🇷🇺 Разработано в России | Чип-модули для банковских карт
Новикомбанк начал массовое производство банковских карт Мир с бесконтактными чип-модулями Микрон. Эти карты будут выдаваться в рамках проекта "Социально-платежная карта работника Ростех".
Дуальный чип-модуль К5016ВК01 (MIK51DC16D) для контактных и бесконтактных платежей разработки НИИМЭ производства Микрон, это отечественный продукт первого уровня, включая производство микросхемы и разработку собственного ПО. В 2019 году чип сертифицировала Национальная система платежных карт (НСПК) для использования в сситеме Мир.
«Российский банковский чип, поддерживающий технологию контактных и бесконтактных платежей, является современным высокотехнологичным продуктом, отвечающий всем требованиям рынка и мировым стандартам безопасности», – отметила генеральный директор ПАО «Микрон» Гульнара Хасьянова.
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121559.htm
Новикомбанк начал массовое производство банковских карт Мир с бесконтактными чип-модулями Микрон. Эти карты будут выдаваться в рамках проекта "Социально-платежная карта работника Ростех".
Дуальный чип-модуль К5016ВК01 (MIK51DC16D) для контактных и бесконтактных платежей разработки НИИМЭ производства Микрон, это отечественный продукт первого уровня, включая производство микросхемы и разработку собственного ПО. В 2019 году чип сертифицировала Национальная система платежных карт (НСПК) для использования в сситеме Мир.
«Российский банковский чип, поддерживающий технологию контактных и бесконтактных платежей, является современным высокотехнологичным продуктом, отвечающий всем требованиям рынка и мировым стандартам безопасности», – отметила генеральный директор ПАО «Микрон» Гульнара Хасьянова.
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121559.htm
🇷🇺 Перспективные материалы
В Институте физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН и Института неорганической химии имени А.В. Николаева СО РАН (Виктор Принц, Сергей Митулин) создали нанопереключатели - приборы на основе монокристаллов двуокиси ванадия (VO2), которые при минимальном энергопотреблении способны резко и обратимо менять свое сопротивление. Эти переключатели отличает высокая долговечность (более 100 млрд переключений), высокое быстродействие и микроминиатюрность - уже сейчас можно формировать миллион устройств на кв.см, но потенциально эту плотность можно повысить еще в 1000 раз. Это заявка на возможность применения такого материала в посткремниевой микроэлектронике.
В основе "переключателя" - нанокристалл VO2 с двумя контактами. Один из которых - внедренная в кристалл кремниевая наноигла с диаметром закругления 10нм. Благодаря ее остроте у вершины концентрируется электрическое поле и ток, что и обеспечивает эффект, когда достаточно совсем малого напряжения для того, чтобы переключить систему из полупроводникового состояния в металлическое.
При этом, прибор демонстрирует высокую преемственность в отношении существующих технологий. В частности, из кремния изготавливается не только наноигла, но также подложка и второй контакт. Только нанокристалл выполнен из VO2. Таким образом для производства можно будет задействовать часть современных технологий.
https://infopro54.ru/news/klyuchevye-nanoelementy-dlya-postkremnievoj-elektroniki-sozdali-sibirskie-uchenye/ - источник
http://www.mforum.ru/news/article/121115.htm - еще о новых материалах и технологиях
В Институте физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН и Института неорганической химии имени А.В. Николаева СО РАН (Виктор Принц, Сергей Митулин) создали нанопереключатели - приборы на основе монокристаллов двуокиси ванадия (VO2), которые при минимальном энергопотреблении способны резко и обратимо менять свое сопротивление. Эти переключатели отличает высокая долговечность (более 100 млрд переключений), высокое быстродействие и микроминиатюрность - уже сейчас можно формировать миллион устройств на кв.см, но потенциально эту плотность можно повысить еще в 1000 раз. Это заявка на возможность применения такого материала в посткремниевой микроэлектронике.
В основе "переключателя" - нанокристалл VO2 с двумя контактами. Один из которых - внедренная в кристалл кремниевая наноигла с диаметром закругления 10нм. Благодаря ее остроте у вершины концентрируется электрическое поле и ток, что и обеспечивает эффект, когда достаточно совсем малого напряжения для того, чтобы переключить систему из полупроводникового состояния в металлическое.
При этом, прибор демонстрирует высокую преемственность в отношении существующих технологий. В частности, из кремния изготавливается не только наноигла, но также подложка и второй контакт. Только нанокристалл выполнен из VO2. Таким образом для производства можно будет задействовать часть современных технологий.
https://infopro54.ru/news/klyuchevye-nanoelementy-dlya-postkremnievoj-elektroniki-sozdali-sibirskie-uchenye/ - источник
http://www.mforum.ru/news/article/121115.htm - еще о новых материалах и технологиях
Infopro54 - Новости Новосибирска. Новости Сибири
Ключевые наноэлементы для посткремниевой электроники создали сибирские ученые
Новые устройства могут использоваться для разработки компьютеров, функционирующих по принципу человеческого мозга.
Геополитика и производство микроэлектроники
В попытках и далее активно тормозить технологическое развитие Китая, в США задумываются о все новых запретах. В Министерстве торговли США разрабатывают изменение правил, которое может коснуться компаний, применяющих американское оборудования для производства чипов. Если новые правила когда-либо будут приняты, то потребуется согласовывать с американцами продажи произведенных чипов китайцам. И если какие-то чипы продавать разрешат, то в отношении всего, что обычно попадает в разряд хайтека, могут приниматься запреты.
С одной стороны, идея, возможно, и благая, если говорить о геополитике. С другой стороны, это бьет по хайтеку в целом, затрудняет бизнес самых передовых и высокотехнологичных компаний в мире. Не скажется ли это негативно на прогрессе человечества в целом?
Возможно одна из целей вброса информации о грядущих запретах - заставить производителей высокотехнологичных устройств о таком изменении цепочек поставок при котором будет меньше взаимодействия с Китаем. Поспособствует ли это реиндустриализации США и Европы?
https://www.wsj.com/articles/u-s-weighs-new-move-to-limit-chinas-access-to-chip-technology-11581942688
В попытках и далее активно тормозить технологическое развитие Китая, в США задумываются о все новых запретах. В Министерстве торговли США разрабатывают изменение правил, которое может коснуться компаний, применяющих американское оборудования для производства чипов. Если новые правила когда-либо будут приняты, то потребуется согласовывать с американцами продажи произведенных чипов китайцам. И если какие-то чипы продавать разрешат, то в отношении всего, что обычно попадает в разряд хайтека, могут приниматься запреты.
С одной стороны, идея, возможно, и благая, если говорить о геополитике. С другой стороны, это бьет по хайтеку в целом, затрудняет бизнес самых передовых и высокотехнологичных компаний в мире. Не скажется ли это негативно на прогрессе человечества в целом?
Возможно одна из целей вброса информации о грядущих запретах - заставить производителей высокотехнологичных устройств о таком изменении цепочек поставок при котором будет меньше взаимодействия с Китаем. Поспособствует ли это реиндустриализации США и Европы?
https://www.wsj.com/articles/u-s-weighs-new-move-to-limit-chinas-access-to-chip-technology-11581942688
WSJ
U.S. Weighs New Move to Limit China’s Access to Chip Technology
The Trump administration is considering trade restrictions on China that would limit the use of American chip-making equipment, as it seeks to cut off access to key semiconductor technology, according to people familiar with the plan.
Перспективные материалы | Графен
В журнале Профиль опубликована большая статья, которая популярно рассказывает о светлых перспективах и нелегких буднях молодой графеновой технологии.
Если кратко, материалы на основе графена в перспективе значительно изменят наш мир. Но пока что никто не знает, когда это произойдет, т.к. хрупкость двумерных графеновых пленок затрудняет работу с ними.
Если говорить о микроэлектронике, то в ней графену прочат светлое будущее. Сделанные из графена транзисторы могут быть на порядок меньше современных. Графен применим в производстве дисплеев, где он может заменить стремительно заканчивающийся индий.
В России налажено крупнейшее в мире производство графеновых трубок, в Новосибирске, компанией OCSiAl, до 75 тонн трубок в год (пока большая часть продукции идет на склад). В МИЦ "Композиты России" пытаются найти альтернативные способы переноса графена на различные подложки.
Подробнее: https://profile.ru/scitech/pochemu-tramplin-v-budushhee-izgotovyat-iz-grafena-232756/
В журнале Профиль опубликована большая статья, которая популярно рассказывает о светлых перспективах и нелегких буднях молодой графеновой технологии.
Если кратко, материалы на основе графена в перспективе значительно изменят наш мир. Но пока что никто не знает, когда это произойдет, т.к. хрупкость двумерных графеновых пленок затрудняет работу с ними.
Если говорить о микроэлектронике, то в ней графену прочат светлое будущее. Сделанные из графена транзисторы могут быть на порядок меньше современных. Графен применим в производстве дисплеев, где он может заменить стремительно заканчивающийся индий.
В России налажено крупнейшее в мире производство графеновых трубок, в Новосибирске, компанией OCSiAl, до 75 тонн трубок в год (пока большая часть продукции идет на склад). В МИЦ "Композиты России" пытаются найти альтернативные способы переноса графена на различные подложки.
Подробнее: https://profile.ru/scitech/pochemu-tramplin-v-budushhee-izgotovyat-iz-grafena-232756/
📈 Производство кристаллов | Тренды и прогнозы
Очень интересные наблюдения представила IC Insights - с годами прибыль с пластины, по мере освоения все более высоких технологий, растет только у TSMC (и у Samsung?). Остальные все менее способны выдерживать технологическую гонку.
Это проясняет, почему такие компании как GlobalFoundries или UMC остановили свое развитие на рубежах 12нм или 14нм, но получится ли у них выжить - ведь для роста прибылей остается только путь увеличения объема заказов.
https://3dnews.ru/1004152 - подробнее
Очень интересные наблюдения представила IC Insights - с годами прибыль с пластины, по мере освоения все более высоких технологий, растет только у TSMC (и у Samsung?). Остальные все менее способны выдерживать технологическую гонку.
Это проясняет, почему такие компании как GlobalFoundries или UMC остановили свое развитие на рубежах 12нм или 14нм, но получится ли у них выжить - ведь для роста прибылей остается только путь увеличения объема заказов.
https://3dnews.ru/1004152 - подробнее
Геополитика и производство микроэлектроники
Только-только мы узнали и новых идеях, обсуждающихся в США https://t.me/RUSmicro/876. Если они получат статус закона, многие производители, включая TSMC будут ограничены в возможностях сотрудничества с Huawei.
В TSMC давно услышали США и, как сообщают отраслевые источники Тайваня, уже начали сокращать масштабы сотрудничества с Huawei / HiSilicon. Удар не будет смертельным, о полном разрыве отношений речь не идет, но очередные неприятности Huawei обеспечит. Впрочем, у китайцев все еще остается немало альтернатив, в частности, в выполнении их заказов им вряд ли окажут в Samsung. Вот только у США есть возможность надавить и на Южную Корею.
Источник: https://nag.ru/news/newsline/106347/ssha-vbivayut-klin-mejdu-huawei-i-tsmc.html
Только-только мы узнали и новых идеях, обсуждающихся в США https://t.me/RUSmicro/876. Если они получат статус закона, многие производители, включая TSMC будут ограничены в возможностях сотрудничества с Huawei.
В TSMC давно услышали США и, как сообщают отраслевые источники Тайваня, уже начали сокращать масштабы сотрудничества с Huawei / HiSilicon. Удар не будет смертельным, о полном разрыве отношений речь не идет, но очередные неприятности Huawei обеспечит. Впрочем, у китайцев все еще остается немало альтернатив, в частности, в выполнении их заказов им вряд ли окажут в Samsung. Вот только у США есть возможность надавить и на Южную Корею.
Источник: https://nag.ru/news/newsline/106347/ssha-vbivayut-klin-mejdu-huawei-i-tsmc.html
Telegram
RUSmicro
Геополитика и производство микроэлектроники
В попытках и далее активно тормозить технологическое развитие Китая, в США задумываются о все новых запретах. В Министерстве торговли США разрабатывают изменение правил, которое может коснуться компаний, применяющих…
В попытках и далее активно тормозить технологическое развитие Китая, в США задумываются о все новых запретах. В Министерстве торговли США разрабатывают изменение правил, которое может коснуться компаний, применяющих…
🇨🇭🇹🇼 Силовая электроника | GaN
STMicroelectronics договорилась о размещении заказов на свои передовые изделия силовой микроэлектроники, а также GaN микросхемы на производственных мощностях TSMC. Для тайваньской компании это означает очередное расширение сферы деятельности. Будут изготавливаться изделия кластеров 100В и 650В. Поставки GaN изделий STMicroelectronics, произведенных на Тайване, начнутся в 2020 году.
Компания также сохранит производство GaN в городе Tours, Франция и продолжит сотрудничать с CEA-Leti.
Источник: https://www.globenewswire.com/news-release/2020/02/20/1987595/0/en/STMicroelectronics-and-TSMC-Collaborate-to-Accelerate-Market-Adoption-of-Gallium-Nitride-Based-Products.html
Подробнее о GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm
STMicroelectronics договорилась о размещении заказов на свои передовые изделия силовой микроэлектроники, а также GaN микросхемы на производственных мощностях TSMC. Для тайваньской компании это означает очередное расширение сферы деятельности. Будут изготавливаться изделия кластеров 100В и 650В. Поставки GaN изделий STMicroelectronics, произведенных на Тайване, начнутся в 2020 году.
Компания также сохранит производство GaN в городе Tours, Франция и продолжит сотрудничать с CEA-Leti.
Источник: https://www.globenewswire.com/news-release/2020/02/20/1987595/0/en/STMicroelectronics-and-TSMC-Collaborate-to-Accelerate-Market-Adoption-of-Gallium-Nitride-Based-Products.html
Подробнее о GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm
GlobeNewswire News Room
STMicroelectronics and TSMC Collaborate to Accelerate Market Adoption of Gallium Nitride-Based Products
Accelerates the development and delivery of advanced power GaN solutions to marketLeverages Automotive-market expertise of ST and the foundry leadership of...
🇷🇺 Судебные споры | Ангстрем
Апелляционный арбитражный суд снизил задолженность Ангстрем (в лице Контрактфинансгрупп) перед "Альтернативой капитал" (Л.Реймана). Суд решил сократить эту задолженность с 369 млн руб. до 12,5 млн руб. (стоимость 25% акций Ангстрем), с чем не согласился другой кредитор Ангстрама - банк "Зенит". Ранее Арбитражный суд Москвы постановил включить "Альтернативу капитал" в реестр кредиторов с задолженностью в размере 369 млн руб. Банку "Зенит" Ангстрем должен 1 млрд рублей.
Кроме того Л.Рейман добился включения его в реестр кредиторов "Ангстрем-Т" с правом требования задолженности на сумму 432 млн руб., При этом "Альтернатива капитал" также находится в этом реестре размером задолженности в 2 млрд руб.
Источник: https://www.cnews.ru/news/top/2020-02-21_aktsioneru_angstrema_snizili
Апелляционный арбитражный суд снизил задолженность Ангстрем (в лице Контрактфинансгрупп) перед "Альтернативой капитал" (Л.Реймана). Суд решил сократить эту задолженность с 369 млн руб. до 12,5 млн руб. (стоимость 25% акций Ангстрем), с чем не согласился другой кредитор Ангстрама - банк "Зенит". Ранее Арбитражный суд Москвы постановил включить "Альтернативу капитал" в реестр кредиторов с задолженностью в размере 369 млн руб. Банку "Зенит" Ангстрем должен 1 млрд рублей.
Кроме того Л.Рейман добился включения его в реестр кредиторов "Ангстрем-Т" с правом требования задолженности на сумму 432 млн руб., При этом "Альтернатива капитал" также находится в этом реестре размером задолженности в 2 млрд руб.
Источник: https://www.cnews.ru/news/top/2020-02-21_aktsioneru_angstrema_snizili
CNews.ru
Акционеру «Ангстрема» в 30 раз снизили долги перед экс-министром связи
Апелляционный арбитражный суд в 30 раз — с 369 млн руб. до 12,5 млн руб. — сократил задолженность обанкротившегося...
🇰🇷 Производство памяти. Модули памяти
Samsung Electronics объявляет о начале массового производства 16ГБ модуля памяти LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов.
Модуль удовлетворяет требованиям к устройствам 5G с поддержкой AI, способным служить для графически требовательного гейминга и "умной" фотографии. Это очередной шаг вперед, массовое производство предыдущей версии модуля LPDDR5 с объемом 12 ГБ началось в июле 2019 года.
Скорость передачи данных у новинки до 5500 Мбит/c. По сравнению с модулем 8ГБ, в модуле 16ГБ, при вдвое увеличенной емкости, на 20% снизилось энергопотребление.
Интересно, что модуль состоит из 8-ми чипов 12ГБ и 4-х чипов 8ГБ.
Новинке не придется долго оставаться топовым изделием, на 2H2020 намечено начало массового выпуска 16ГБ модулей 10нм, скорости работы которых достигнут 6400 Мбит/c.
https://news.samsung.com/ru/samsung_16gb_lpddr5_dram - источник
Samsung Electronics объявляет о начале массового производства 16ГБ модуля памяти LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов.
Модуль удовлетворяет требованиям к устройствам 5G с поддержкой AI, способным служить для графически требовательного гейминга и "умной" фотографии. Это очередной шаг вперед, массовое производство предыдущей версии модуля LPDDR5 с объемом 12 ГБ началось в июле 2019 года.
Скорость передачи данных у новинки до 5500 Мбит/c. По сравнению с модулем 8ГБ, в модуле 16ГБ, при вдвое увеличенной емкости, на 20% снизилось энергопотребление.
Интересно, что модуль состоит из 8-ми чипов 12ГБ и 4-х чипов 8ГБ.
Новинке не придется долго оставаться топовым изделием, на 2H2020 намечено начало массового выпуска 16ГБ модулей 10нм, скорости работы которых достигнут 6400 Мбит/c.
https://news.samsung.com/ru/samsung_16gb_lpddr5_dram - источник
🇷🇺 Производство микроэлектроники | GaN | GaAs
В томском "Микран" планируют в ближайшие годы открыть учебно-производственный центр "Фабрика МИС" (монолитно-интегральных схем) для производства изделий СВЧ-микроэлектроники и обучения специалистов.
Одна из целей проекта - наладить работу с технологиями GaAs и GaN для монолитных интегральных схем, а также выпуск мелкосерийных партий СВЧ микроэлектроники и радиофотоники для нужд Микран и других заказчиков в формате мини-foundry.
Одним из партнеров центра выступит Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Центр выступит также в качестве "кузницы кадров" для Микран.
Источник: https://www.riatomsk.ru/article/20200225/tomskij-mikran-otkroet-fabriku-monolitno-integraljnih-shem/
Подробнее о Микран: http://www.mforum.ru/news/article/121581.htm
В томском "Микран" планируют в ближайшие годы открыть учебно-производственный центр "Фабрика МИС" (монолитно-интегральных схем) для производства изделий СВЧ-микроэлектроники и обучения специалистов.
Одна из целей проекта - наладить работу с технологиями GaAs и GaN для монолитных интегральных схем, а также выпуск мелкосерийных партий СВЧ микроэлектроники и радиофотоники для нужд Микран и других заказчиков в формате мини-foundry.
Одним из партнеров центра выступит Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). Центр выступит также в качестве "кузницы кадров" для Микран.
Источник: https://www.riatomsk.ru/article/20200225/tomskij-mikran-otkroet-fabriku-monolitno-integraljnih-shem/
Подробнее о Микран: http://www.mforum.ru/news/article/121581.htm
🇰🇷 Производства микроэлектроники | Новые заводы
Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и менее.
Линия основана в феврале 2018 года, тестовое производство началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020.
На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм.
Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм.
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года.
С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает 6=ю полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://cutt.ly/or30fWp
Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и менее.
Линия основана в феврале 2018 года, тестовое производство началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020.
На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм.
Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм.
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года.
С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает 6=ю полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://cutt.ly/or30fWp
🔬 Производство микроэлектроники | Новые технологии
В Бельгийском исcледовательском центре Imec работают над совершенствованием технологии с использованием EUV сканеров.
В частности, с помощью сканера ASML NXE:3400B компании удалось создать линейный рисунок с шагом 24нм, что необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3нм.
Проблемой остается фоторезист. Обычный фоторезист разрушается при работе со сканерами EUV, не выдерживая воздействия пучка лучей. Тем не менее, специалисты Imec и ASML нашли комбинацию настроек сканера, которая позволила работать с фоторезистом с безопасным уровнем излучения.
Как ожидается, на новых сканерах EXE:5000, выход которых ожидается в 2022 году, улучшенная оптическая система с цифровой апертурой 0.55 получится рисовать решетку линий с шагом 8 нм.
К этому времени специалистам нужно разработать фоторезист, который смог бы выдерживать соответствующие энергетические нагрузки, не разрушаясь.
https://3dnews.ru/1004604 - источник
В Бельгийском исcледовательском центре Imec работают над совершенствованием технологии с использованием EUV сканеров.
В частности, с помощью сканера ASML NXE:3400B компании удалось создать линейный рисунок с шагом 24нм, что необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3нм.
Проблемой остается фоторезист. Обычный фоторезист разрушается при работе со сканерами EUV, не выдерживая воздействия пучка лучей. Тем не менее, специалисты Imec и ASML нашли комбинацию настроек сканера, которая позволила работать с фоторезистом с безопасным уровнем излучения.
Как ожидается, на новых сканерах EXE:5000, выход которых ожидается в 2022 году, улучшенная оптическая система с цифровой апертурой 0.55 получится рисовать решетку линий с шагом 8 нм.
К этому времени специалистам нужно разработать фоторезист, который смог бы выдерживать соответствующие энергетические нагрузки, не разрушаясь.
https://3dnews.ru/1004604 - источник
⚙️ Производство микроэлектроники | Фотолитография и EUVL
"Как фирма из Эйндховена стала монополистом на рынке современного оборудования для производства микросхем".
Хороший текст о ASML, ее продуктах - степперах и сканерах EUV (EUVL). Можно узнать о роли фирмы и ее продуктов в мировой индустрии микроэлектроники. О самой востребованной в мире установке для фотолитографии ASML Twinscan NXE:3400B и о разработке EUV серии 5000, которые, как ожидается, дадут возможность выпуска изделий с использованием геометрии 2нм.
О том, что ASML пока что не поставило ни одного сканера EUV в Китай из-за давления США на правительство Нидерландов. О том, что сканеры и степперы EUVL относятся к Вассенаарскому списку изделий двойного назначения. / https://m.habr.com/ru/company/dcmiran/blog/490682/
Подборка информации по теме EUV-фотолитографии http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
"Как фирма из Эйндховена стала монополистом на рынке современного оборудования для производства микросхем".
Хороший текст о ASML, ее продуктах - степперах и сканерах EUV (EUVL). Можно узнать о роли фирмы и ее продуктов в мировой индустрии микроэлектроники. О самой востребованной в мире установке для фотолитографии ASML Twinscan NXE:3400B и о разработке EUV серии 5000, которые, как ожидается, дадут возможность выпуска изделий с использованием геометрии 2нм.
О том, что ASML пока что не поставило ни одного сканера EUV в Китай из-за давления США на правительство Нидерландов. О том, что сканеры и степперы EUVL относятся к Вассенаарскому списку изделий двойного назначения. / https://m.habr.com/ru/company/dcmiran/blog/490682/
Подборка информации по теме EUV-фотолитографии http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
Перспективные технологии | eMRAM
Энергонезависимая магниторезистивная память все ближе к массовому рынку. GlobalFoudries заявила о готовности выпускать чипы с 22нм памятью eMRAM по техпроцессу 2FDX с использованием пластин с обедненным кремнием на изоляторе FD-SOI..
Производить новые чипы будут в Дрездене на пластинах 300мм. Как ожидается, массовый выпуск чипов с eMRAM начнется до конца 2020 года.
Пока что продолжится выпуск eMRAM по технологии 28нм.
eMRAM превосходит NAND-флеш по числу циклов перезаписи больше, чем втрое, к тому же с eMRAM можно быстрее работать, т.к. не требуется стирать содержимое ячейки перед операцией записи в нее.
Источник: https://3dnews.ru/1004777
Энергонезависимая магниторезистивная память все ближе к массовому рынку. GlobalFoudries заявила о готовности выпускать чипы с 22нм памятью eMRAM по техпроцессу 2FDX с использованием пластин с обедненным кремнием на изоляторе FD-SOI..
Производить новые чипы будут в Дрездене на пластинах 300мм. Как ожидается, массовый выпуск чипов с eMRAM начнется до конца 2020 года.
Пока что продолжится выпуск eMRAM по технологии 28нм.
eMRAM превосходит NAND-флеш по числу циклов перезаписи больше, чем втрое, к тому же с eMRAM можно быстрее работать, т.к. не требуется стирать содержимое ячейки перед операцией записи в нее.
Источник: https://3dnews.ru/1004777
3DNews - Daily Digital Digest
GlobalFoundries готова выпускать чипы со встроенной 22-нм памятью eMRAM
Перспективная энергонезависимая магниторезистивная память eMRAM сделала ещё один шаг по направлению к массовому рынку.
🎓 Стандартизация | GaN
В комитете JEDEC идет работа по стандартизации широкозонных полупроводников.
На днях комитет сообщил о публикации гайдлайна JEP180, содержащего рекомендации по оценке надежности коммутационных возможностей силовых ключей на базе GaN. https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jep180 - здесь предлагается скачивать руководство по проведению испытаний изделий силовой электроники на базе GaN в различных режимах.
Источник: https://3dnews.ru/1004788
Больше по теме GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm
В комитете JEDEC идет работа по стандартизации широкозонных полупроводников.
На днях комитет сообщил о публикации гайдлайна JEP180, содержащего рекомендации по оценке надежности коммутационных возможностей силовых ключей на базе GaN. https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jep180 - здесь предлагается скачивать руководство по проведению испытаний изделий силовой электроники на базе GaN в различных режимах.
Источник: https://3dnews.ru/1004788
Больше по теме GaN: http://www.mforum.ru/news/article/120916.htm
3DNews - Daily Digital Digest
Составлено руководство для оценки надёжности силовых GaN-транзисторов
Какими бы передовыми ни были полупроводниковые разработки, без утверждённых стандартов и руководств по тестированию продуктов далеко не уедешь.
(2..) Как ожидается, в 2020 году продолжится доминирование в отгрузках полупроводниковых приборов O-S-D (оптоэлектроника - сенсоры и актуаторы - дискретные элементы). На долю остальных категорий придется 17% на аналоговые устройства, 5% - на чипы памяти.
Источник: https://www.icinsights.com/news/bulletins/Semiconductor-Units-To-Rebound-Exceed-1-Trillion-Devices-Again-In-2020/
Источник: https://www.icinsights.com/news/bulletins/Semiconductor-Units-To-Rebound-Exceed-1-Trillion-Devices-Again-In-2020/
🇷🇺 Процессоры российской разработки
Неофициально оценена производительность процессора Эльбрус-8С.
Она оказалась на уровне процессоров Intel 2014 года, при однопоточных вычислениях. При высокой степени распараллеливания, результаты могут быть существенно лучше.
Подробнее: https://m.aftershock.news/?q=node/837630&full
Неофициально оценена производительность процессора Эльбрус-8С.
Она оказалась на уровне процессоров Intel 2014 года, при однопоточных вычислениях. При высокой степени распараллеливания, результаты могут быть существенно лучше.
Подробнее: https://m.aftershock.news/?q=node/837630&full
🔬 Наука | Материалы и технологии | Антиферромагнетики
На пути к MRAM на базе антиферромагнетиков.
Исследователи Университета Мессины, Италия, и Северо-Западного Университета, США, представили новый тип магнитной памяти, основанный на использовании антиферромагнетиков (AFM).
Как ожидается, это может привести к созданию оперативной памяти MRAM, cовмещающей свойства высокого быстродействия и низкого энергопотребления.
В антиферромагнетиках спины ориентированы антипараллельно, поэтому материал не обладает макроскопической намагниченностью, при том, что его атомы могут ее демонстрировать. В таком материале можно хранить 1 бит информации всего на 12 атомах, тогда как в современных магнитных накопителях для этого требуется не менее 1 млн атомов.
Исследователи под руководством Педрам Халили экспериментируют с элементами, выполненными из платинового марганца. Размеры элементов - 800 нм, меньше, чем в схожих разработках на базе других материалов. Разработчики отмечают, что новая технология совместима с существующим производством полупроводников. Интересная технология, но до ее практического использования может пройти еще немало времени.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2020-03-01_dlya_iskusstvennogo_intellekta
На пути к MRAM на базе антиферромагнетиков.
Исследователи Университета Мессины, Италия, и Северо-Западного Университета, США, представили новый тип магнитной памяти, основанный на использовании антиферромагнетиков (AFM).
Как ожидается, это может привести к созданию оперативной памяти MRAM, cовмещающей свойства высокого быстродействия и низкого энергопотребления.
В антиферромагнетиках спины ориентированы антипараллельно, поэтому материал не обладает макроскопической намагниченностью, при том, что его атомы могут ее демонстрировать. В таком материале можно хранить 1 бит информации всего на 12 атомах, тогда как в современных магнитных накопителях для этого требуется не менее 1 млн атомов.
Исследователи под руководством Педрам Халили экспериментируют с элементами, выполненными из платинового марганца. Размеры элементов - 800 нм, меньше, чем в схожих разработках на базе других материалов. Разработчики отмечают, что новая технология совместима с существующим производством полупроводников. Интересная технология, но до ее практического использования может пройти еще немало времени.
Подробнее: https://www.cnews.ru/news/top/2020-03-01_dlya_iskusstvennogo_intellekta
CNews.ru
Для искусственного интеллекта создан новый тип памяти
Объем данных стремительно растет. Справится с этой лавиной в рамках сегодняшней ИТ-парадигмы, становится все...
🇷🇺 M&A
В феврале 2020 года произошла юридическая ликвидация НПП Восток. Предприятие реорганизовано и вошло в состав НЗПП с ОКБ. 42,31% акций НИПС, ранее принадлежавших Восток, перешли к НЗПП с ОКБ.
НЗПП с ОКБ ранее вошла в состав ГК Элемент.
https://ksonline.ru/368192/novosibirskij-npp-vostok-vlilsya-v-zavod-poluprovodnikovyh-priborov/ - подробнее
В феврале 2020 года произошла юридическая ликвидация НПП Восток. Предприятие реорганизовано и вошло в состав НЗПП с ОКБ. 42,31% акций НИПС, ранее принадлежавших Восток, перешли к НЗПП с ОКБ.
НЗПП с ОКБ ранее вошла в состав ГК Элемент.
https://ksonline.ru/368192/novosibirskij-npp-vostok-vlilsya-v-zavod-poluprovodnikovyh-priborov/ - подробнее
Континент Сибирь Online
Новосибирский НПП «Восток» влился в завод полупроводниковых приборов
Как стало известно «Континенту Сибирь», научно-производственное предприятие «Восток» было реорганизовано и вошло в состав Новосибирского завода полупроводниковых приборов с ОКБ (НЗПП с ОКБ)
🇷🇺 Производство электроники в России | Оборудование
В России практически нет собственного производственного оборудования для производства чипов. Да и производство электронных изделий идет в основном на импортном оборудовании. И все же нельзя сказать, что не выпускается вообще ничего.
В январе 2020 года в НГТУ НЭТИ, Новосибирск совместно с компанией ДТМ Коммуникации наладили "серийный выпуск" Учебно-производственного комплекса Инициатива.
Создан комплекс для автоматического монтажа компонентов на печатные платы. Производительность комплекса - 1000 микрокомпонентов в час. В состав комплекса входят, в частности, российский автоматический установщик (плейсер) SMD-компонентов на печатные платы: трафаретный принтер Феба, печь для пайки Меркурий.
Комплекс Инициатива предназначен для прототипирования, изготовления опытных образцов радиоэлектронных изделий, а также для мелкосерийного производства.
В НГТУ НЭТИ уверены, что стоимость комплекса в 1.5 млн рублей делают его хорошим вариантом для его приобретения вузами России. В частности, это поспособствует подготовке более качественных инженерных кадров.
Видео: https://youtu.be/jACO5Z5yDIA
В России практически нет собственного производственного оборудования для производства чипов. Да и производство электронных изделий идет в основном на импортном оборудовании. И все же нельзя сказать, что не выпускается вообще ничего.
В январе 2020 года в НГТУ НЭТИ, Новосибирск совместно с компанией ДТМ Коммуникации наладили "серийный выпуск" Учебно-производственного комплекса Инициатива.
Создан комплекс для автоматического монтажа компонентов на печатные платы. Производительность комплекса - 1000 микрокомпонентов в час. В состав комплекса входят, в частности, российский автоматический установщик (плейсер) SMD-компонентов на печатные платы: трафаретный принтер Феба, печь для пайки Меркурий.
Комплекс Инициатива предназначен для прототипирования, изготовления опытных образцов радиоэлектронных изделий, а также для мелкосерийного производства.
В НГТУ НЭТИ уверены, что стоимость комплекса в 1.5 млн рублей делают его хорошим вариантом для его приобретения вузами России. В частности, это поспособствует подготовке более качественных инженерных кадров.
Видео: https://youtu.be/jACO5Z5yDIA
YouTube
"Сатурн" - Российский установщик SMD-компонентов на печатные платы из комплекса УПК "Инициатива"!
Специалисты НГТУ НЭТИ и компании "ДТМ Коммуникации" наладили серийный выпуск комплекса УПК "Инициатива". Учебно-производственный комплекс "Инициатива" состоит из нескольких установок: автоматического установщика SMD-компонентов, трафаретного принтера и печи…