🇸🇬 🇯🇵 🇺🇸 Производственные мощности. Производство подложек FC-BGA. Сингапур. Япония. США

TOPPAN и Broadcom открыли в Сингапуре первый зарубежный завод по выпуску FC-BGA-подложек

Advanced Substrate Technologies (AST), совместное предприятие японской TOPPAN Holdings и американской Broadcom, 29 сентября открыло в Сингапуре завод подложек FC-BGA. Это первый производственный объект TOPPAN по выпуску FC-BGA за пределами Японии и первая в Сингапуре фабрика такого класса (но не первое для TOPPAN зарубежное производство).

Строительство началось в марте 2024 года и завершилось на 3 месяца раньше графика, бывает и так. Инвестиции в первую очередь составили около 50 млрд иен (примерно 405 млн сингапурских долларов), а с учётом планируемого расширения совокупные вложения могут превысить 100 млрд иен. Общая площадь площадки - около 95 тысяч кв. м, из которых порядка 70 тысяч кв. м - первая очередь.

Завод ориентирован на выпуск крупных многослойных подложек для ускорителей, на которых работают модели генеративного ИИ, сервера ЦОД и сетевое оборудование. Серийный выпуск подложек должен начаться в декабре 2026 года; к концу целевого периода TOPPAN рассчитывает нарастить мощности FC-BGA-бизнеса, минимум, в 2,5 раза относительно уровня 2022 года. К моменту открытия на предприятии работало 315 человек, в том числе более 200 инженеров и техников; в перспективе компания планирует создать свыше 330 рабочих мест. Предусмотрена и разработка при производстве, и партнёрства с местными учебными заведениями для подготовки кадров.

СП строится в интересах и с опорой на якорного заказчика: американская Broadcom напрямую заинтересована в гарантированных объёмах выпуска продвинутых подложек, которые в последние годы превратились в узкое место в цепочке поставок ИИ-чипов.

Производить подложки для ИИ-ускорителей существенно сложнее потребительских: если у обычных продуктов 4–8 слоёв разводки, то у чипов с чиплетной архитектурой может быть 20–30 слоёв при размерах корпуса свыше 100×100 мм. Каждый дополнительный слой повышает риск дефектов и затягивает достижение целевых значений выхода годных, поэтому создание новых производственных мощностей непосредственно отразится на объёмах выпуска ИИ-процессоров.

Для TOPPAN открытие завода - часть стратегии географической диверсификации. Основной производственный хаб FC-BGA остаётся в Ниигате (Япония), а сингапурская площадка снижает риски природных и геополитических потрясений и приближает производство к растущему спросу в Юго-Восточной Азии. Проект поддержали Совет экономического развития Сингапура (EDB) и корпорация JTC.

Дань экологии - предприятие будут активно использовать солнечные панели в качестве источника пополняемой энергии и систему рециркуляции воды для ее экономии.

Сингапур последовательно наращивает роль в полупроводниковой цепочке, привлекая на свою территорию современные производства материалов, оборудования и упаковки кристаллов. Завод AST стал первым в стране производством FC-BGA-подложек. В этом сегменте – считанные единицы поставщиков во всем мире, при этом наблюдается дефицит производственных мощностей на фоне бума инвестиций в ИИ-инфраструктуру. ||

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

🇺🇸 🇹🇼 Производственные мощности. Производство интерпозеров. Контракты. США. Тайвань

GlobalFoundries будет производить ключевой компонент для ИИ-чипов TSMC в рамках сделки на $2 млрд

GlobalFoundries сообщила, что достигла соглашения на $2 млрд о производстве ключевого компонента, используемого для связи ИИ-процессоров и чипов памяти, в интересах TSMC, на своем предприятии в Нью-Йорке. Этот компонент, известный как кремниевый интерпозер, располагается под процессорами и чипами памяти внутри передовых ИИ-модулей и обеспечивает их высокоскоростное взаимодействие.

В рамках пятилетнего соглашения GlobalFoundries расширит производственные мощности своего предприятия в Малте, штат Нью-Йорк, для выпуска этих компонентов для TSMC. По словам компании, это предприятие, как ожидается, станет первым в США источником кремниевых интерпозеров, используемых в передовых технологиях корпусирования чипов. Акции GlobalFoundries росли примерно на 4% на предрыночных торгах.

Сделка создает основу для будущего расширения мощностей по мере роста спроса на передовое корпусирование; ожидается, что серийное производство начнет расти в первой половине 2028 года. Передовое корпусирование стало одним из главных ограничений для производства ИИ-чипов, поскольку спрос на эту технологию превышает доступные производственные мощности.

Сделка GlobalFoundries и TSMC на $2 млрд отражает острую нехватку мощностей для передового корпусирования чипов — ключевого «узкого места» в производстве ИИ‑чипов. Выпуск кремниевых интерпозеров на площадке в Нью‑Йорке не только снимет часть дефицита, но и укрепит позиции США как хаба высокотехнологичного производства. При этом масштабирование мощностей и выход на серийное наращивание в 2028 году показывают, что быстрого решения проблемы дефицита не будет, производства расширяются без особой спешки. ||

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

🇳🇱 🇪🇺 Фотолитографы (степперы). Оборудование для производства микросхем. Нидерланды. Европа

ASML и Zeiss - технология производства чипов следующего поколения Hyper NA может быть готова через 10 лет

Преемник самого передового в мире литографического оборудования ASML, оборудование Hyper NA, может быть готово примерно через 10 лет, сообщили инженеры компании и ее партнера в области оптических решений Carl Zeiss в рецензируемой научной работе. Установка Hyper NA с планируемой апертурой около 0.75 вместо 0.55 у High NA, позволит печатать более мелкие элементы микросхем, при этом во многом будет опираться на уже существующие технологии компаний, хотя определенные трудности сохраняются. Такая установка уже разрабатывается, но ASML не анонсировала твердых планов о запуске ее производства.

В статье, опубликованной в октябрьском выпуске Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology, говорится, что Hyper NA сможет обеспечить возможность печати элементов узлов с разрешением всего 5 нм (не путать с плотностью размещения узлов на кристалле) - более чем на треть меньше, чем то, на что способна нынешняя установка ASML High NA EUV.

Производители чипов научились достигать все более высокой плотности размещения узлов на чипе, например, с помощью трехмерных архитектур, способность «рисовать» элементы узлов еще более малого размера – это ключевой фактор для повышения скорости работы микросхем и их энергоэффективности. Литография на сегодня выступает ограничивающим фактором. Intel уже начала использовать High NA в производстве, в то время как Samsung и SK Hynix в прошлом месяце заявили, что последуют их примеру в 2028 году, а TSMC - в 2030 году.

В статье отмечается, что Zeiss уже способна изготавливать зеркала с точностью, достаточной для Hyper NA, а машина, как ожидается, будет лишь немного крупнее установок High NA. По словам авторов, Hyper NA будет, вероятно, последним поколением оборудования, которое сможет использовать существующие источники света, которые применяются в High NA. Впрочем, если разработчики решат использовать альтернативную технологию с лазерами на свободных электронах, это не потребует существенных изменений существующей конструкции системы освещения. ||

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

📈 Производство памяти. HBM. Цены. Прогнозы

TrendForce: цены на HBM-память вырастут в 2.2 раза к 2027 году
 
По данным TrendForce, средняя цена на память HBM в 2027 году вырастет на 121% по сравнению с 2026 годом, то есть примерно в 2.2 раза. Такой резкий рост обусловлен устойчивым спросом со стороны производителей ИИ‑серверов и одновременным дефицитом производственных мощностей: HBM и обычная DRAM конкурируют за одни и те же передовые технологические линии и кремниевые пластины.
 
В прогноз заложена растущая доля более дорогой памяти HBM4, а в 2H2027 начнётся постепенный запуск HBM4E. При этом наращивание выхода годных чипов для новых поколений памяти требует времени, поэтому дефицит, по оценке TrendForce, сохранится как минимум до конца 2027 года.
 
На фоне роста цен и нехватки компонентов производители GPU и ASIC ищут способы сдержать рост системных затрат. Один из ключевых подходов - снизить объём HBM на одно устройство, в том числе за счёт перехода с 12‑слойных стеков (12‑Hi) на 8‑слойные (8‑Hi). Это позволяет из того же ограниченного объёма памяти собрать больше готовых ускорителей, что должно частично сгладить проблему дефицита.
 
Однако такой компромисс не снижает стоимость единицы ёмкости: каждый стек HBM независимо от числа слоёв требует базового кристалла с фиксированной стоимостью. В результате в 8‑Hi‑стеке на меньший объём памяти приходится та же доля затрат на базовый кристалл, из‑за чего цена за гигабит оказывается на 10–20 % выше, чем у 12‑Hi‑аналога. Таким образом, переход на менее ёмкие стеки помогает увеличить количество выпускаемых устройств в штуках, но не делает память дешевле в пересчёте на гигабит.
 
С точки зрения рынка это отражает фундаментальный разрыв между взрывным спросом со стороны ИИ‑индустрии и физическими ограничениями полупроводникового производства. Поставщики получают возможность повысить маржинальность, но это приведет к рискам замедления темпов внедрения ИИ‑решений из‑за роста стоимости инфраструктуры. Разработчикам ускорителей придется искать баланс между производительностью, доступным объёмом памяти и итоговой стоимостью системы.
 
В перспективе смягчение дефицита будет зависеть от темпов расширения производственных мощностей и скорости освоения новых поколений HBM, включая HBM4E. Пока же HBM остаётся «узким местом» для развития ИИ‑инфраструктуры: даже адаптивные стратегии производителей GPU не способны развернуть общий тренд на удорожание, а лишь перераспределяют ограниченные ресурсы в условиях высокого спроса. ||
 
((по материалам tg-канала @TechPublisher))

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max