🇷🇺 Судебные споры | Ангстрем
Апелляционный арбитражный суд снизил задолженность Ангстрем (в лице Контрактфинансгрупп) перед "Альтернативой капитал" (Л.Реймана). Суд решил сократить эту задолженность с 369 млн руб. до 12,5 млн руб. (стоимость 25% акций Ангстрем), с чем не согласился другой кредитор Ангстрама - банк "Зенит". Ранее Арбитражный суд Москвы постановил включить "Альтернативу капитал" в реестр кредиторов с задолженностью в размере 369 млн руб. Банку "Зенит" Ангстрем должен 1 млрд рублей.
Кроме того Л.Рейман добился включения его в реестр кредиторов "Ангстрем-Т" с правом требования задолженности на сумму 432 млн руб., При этом "Альтернатива капитал" также находится в этом реестре размером задолженности в 2 млрд руб.
Источник: https://www.cnews.ru/news/top/2020-02-21_aktsioneru_angstrema_snizili
Апелляционный арбитражный суд снизил задолженность Ангстрем (в лице Контрактфинансгрупп) перед "Альтернативой капитал" (Л.Реймана). Суд решил сократить эту задолженность с 369 млн руб. до 12,5 млн руб. (стоимость 25% акций Ангстрем), с чем не согласился другой кредитор Ангстрама - банк "Зенит". Ранее Арбитражный суд Москвы постановил включить "Альтернативу капитал" в реестр кредиторов с задолженностью в размере 369 млн руб. Банку "Зенит" Ангстрем должен 1 млрд рублей.
Кроме того Л.Рейман добился включения его в реестр кредиторов "Ангстрем-Т" с правом требования задолженности на сумму 432 млн руб., При этом "Альтернатива капитал" также находится в этом реестре размером задолженности в 2 млрд руб.
Источник: https://www.cnews.ru/news/top/2020-02-21_aktsioneru_angstrema_snizili
CNews.ru
Акционеру «Ангстрема» в 30 раз снизили долги перед экс-министром связи
Апелляционный арбитражный суд в 30 раз — с 369 млн руб. до 12,5 млн руб. — сократил задолженность обанкротившегося...
🇰🇷 Производство памяти. Модули памяти
Samsung Electronics объявляет о начале массового производства 16ГБ модуля памяти LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов.
Модуль удовлетворяет требованиям к устройствам 5G с поддержкой AI, способным служить для графически требовательного гейминга и "умной" фотографии. Это очередной шаг вперед, массовое производство предыдущей версии модуля LPDDR5 с объемом 12 ГБ началось в июле 2019 года.
Скорость передачи данных у новинки до 5500 Мбит/c. По сравнению с модулем 8ГБ, в модуле 16ГБ, при вдвое увеличенной емкости, на 20% снизилось энергопотребление.
Интересно, что модуль состоит из 8-ми чипов 12ГБ и 4-х чипов 8ГБ.
Новинке не придется долго оставаться топовым изделием, на 2H2020 намечено начало массового выпуска 16ГБ модулей 10нм, скорости работы которых достигнут 6400 Мбит/c.
https://news.samsung.com/ru/samsung_16gb_lpddr5_dram - источник
Samsung Electronics объявляет о начале массового производства 16ГБ модуля памяти LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов.
Модуль удовлетворяет требованиям к устройствам 5G с поддержкой AI, способным служить для графически требовательного гейминга и "умной" фотографии. Это очередной шаг вперед, массовое производство предыдущей версии модуля LPDDR5 с объемом 12 ГБ началось в июле 2019 года.
Скорость передачи данных у новинки до 5500 Мбит/c. По сравнению с модулем 8ГБ, в модуле 16ГБ, при вдвое увеличенной емкости, на 20% снизилось энергопотребление.
Интересно, что модуль состоит из 8-ми чипов 12ГБ и 4-х чипов 8ГБ.
Новинке не придется долго оставаться топовым изделием, на 2H2020 намечено начало массового выпуска 16ГБ модулей 10нм, скорости работы которых достигнут 6400 Мбит/c.
https://news.samsung.com/ru/samsung_16gb_lpddr5_dram - источник
🇷🇺 Производство микроэлектроники | GaN | GaAs
В томском "Микран" планируют в ближайшие годы открыть учебно-производственный центр "Фабрика МИС" (монолитно-интегральных схем) для производства изделий СВЧ-микроэлектроники и обучения специалистов.
Одна из целей проекта - наладить работу с технологиями GaAs и GaN для монолитных интегральных схем, а также выпуск мелкосерийных партий СВЧ микроэлектроники и радиофотоники для нужд Микран и других заказчиков в формате мини-foundry.
Одним из партнеров центра выступит Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Центр выступит также в качестве "кузницы кадров" для Микран.
Источник: https://www.riatomsk.ru/article/20200225/tomskij-mikran-otkroet-fabriku-monolitno-integraljnih-shem/
Подробнее о Микран: http://www.mforum.ru/news/article/121581.htm
В томском "Микран" планируют в ближайшие годы открыть учебно-производственный центр "Фабрика МИС" (монолитно-интегральных схем) для производства изделий СВЧ-микроэлектроники и обучения специалистов.
Одна из целей проекта - наладить работу с технологиями GaAs и GaN для монолитных интегральных схем, а также выпуск мелкосерийных партий СВЧ микроэлектроники и радиофотоники для нужд Микран и других заказчиков в формате мини-foundry.
Одним из партнеров центра выступит Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Центр выступит также в качестве "кузницы кадров" для Микран.
Источник: https://www.riatomsk.ru/article/20200225/tomskij-mikran-otkroet-fabriku-monolitno-integraljnih-shem/
Подробнее о Микран: http://www.mforum.ru/news/article/121581.htm
🇰🇷 Производства микроэлектроники | Новые заводы
Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и менее.
Линия основана в феврале 2018 года, тестовое производство началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020.
На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм.
Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм.
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года.
С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает 6=ю полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://cutt.ly/or30fWp
Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и менее.
Линия основана в феврале 2018 года, тестовое производство началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020.
На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм.
Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм.
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года.
С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает 6=ю полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://cutt.ly/or30fWp
🔬 Производство микроэлектроники | Новые технологии
В Бельгийском исcледовательском центре Imec работают над совершенствованием технологии с использованием EUV сканеров.
В частности, с помощью сканера ASML NXE:3400B компании удалось создать линейный рисунок с шагом 24нм, что необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3нм.
Проблемой остается фоторезист. Обычный фоторезист разрушается при работе со сканерами EUV, не выдерживая воздействия пучка лучей. Тем не менее, специалисты Imec и ASML нашли комбинацию настроек сканера, которая позволила работать с фоторезистом с безопасным уровнем излучения.
Как ожидается, на новых сканерах EXE:5000, выход которых ожидается в 2022 году, улучшенная оптическая система с цифровой апертурой 0.55 получится рисовать решетку линий с шагом 8 нм.
К этому времени специалистам нужно разработать фоторезист, который смог бы выдерживать соответствующие энергетические нагрузки, не разрушаясь.
https://3dnews.ru/1004604 - источник
В Бельгийском исcледовательском центре Imec работают над совершенствованием технологии с использованием EUV сканеров.
В частности, с помощью сканера ASML NXE:3400B компании удалось создать линейный рисунок с шагом 24нм, что необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3нм.
Проблемой остается фоторезист. Обычный фоторезист разрушается при работе со сканерами EUV, не выдерживая воздействия пучка лучей. Тем не менее, специалисты Imec и ASML нашли комбинацию настроек сканера, которая позволила работать с фоторезистом с безопасным уровнем излучения.
Как ожидается, на новых сканерах EXE:5000, выход которых ожидается в 2022 году, улучшенная оптическая система с цифровой апертурой 0.55 получится рисовать решетку линий с шагом 8 нм.
К этому времени специалистам нужно разработать фоторезист, который смог бы выдерживать соответствующие энергетические нагрузки, не разрушаясь.
https://3dnews.ru/1004604 - источник
⚙️ Производство микроэлектроники | Фотолитография и EUVL
"Как фирма из Эйндховена стала монополистом на рынке современного оборудования для производства микросхем".
Хороший текст о ASML, ее продуктах - степперах и сканерах EUV (EUVL). Можно узнать о роли фирмы и ее продуктов в мировой индустрии микроэлектроники. О самой востребованной в мире установке для фотолитографии ASML Twinscan NXE:3400B и о разработке EUV серии 5000, которые, как ожидается, дадут возможность выпуска изделий с использованием геометрии 2нм.
О том, что ASML пока что не поставило ни одного сканера EUV в Китай из-за давления США на правительство Нидерландов. О том, что сканеры и степперы EUVL относятся к Вассенаарскому списку изделий двойного назначения. / https://m.habr.com/ru/company/dcmiran/blog/490682/
Подборка информации по теме EUV-фотолитографии http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
"Как фирма из Эйндховена стала монополистом на рынке современного оборудования для производства микросхем".
Хороший текст о ASML, ее продуктах - степперах и сканерах EUV (EUVL). Можно узнать о роли фирмы и ее продуктов в мировой индустрии микроэлектроники. О самой востребованной в мире установке для фотолитографии ASML Twinscan NXE:3400B и о разработке EUV серии 5000, которые, как ожидается, дадут возможность выпуска изделий с использованием геометрии 2нм.
О том, что ASML пока что не поставило ни одного сканера EUV в Китай из-за давления США на правительство Нидерландов. О том, что сканеры и степперы EUVL относятся к Вассенаарскому списку изделий двойного назначения. / https://m.habr.com/ru/company/dcmiran/blog/490682/
Подборка информации по теме EUV-фотолитографии http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
Перспективные технологии | eMRAM
Энергонезависимая магниторезистивная память все ближе к массовому рынку. GlobalFoudries заявила о готовности выпускать чипы с 22нм памятью eMRAM по техпроцессу 2FDX с использованием пластин с обедненным кремнием на изоляторе FD-SOI..
Производить новые чипы будут в Дрездене на пластинах 300мм. Как ожидается, массовый выпуск чипов с eMRAM начнется до конца 2020 года.
Пока что продолжится выпуск eMRAM по технологии 28нм.
eMRAM превосходит NAND-флеш по числу циклов перезаписи больше, чем втрое, к тому же с eMRAM можно быстрее работать, т.к. не требуется стирать содержимое ячейки перед операцией записи в нее.
Источник: https://3dnews.ru/1004777
Энергонезависимая магниторезистивная память все ближе к массовому рынку. GlobalFoudries заявила о готовности выпускать чипы с 22нм памятью eMRAM по техпроцессу 2FDX с использованием пластин с обедненным кремнием на изоляторе FD-SOI..
Производить новые чипы будут в Дрездене на пластинах 300мм. Как ожидается, массовый выпуск чипов с eMRAM начнется до конца 2020 года.
Пока что продолжится выпуск eMRAM по технологии 28нм.
eMRAM превосходит NAND-флеш по числу циклов перезаписи больше, чем втрое, к тому же с eMRAM можно быстрее работать, т.к. не требуется стирать содержимое ячейки перед операцией записи в нее.
Источник: https://3dnews.ru/1004777
3DNews - Daily Digital Digest
GlobalFoundries готова выпускать чипы со встроенной 22-нм памятью eMRAM
Перспективная энергонезависимая магниторезистивная память eMRAM сделала ещё один шаг по направлению к массовому рынку.
🎓 Стандартизация | GaN
В комитете JEDEC идет работа по стандартизации широкозонных полупроводников.
На днях комитет сообщил о публикации гайдлайна JEP180, содержащего рекомендации по оценке надежности коммутационных возможностей силовых ключей на базе GaN. https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jep180 - здесь предлагается скачивать руководство по проведению испытаний изделий силовой электроники на базе GaN в различных режимах.
Источник: https://3dnews.ru/1004788
Больше по теме GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm
В комитете JEDEC идет работа по стандартизации широкозонных полупроводников.
На днях комитет сообщил о публикации гайдлайна JEP180, содержащего рекомендации по оценке надежности коммутационных возможностей силовых ключей на базе GaN. https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jep180 - здесь предлагается скачивать руководство по проведению испытаний изделий силовой электроники на базе GaN в различных режимах.
Источник: https://3dnews.ru/1004788
Больше по теме GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm
3DNews - Daily Digital Digest
Составлено руководство для оценки надёжности силовых GaN-транзисторов
Какими бы передовыми ни были полупроводниковые разработки, без утверждённых стандартов и руководств по тестированию продуктов далеко не уедешь.
(2..) Как ожидается, в 2020 году продолжится доминирование в отгрузках полупроводниковых приборов O-S-D (оптоэлектроника - сенсоры и актуаторы - дискретные элементы). На долю остальных категорий придется 17% на аналоговые устройства, 5% - на чипы памяти.
Источник: https://www.icinsights.com/news/bulletins/Semiconductor-Units-To-Rebound-Exceed-1-Trillion-Devices-Again-In-2020/
Источник: https://www.icinsights.com/news/bulletins/Semiconductor-Units-To-Rebound-Exceed-1-Trillion-Devices-Again-In-2020/
🇷🇺 Процессоры российской разработки
Неофициально оценена производительность процессора Эльбрус-8С.
Она оказалась на уровне процессоров Intel 2014 года, при однопоточных вычислениях. При высокой степени распараллеливания, результаты могут быть существенно лучше.
Подробнее: https://m.aftershock.news/?q=node/837630&full
Неофициально оценена производительность процессора Эльбрус-8С.
Она оказалась на уровне процессоров Intel 2014 года, при однопоточных вычислениях. При высокой степени распараллеливания, результаты могут быть существенно лучше.
Подробнее: https://m.aftershock.news/?q=node/837630&full
🔬 Наука | Материалы и технологии | Антиферромагнетики
На пути к MRAM на базе антиферромагнетиков.
Исследователи Университета Мессины, Италия, и Северо-Западного Университета, США, представили новый тип магнитной памяти, основанный на использовании антиферромагнетиков (AFM).
Как ожидается, это может привести к созданию оперативной памяти MRAM, cовмещающей свойства высокого быстродействия и низкого энергопотребления.
В антиферромагнетиках спины ориентированы антипараллельно, поэтому материал не обладает макроскопической намагниченностью, при том, что его атомы могут ее демонстрировать. В таком материале можно хранить 1 бит информации всего на 12 атомах, тогда как в современных магнитных накопителях для этого требуется не менее 1 млн атомов.
Исследователи под руководством Педрам Халили экспериментируют с элементами, выполненными из платинового марганца. Размеры элементов - 800 нм, меньше, чем в схожих разработках на базе других материалов. Разработчики отмечают, что новая технология совместима с существующим производством полупроводников. Интересная технология, но до ее практического использования может пройти еще немало времени.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2020-03-01_dlya_iskusstvennogo_intellekta
На пути к MRAM на базе антиферромагнетиков.
Исследователи Университета Мессины, Италия, и Северо-Западного Университета, США, представили новый тип магнитной памяти, основанный на использовании антиферромагнетиков (AFM).
Как ожидается, это может привести к созданию оперативной памяти MRAM, cовмещающей свойства высокого быстродействия и низкого энергопотребления.
В антиферромагнетиках спины ориентированы антипараллельно, поэтому материал не обладает макроскопической намагниченностью, при том, что его атомы могут ее демонстрировать. В таком материале можно хранить 1 бит информации всего на 12 атомах, тогда как в современных магнитных накопителях для этого требуется не менее 1 млн атомов.
Исследователи под руководством Педрам Халили экспериментируют с элементами, выполненными из платинового марганца. Размеры элементов - 800 нм, меньше, чем в схожих разработках на базе других материалов. Разработчики отмечают, что новая технология совместима с существующим производством полупроводников. Интересная технология, но до ее практического использования может пройти еще немало времени.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2020-03-01_dlya_iskusstvennogo_intellekta
CNews.ru
Для искусственного интеллекта создан новый тип памяти
Объем данных стремительно растет. Справится с этой лавиной в рамках сегодняшней ИТ-парадигмы, становится все...
🇷🇺 M&A
В феврале 2020 года произошла юридическая ликвидация НПП Восток. Предприятие реорганизовано и вошло в состав НЗПП с ОКБ. 42,31% акций НИПС, ранее принадлежавших Восток, перешли к НЗПП с ОКБ.
НЗПП с ОКБ ранее вошла в состав ГК Элемент.
https://ksonline.ru/368192/novosibirskij-npp-vostok-vlilsya-v-zavod-poluprovodnikovyh-priborov/ - подробнее
В феврале 2020 года произошла юридическая ликвидация НПП Восток. Предприятие реорганизовано и вошло в состав НЗПП с ОКБ. 42,31% акций НИПС, ранее принадлежавших Восток, перешли к НЗПП с ОКБ.
НЗПП с ОКБ ранее вошла в состав ГК Элемент.
https://ksonline.ru/368192/novosibirskij-npp-vostok-vlilsya-v-zavod-poluprovodnikovyh-priborov/ - подробнее
Континент Сибирь Online
Новосибирский НПП «Восток» влился в завод полупроводниковых приборов
Как стало известно «Континенту Сибирь», научно-производственное предприятие «Восток» было реорганизовано и вошло в состав Новосибирского завода полупроводниковых приборов с ОКБ (НЗПП с ОКБ)
🇷🇺 Производство электроники в России | Оборудование
В России практически нет собственного производственного оборудования для производства чипов. Да и производство электронных изделий идет в основном на импортном оборудовании. И все же нельзя сказать, что не выпускается вообще ничего.
В январе 2020 года в НГТУ НЭТИ, Новосибирск совместно с компанией ДТМ Коммуникации наладили "серийный выпуск" Учебно-производственного комплекса Инициатива.
Создан комплекс для автоматического монтажа компонентов на печатные платы. Производительность комплекса - 1000 микрокомпонентов в час. В состав комплекса входят, в частности, российский автоматический установщик (плейсер) SMD-компонентов на печатные платы: трафаретный принтер Феба, печь для пайки Меркурий.
Комплекс Инициатива предназначен для прототипирования, изготовления опытных образцов радиоэлектронных изделий, а также для мелкосерийного производства.
В НГТУ НЭТИ уверены, что стоимость комплекса в 1.5 млн рублей делают его хорошим вариантом для его приобретения вузами России. В частности, это поспособствует подготовке более качественных инженерных кадров.
Видео: https://youtu.be/jACO5Z5yDIA
В России практически нет собственного производственного оборудования для производства чипов. Да и производство электронных изделий идет в основном на импортном оборудовании. И все же нельзя сказать, что не выпускается вообще ничего.
В январе 2020 года в НГТУ НЭТИ, Новосибирск совместно с компанией ДТМ Коммуникации наладили "серийный выпуск" Учебно-производственного комплекса Инициатива.
Создан комплекс для автоматического монтажа компонентов на печатные платы. Производительность комплекса - 1000 микрокомпонентов в час. В состав комплекса входят, в частности, российский автоматический установщик (плейсер) SMD-компонентов на печатные платы: трафаретный принтер Феба, печь для пайки Меркурий.
Комплекс Инициатива предназначен для прототипирования, изготовления опытных образцов радиоэлектронных изделий, а также для мелкосерийного производства.
В НГТУ НЭТИ уверены, что стоимость комплекса в 1.5 млн рублей делают его хорошим вариантом для его приобретения вузами России. В частности, это поспособствует подготовке более качественных инженерных кадров.
Видео: https://youtu.be/jACO5Z5yDIA
YouTube
"Сатурн" - Российский установщик SMD-компонентов на печатные платы из комплекса УПК "Инициатива"!
Специалисты НГТУ НЭТИ и компании "ДТМ Коммуникации" наладили серийный выпуск комплекса УПК "Инициатива". Учебно-производственный комплекс "Инициатива" состоит из нескольких установок: автоматического установщика SMD-компонентов, трафаретного принтера и печи…
🇷🇺 Производство электроники
Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech и Петрозаводский госуниверситет представили опытные образцы SSD NVMe в форм-факторе U.2. Накопитель создан специально для построения all-flash СХД.
Накопитель станет первым продуктом, выпуск которого наладит консорциум, созданный GS Nanotech, Петрозаводский госуниверситет и ДЕПО Электроникс.
В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых - кристаллы NAND-памяти зарубежных производителей.
Разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плату, финальная сборка и упаковка изделий - все это реализовано в инновационном кластере "Технополис GS".
Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech и Петрозаводский госуниверситет представили опытные образцы SSD NVMe в форм-факторе U.2. Накопитель создан специально для построения all-flash СХД.
Накопитель станет первым продуктом, выпуск которого наладит консорциум, созданный GS Nanotech, Петрозаводский госуниверситет и ДЕПО Электроникс.
В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых - кристаллы NAND-памяти зарубежных производителей.
Разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плату, финальная сборка и упаковка изделий - все это реализовано в инновационном кластере "Технополис GS".
📈 Аналитика | Тренды
Аналитики Semiconductor Industry Association (SIA) оценили продажи полупроводников в январе 2020 года в $35.4 млрд. Это соответствует годовому спаду всего на 0.3%. Это может свидетельствовать о грядущем восстановлении рынка. В то же время, коронавирус может негативно влиять на этот тренд.
В январе продажи год к году выросли в Китае - на 5.2% и в США на 0.8%. В Японии и Европе фиксируется ощутимый спад -5% и -5.6%.
https://ko.com.ua/globalnye_prodazhi_poluprovodnikov_pochti_vyshli_v_plyus_132132 - источник
Аналитики Semiconductor Industry Association (SIA) оценили продажи полупроводников в январе 2020 года в $35.4 млрд. Это соответствует годовому спаду всего на 0.3%. Это может свидетельствовать о грядущем восстановлении рынка. В то же время, коронавирус может негативно влиять на этот тренд.
В январе продажи год к году выросли в Китае - на 5.2% и в США на 0.8%. В Японии и Европе фиксируется ощутимый спад -5% и -5.6%.
https://ko.com.ua/globalnye_prodazhi_poluprovodnikov_pochti_vyshli_v_plyus_132132 - источник
🇹🇼 Кристальное производство | Технологии
Одна из перспективных технологий предусматривает горизонтальную компоновку чипов на общей подложке, это технология TSMC CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate). Если до этого года по этой технологии удавалось создать подложку-мост (интерпозер) площадью до 800 кв.мм, то с этого года TSMC готовы создавать подложки площадью 1700 кв.мм. Этого удалось достичь за счет разработки технологии склейки фотомасок для бесшовного изготовления площадки увеличенного размера.
Новая технологияпозволяет разместить на такой подложке несколько однокристальных схем и несколько чипов памяти HBM. То есть одна микросхема может получать память до 96 ГБ!
Такие чипы могут быть востребованы в системах AI/ML, ускоряя их работу и снижая энергопотребление.
Источник: https://3dnews.ru/1005193
Одна из перспективных технологий предусматривает горизонтальную компоновку чипов на общей подложке, это технология TSMC CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate). Если до этого года по этой технологии удавалось создать подложку-мост (интерпозер) площадью до 800 кв.мм, то с этого года TSMC готовы создавать подложки площадью 1700 кв.мм. Этого удалось достичь за счет разработки технологии склейки фотомасок для бесшовного изготовления площадки увеличенного размера.
Новая технологияпозволяет разместить на такой подложке несколько однокристальных схем и несколько чипов памяти HBM. То есть одна микросхема может получать память до 96 ГБ!
Такие чипы могут быть востребованы в системах AI/ML, ускоряя их работу и снижая энергопотребление.
Источник: https://3dnews.ru/1005193
3DNews - Daily Digital Digest
TSMC и Broadcom представили чип с подложкой-мостом с вдвое увеличенной площадью
Как всем известно, дальше закон Мура будет развиваться за счёт комплексного усложнения чипов.
🇷🇺 Регулирование
В феврале Координационный совет разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры Союза машиностроителей России подготовил ряд инициатив и предложений по поддержке профильного сектора отечественной промышленности.
Они адресованы Экспертному совету по развитию электронной и радиоэлектронной промышленности Госдумы и Минпромторгу РФ.
Предлагаются коррекции Стратегии развития электронной промышленности до 2030 года и постановления правительства 878 от июля 2019 года, призванного ограничить госзакупки иностранной продукции.
Примеры предложений: "обоснование невозможности использования отечественной продукции должно носить не уведомительный характер, а подтверждаться детальным анализом независимой экспертизы. Правило о недопустимости объединения в одном лоте следует распространить также и на закупку работ и услуг, включающих российскую электронику."
"Если на бюджетные деньги закупается услуга, а оборудование остается на балансе исполнителя, то такая закупка должна подпадать под действие постановления №878".
Заместитель директора профильного департамента Минпромторга РФ Антон Исаев пообещал дать отечественным производителям «более жесткие преференции» в части 223-ФЗ.
Источник: https://soyuzmash.ru/news/tidings/predlozheniya-po-podderzhke-otechestvennoy-elektronnoy-promyshlennosti-podgotovili-eksperty-soyuzmash/
В феврале Координационный совет разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры Союза машиностроителей России подготовил ряд инициатив и предложений по поддержке профильного сектора отечественной промышленности.
Они адресованы Экспертному совету по развитию электронной и радиоэлектронной промышленности Госдумы и Минпромторгу РФ.
Предлагаются коррекции Стратегии развития электронной промышленности до 2030 года и постановления правительства 878 от июля 2019 года, призванного ограничить госзакупки иностранной продукции.
Примеры предложений: "обоснование невозможности использования отечественной продукции должно носить не уведомительный характер, а подтверждаться детальным анализом независимой экспертизы. Правило о недопустимости объединения в одном лоте следует распространить также и на закупку работ и услуг, включающих российскую электронику."
"Если на бюджетные деньги закупается услуга, а оборудование остается на балансе исполнителя, то такая закупка должна подпадать под действие постановления №878".
Заместитель директора профильного департамента Минпромторга РФ Антон Исаев пообещал дать отечественным производителям «более жесткие преференции» в части 223-ФЗ.
Источник: https://soyuzmash.ru/news/tidings/predlozheniya-po-podderzhke-otechestvennoy-elektronnoy-promyshlennosti-podgotovili-eksperty-soyuzmash/
soyuzmash.ru
Предложения по поддержке отечественной электронной промышленности подготовили эксперты СоюзМаш России
Координационный совет разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры Союза машиностроителей России подготовил ряд инициатив и предложений по поддержке профильного сектора отечественной промышленности. Их направят для проработки и дальнейшего обсуждения…
🇺🇸 Технологии | Фотоника
Intel представила первый в отрасли совмещенный оптический Ethernet-коммутатор с многокристальным сетевым микропроцессором с прямым оптическим входом.
На одной подложке с коммататором на базе чипа ASIC Barefoot Tofino 2 расположено 8 "движков" Intel c пропускной способностью 1.6 Тбит/c.
"Движок" получает оптические сигналы от 4-х 400 Гбит/c портов (400GBase-D4). С выхода движка электрические сигналы уходят в SerDes порты коммутатора. Суммарно коммутатор может обрабатывать данные со скоростью 12.8 Тбит/c.
Intel сообщает о возможности повысить скорости до 25,6 Тбит/c и до 51,2 Тбит/c.
Источник: https://servernews.ru/1005320
Intel представила первый в отрасли совмещенный оптический Ethernet-коммутатор с многокристальным сетевым микропроцессором с прямым оптическим входом.
На одной подложке с коммататором на базе чипа ASIC Barefoot Tofino 2 расположено 8 "движков" Intel c пропускной способностью 1.6 Тбит/c.
"Движок" получает оптические сигналы от 4-х 400 Гбит/c портов (400GBase-D4). С выхода движка электрические сигналы уходят в SerDes порты коммутатора. Суммарно коммутатор может обрабатывать данные со скоростью 12.8 Тбит/c.
Intel сообщает о возможности повысить скорости до 25,6 Тбит/c и до 51,2 Тбит/c.
Источник: https://servernews.ru/1005320
ServerNews - все из мира больших мощностей
Обзор последних событий
ServerNews - новости и экспертиза в области серверных технологий, стандартов и практических решений. Профессионально для профессионалов мира HPC, облачных и распределённых вычислений, систем виртуализации и хранения данных
🇷🇺 Российская электроника | Банкротства
Стало известно о начавшейся процедуре банкротства - наблюдении, введенном на новосибирском предприятии "Союз -Электроника" (входит в холдинг НЭВЗ-Союз).
Предприятие имеет существенную задолженность перед банком Уралсиб, с которым удалось пойти на мировое соглашение. Н,о кроме того, с 2018 года предприятие задолжало 62,6 млн рублей в виде налогов, штрафов, страховых взносов и т.п. И по иску налоговиков, началась процедура банкротства.
Сумма контрактов предприятия в 2018 году по Гособоронзаказу составила менее трети от уровня 2017 года (27,1%). Сотрудников уже разобрали другие компании, входящие в холдинг, а Союз-Электроника уже вряд ли выкарабкается.
Вот такая "Стратегия развития отрасли электроника" в действии. https://rusbankrot.ru/bankruptcy-and-liquidation/golovnaya-kompaniya-nevz-soyuz-poshla-pod-bankrotstvo/
Стало известно о начавшейся процедуре банкротства - наблюдении, введенном на новосибирском предприятии "Союз -Электроника" (входит в холдинг НЭВЗ-Союз).
Предприятие имеет существенную задолженность перед банком Уралсиб, с которым удалось пойти на мировое соглашение. Н,о кроме того, с 2018 года предприятие задолжало 62,6 млн рублей в виде налогов, штрафов, страховых взносов и т.п. И по иску налоговиков, началась процедура банкротства.
Сумма контрактов предприятия в 2018 году по Гособоронзаказу составила менее трети от уровня 2017 года (27,1%). Сотрудников уже разобрали другие компании, входящие в холдинг, а Союз-Электроника уже вряд ли выкарабкается.
Вот такая "Стратегия развития отрасли электроника" в действии. https://rusbankrot.ru/bankruptcy-and-liquidation/golovnaya-kompaniya-nevz-soyuz-poshla-pod-bankrotstvo/
rusbankrot.ru
Головная компания «НЭВЗ-Союз» пошла под банкротство
РусБанкрот - СМИ
🇨🇭 IoT | Кибербезопасность
Компания u-blox пополнила свою линейку решений SARA-R4 модулей с поддержкой LTE-M / NB-IoT и EGPRS вариантами IoT-модулей с комплексной защитой.
Устройства предназначены для критичных к безопасности решений для здравоохранения, мониторинга на предприятий, подключения торговых автоматов и касс, следящих и телематических устройств, а также решений умного освещения и автоматизации зданий.
Функциональности безопасности включают root of trust (RoT) для каждого устройства, а также доступ к масштабируемой системы управления предварительно расшариваемыми ключами (PSK). Выбор PSK, а не PKI (public key infrastructure) сделан в поисках баланса между стоимостью внедоения и уровнем защищенности IoT приложений.
Модуль SARA-R422 обеспечивает выходную мощность 23 dBm. Модуль SARA-R422M8S пре-интегрирован с u-blox M8 GNSS (приемником сигналов глобальной системы спутникового позиционирования) , а также с отдельным интерфейсом подключения антенны для приема спутниковых сигналов.
Компания u-blox пополнила свою линейку решений SARA-R4 модулей с поддержкой LTE-M / NB-IoT и EGPRS вариантами IoT-модулей с комплексной защитой.
Устройства предназначены для критичных к безопасности решений для здравоохранения, мониторинга на предприятий, подключения торговых автоматов и касс, следящих и телематических устройств, а также решений умного освещения и автоматизации зданий.
Функциональности безопасности включают root of trust (RoT) для каждого устройства, а также доступ к масштабируемой системы управления предварительно расшариваемыми ключами (PSK). Выбор PSK, а не PKI (public key infrastructure) сделан в поисках баланса между стоимостью внедоения и уровнем защищенности IoT приложений.
Модуль SARA-R422 обеспечивает выходную мощность 23 dBm. Модуль SARA-R422M8S пре-интегрирован с u-blox M8 GNSS (приемником сигналов глобальной системы спутникового позиционирования) , а также с отдельным интерфейсом подключения антенны для приема спутниковых сигналов.