برد RAD750 ساخت BAE، با هدف کار در مأموریتهای فضایی طولانی مدت و دور، از یک پردازندۀ گرانقیمت بیش از 200 هزار دلاری بهره میبرد که از فرآیند تولید تخصصی SOS [سیلیکون/یاقوت کبود] برای ساخت آن استفاده شده است. این قدرتمندترین پردازنده مقاوم در برابر تشعشع است که تاکنون ساخته شده است. از نظر ساخت تمایزی بین محصول تجاری و نظامی در فرآیند ساخت ویفر وجود ندارد؛ تفاوت کمی در عملیات مونتاژ و عمده تفاوت در بخش آزمایش حرارتی قطعات نظامی با تجاری یا صنعتی قرار دارد. تراشههای نظامی در محدوده 55- تا 125+، تجاری در 0 تا 70 و صنعتی در دمای 40- تا 85+ درجه سانتیگراد کار میکنند.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍6
شرکت کانن با عرضۀ دستگاههای تولید تراشه با فناوری نانو ایمپرینت (NIL) به بازار، علاوه بر سیستمهای فوتولیتوگرافی موجود، مجموعه تجهیزات خود را برای پاسخگویی به طیف گستردهای از نیازها تقویت کرده است.در این فناوری برخلاف تجهیزات فوتولیتوگرافی EUV، که یک الگو را بر روی ویفر منتقل میکند، دستگاه جدید این کار را با فشار ماسکِ الگوی مدار روی ویفر، مانند یک مهر حک شده، انجام میدهد.بر اساس شنیدهها توان عملیاتی دستگاه 90 ویفر در هر ساعت است که جالب توجه است.از آنجایی که فرآیند انتقال الگوی مدار از طریق مکانیزم نوری انجام نمیشود، الگوهای مدار ظریف روی ماسک را میتوان به طور خوبی روی ویفر بازتولید کرد. بنابراین، الگوهای مدار پیچیده دو یا سه بعدی را میتوان در یک چاپ واحد شکل داد که ممکن است هزینه مالکیت (CoO) را کاهش دهد. این فناوری، الگوبرداری را با حداقل پهنای خط 14nm، معادل گره 5nm که در حال حاضر برای تولید پیشرفتهترین تراشهها نیاز است، امکان پذیر میکند. علاوه براین، با بهبود بیشتر فناوری ماسک، میتواند در الگوبرداری مدار با حداقل پهنای خط 10 نانومتر که مربوط به گره 2 نانومتر است،استفاده شود.
@Science_Prime
@Science_Prime
👏5👍1
Science Prime
@Science_Prime
ترانزیستورهای FinFET و GAAFET هر دو از ساختار ترانزیستوری غیر مسطح استفاده میکنند که سرعت و عملکرد دستگاه را با مصرف انرژی و فوتپرینت کاهش میدهد. از نظر ساختار داخلی در finFET ها، ساختار داخلی دستگاه به گونهای توسعه یافته که گیت سه طرف کانال را احاطه کرده است. برخلاف فناوری finFET، در GAAFETها، گیت کل کانال را در بر میگیرد که نام این ترانزیستورها به همین دلیل است. فناوری نانو سیم یا نانو صفحات انباشته درGAAFET استفاده میشود که مزیتهای مقیاسپذیری کانال و عرض کانال را افزایش میدهد. از نظر تولید هر دو finFET و GAAFET را میتوان با استفاده از ابزارها، فرآیند و روشهای ساخت یکسان به تولید انبوه رساند. از نظر مساحت فوتپرینت و سرعت هم در finFETها، finهای اضافی برای افزایش سرعت دستگاه مورد نیاز است. فرآیند افزودنfinهای موازی باعث افزایش مساحت فوتپرینت میشود و این افزایش سرعت را در finFETها در فرآیند کوچکسازی محدود میکند. به همین علت نانو صفحات جایگزین finها در GAAFET میشوند. نانو صفحات معمولاً به صورت عمودی روی هم چیده میشوند که نیاز به مساحت بیشتر را از بین میبرد. در GAAFET، سرعت بالاتری در اندازه کلی ترانزیستورهای کوچکتر در مقایسه باfinFETها به دست میآید. در مورد جریان های درایو بالا هم نانو صفحات در فناوریGAA در حال پیشرفت هستند. GAAFETهای مبتنی بر نانو صفحات در مقایسه با فناوریfin، جریان درایو بزرگتری را ارائه میدهند. نانو صفحات، عرض کانال موثر بیشتری ایجاد میکند و قابلیت جریان درایو دستگاه را در مقایسه با finFET ها افزایش میدهد. روی دیگر مسئله، جریانهای نشتی کم، ولتاژ عملیاتی و توان دینامیکی است؛ از آنجایی که درfinFETها، گیت سه طرف کانال را احاطه کرده است، یک طرف بدون کنترل گیت باقی میماند. هنگامی که طول گیت در finFET کاهش مییابد، اثرات کانال کوتاه و جریانهای نشتی بیشتری را از طریق سمت بدون گیت دستگاه ایجاد میکند. اما در GAAFET، تمام طرفهای کانال توسط مواد گیت محصور شده است. محصور کردن کانال توسط گیت درGAAFET ها، کنترل کانال را افزایش و جریانهای نشتی را کاهش و ولتاژ عملیاتی و توان دینامیکی را کاهش میدهد. در پایان با مقایسه فنآوریهایfinFET و GAAFET، میتوان خلاصه کرد که ترانزیستورهای GAAFET آینده مدارهای مجتمع هستند. انعطافپذیری طراحی، ولتاژ عملیاتی پایین، جریانهای درایو بالا، سرعت محاسباتی بالا، و عملکرد عالی در یک منطقه کوچکتر، توانایی آنها را عیان میسازد.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍3👏1
این تصویر منظرهای تماشایی از ابرها که پس از انفجار و مرگ یک ستاره عظیم و بقایای آن است که با نام ابرنواختر Vela شناخته میشود. این تصویر پر از جزئیات، شامل 554 میلیون پیکسل و یک تصویر موزاییکی ترکیبی از رصد است که با دوربین 268 میلیون پیکسلی OmegaCAM گرفته شده است.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍5😱1
Science Prime
این تصویر منظرهای تماشایی از ابرها که پس از انفجار و مرگ یک ستاره عظیم و بقایای آن است که با نام ابرنواختر Vela شناخته میشود. این تصویر پر از جزئیات، شامل 554 میلیون پیکسل و یک تصویر موزاییکی ترکیبی از رصد است که با دوربین 268 میلیون پیکسلی OmegaCAM گرفته…
ابزار OmegaCAM نصب شده بر روی فوکوس کاسگرین تلسکوپ از 32 CCD جداگانه تشکیل شده است که در یک آرایش موزاییکی چیده شدهاند. CCD آشکارساز فوتون بسیار حساس بر روی یک ریزتراشه سیلیکونی است که نورِ جمعآوری شدۀ تلسکوپ روی آن متمرکز میشود. این ریزتراشه شامل شبکه بزرگی از عناصر حسگر نور به نام پیکسل است که هر پیکسل تقریباً یک مربع 10 میکرومتری روی یک قطعه سیلیکونی به ضخامت ~50 میکرومتر پرینت شده است. این ابزار به تلسکوپ اجازه میدهد تا با میدان دید 1×1 درجه، معادل 256 میلیون پیکسل رصد کند. برای مقایسه، دوربین ACS هابل 16 میلیون پیکسل است، یعنی OmegaCAM میتواند تصاویری 16 برابر بزرگتر تولید کند! ابزارOmegaCAM با 12 فیلتر باند پهن میتواند میدان بزرگی از دهها هزار ستاره و کهکشان را در طیف وسیعی از طول موجها از 350 در فرابنفش تا 1000 نانومتر در فروسرخ رصد کند. همچنین این ابزار دارای دو فیلتر باند باریک است که برای کارکرد در اطراف خط انتشار H-alpha طراحی شدهاند. H-alpha یک خط طیفی بسیار قرمز است که وقتی الکترون درون اتم هیدروژن انرژی خود را از دست میدهد؛ ایجاد میشود و در تعیین حرکت گاز در اجرامی مانند ستارهها و سحابیها مهم است. این حساسیت به OmegaCAM اجازه میدهد تا بتواند ستارگان جوانی که در حال ایجاد جرم برافزایشی برای تشکیل یک دیسک پیشسیارهای، یا توصیف فیزیک ابرهای مولکولی غولپیکر که در آن ستارهها و سیارات جدید تشکیل میشوند، مطالعه کند.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍2🔥1