лабораториях. Оборудование закрывает потребность в доступном инструменте входного контроля и поддерживает цикл разработки отечественных микросхем.
👻 Мы в Max
📲 Подпишитесь на Электричку
Инженеры Ростеха представили ручную зондовую станцию для проверки работоспособности микрочипов прямо на кремниевой пластине. Оборудование под маркой OmegaAir-150COAX предназначено для измерения и контроля электрических параметров полупроводников в лабораторных условиях, в том числе в помещениях с умеренным и холодным макроклиматом.
▪️Станция принимает пластины диаметром до 150 миллиметров и поддерживает установку до четырёх микропозиционеров — механизмов для точного подвода измерительных зондов к контактным площадкам. Оператор быстро позиционирует инструмент с минимальными усилиями благодаря продуманной эргономике и трём фиксированным положениям рабочего стола: загрузка, выравнивание, контакт с образцом. Гальваническая развязка столика исключает паразитные наводки при чувствительных измерениях, а компактные габариты (600×480×480 мм) позволяют разместить оборудование даже в небольшой лаборатории
⚡️OmegaAir-150COAX уже готова к эксплуатации в измерительных центрах и научно-исследовательских лабораториях. Оборудование закрывает потребность в доступном инструменте входного контроля и поддерживает цикл разработки отечественных микросхем.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤3👍1
Марафон «Траектория САПР 2026»
Продолжается приём заявок на Международный конкурс программных проектов в области САПР микроэлектроники — марафон «Траектория САПР 2026». Конкурс пройдёт в рамках III научно-технической конференции Союзного государства «Электронное машиностроение – 2026».
Основная цель — развитие компетенций в области разработки средств автоматизации проектирования и популяризация отечественных разработок в сфере САПР микроэлектроники.
Организаторы конкурса АО «МНТЦ МИЭТ», ОАО «Планар» (Республика Беларусь), НИУ МИЭТ, ТУСУР,
МГУ им. М.В. Ломоносова, ННГУ,
ООО «ПК Аквариус», АО «НПО «КИС».
Конкурс проводится при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации и Министерства промышленности Республики Беларусь.
Как проходит конкурс?
• Заочный этап (онлайн): 13 апреля – 25 мая 2026
• Очный этап (защита проектов): 16–17 июня 2026, г. Минск
Кто может участвовать?
• Студенты средне‑профессиональных учебных заведений и вузов
• Возраст: 18–27 лет
• Гражданство: Россия или Республика Беларусь
• Команда: от 1 до 3 человек
Как принять участие?
• Собрать команду (1–3 человека), при желании — выбрать научного руководителя.
• Зарегистрироваться и выбрать задание на сайте: https://emkonf.ru/marathon#registrationm
• Скачать выбранное задание на сайте
• Получить входные данные от кураторов конкурса
• Выполнить задание и отправить решение
• Получить оценку от кураторов/членов жюри
Что даёт участие?
• Возможность решить реальную задачу отрасли
• Гарантированная стажировка с возможностью трудоустройства
• Ценный опыт командной работы
• Профессиональная оценка проекта экспертами
• Нетворкинг с лидерами отрасли
Регистрация Траектория САПР 2026
Telegram Конференция Электронное машиностроение
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#МНТЦ #Технологии #САПР #Инновации #Наука
Продолжается приём заявок на Международный конкурс программных проектов в области САПР микроэлектроники — марафон «Траектория САПР 2026». Конкурс пройдёт в рамках III научно-технической конференции Союзного государства «Электронное машиностроение – 2026».
Основная цель — развитие компетенций в области разработки средств автоматизации проектирования и популяризация отечественных разработок в сфере САПР микроэлектроники.
Организаторы конкурса АО «МНТЦ МИЭТ», ОАО «Планар» (Республика Беларусь), НИУ МИЭТ, ТУСУР,
МГУ им. М.В. Ломоносова, ННГУ,
ООО «ПК Аквариус», АО «НПО «КИС».
Конкурс проводится при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации и Министерства промышленности Республики Беларусь.
Как проходит конкурс?
• Заочный этап (онлайн): 13 апреля – 25 мая 2026
• Очный этап (защита проектов): 16–17 июня 2026, г. Минск
Кто может участвовать?
• Студенты средне‑профессиональных учебных заведений и вузов
• Возраст: 18–27 лет
• Гражданство: Россия или Республика Беларусь
• Команда: от 1 до 3 человек
Как принять участие?
• Собрать команду (1–3 человека), при желании — выбрать научного руководителя.
• Зарегистрироваться и выбрать задание на сайте: https://emkonf.ru/marathon#registrationm
• Скачать выбранное задание на сайте
• Получить входные данные от кураторов конкурса
• Выполнить задание и отправить решение
• Получить оценку от кураторов/членов жюри
Что даёт участие?
• Возможность решить реальную задачу отрасли
• Гарантированная стажировка с возможностью трудоустройства
• Ценный опыт командной работы
• Профессиональная оценка проекта экспертами
• Нетворкинг с лидерами отрасли
Регистрация Траектория САПР 2026
Telegram Конференция Электронное машиностроение
#МНТЦ #Технологии #САПР #Инновации #Наука
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Бюллетень ЭМШ №5 апрель 2026.pdf
20 MB
📍 ПЯТЫЙ ВЫПУСК БЮЛЛЕТЕНЯ АНАЛИТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ
📢 Представляем вам новый выпуск бюллетеня, посвящённый фотошаблонам.
📊 На основе отчётов SEMI мы рассмотрели технологическую эволюцию фотошаблонов, их роль в современной литографии, а также текущее состояние мирового рынка.
📌 В выпуске вы узнаете:
🔹 как устроены фотошаблоны для DUV- и EUV-литографии и чем вызван переход к криволинейной топологии
🔹 тренды производства фотошаблонов и оборудования для их производства
🔹какую долю рынка производства фотошаблонов занимают внутренние подразделения производителей интегральных схем, а какую — независимые поставщики.
🇷🇺 Особое место в выпуске отведено российскому опыту:
🔹 интервью с начальником отдела проектирования и изготовления фотошаблонов АО «ЗИТЦ» Александром Беленковым
🔹 информация о передовом российском оборудовании, позволяющем производить фотошаблоны с топологическими нормами до 65 нм
📰 Традиционно завершает выпуск дайджест отраслевых новостей за январь–март 2026 года.
Будем рады вашей обратной связи!
💬 Электронное машиностроение в МАХ
📢 Представляем вам новый выпуск бюллетеня, посвящённый фотошаблонам.
📊 На основе отчётов SEMI мы рассмотрели технологическую эволюцию фотошаблонов, их роль в современной литографии, а также текущее состояние мирового рынка.
📌 В выпуске вы узнаете:
🔹 как устроены фотошаблоны для DUV- и EUV-литографии и чем вызван переход к криволинейной топологии
🔹 тренды производства фотошаблонов и оборудования для их производства
🔹какую долю рынка производства фотошаблонов занимают внутренние подразделения производителей интегральных схем, а какую — независимые поставщики.
🇷🇺 Особое место в выпуске отведено российскому опыту:
🔹 интервью с начальником отдела проектирования и изготовления фотошаблонов АО «ЗИТЦ» Александром Беленковым
🔹 информация о передовом российском оборудовании, позволяющем производить фотошаблоны с топологическими нормами до 65 нм
📰 Традиционно завершает выпуск дайджест отраслевых новостей за январь–март 2026 года.
Будем рады вашей обратной связи!
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤4🔥3
🚏 TSMC и imec опубликовали дорожные карты по масштабированию микросхем по топологическим нормам 2 нм и ниже
TSMC представила производственную дорожную карту до 2029 года, а imec – исследовательский прогноз развития логических техпроцессов до 2040-х годов.
Из ключевых направлений, обозначенных в дорожной карте TSMC:
🔹 TSMC закрепляет раздельный подход к развитию техпроцессов:
– одни топологические нормы ориентированы на клиентские устройства– новые решения будут предлагаться каждый год;
– другие – на ИИ и высокопроизводительные вычисления – новые решения будут предлагаться каждые два года.
🔹 Выпуск устройств с топологическими нормами A13 и N2U для клиентских устройств:
– A13 станет производной от A14 и выйдет в производство в 2029 году. Это оптическое уменьшение A14: линейные размеры сокращаются примерно на 3%, что дает около 6% прироста плотности транзисторов при сохранении совместимости с правилами проектирования и электрическими характеристиками A14.
– N2U станет продолжением платформы N2 и будет ориентирован на более экономичное обновление проектов на базе N2P. По данным TSMC, N2U даст прирост производительности на 3–4% при той же мощности или снижение энергопотребления на 8–10% при той же скорости, а также умеренное увеличение логической плотности на 2–3%.
🔹 Планы по выпуску микросхем с топологическими нормами A16 и A12 для отрасли ИИ и высокопроизводительных вычислений (HPC).
– A16 теперь указан как техпроцесс 2027 года, хотя ранее ожидался в 2026 году. Компания поясняет, что технология будет готова в 2026 году, но массовый выпуск продуктов зависит от клиентов, поэтому промышленный рост ожидается в 2027 году.
– A12 должен выйти в 2029 году и станет следующим поколением после A16 для дата-центровых и HPC-нагрузок. Техпроцесс будет использовать GAA-транзисторы второго поколения и развитие технологии Super Power Rail — подвода питания с обратной стороны пластины.
🔹 TSMC не планирует использовать High-NA EUV для топологических норм, запланированных до 2029 года. Компания делает ставку на дальнейшее масштабирование с использованием текущей EUV-инфраструктуры, тогда как Intel, напротив, планирует применять High-NA EUV для 14A и последующих техпроцессов.
На более длинном горизонте до 2040-х бельгийский imec показывает, что после 2 нм отрасль будет переходить к новым архитектурам и материалам:
🔹 От nanosheet FET к CFET.
Начиная с N2 отрасль переходит от FinFET к GAA-транзисторам на основе нанолистов. По оценке imec, следующей архитектурой после nanosheet FET станет CFET, где p- и n-канальные транзисторы размещаются вертикально друг над другом.
Такой подход может увеличить плотность CMOS-логики в 1,6–1,8 раза по сравнению с nanosheet FET. Это один из ключевых способов продолжить масштабирование без пропорционального уменьшения всех элементов в плоскости пластины.
🔹 Новые материалы для канала транзистора.
Для топологических норм A2 и ниже imec прогнозирует переход к двумерным полевым транзисторам. В них канал будет формироваться не традиционными кремниевыми нанослоями, а двумерными материалами.
🔹 Межсоединения, питание и теплоотвод становятся частью масштабирования.
В дорожной карте imec отдельно выделены новые решения для back-end процессов, включая возможное применение рутения вместо меди на отдельных уровнях металлизации, воздушные зазоры и самосовмещенные переходные отверстия.
Также растет значение back-side power delivery network (BS-PDN) — переноса сети питания на обратную сторону кристалла. Такой подход освобождает фронтальную сторону для сигнальных линий, но ухудшает теплоотвод, поэтому дальнейшее масштабирование требует новых теплопроводящих материалов и более эффективных тепловых интерфейсов.
Фактически обе дорожные карты показывают смену логики развития отрасли. В обоих случаях главный вывод один: дальнейшее развитие уже не сводится к простому уменьшению топологической нормы. Масштабирование становится комплексной задачей, где важны архитектура транзисторов, межсоединения, питание, корпусирование и теплоотвод.
#ЭлМаш #технологии #TSMC #imec
💬 Электронное машиностроение в МАХ
TSMC представила производственную дорожную карту до 2029 года, а imec – исследовательский прогноз развития логических техпроцессов до 2040-х годов.
Из ключевых направлений, обозначенных в дорожной карте TSMC:
🔹 TSMC закрепляет раздельный подход к развитию техпроцессов:
– одни топологические нормы ориентированы на клиентские устройства– новые решения будут предлагаться каждый год;
– другие – на ИИ и высокопроизводительные вычисления – новые решения будут предлагаться каждые два года.
🔹 Выпуск устройств с топологическими нормами A13 и N2U для клиентских устройств:
– A13 станет производной от A14 и выйдет в производство в 2029 году. Это оптическое уменьшение A14: линейные размеры сокращаются примерно на 3%, что дает около 6% прироста плотности транзисторов при сохранении совместимости с правилами проектирования и электрическими характеристиками A14.
– N2U станет продолжением платформы N2 и будет ориентирован на более экономичное обновление проектов на базе N2P. По данным TSMC, N2U даст прирост производительности на 3–4% при той же мощности или снижение энергопотребления на 8–10% при той же скорости, а также умеренное увеличение логической плотности на 2–3%.
🔹 Планы по выпуску микросхем с топологическими нормами A16 и A12 для отрасли ИИ и высокопроизводительных вычислений (HPC).
– A16 теперь указан как техпроцесс 2027 года, хотя ранее ожидался в 2026 году. Компания поясняет, что технология будет готова в 2026 году, но массовый выпуск продуктов зависит от клиентов, поэтому промышленный рост ожидается в 2027 году.
– A12 должен выйти в 2029 году и станет следующим поколением после A16 для дата-центровых и HPC-нагрузок. Техпроцесс будет использовать GAA-транзисторы второго поколения и развитие технологии Super Power Rail — подвода питания с обратной стороны пластины.
🔹 TSMC не планирует использовать High-NA EUV для топологических норм, запланированных до 2029 года. Компания делает ставку на дальнейшее масштабирование с использованием текущей EUV-инфраструктуры, тогда как Intel, напротив, планирует применять High-NA EUV для 14A и последующих техпроцессов.
На более длинном горизонте до 2040-х бельгийский imec показывает, что после 2 нм отрасль будет переходить к новым архитектурам и материалам:
🔹 От nanosheet FET к CFET.
Начиная с N2 отрасль переходит от FinFET к GAA-транзисторам на основе нанолистов. По оценке imec, следующей архитектурой после nanosheet FET станет CFET, где p- и n-канальные транзисторы размещаются вертикально друг над другом.
Такой подход может увеличить плотность CMOS-логики в 1,6–1,8 раза по сравнению с nanosheet FET. Это один из ключевых способов продолжить масштабирование без пропорционального уменьшения всех элементов в плоскости пластины.
🔹 Новые материалы для канала транзистора.
Для топологических норм A2 и ниже imec прогнозирует переход к двумерным полевым транзисторам. В них канал будет формироваться не традиционными кремниевыми нанослоями, а двумерными материалами.
🔹 Межсоединения, питание и теплоотвод становятся частью масштабирования.
В дорожной карте imec отдельно выделены новые решения для back-end процессов, включая возможное применение рутения вместо меди на отдельных уровнях металлизации, воздушные зазоры и самосовмещенные переходные отверстия.
Также растет значение back-side power delivery network (BS-PDN) — переноса сети питания на обратную сторону кристалла. Такой подход освобождает фронтальную сторону для сигнальных линий, но ухудшает теплоотвод, поэтому дальнейшее масштабирование требует новых теплопроводящих материалов и более эффективных тепловых интерфейсов.
Фактически обе дорожные карты показывают смену логики развития отрасли. В обоих случаях главный вывод один: дальнейшее развитие уже не сводится к простому уменьшению топологической нормы. Масштабирование становится комплексной задачей, где важны архитектура транзисторов, межсоединения, питание, корпусирование и теплоотвод.
#ЭлМаш #технологии #TSMC #imec
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍2
Запланируйте участие в главном отраслевом событии — «Электронное машиностроение-2026»!
Важное напоминание: до изменения условий участия в конференции осталось несколько дней.
🔔18 мая — плановое повышение стоимости участия.
О конференции:
🗓 16–17 июня 2026
📍 Минск, Конгресс-отель «Ренессанс Минск» (пр-т Дзержинского, 1Е)
III научно-техническая конференция Союзного государства «Электронное машиностроение — 2026» — главная площадка для диалога разработчиков, производителей, фабрик и государства в сфере электронного машиностроения.
В программе конференции:
• Пленарные заседания
• Научно-технические секции и круглые столы
• Выставочная экспозиция
• Церемония подписания соглашений
• Ежегодный рейтинг предприятий электронного машиностроения и премия «Лидеры электронного машиностроения»
• Подведение итогов Международного конкурса программных проектов в области САПР микроэлектроники — Марафона «Траектория САПР»
• Экскурсии на промышленные предприятия (ОАО «Планар» или ОАО «Интеграл»)
⏳ Успейте зарегистрироваться!
🔗 Сайт: https://emkonf.ru/#reg
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭМ2026 #МНТЦ #ЭлектронноеМашиностроение2026Наука #Технологии #Инновации
Важное напоминание: до изменения условий участия в конференции осталось несколько дней.
🔔18 мая — плановое повышение стоимости участия.
О конференции:
🗓 16–17 июня 2026
📍 Минск, Конгресс-отель «Ренессанс Минск» (пр-т Дзержинского, 1Е)
III научно-техническая конференция Союзного государства «Электронное машиностроение — 2026» — главная площадка для диалога разработчиков, производителей, фабрик и государства в сфере электронного машиностроения.
В программе конференции:
• Пленарные заседания
• Научно-технические секции и круглые столы
• Выставочная экспозиция
• Церемония подписания соглашений
• Ежегодный рейтинг предприятий электронного машиностроения и премия «Лидеры электронного машиностроения»
• Подведение итогов Международного конкурса программных проектов в области САПР микроэлектроники — Марафона «Траектория САПР»
• Экскурсии на промышленные предприятия (ОАО «Планар» или ОАО «Интеграл»)
⏳ Успейте зарегистрироваться!
🔗 Сайт: https://emkonf.ru/#reg
#ЭМ2026 #МНТЦ #ЭлектронноеМашиностроение2026Наука #Технологии #Инновации
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥1