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20 годин тому - 05‏/08‏/2019 - System zum Transport des Wasserstoffs (deacademic.com, 2017). Aufbau einer H2-Tankstelle (Linde AG, 2018). Brennstoffzellen-Bus (Solaris ...

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11 груд. 2019 р. - Давайте посмотрим на карту римского Лимеса — https://deacademic.com/pictures/dewiki/76/Limes3.png. Обратите внимание, граница между Нориком и ...

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2 дні тому - قبل 13 ساعة - deacademic.com. @deacademiccom Like 1. Is this your channel? Confirm ownership for additional features. Channel's geo & Language. not ...

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Sperrschichtkapazität - universal_lexikon.deacademic.com
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Halbleiterelektronik: die elektrische Kapazität, die mit einer Sperrschicht und den Raumladungen an deren Rändern verbunden ist.Die Sperrschichtkapazität ist stark spannungsabhängig und lässt sich daher nur als differenzielle Kapazität, C = dQ /dU, angeben (Q Ladung, U Spannung). Sie tritt an allen Halbleiterübergängen auf (p-n- und MIS-Übergang, Schottky-Kontakt) und ist für die ...

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Sperrschichtkapazität - universal_lexikon.deacademic.com http://universal_lexikon.deacademic.com/303613/Sperrschichtkapazit%C3%A4t Halbleiterelektronik: die elektrische Kapazität, die mit einer Sperrschicht und den Raumladungen an deren Rändern verbunden ist.Die…
Sperrschichtkapazität - universallexikon.deacademic.com
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Halbleiterelektronik: die elektrische Kapazität, die mit einer Sperrschicht und den Raumladungen an deren Rändern verbunden ist.Die Sperrschichtkapazität ist stark spannungsabhängig und lässt sich daher nur als differenzielle Kapazität, C = dQ /dU, angeben (Q Ladung, U Spannung). Sie tritt an allen Halbleiterübergängen auf (p-n- und MIS-Übergang, Schottky-Kontakt) und ist für die ...

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قبل يومين (2) - deacademic.com. @deacademiccom Like 1. Is this your channel? Confirm ownership for additional features. Channel's geo & Language. not specified, English.

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Gleichstromverstärkungsfaktor
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Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere…

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Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere…

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28‏/08‏/2019 - www.stiftungsarchive.de/archive/649 · www.tu-cottbus.de/fakultaet4/de/gewaesserschutz/links/ · www.universal_lexikon.deacademic.com/296416/Scharwenka

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