Science Prime
انتظار میرود که تراشهها و میکروالکترونیک تا سال 2030 به دلیل افزایش تقاضا برای پردازش اطلاعات، حدود %5 از کل تولید برق را به مصرف برسانند . اما حفظ پیشرفت در این صنعت مستلزم تغییر اساسی به سمت دستگاههای کارآمدتر، با تأکید بر مواد سازگار با فناوری پیشرفته…
در مواد فرو الکتریک، قطبش پس از حذف میدان الکتریکی باقی میماند؛ همچنین دارای قطبش خود به خود هستند بطوری که اگر دما کمتر از دمای انتقال باشد، پلاریزه شده و قطبش در آنها بدون یک میدان خارجی ایجاد میشود و در دمای بالاتر از انتقال، قطبش از بین رفته و ماده پارا الکتریک میشود. این پدیده در مواد فرو الکتریک به این معنی است که "حافظه" حالت قبلی مواد (هیسترزیس) میتواند اطلاعات را به روشی مشابه دستگاههای ذخیره سازی مغناطیسی مانند هارد دیسک ذخیره کند. در اینجا مواد فرو الکتریک مبتنی بر عنصر هافنیوم بدلیل سازگاری با مدارهای کامپیوتری سیلیکونی امروزی نسبت به سایر مواد عملکرد بهتری دارند. در همین رابطه میتوان به فرو الکتریک با ساختار کریستالی از یک ترکیب مبتنی بر هافنیوم/دی اکسید هافنیم که با ایتریم سنتز شده، اشاره کرد. این پدیده به دلیل خواصش میتواند در خازن های گذرده بالا، حافظههای FeRAM غیر فرار، سنسورهای پیروالکتریک، پیزوالکتریک و مبدل ها، الکترواپتیک و اپتوالکترونیک بسیار کاربردی باشد.
تصویر2 :ساختار بلورهای HfO₂ با Y و قطبش فروالکتریک (فلشها) که با معکوس شدن میدان خارجی تغییر جهت میدهد.
@Science_Prime
تصویر2 :ساختار بلورهای HfO₂ با Y و قطبش فروالکتریک (فلشها) که با معکوس شدن میدان خارجی تغییر جهت میدهد.
@Science_Prime
👌2
در دهه 1990، یک تیم از مهندسان ناسا بر روی روشهایی به منظور کوچکسازی چشمگیر دوربینهای فضاپیماهای بین سیارهای و در عین حال حفظ کیفیت تصاویر علمی، تحقیق کردند. نتیجه این تحقیق، حسگر پیکسل فعال (CMOS-APS) شد که کیفیت تصویر را بهبود بخشید و سیستمهای تصویربرداری مینیاتوری کاملی را ارائه داد که ضمن افزایش سرعت با انرژی کم کار میکردند. در سال 1995 این فناوری تجاری شد و دوربینهای وبکم، رادیوگرافی دندان و خودرو و...بکار گرفته شد. با افزایش محبوبیت تلفنهای دوربیندار در اواسط دهه 2000، CMOS-APS برای ساخت دوربینهای موبایل ایدهآل بود. در سال 2006 که بر موج تقاضای دوربین تلفن همراه بود، این فناوری به محور اصلی تامینکننده حسگرهای تصویر CMOS در جهان تبدیل شد.
@Science_Prime
@Science_Prime
🤯6🔥1
Advanced_UltraWideBand_Radar_Science_Prime.PDF
24.4 MB
کتاب "Advanced Ultra Wide Band Radar"
یک منبع ارزشمند برای درک عمیقتر از تکنولوژی رادار UWB و کاربردهای آن، که با ارائه اطلاعات جامع و بهروز، به خواننده کمک میکند تا در زمینه رادار UWB به دانش و مهارت بالایی دست یابد.
@Science_Prime
یک منبع ارزشمند برای درک عمیقتر از تکنولوژی رادار UWB و کاربردهای آن، که با ارائه اطلاعات جامع و بهروز، به خواننده کمک میکند تا در زمینه رادار UWB به دانش و مهارت بالایی دست یابد.
@Science_Prime
❤3🔥2👍1
برد RAD750 ساخت BAE، با هدف کار در مأموریتهای فضایی طولانی مدت و دور، از یک پردازندۀ گرانقیمت بیش از 200 هزار دلاری بهره میبرد که از فرآیند تولید تخصصی SOS [سیلیکون/یاقوت کبود] برای ساخت آن استفاده شده است. این قدرتمندترین پردازنده مقاوم در برابر تشعشع است که تاکنون ساخته شده است. از نظر ساخت تمایزی بین محصول تجاری و نظامی در فرآیند ساخت ویفر وجود ندارد؛ تفاوت کمی در عملیات مونتاژ و عمده تفاوت در بخش آزمایش حرارتی قطعات نظامی با تجاری یا صنعتی قرار دارد. تراشههای نظامی در محدوده 55- تا 125+، تجاری در 0 تا 70 و صنعتی در دمای 40- تا 85+ درجه سانتیگراد کار میکنند.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍6
شرکت کانن با عرضۀ دستگاههای تولید تراشه با فناوری نانو ایمپرینت (NIL) به بازار، علاوه بر سیستمهای فوتولیتوگرافی موجود، مجموعه تجهیزات خود را برای پاسخگویی به طیف گستردهای از نیازها تقویت کرده است.در این فناوری برخلاف تجهیزات فوتولیتوگرافی EUV، که یک الگو را بر روی ویفر منتقل میکند، دستگاه جدید این کار را با فشار ماسکِ الگوی مدار روی ویفر، مانند یک مهر حک شده، انجام میدهد.بر اساس شنیدهها توان عملیاتی دستگاه 90 ویفر در هر ساعت است که جالب توجه است.از آنجایی که فرآیند انتقال الگوی مدار از طریق مکانیزم نوری انجام نمیشود، الگوهای مدار ظریف روی ماسک را میتوان به طور خوبی روی ویفر بازتولید کرد. بنابراین، الگوهای مدار پیچیده دو یا سه بعدی را میتوان در یک چاپ واحد شکل داد که ممکن است هزینه مالکیت (CoO) را کاهش دهد. این فناوری، الگوبرداری را با حداقل پهنای خط 14nm، معادل گره 5nm که در حال حاضر برای تولید پیشرفتهترین تراشهها نیاز است، امکان پذیر میکند. علاوه براین، با بهبود بیشتر فناوری ماسک، میتواند در الگوبرداری مدار با حداقل پهنای خط 10 نانومتر که مربوط به گره 2 نانومتر است،استفاده شود.
@Science_Prime
@Science_Prime
👏5👍1
Science Prime
@Science_Prime
ترانزیستورهای FinFET و GAAFET هر دو از ساختار ترانزیستوری غیر مسطح استفاده میکنند که سرعت و عملکرد دستگاه را با مصرف انرژی و فوتپرینت کاهش میدهد. از نظر ساختار داخلی در finFET ها، ساختار داخلی دستگاه به گونهای توسعه یافته که گیت سه طرف کانال را احاطه کرده است. برخلاف فناوری finFET، در GAAFETها، گیت کل کانال را در بر میگیرد که نام این ترانزیستورها به همین دلیل است. فناوری نانو سیم یا نانو صفحات انباشته درGAAFET استفاده میشود که مزیتهای مقیاسپذیری کانال و عرض کانال را افزایش میدهد. از نظر تولید هر دو finFET و GAAFET را میتوان با استفاده از ابزارها، فرآیند و روشهای ساخت یکسان به تولید انبوه رساند. از نظر مساحت فوتپرینت و سرعت هم در finFETها، finهای اضافی برای افزایش سرعت دستگاه مورد نیاز است. فرآیند افزودنfinهای موازی باعث افزایش مساحت فوتپرینت میشود و این افزایش سرعت را در finFETها در فرآیند کوچکسازی محدود میکند. به همین علت نانو صفحات جایگزین finها در GAAFET میشوند. نانو صفحات معمولاً به صورت عمودی روی هم چیده میشوند که نیاز به مساحت بیشتر را از بین میبرد. در GAAFET، سرعت بالاتری در اندازه کلی ترانزیستورهای کوچکتر در مقایسه باfinFETها به دست میآید. در مورد جریان های درایو بالا هم نانو صفحات در فناوریGAA در حال پیشرفت هستند. GAAFETهای مبتنی بر نانو صفحات در مقایسه با فناوریfin، جریان درایو بزرگتری را ارائه میدهند. نانو صفحات، عرض کانال موثر بیشتری ایجاد میکند و قابلیت جریان درایو دستگاه را در مقایسه با finFET ها افزایش میدهد. روی دیگر مسئله، جریانهای نشتی کم، ولتاژ عملیاتی و توان دینامیکی است؛ از آنجایی که درfinFETها، گیت سه طرف کانال را احاطه کرده است، یک طرف بدون کنترل گیت باقی میماند. هنگامی که طول گیت در finFET کاهش مییابد، اثرات کانال کوتاه و جریانهای نشتی بیشتری را از طریق سمت بدون گیت دستگاه ایجاد میکند. اما در GAAFET، تمام طرفهای کانال توسط مواد گیت محصور شده است. محصور کردن کانال توسط گیت درGAAFET ها، کنترل کانال را افزایش و جریانهای نشتی را کاهش و ولتاژ عملیاتی و توان دینامیکی را کاهش میدهد. در پایان با مقایسه فنآوریهایfinFET و GAAFET، میتوان خلاصه کرد که ترانزیستورهای GAAFET آینده مدارهای مجتمع هستند. انعطافپذیری طراحی، ولتاژ عملیاتی پایین، جریانهای درایو بالا، سرعت محاسباتی بالا، و عملکرد عالی در یک منطقه کوچکتر، توانایی آنها را عیان میسازد.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍3👏1
این تصویر منظرهای تماشایی از ابرها که پس از انفجار و مرگ یک ستاره عظیم و بقایای آن است که با نام ابرنواختر Vela شناخته میشود. این تصویر پر از جزئیات، شامل 554 میلیون پیکسل و یک تصویر موزاییکی ترکیبی از رصد است که با دوربین 268 میلیون پیکسلی OmegaCAM گرفته شده است.
@Science_Prime
@Science_Prime
👍5😱1