تصویر یک تراشۀ مبدل آنالوگ به دیجیتالِ رادار که برای کار در محدوده 55- تا 125 درجه سانتیگراد و حداکثر دمای TJ در 175 درجه سانتیگراد طراحی شده است.

@SciencePrime

در مواد فرو الکتریک، قطبش پس از حذف میدان الکتریکی باقی می‌ماند؛ همچنین دارای قطبش خود به خود هستند بطوری که اگر دما کمتر از دمای انتقال باشد، پلاریزه شده و قطبش در آنها بدون یک میدان خارجی ایجاد می‌شود و در دمای بالاتر از انتقال، قطبش از بین رفته و ماده پارا الکتریک می‌شود. این پدیده در مواد فرو الکتریک به این معنی است که "حافظه" حالت قبلی مواد (هیسترزیس) می‌تواند اطلاعات را به روشی مشابه دستگاه‌های ذخیره سازی مغناطیسی مانند هارد دیسک ذخیره کند. در اینجا مواد فرو الکتریک مبتنی بر عنصر هافنیوم بدلیل سازگاری با مدارهای کامپیوتری سیلیکونی امروزی نسبت به سایر مواد عملکرد بهتری دارند. در همین رابطه می‌توان به فرو الکتریک با ساختار کریستالی از یک ترکیب مبتنی بر هافنیوم/دی اکسید هافنیم که با ایتریم سنتز شده، اشاره کرد. این پدیده به دلیل خواص‌ش می‌تواند در خازن های گذرده بالا، حافظه‌های FeRAM غیر فرار، سنسورهای پیروالکتریک، پیزوالکتریک و مبدل ها، الکترواپتیک و اپتوالکترونیک بسیار کاربردی باشد.

تصویر2 :ساختار بلورهای HfO₂ با Y و قطبش فروالکتریک (فلش‌ها) که با معکوس شدن میدان خارجی تغییر جهت می‌دهد.

@Science_Prime

در دهه 1990، یک تیم از مهندسان ناسا بر روی روش‌هایی به منظور کوچک‌سازی چشمگیر دوربین‌های فضاپیماهای بین سیاره‌ای و در عین حال حفظ کیفیت تصاویر علمی، تحقیق کردند. نتیجه این تحقیق، حسگر پیکسل فعال (CMOS-APS) شد که کیفیت تصویر را بهبود بخشید و سیستم‌های تصویربرداری مینیاتوری کاملی را ارائه داد که ضمن افزایش سرعت با انرژی کم کار می‌کردند. در سال 1995 این فناوری تجاری شد و دوربین‌های وب‌کم، رادیوگرافی دندان و خودرو و...بکار گرفته شد. با افزایش محبوبیت تلفن‌های دوربین‌دار در اواسط دهه 2000، CMOS-APS برای ساخت دوربین‌های موبایل ایده‌آل بود. در سال 2006 که بر موج تقاضای دوربین تلفن همراه بود، این فناوری به محور اصلی تامین‌کننده حسگرهای تصویر CMOS در جهان تبدیل شد.

@Science_Prime

برد RAD750 ساخت BAE، با هدف کار در مأموریت‌های فضایی طولانی مدت و دور، از یک پردازندۀ گرانقیمت بیش از 200 هزار دلاری بهره می‌برد که از فرآیند تولید تخصصی SOS [سیلیکون/یاقوت کبود] برای ساخت آن استفاده شده است. این قدرتمندترین پردازنده مقاوم در برابر تشعشع است که تاکنون ساخته شده است. از نظر ساخت تمایزی بین محصول تجاری و نظامی در فرآیند ساخت ویفر وجود ندارد؛ تفاوت کمی در عملیات مونتاژ و عمده تفاوت در بخش آزمایش حرارتی قطعات نظامی با تجاری یا صنعتی قرار دارد. تراشه‌های نظامی در محدوده 55- تا 125+، تجاری در 0 تا 70 و صنعتی در دمای 40- تا 85+ درجه سانتیگراد کار می‌کنند.

@Science_Prime

شرکت کانن با عرضۀ دستگاه‌های تولید تراشه با فناوری نانو ایم‌پرینت (NIL) به بازار، علاوه بر سیستم‌های فوتولیتوگرافی موجود، مجموعه تجهیزات خود را برای پاسخگویی به طیف گسترده‌ای از نیازها تقویت کرده است.در این فناوری برخلاف تجهیزات فوتولیتوگرافی EUV، که یک الگو را بر روی ویفر منتقل می‌کند، دستگاه جدید این کار را با فشار ماسکِ الگوی مدار روی ویفر، مانند یک مهر حک شده، انجام می‌دهد.بر اساس شنیده‌ها توان عملیاتی دستگاه 90 ویفر در هر ساعت است که جالب توجه است.از آنجایی که فرآیند انتقال الگوی مدار از طریق مکانیزم نوری انجام نمی‌شود، الگوهای مدار ظریف روی ماسک را می‌توان به طور خوبی روی ویفر بازتولید کرد. بنابراین، الگوهای مدار پیچیده دو یا سه بعدی را می‌توان در یک چاپ واحد شکل داد که ممکن است هزینه مالکیت (CoO) را کاهش دهد. این فناوری، الگوبرداری را با حداقل پهنای خط 14nm، معادل گره 5nm که در حال حاضر برای تولید پیشرفته‌ترین تراشه‌ها نیاز است، امکان پذیر می‌کند. علاوه براین، با بهبود بیشتر فناوری ماسک، می‌تواند در الگوبرداری مدار با حداقل پهنای خط 10 نانومتر که مربوط به گره 2 نانومتر است،استفاده شود.

@Science_Prime