🇳🇱 Производители производственного оборудования. Степперы EUV. Нидерланды
ASML раскрыла дорожную карту литографии: после High-NA последует Hyper-NA с апертурой 0,75
На днях ASML представила план развития своих литографических установок. Главный анонс — разработка Hyper-NA, следующего поколения EUV-сканеров с числовой апертурой 0,75. Это следующий шаг после High-NA EUV (NA 0,55), который только начинает выходить в серию.
Если современные EUV-установки с NA 0,33 формируют узоры с разрешением 13 нм, то High-NA обеспечивают разрешение до 8 нм, а Hyper-NA обещает дальнейшее улучшение показателя. (Важно не путать эти нанометры с «маркетинговыми», которые говорят не о разрешении литографа «в линиях», а о плотности размещения узлов на подложке.
Сроки коммерческого внедрения установок Hyper-NA - точно после 2030 года, они пока не утверждены окончательно: компания намерена ориентироваться на потребности заказчиков и рыночную конъюнктуру. Очень сложно сподвигнуть производителей на покупку все более дорогих установок.
Параллельно ASML наращивает производительность существующих EUV-сканеров с NA 0,33 – на них есть устойчивый спрос, а если бы не геополитика, он был бы в разы большим. Текущая модель NXE:3800F обрабатывает свыше 260 пластин в час; NXE:4200G должна поднять планку до 300+; NXE:4200H - до 330+. Одновременно ожидается рост точности совмещения слоёв (MMO – Matched Machine Overlay) - с 0,9 нм до 0,8 нм и далее до 0,7 нм.
В дорожной карте обозначены и дальнейшие перспективы: NXE:4600 нацелена на выдачу 400+ пластин в час при NA 0,33, а High-NA-установка EXE:5600 — на 250+ пластин в час.
EUV-установки не вытесняют и другие типы сканеров, в частности, те установки, что способны работать только по зрелым техпроцессам. Остаются востребованными, в частности, установки KrF (248 нм) и i-line (365 нм). В 2025 году ASML отгрузила 48 EUV-аппаратов и 131 иммерсивных DUV. ||
((изображения - с сайта EE Times Japan))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
ASML раскрыла дорожную карту литографии: после High-NA последует Hyper-NA с апертурой 0,75
На днях ASML представила план развития своих литографических установок. Главный анонс — разработка Hyper-NA, следующего поколения EUV-сканеров с числовой апертурой 0,75. Это следующий шаг после High-NA EUV (NA 0,55), который только начинает выходить в серию.
Если современные EUV-установки с NA 0,33 формируют узоры с разрешением 13 нм, то High-NA обеспечивают разрешение до 8 нм, а Hyper-NA обещает дальнейшее улучшение показателя. (Важно не путать эти нанометры с «маркетинговыми», которые говорят не о разрешении литографа «в линиях», а о плотности размещения узлов на подложке.
Сроки коммерческого внедрения установок Hyper-NA - точно после 2030 года, они пока не утверждены окончательно: компания намерена ориентироваться на потребности заказчиков и рыночную конъюнктуру. Очень сложно сподвигнуть производителей на покупку все более дорогих установок.
Параллельно ASML наращивает производительность существующих EUV-сканеров с NA 0,33 – на них есть устойчивый спрос, а если бы не геополитика, он был бы в разы большим. Текущая модель NXE:3800F обрабатывает свыше 260 пластин в час; NXE:4200G должна поднять планку до 300+; NXE:4200H - до 330+. Одновременно ожидается рост точности совмещения слоёв (MMO – Matched Machine Overlay) - с 0,9 нм до 0,8 нм и далее до 0,7 нм.
В дорожной карте обозначены и дальнейшие перспективы: NXE:4600 нацелена на выдачу 400+ пластин в час при NA 0,33, а High-NA-установка EXE:5600 — на 250+ пластин в час.
EUV-установки не вытесняют и другие типы сканеров, в частности, те установки, что способны работать только по зрелым техпроцессам. Остаются востребованными, в частности, установки KrF (248 нм) и i-line (365 нм). В 2025 году ASML отгрузила 48 EUV-аппаратов и 131 иммерсивных DUV. ||
((изображения - с сайта EE Times Japan))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
1🔥6❤3🤔3🤣1
🇷🇺 Кадры. Участники рынка. Россия
Сокращения в Нанотронике - оптимизация структуры или разгром ценной команды и возможная утрата компетенций?
Очередные "турбуленции" среди значимых участников российского рынка: в АО "Нанотроника" (ГК Элемент) идут существенные сокращения персонала (по версии КоммерсантЪ - уволиться предложили примерно каждому пятому сотруднику). По версии ГК "Элемент" "оптимизация штата" "носит исключительно точечный характер".
"Нанотроника", как мы знаем, собиралась разработать и выпускать различное отечественное оборудование для производства микроэлектроники. Созданная в 2023 году компания, что типично для стартапов, занятых разработкой высокотехнологичного оборудования пока что "планово убыточная". В 2024 и году компания показала убытки. В 2025 году убытки выросли примерно вдвое до 145.97 млн.
Новая команда управленцев ГК "Элемент" приняла решение об "оптимизации" коллектива.
Решения об увольнении, расторжении договора и переходе в другие компании группы принимаются сотрудниками исключительно на добровольной основе без давления со стороны руководства - утверждает ГК "Элемент".
Сотрудники "Нанотроники" между тем, бьют тревогу, они направили в "КоммерсантЪ" обращение, авторы которого отмечают, что "Уход людей означает не сокращение издержек, а утрату компетенций, а восстановление компетенций потребует существенно больших средств и времени, чем их сохранение, и ставит под вопрос сроки исполнения обязательств предприятия по действующим опытно-конструкторским работам и договорам". "Сложившийся коллектив представляет ценность, не сводимую к сумме отдельных работников".
Будет жаль, если проводимая "оптимизация" действительно серьезно затронет команду разработчиков. С "Нанотроникой" у российской отрасли микроэлектроники связано много ожиданий.
Можно вспомнить такие проекты как производство силовой электроники (проект) "Кубик", производство на пластинах 200 мм по техпроцессу 180/90нм (ФАБ-200); попытки выхода на рынок Индии; разработку растрового электронного микроскопа (РЭМ); покупка новосибирского стартапа "Оптические технологии" с его прототипом лазера 257нм. В структуру компании Нанотроника, собственно, входил и такой флагман разработок оборудования как НИИТМ.
Еще совсем недавно, и двух лет не прошло, как директор Нанотроники рассказывала: "Готовится программа по привлечению российских специалистов с международным опытом. Формируются группы под руководством сильных технарей с опытом работы в ведущих мировых производителей. Без кадров нет смысла заливать отрасль деньгами". Все это более не актуально? ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Сокращения в Нанотронике - оптимизация структуры или разгром ценной команды и возможная утрата компетенций?
Очередные "турбуленции" среди значимых участников российского рынка: в АО "Нанотроника" (ГК Элемент) идут существенные сокращения персонала (по версии КоммерсантЪ - уволиться предложили примерно каждому пятому сотруднику). По версии ГК "Элемент" "оптимизация штата" "носит исключительно точечный характер".
"Нанотроника", как мы знаем, собиралась разработать и выпускать различное отечественное оборудование для производства микроэлектроники. Созданная в 2023 году компания, что типично для стартапов, занятых разработкой высокотехнологичного оборудования пока что "планово убыточная". В 2024 и году компания показала убытки. В 2025 году убытки выросли примерно вдвое до 145.97 млн.
Новая команда управленцев ГК "Элемент" приняла решение об "оптимизации" коллектива.
Решения об увольнении, расторжении договора и переходе в другие компании группы принимаются сотрудниками исключительно на добровольной основе без давления со стороны руководства - утверждает ГК "Элемент".
Сотрудники "Нанотроники" между тем, бьют тревогу, они направили в "КоммерсантЪ" обращение, авторы которого отмечают, что "Уход людей означает не сокращение издержек, а утрату компетенций, а восстановление компетенций потребует существенно больших средств и времени, чем их сохранение, и ставит под вопрос сроки исполнения обязательств предприятия по действующим опытно-конструкторским работам и договорам". "Сложившийся коллектив представляет ценность, не сводимую к сумме отдельных работников".
Будет жаль, если проводимая "оптимизация" действительно серьезно затронет команду разработчиков. С "Нанотроникой" у российской отрасли микроэлектроники связано много ожиданий.
Можно вспомнить такие проекты как производство силовой электроники (проект) "Кубик", производство на пластинах 200 мм по техпроцессу 180/90нм (ФАБ-200); попытки выхода на рынок Индии; разработку растрового электронного микроскопа (РЭМ); покупка новосибирского стартапа "Оптические технологии" с его прототипом лазера 257нм. В структуру компании Нанотроника, собственно, входил и такой флагман разработок оборудования как НИИТМ.
Еще совсем недавно, и двух лет не прошло, как директор Нанотроники рассказывала: "Готовится программа по привлечению российских специалистов с международным опытом. Формируются группы под руководством сильных технарей с опытом работы в ведущих мировых производителей. Без кадров нет смысла заливать отрасль деньгами". Все это более не актуально? ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🙈10🤔5🔥3😢1
🇷🇺 Проекционные фотолитографы. Степперы. 350нм. Россия
Первый серийный фотолитограф ЗНТЦ 350 нм будет использовать компания «Маппер»
Отгрузка в Маппер (производитель МЭМС на 100 мм пластинах) запланирована на декабрь 2026 года. С 2022 года «Маппер» принадлежит АО ОКБ «Астрон» (Швабе – Ростех).
Стоимость аппарата в базовой комплектации - 392 млн; с 5-летним сервисным обслуживанием и гарантией – 561 млн, сообщает CNews. Покупателем второго фотолитографа выступит компания «Отраслевые решения» (ГК Элемент).
Проекционный аппарат с рабочим полем 22х22 и лазерным источником света способен обрабатывать пластины диаметром до 200 мм. Производительность установки – до 63 пластин диаметром 150 мм или 43 пластины диаметром 200 мм в час. Срок изготовления и поставки – 1.5 года с момента оплаты аванса в размере 50%.
Поставки проекционного фотолитографа под техпроцессы 130 нм компания ЗНТЦ планирует с 2027 года. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Первый серийный фотолитограф ЗНТЦ 350 нм будет использовать компания «Маппер»
Отгрузка в Маппер (производитель МЭМС на 100 мм пластинах) запланирована на декабрь 2026 года. С 2022 года «Маппер» принадлежит АО ОКБ «Астрон» (Швабе – Ростех).
Стоимость аппарата в базовой комплектации - 392 млн; с 5-летним сервисным обслуживанием и гарантией – 561 млн, сообщает CNews. Покупателем второго фотолитографа выступит компания «Отраслевые решения» (ГК Элемент).
Проекционный аппарат с рабочим полем 22х22 и лазерным источником света способен обрабатывать пластины диаметром до 200 мм. Производительность установки – до 63 пластин диаметром 150 мм или 43 пластины диаметром 200 мм в час. Срок изготовления и поставки – 1.5 года с момента оплаты аванса в размере 50%.
Поставки проекционного фотолитографа под техпроцессы 130 нм компания ЗНТЦ планирует с 2027 года. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤10👍7🤔2👏1
🔬 Вести из лабораторий. Безбатарейные датчики. Япония
В Японии успешно испытали беспроводный безбатарейный датчик утечки воды
Японские компании Ablic, NEXCO Engineering Chugoku и BBM завершили 8-месячные испытания беспроводных датчиков утечки воды на мосту, построенном 38 лет назад. Устройство основано на фирменной технологии CLEAN-Boost – безбатарейный датчик протечек работает от кинетической энергии падающей воды. Трех капель воды, упавших на датчик, достаточно, чтобы он отправил сигнал об аварии по протоколу BLE (Bluetooth Low Energy).
Приемник питается от встроенной Li-Ion батареи, схема активируется лишь дважды в день на 5 минут, этого достаточно чтобы зафиксировать сигналы с датчиков, такой подход позволяет батарее обеспечивать питание приемника в течение около 3 лет.
За время теста система надежно отработала во время тайфунов, заморозков и в сезон дождей.
Система не просто выявляет факт протечки, но также позволяет устранять их за счет использования самосплавляющейся силиконовой ленты.
В планах компании – нарастить автономный срок службы приемника до 5 лет, а также выпустить версию с поддержкой протокола LoRa к весне 2027 года. Об этом рассказали EE Times Japan и TechPublisher.
Этот кейс – хороший повод поговорить о концепции питания сенсоров от окружающей среды, эта тема активно развивается. Перечислю только несколько вариантов.
✦ Пьезоэлектрические датчики: устройства, преобразующие механические колебания конструкций (мостов, турбин, рельсов) или акустические волны в электричество. Такие решения тестируют на железных дорогах Европы для мониторинга состояния путей без прокладки силовых кабелей вдоль многокилометровых перегонов.
✦ Капельно-ударная энергетика: помимо подхода Ablic, существуют прототипы на основе трибоэлектрических наногенераторов (TENG). Они вырабатывают ток от удара капли о гидрофобную поверхность, их можно размещать в том числе, в водосточных трубах (вероятно, в странах, где температуры не падают ниже нуля). Развивается направление, использующие энергию потока воды под давлением для питания подводных IoT-сетей.
✦ Термоэлектрические генераторы (ТЭГ): датчики, работающие на разнице температур между поверхностью моста и его внутренними конструкциями - поверхность нагревается выхлопными газами, или на суточных перепадах тепла. Это направление особенно перспективно для северных регионов России, где разница температур может достигать более десятка градусов, что обеспечивает достаточную разницу для выработки микроватт мощности.
✦ Радиочастотный сбор энергии: сенсоры, собирающие в городах рассеянные сигналы сотовых сетей (4G/5G), теле- и радиовещания. Накопленной за день энергии хватает для однократной передачи телеметрии, что уже применяется в логистике для создания RFID-меток повышенной дальности действия.
Эти направления важно развивать потому, что глобальное старение инженерных объектов, построенных в XX-м веке совпадает с острым дефицитом линейного персонала, готового регулярно обходить десятки километров эстакад, тоннелей и теплотрасс для замены элементов питания. Традиционная модель обслуживания становится экономически и физически невозможной при переходе к использованию десятков, сотен тысяч и миллионов датчиков. Технологии сбора энергии из среды – способ превратить проблему - вибрацию, дождь, разницу температур - в источник питания для ее же обнаружения.
Автономность таких систем устраняет главную уязвимость промышленного интернета вещей - человеческий фактор при техобслуживании, делая мониторинг непрерывным, дешевым и масштабируемым. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Японии успешно испытали беспроводный безбатарейный датчик утечки воды
Японские компании Ablic, NEXCO Engineering Chugoku и BBM завершили 8-месячные испытания беспроводных датчиков утечки воды на мосту, построенном 38 лет назад. Устройство основано на фирменной технологии CLEAN-Boost – безбатарейный датчик протечек работает от кинетической энергии падающей воды. Трех капель воды, упавших на датчик, достаточно, чтобы он отправил сигнал об аварии по протоколу BLE (Bluetooth Low Energy).
Приемник питается от встроенной Li-Ion батареи, схема активируется лишь дважды в день на 5 минут, этого достаточно чтобы зафиксировать сигналы с датчиков, такой подход позволяет батарее обеспечивать питание приемника в течение около 3 лет.
За время теста система надежно отработала во время тайфунов, заморозков и в сезон дождей.
Система не просто выявляет факт протечки, но также позволяет устранять их за счет использования самосплавляющейся силиконовой ленты.
В планах компании – нарастить автономный срок службы приемника до 5 лет, а также выпустить версию с поддержкой протокола LoRa к весне 2027 года. Об этом рассказали EE Times Japan и TechPublisher.
Этот кейс – хороший повод поговорить о концепции питания сенсоров от окружающей среды, эта тема активно развивается. Перечислю только несколько вариантов.
✦ Пьезоэлектрические датчики: устройства, преобразующие механические колебания конструкций (мостов, турбин, рельсов) или акустические волны в электричество. Такие решения тестируют на железных дорогах Европы для мониторинга состояния путей без прокладки силовых кабелей вдоль многокилометровых перегонов.
✦ Капельно-ударная энергетика: помимо подхода Ablic, существуют прототипы на основе трибоэлектрических наногенераторов (TENG). Они вырабатывают ток от удара капли о гидрофобную поверхность, их можно размещать в том числе, в водосточных трубах (вероятно, в странах, где температуры не падают ниже нуля). Развивается направление, использующие энергию потока воды под давлением для питания подводных IoT-сетей.
✦ Термоэлектрические генераторы (ТЭГ): датчики, работающие на разнице температур между поверхностью моста и его внутренними конструкциями - поверхность нагревается выхлопными газами, или на суточных перепадах тепла. Это направление особенно перспективно для северных регионов России, где разница температур может достигать более десятка градусов, что обеспечивает достаточную разницу для выработки микроватт мощности.
✦ Радиочастотный сбор энергии: сенсоры, собирающие в городах рассеянные сигналы сотовых сетей (4G/5G), теле- и радиовещания. Накопленной за день энергии хватает для однократной передачи телеметрии, что уже применяется в логистике для создания RFID-меток повышенной дальности действия.
Эти направления важно развивать потому, что глобальное старение инженерных объектов, построенных в XX-м веке совпадает с острым дефицитом линейного персонала, готового регулярно обходить десятки километров эстакад, тоннелей и теплотрасс для замены элементов питания. Традиционная модель обслуживания становится экономически и физически невозможной при переходе к использованию десятков, сотен тысяч и миллионов датчиков. Технологии сбора энергии из среды – способ превратить проблему - вибрацию, дождь, разницу температур - в источник питания для ее же обнаружения.
Автономность таких систем устраняет главную уязвимость промышленного интернета вещей - человеческий фактор при техобслуживании, делая мониторинг непрерывным, дешевым и масштабируемым. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤1✍1👍1👀1
🇷🇺 Российская электроника. Источники питания. Реестровые. Россия
Getmobit запускает производство кастомизируемых российских блоков питания для реестровой продукции
Компания наладила производство блоков питания в настольном исполнении и под DIN-рейку и готова принимать на них предзаказы. В качестве преимущества своих изделий компания отмечает возможность их кастомизации под технические требования конкретного проекта. Компания готова выпускать блоки питания под требуемые объемы и технические задачи заказчика. Возможны изменения выходного напряжения, разъемов, кабеля, маркировки, брендирования и комплектации.
Применение блоков питания компании позволяет получить дополнительные баллы за локализацию (ПП №719), что важно для вхождения изделий в реестр и доступа к закупкам по 44-ФЗ и 223-ФЗ.
Компания наладила производства источников питания двух видов: модель GM PS-12-3 в настольном (Desktop) исполнении спроектирована для широкого спектра электроники с внешним источником питания, а модель GM PS12-3-D в исполнении на DIN-рейку предназначена для щитового оборудования, автоматизации и систем видеонаблюдения.
Обе модели рассчитаны на работу от сети переменного тока 170–242 В и обеспечивают выходное напряжение 12 В постоянного тока при токе до 3 А, что соответствует номинальной мощности 36 Вт. Источники питания имеют встроенную защиту по входу/выходу, пульсации выходного напряжения не более 10мВ, обладают эффективностью не менее 88% и рассчитаны на эксплуатацию при температуре окружающей среды от +1 до +40 °С.
Настольная модель - габариты 125 × 65 × 35 мм и выходной разъём DC 5,5 × 2,1 мм, который может меняться под проект, а модель для DIN-рейки имеет винтовые клеммы подключения, степень защиты IP20 и габариты 106,3 × 90,2 × 57,5 мм, степень защиты IP51.
Среди других преимуществ своих разработок компания отмечает низкие показатели пульсации по питанию (не более 10мВ), которые требуются для высокочувствительной электроники, и встроенную защиту по входу/выходу, снижающую риск повреждения дорогостоящего оборудования.
Как заявляет компания, источники питания проходят 100% выходной контроль и соответствуют требованиям технических регламентов Таможенного союза (ТР ТС / ЕАЭС). Минимальная партия – 100 штук.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Getmobit запускает производство кастомизируемых российских блоков питания для реестровой продукции
Компания наладила производство блоков питания в настольном исполнении и под DIN-рейку и готова принимать на них предзаказы. В качестве преимущества своих изделий компания отмечает возможность их кастомизации под технические требования конкретного проекта. Компания готова выпускать блоки питания под требуемые объемы и технические задачи заказчика. Возможны изменения выходного напряжения, разъемов, кабеля, маркировки, брендирования и комплектации.
Применение блоков питания компании позволяет получить дополнительные баллы за локализацию (ПП №719), что важно для вхождения изделий в реестр и доступа к закупкам по 44-ФЗ и 223-ФЗ.
Компания наладила производства источников питания двух видов: модель GM PS-12-3 в настольном (Desktop) исполнении спроектирована для широкого спектра электроники с внешним источником питания, а модель GM PS12-3-D в исполнении на DIN-рейку предназначена для щитового оборудования, автоматизации и систем видеонаблюдения.
Обе модели рассчитаны на работу от сети переменного тока 170–242 В и обеспечивают выходное напряжение 12 В постоянного тока при токе до 3 А, что соответствует номинальной мощности 36 Вт. Источники питания имеют встроенную защиту по входу/выходу, пульсации выходного напряжения не более 10мВ, обладают эффективностью не менее 88% и рассчитаны на эксплуатацию при температуре окружающей среды от +1 до +40 °С.
Настольная модель - габариты 125 × 65 × 35 мм и выходной разъём DC 5,5 × 2,1 мм, который может меняться под проект, а модель для DIN-рейки имеет винтовые клеммы подключения, степень защиты IP20 и габариты 106,3 × 90,2 × 57,5 мм, степень защиты IP51.
Среди других преимуществ своих разработок компания отмечает низкие показатели пульсации по питанию (не более 10мВ), которые требуются для высокочувствительной электроники, и встроенную защиту по входу/выходу, снижающую риск повреждения дорогостоящего оборудования.
Как заявляет компания, источники питания проходят 100% выходной контроль и соответствуют требованиям технических регламентов Таможенного союза (ТР ТС / ЕАЭС). Минимальная партия – 100 штук.
«Высокая экспертиза инженерной команды Getmobit и собственная производственная база в ОЭЗ «Дубна», которая регулярно проходит внешние технические аудиты, позволяют контролировать качество разработки и производства и решать задачи интеграции наших продуктов в проекты заказчиков», - отмечает Алексей Дударев, технический директор департамента аппаратных платформ и производства Getmobit.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
1👍11❤4👏1🤣1
🇷🇺 Сырье для производства материалов. Мнения. Перспективы. Россия
90% сырья для производства отечественных материалов для производства микроэлектроники – импортные
Об этом рассказал CNews со ссылкой на руководителя департамента материалов МНТЦ МИЭТ.
Из хороших новостей – российские предприятия используют в производстве микроэлектроники 84% отечественных материалов. Из не очень хороших, - изменить ситуацию, когда 90% сырья для производства этих материалов приходится на импорт, будет совсем не просто и не быстро.
Всего российской микроэлектронике нужно 5112 наименований материалов. В основном для пассивных компонентов, на долю микроэлектроники, СВЧ и силовой электроники приходится порядка 947 наименований материалов. В этот подсчет входят «специальные материалы для радиоэлектронной промышленности», а не химические материалы. И здесь ситуация выглядит вроде бы сравнительно неплохо.
Тогда как с сырьем и исходными компонентами для производства этих материалов, дела обстоят не очень. Наладить выпуск необходимого, конечно, в теории можно, по крайней мере, в значительной части необходимого. Но для этого нужны инвестиции в НИОКР, сложное и дорогое оборудование, кадры. В части инвестиций, бюджетных средств, да и любых других, ситуация сейчас, похоже, не очень.
Регуляторика, которая должна была улучшить ситуацию была создана. «Программа развития электронного машиностроения», в частности, предусматривает импортзамещение около 70% и материалов для производства микроэлектроники. Одно из направлений программы – материалы и химические вещества. На программу планировалось выделить более 240 млрд рублей до 2030 года. Но по факту отрасль недофинансирована. Идет отставание по запуску НИОКР – задержался старт уже более, чем 60 работ, отменяются ранее запланированные тендеры.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
90% сырья для производства отечественных материалов для производства микроэлектроники – импортные
Об этом рассказал CNews со ссылкой на руководителя департамента материалов МНТЦ МИЭТ.
Из хороших новостей – российские предприятия используют в производстве микроэлектроники 84% отечественных материалов. Из не очень хороших, - изменить ситуацию, когда 90% сырья для производства этих материалов приходится на импорт, будет совсем не просто и не быстро.
Всего российской микроэлектронике нужно 5112 наименований материалов. В основном для пассивных компонентов, на долю микроэлектроники, СВЧ и силовой электроники приходится порядка 947 наименований материалов. В этот подсчет входят «специальные материалы для радиоэлектронной промышленности», а не химические материалы. И здесь ситуация выглядит вроде бы сравнительно неплохо.
Тогда как с сырьем и исходными компонентами для производства этих материалов, дела обстоят не очень. Наладить выпуск необходимого, конечно, в теории можно, по крайней мере, в значительной части необходимого. Но для этого нужны инвестиции в НИОКР, сложное и дорогое оборудование, кадры. В части инвестиций, бюджетных средств, да и любых других, ситуация сейчас, похоже, не очень.
Регуляторика, которая должна была улучшить ситуацию была создана. «Программа развития электронного машиностроения», в частности, предусматривает импортзамещение около 70% и материалов для производства микроэлектроники. Одно из направлений программы – материалы и химические вещества. На программу планировалось выделить более 240 млрд рублей до 2030 года. Но по факту отрасль недофинансирована. Идет отставание по запуску НИОКР – задержался старт уже более, чем 60 работ, отменяются ранее запланированные тендеры.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🤔8👍2❤1💯1
🇨🇳 Подводная фотовольтаика. Перовскиты. Китай
Подводные солнечные батареи – тема, заслуживающая внимания
Китайские исследователи из Юньнаньского университета опровергли представление о невозможности использования солнечной энергии под водой, успешно испытав перовскитные панели на глубине 10 метров в Южно-Китайском море. В отличие от традиционных кремниевых элементов, которые практически бесполезны без красного спектра света, угасающего уже на первых метрах, широкозонные элементы, например, на основе галогенида свинца способны эффективно работать с сине-зеленой частью спектра, проникающей глубже.
В ходе натурных испытаний интегрированные с подводными роботами модули за два часа выработали 324 мВтч электроэнергии - мощность, достаточную для обеспечения «вечной» работы, например, маломощных датчиков и коммуникационного оборудования Интернета подводных вещей (UWI) без необходимости подъема датчиков и других устройств на поверхность для замены их батарей.
Несмотря на сохраняющиеся проблемы биообрастания, коррозии и чувствительности материалов к влаге, оценочный срок непрерывной эксплуатации таких батарей составляет около 5,5 лет при почти нулевой деградации. Учитывая теоретический предел полезной фотовольтаики до 50 метров, подводная солнечная энергетика перестает быть лабораторным курьезом и в перспективе может обеспечить преодоление главной боли отрасли - короткого времени автономности донных станций и автономных необитаемых аппаратов.
Подробнее - по ссылке.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Подводные солнечные батареи – тема, заслуживающая внимания
Китайские исследователи из Юньнаньского университета опровергли представление о невозможности использования солнечной энергии под водой, успешно испытав перовскитные панели на глубине 10 метров в Южно-Китайском море. В отличие от традиционных кремниевых элементов, которые практически бесполезны без красного спектра света, угасающего уже на первых метрах, широкозонные элементы, например, на основе галогенида свинца способны эффективно работать с сине-зеленой частью спектра, проникающей глубже.
В ходе натурных испытаний интегрированные с подводными роботами модули за два часа выработали 324 мВтч электроэнергии - мощность, достаточную для обеспечения «вечной» работы, например, маломощных датчиков и коммуникационного оборудования Интернета подводных вещей (UWI) без необходимости подъема датчиков и других устройств на поверхность для замены их батарей.
Несмотря на сохраняющиеся проблемы биообрастания, коррозии и чувствительности материалов к влаге, оценочный срок непрерывной эксплуатации таких батарей составляет около 5,5 лет при почти нулевой деградации. Учитывая теоретический предел полезной фотовольтаики до 50 метров, подводная солнечная энергетика перестает быть лабораторным курьезом и в перспективе может обеспечить преодоление главной боли отрасли - короткого времени автономности донных станций и автономных необитаемых аппаратов.
Подробнее - по ссылке.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥5❤2
🇨🇳 Твердотельные аккумуляторы. Автопром. Тренды. Китай
Китай начнет внедрение твердотельных аккумуляторов в автопром с 2027 года
Китайский гигант BYD, крупнейший в мире производитель электромобилей, намерен выпустить первую серийную модель с твердотельным аккумулятором уже в 2027 году. Согласно заявлениям исполнительного вице-президента Стеллы Ли и данным дочерней компании FinDreams Battery, новые тяговые батареи на базе сульфидного электролита на основе литий-фосфор-сера-хлор (LPSC) обеспечат плотность хранения энергии до 400 Вт·ч/кг (у прототипов ячеек на 20 Ач и 60 Ач), что почти вдвое выше показателей современных литий-ионных ячеек.
Первыми технологию получат автомобили премиальных суббрендов (Denza и Yangwang), так как высокая стоимость производства пока делает твердотельные АКБ нерентабельными для массового сегмента; при этом компания признает, что по-настоящему массовым производство и использование таких батарей станет только после 2030 года, соответственно, классические Li-Ion батареи будут сосуществовать с твердотельными ещё длительное время, не менее 15 лет.
В глобальной технологической гонке за твердотельными батареями Китай стремится удерживать лидерство, однако конкуренты не дремлют: японская Toyota планирует начать ограниченное оснащение электромобилей твердотельными АКБ в 2027-2028 годах, делая ставку на сульфидные электролиты. Американская QuantumScape (при поддержке Volkswagen) фокусируется на масштабировании «безанодной технологии» с керамическим сепаратором и токоприемником, который в процессе зарядки покрывается тонким и плотным слоем чистого металлического лития, который становится анодом – от них ждут 400-500 Втч/кг.
В Европе активную работу ведёт BMW совместно с американской Solid Power и южнокорейской Samsung SDI, а южнокорейские гиганты Samsung SDI и LG Energy Solution инвестируют миллиарды долларов в преодоление главной проблемы отрасли - хрупкости керамических и сульфидных материалов, которая затрудняет как их массовое производство с сохранением однородных свойств, так и обеспечение механической стойкости к вибрациям и нагрузкам в реальных условиях эксплуатации.
В общем, гонка к массовой доступности твердотельных аккумуляторов будет серьезной. Но массовой доступности твердотельных АКБ нам придется подождать еще года 3.
((идея публикации - TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Китай начнет внедрение твердотельных аккумуляторов в автопром с 2027 года
Китайский гигант BYD, крупнейший в мире производитель электромобилей, намерен выпустить первую серийную модель с твердотельным аккумулятором уже в 2027 году. Согласно заявлениям исполнительного вице-президента Стеллы Ли и данным дочерней компании FinDreams Battery, новые тяговые батареи на базе сульфидного электролита на основе литий-фосфор-сера-хлор (LPSC) обеспечат плотность хранения энергии до 400 Вт·ч/кг (у прототипов ячеек на 20 Ач и 60 Ач), что почти вдвое выше показателей современных литий-ионных ячеек.
Первыми технологию получат автомобили премиальных суббрендов (Denza и Yangwang), так как высокая стоимость производства пока делает твердотельные АКБ нерентабельными для массового сегмента; при этом компания признает, что по-настоящему массовым производство и использование таких батарей станет только после 2030 года, соответственно, классические Li-Ion батареи будут сосуществовать с твердотельными ещё длительное время, не менее 15 лет.
В глобальной технологической гонке за твердотельными батареями Китай стремится удерживать лидерство, однако конкуренты не дремлют: японская Toyota планирует начать ограниченное оснащение электромобилей твердотельными АКБ в 2027-2028 годах, делая ставку на сульфидные электролиты. Американская QuantumScape (при поддержке Volkswagen) фокусируется на масштабировании «безанодной технологии» с керамическим сепаратором и токоприемником, который в процессе зарядки покрывается тонким и плотным слоем чистого металлического лития, который становится анодом – от них ждут 400-500 Втч/кг.
В Европе активную работу ведёт BMW совместно с американской Solid Power и южнокорейской Samsung SDI, а южнокорейские гиганты Samsung SDI и LG Energy Solution инвестируют миллиарды долларов в преодоление главной проблемы отрасли - хрупкости керамических и сульфидных материалов, которая затрудняет как их массовое производство с сохранением однородных свойств, так и обеспечение механической стойкости к вибрациям и нагрузкам в реальных условиях эксплуатации.
В общем, гонка к массовой доступности твердотельных аккумуляторов будет серьезной. Но массовой доступности твердотельных АКБ нам придется подождать еще года 3.
((идея публикации - TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
1👍3🔥2👀1
🇷🇺 Регулирование. Стратегии. Минпромторг. Россия
Минпромторг готовит новую стратегию развития микроэлектронной отрасли
Сегодня об этом написал КоммерсантЪ.
Почему возникла необходимость рефокусировки стратегии? В целом это логично, время идет, условия меняются. Новая заявленная цель – переход от стимулирования разработок к поддержке российского производства с целью роста продаж российской продукции, от поддержки НИОКР к стимулированию спроса.
Среди новых мер «поддержки отрасли»:
✦ офтейк-контракты (название "форвардные" посчитали скомпрометированным, заменив его еще менее внятным англицизмом?) на закупку еще не произведенных компонентов после завершения НИОКР
✦ обязательность использования российских микроэлектронных компонентов для подтверждения локализации
✦ установление «компонентной квоты» в регулируемых закупках
Из других возможных нововведений:
✦ обновление классификации микроэлектронной продукции в реестрах
✦ льготный лизинг
✦ налоговые вычеты
Это все, впрочем, пока что «в стадии обсуждения», но что-то мне подсказывает, что основные контуры уже согласованы с крупными производителями и другими заинтересованными лицами.
Стоит обратить внимание на то, что не видно обещаний по поддержке бизнеса значительными госсубсидиями. Можем предположить, что механизм себя не оправдал или на микроэлектронику у государства не хватает денег, и потому спасаться или развиваться предлагается без бюджетной поддержки, но с посильными для государства мерами поддержки административного плана?
Впрочем, кто-то может, наверное, возразить, что это не вынужденная, а сознательная смена курса по смену инструментария с финансового на административный. В конце концов, для производителей офтейк-контракт – это обеспечение гарантированного спроса и потому ценнее субсидии, т.к. снижает рыночный риск.
В какой момент принимаются меры по коррекции стратегии?
Даже с заметной бюджетной поддержкой за несколько прошедших лет удалось достичь только 26% доли отечественных компонентов (74.9 млрд), остальные 74% (213.1 млрд) это импорт. Это оценки на конец 2025 года, которые публиковал Cnews со ссылкой на АРПЭ. Второй год подряд наблюдается падение отечественного рынка (если измерять его по отечественным компонентам).
Изменить положение дел в лучшую для отрасли сторону будет непросто. Российские компоненты как правило дороже импортных, многие позиции дефицитны, их не так просто законтрактовать, а сроки поставки далеко не всегда будут соблюдены поставщиком. Впрочем, закупки за рубежом, тоже, бывает, задерживаются, а многие компоненты дорожают, но по другим причинам – санкции и дефицит полупроводников в мире. А при переходе на российские компоненты, в теории (если забыть что и материалы для их изготовления зачастую закупаются за рубежом) мы вроде бы движемся в сторону повышения технологической независимости.
Предложенные меры, в теории, помогут отечественным производителям компонентов. Это плюс.
Но также они неизбежно приведут, как минимум, к повышению себестоимости электронной продукции, как минимум, на регулируемом рынке. Чем это чревато вы и сами знаете.
Хотелось бы в стратегии еще видеть меры стимулирования экспорта готовых изделий, модулей и компонентов. Надеюсь, они предусматриваются, поскольку это могло бы позитивно сказаться на себестоимости российской продукции.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Минпромторг готовит новую стратегию развития микроэлектронной отрасли
Сегодня об этом написал КоммерсантЪ.
Почему возникла необходимость рефокусировки стратегии? В целом это логично, время идет, условия меняются. Новая заявленная цель – переход от стимулирования разработок к поддержке российского производства с целью роста продаж российской продукции, от поддержки НИОКР к стимулированию спроса.
Среди новых мер «поддержки отрасли»:
✦ офтейк-контракты (название "форвардные" посчитали скомпрометированным, заменив его еще менее внятным англицизмом?) на закупку еще не произведенных компонентов после завершения НИОКР
✦ обязательность использования российских микроэлектронных компонентов для подтверждения локализации
✦ установление «компонентной квоты» в регулируемых закупках
Из других возможных нововведений:
✦ обновление классификации микроэлектронной продукции в реестрах
✦ льготный лизинг
✦ налоговые вычеты
Это все, впрочем, пока что «в стадии обсуждения», но что-то мне подсказывает, что основные контуры уже согласованы с крупными производителями и другими заинтересованными лицами.
Стоит обратить внимание на то, что не видно обещаний по поддержке бизнеса значительными госсубсидиями. Можем предположить, что механизм себя не оправдал или на микроэлектронику у государства не хватает денег, и потому спасаться или развиваться предлагается без бюджетной поддержки, но с посильными для государства мерами поддержки административного плана?
Впрочем, кто-то может, наверное, возразить, что это не вынужденная, а сознательная смена курса по смену инструментария с финансового на административный. В конце концов, для производителей офтейк-контракт – это обеспечение гарантированного спроса и потому ценнее субсидии, т.к. снижает рыночный риск.
В какой момент принимаются меры по коррекции стратегии?
Даже с заметной бюджетной поддержкой за несколько прошедших лет удалось достичь только 26% доли отечественных компонентов (74.9 млрд), остальные 74% (213.1 млрд) это импорт. Это оценки на конец 2025 года, которые публиковал Cnews со ссылкой на АРПЭ. Второй год подряд наблюдается падение отечественного рынка (если измерять его по отечественным компонентам).
Изменить положение дел в лучшую для отрасли сторону будет непросто. Российские компоненты как правило дороже импортных, многие позиции дефицитны, их не так просто законтрактовать, а сроки поставки далеко не всегда будут соблюдены поставщиком. Впрочем, закупки за рубежом, тоже, бывает, задерживаются, а многие компоненты дорожают, но по другим причинам – санкции и дефицит полупроводников в мире. А при переходе на российские компоненты, в теории (если забыть что и материалы для их изготовления зачастую закупаются за рубежом) мы вроде бы движемся в сторону повышения технологической независимости.
Предложенные меры, в теории, помогут отечественным производителям компонентов. Это плюс.
Но также они неизбежно приведут, как минимум, к повышению себестоимости электронной продукции, как минимум, на регулируемом рынке. Чем это чревато вы и сами знаете.
Хотелось бы в стратегии еще видеть меры стимулирования экспорта готовых изделий, модулей и компонентов. Надеюсь, они предусматриваются, поскольку это могло бы позитивно сказаться на себестоимости российской продукции.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍7❤6🤣5🔥2🙈2
🇯🇵 SiC 300мм. Монокристаллы | Пластины | Подложки. Япония
Японцы вслед за США и Китаем освоили SiC 300 мм
Японская Resonac объявила о том, что ей удалось вырастить монокристалл карбида кремния (SiC) диаметром 300 мм и изготовить из него полупроводниковую подложку.
Ранее Resonac наладила серийное производство SiC эпипластин 150 мм и уже отгружала и 200 мм пластины. Увеличение диаметра пластины до 300 мм позволяет кратно увеличить количество чипов, получаемых из одной заготовки, тем самым радикально снижая их себестоимость - это критически важно для любого глобального производителя.
Разработка проводилась с 2022 года в рамках национальной программы «Зеленый инновационный фонд» под эгидой агентства NEDO. Стоит отметить, что японцы включились в гонку, которая уже идет полным ходом на мировом рынке: китайская SICC заявила о создании SiC 300мм еще в ноябре 2024 года, американская Coherent анонсировала свои пластины в конце 2025-го и начала поставки образцов для ИИ-чипов летом 2026-го, а Wolfspeed рапортовала об успехе в январе 2026 года.
Рынок требует два основных типа SiC-подложек: N-типа для силовых полупроводников и полуизолирующие для радиочастотных устройств, включая оптические системы AR-очков. Монокристаллический SiC также рассматривают как материал для теплоотводящих подложек в ИИ-серверах.
📌 Напомню за что мы ценим SiC:
Карбид кремния - ключевой материал для силовой электроники в электромобилях, системах ВИЭ и дата-центрах. По сравнению с обычным кремнием SiC-подложки обеспечивают значительно меньшие потери энергии при преобразовании тока и эффективнее отводят тепло, что критически важно для повышения КПД тяговых инверторов и серверных источников питания.
Кроме того, уникальные теплопроводные свойства монокристаллического SiC делают его перспективным материалом для создания теплоотводящих интерфейсов в суперкомпьютерах и ускорителях искусственного интеллекта, где плотность теплового потока постоянно растет.
💎 Успех Resonac знаменует собой завершение формирования глобальной тройки стран-лидеров в теме SiC (США, Китай, Япония), что неизбежно ускорит падение цен на подложки и расширит применение карбида кремния. Конкуренция смещается от самого факта освоения очередного диаметра к способности обеспечить массовое производство пластин с приемлемым выходом годных и дефектностью, и здесь отставание Японии от Китая и США может оказаться критичным.
((по материалам TechPublisher / EE Times))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Японцы вслед за США и Китаем освоили SiC 300 мм
Японская Resonac объявила о том, что ей удалось вырастить монокристалл карбида кремния (SiC) диаметром 300 мм и изготовить из него полупроводниковую подложку.
Ранее Resonac наладила серийное производство SiC эпипластин 150 мм и уже отгружала и 200 мм пластины. Увеличение диаметра пластины до 300 мм позволяет кратно увеличить количество чипов, получаемых из одной заготовки, тем самым радикально снижая их себестоимость - это критически важно для любого глобального производителя.
Разработка проводилась с 2022 года в рамках национальной программы «Зеленый инновационный фонд» под эгидой агентства NEDO. Стоит отметить, что японцы включились в гонку, которая уже идет полным ходом на мировом рынке: китайская SICC заявила о создании SiC 300мм еще в ноябре 2024 года, американская Coherent анонсировала свои пластины в конце 2025-го и начала поставки образцов для ИИ-чипов летом 2026-го, а Wolfspeed рапортовала об успехе в январе 2026 года.
Рынок требует два основных типа SiC-подложек: N-типа для силовых полупроводников и полуизолирующие для радиочастотных устройств, включая оптические системы AR-очков. Монокристаллический SiC также рассматривают как материал для теплоотводящих подложек в ИИ-серверах.
📌 Напомню за что мы ценим SiC:
Карбид кремния - ключевой материал для силовой электроники в электромобилях, системах ВИЭ и дата-центрах. По сравнению с обычным кремнием SiC-подложки обеспечивают значительно меньшие потери энергии при преобразовании тока и эффективнее отводят тепло, что критически важно для повышения КПД тяговых инверторов и серверных источников питания.
Кроме того, уникальные теплопроводные свойства монокристаллического SiC делают его перспективным материалом для создания теплоотводящих интерфейсов в суперкомпьютерах и ускорителях искусственного интеллекта, где плотность теплового потока постоянно растет.
((по материалам TechPublisher / EE Times))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍6❤2🤣1
Forwarded from Электронное машиностроение
🇧🇪 На конференции ASC 2026 бельгийский исследовательский центр Imec представил сверхпроводящие схемы с расчетной плотностью 3,8 млн джозефсоновских переходов на см²
Разработка выполнена на 300-мм пластинах с применением КМОП-совместимых технологических процессов. В качестве сверхпроводника используется нитрид ниобия-титана (NbTiN).
Imec удалось:
🔹 изготовить трехуровневые схемы с джозефсоновскими переходами NbTiN/α-Si/NbTiN диаметром до 150 нм и расчетной плотностью размещения до 3,8 млн переходов на см²;
🔹 сформировать трехуровневую систему металлизации на основе NbTiN с минимальной шириной проводников 30 нм, что примерно в 10 раз меньше, чем в традиционных сверхпроводниковых схемах на основе ниобия. Система включает проводники и межуровневые соединения для формирования индуктивных элементов, пассивных линий передачи, заземляющих плоскостей, тактовых и силовых резонаторов.
⚡️ Джозефсоновские переходы выполняют функцию активных элементов сверхпроводниковых логических микросхем. Разработанный процесс позволяет регулировать их критическую плотность тока, а для сверхпроводящих межсоединений — критический ток в зависимости от требований схемы.
📈 Разработка ориентирована на высокопроизводительные и квантовые вычисления, ИИ-ускорители, фотонику и нейроморфные системы. По оценке imec, сверхпроводниковая электроника потенциально может обеспечить до 100-кратного повышения энергоэффективности и до 1000-кратного увеличения плотности вычислений и пропускной способности распределения сигналов по сравнению с современной КМОП-технологией.
Дальнейшая работа imec будет сосредоточена на развитии техпроцесса, средств автоматизации проектирования и 2,5D- и 3D-гетерогенной интеграции сверхпроводниковых схем с другими компонентами вычислительных систем.
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлМаш #технологии
Разработка выполнена на 300-мм пластинах с применением КМОП-совместимых технологических процессов. В качестве сверхпроводника используется нитрид ниобия-титана (NbTiN).
Imec удалось:
🔹 изготовить трехуровневые схемы с джозефсоновскими переходами NbTiN/α-Si/NbTiN диаметром до 150 нм и расчетной плотностью размещения до 3,8 млн переходов на см²;
🔹 сформировать трехуровневую систему металлизации на основе NbTiN с минимальной шириной проводников 30 нм, что примерно в 10 раз меньше, чем в традиционных сверхпроводниковых схемах на основе ниобия. Система включает проводники и межуровневые соединения для формирования индуктивных элементов, пассивных линий передачи, заземляющих плоскостей, тактовых и силовых резонаторов.
⚡️ Джозефсоновские переходы выполняют функцию активных элементов сверхпроводниковых логических микросхем. Разработанный процесс позволяет регулировать их критическую плотность тока, а для сверхпроводящих межсоединений — критический ток в зависимости от требований схемы.
📈 Разработка ориентирована на высокопроизводительные и квантовые вычисления, ИИ-ускорители, фотонику и нейроморфные системы. По оценке imec, сверхпроводниковая электроника потенциально может обеспечить до 100-кратного повышения энергоэффективности и до 1000-кратного увеличения плотности вычислений и пропускной способности распределения сигналов по сравнению с современной КМОП-технологией.
Дальнейшая работа imec будет сосредоточена на развитии техпроцесса, средств автоматизации проектирования и 2,5D- и 3D-гетерогенной интеграции сверхпроводниковых схем с другими компонентами вычислительных систем.
#ЭлМаш #технологии
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤4🤔4🤣1
🇺🇸 "Длинные контракты". SiGe. Оптический интерконнект для ЦОД. США
GloFo и Marvell расширили многолетнее соглашение о сотрудничестве
В условиях растущего дефицита полупроводников безфабричные производители чипов сейчас все чаще стараются "забить" на будущее побольше производственных мощностей.
17 сентября 2026 года американские компании GlobalFoundries и Marvell Technology объявили о расширении многолетнего соглашения, направленного на увеличение производственных мощностей для полупроводников, используемых в высокоскоростных оптических соединениях в ЦОД.
Соглашение предусматривает расширение выпуска продуктов по технологии кремний-германий (SiGe) на заводе GlobalFoundries в Берлингтоне, штат Вермонт (США).
🎓 SiGe - это гетероструктурный полупроводниковый материал, позволяющий создавать устройства, более энергоэффективные и скоростные, чем на основе обычного кремния.
Эта технология критически важна для оптических сетей: она лежит в основе высокоскоростных фотодетекторов и обеспечивает возможность совместной интеграции с кремниевой фотоникой, что особенно важно для перспективных архитектур с совместной упаковкой оптики (CPO). Текущая технология GF поддерживает скорость 200 Гбит/с на канал, а дорожная карта рассчитана на более высокие скорости по мере роста требований AI и облачных ЦОД к пропускной способности.
Расширение сотрудничества, базирующееся на более чем десятилетнем партнёрстве компаний, позволит Marvell удовлетворить растущий спрос на передовые оптические сетевые продукты: сменные оптические трансиверы, оптику с близкой упаковкой (NPO) и оптику с совместной упаковкой (CPO).
Шанкаран Джанардханан, старший вице-президент GF по фотоникам и RF-бизнесу, подчеркнул, что SiGe - это область, где многолетний опыт GF в высокочастотных и аналоговых решениях напрямую трансформируется в прорывные оптические характеристики.
💎 По мере масштабирования AI-кластеров узким местом становятся не только вычислительные ускорители, но и интерконнект для передачи данных между ними. Переход от медных соединений к оптическим при скоростях 1,6 Тбит/с и выше превращает SiGe из вспомогательной технологии в критически важный элемент цепочки поставок, а расширение мощностей GF на территории США отвечает как рыночному спросу, так и стратегическим попыткам локализации производства полупроводников.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
GloFo и Marvell расширили многолетнее соглашение о сотрудничестве
В условиях растущего дефицита полупроводников безфабричные производители чипов сейчас все чаще стараются "забить" на будущее побольше производственных мощностей.
17 сентября 2026 года американские компании GlobalFoundries и Marvell Technology объявили о расширении многолетнего соглашения, направленного на увеличение производственных мощностей для полупроводников, используемых в высокоскоростных оптических соединениях в ЦОД.
Соглашение предусматривает расширение выпуска продуктов по технологии кремний-германий (SiGe) на заводе GlobalFoundries в Берлингтоне, штат Вермонт (США).
🎓 SiGe - это гетероструктурный полупроводниковый материал, позволяющий создавать устройства, более энергоэффективные и скоростные, чем на основе обычного кремния.
Эта технология критически важна для оптических сетей: она лежит в основе высокоскоростных фотодетекторов и обеспечивает возможность совместной интеграции с кремниевой фотоникой, что особенно важно для перспективных архитектур с совместной упаковкой оптики (CPO). Текущая технология GF поддерживает скорость 200 Гбит/с на канал, а дорожная карта рассчитана на более высокие скорости по мере роста требований AI и облачных ЦОД к пропускной способности.
Расширение сотрудничества, базирующееся на более чем десятилетнем партнёрстве компаний, позволит Marvell удовлетворить растущий спрос на передовые оптические сетевые продукты: сменные оптические трансиверы, оптику с близкой упаковкой (NPO) и оптику с совместной упаковкой (CPO).
Шанкаран Джанардханан, старший вице-президент GF по фотоникам и RF-бизнесу, подчеркнул, что SiGe - это область, где многолетний опыт GF в высокочастотных и аналоговых решениях напрямую трансформируется в прорывные оптические характеристики.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🤣1
🇨🇳 Производство памяти. Крупнейшие участники рынка. NAND-флэш. Китай
Конкуренция в области чипов памяти NAND-флэш, возможно, вырастет за счет CXMT
Китайская CXMT предположительно готовится выйти на быстрорастущий рынок чипов флэш-памяти, на котором сегодня доминируют корейская Samsung и ряд других компаний. Это оказалось бы актуальным решением в условиях всемирного дефицита памяти – ожидается, что напряженность с поставками NAND ослабнет только в 2H2027. Если CXMT действительно войдет в список крупнейших производителей NAND-флэш, это обострит конкуренцию не только на внешних для Китая рынках, но и на внутреннем – в Китае выпуском NAND-флэш с неплохими результатами занимается YMTC.
Как сообщает Reuters, CXMT (ChangXin Memory Technologies), планирует создать опытно-производственную линию для НИОКР по флеш-памяти NAND на своём новом предприятии в Пекине. По данным источника, компания также открыла исследовательский институт в китайской столице, и среди его проектов - разработка NAND. По словам третьего собеседника, CXMT обсуждала свои планы по NAND с клиентами, включая недавно созданный стартап, который намерен покупать её чипы NAND для устройств хранения, используемых в ИИ-системах и суперкомпьютерах, хотя источник отказался назвать эту компанию. Официальных подтверждений этих планов от компании CXMT пока не поступало.
По данным исследовательской фирмы TrendForce, Samsung была крупнейшим в мире поставщиком NAND по выручке 2q2026 с долей 29,3%. SK Hynix заняла 2-е место, далее следует Micron Technology из США.
До сих пор CXMT и YMTC работали на отдельных рынках, CXMT доминирует в китайском производстве DRAM, а YMTC – ведущий китайский производитель NAND. Границы, похоже, начали размываться. В апреле 2026 года Reuters сообщала, что YMTC направила клиентам образцы низкопотребляющей DRAM.
Обе компании – ключевые опоры Пекина на построение технологической независимости в полупроводниках. Они созданы с при активной поддержке национального фонда полупроводниковой промышленности Китая и местных властей. CXMT расширялась при поддержке Хэфея (центр провинции Аньхой на востоке Китая), тогда как YMTC выросла в Ухане (центр провинции Хубэй), что отражает конкуренцию между местными властями Китая за привлечение стратегических отраслей за счет инвестиций и других стимулов.
CXMT, которая в июле 2026 году привлекла 57,92 млрд юаней ($8,6 млрд) в рамках IPO, планирует запустить второй завод по выпуску чипов памяти в Пекине. Кроме того, компания вела переговоры о финансировании с технологическим производственным центром, который поддерживает местное правительство.
Материнская компания YMTC, CCSH, также планирует листинг в Шанхае с целью прилечь 33 млрд юаней. Это даст неплохие дополнительные ресурсы для развития производственных возможностей YMTC.
Экспортные ограничения США добавили стимулов усилиям Китая по развитию отечественных поставщиков памяти. И, похоже, в Китае собираются еще более поддать огоньку. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Конкуренция в области чипов памяти NAND-флэш, возможно, вырастет за счет CXMT
Китайская CXMT предположительно готовится выйти на быстрорастущий рынок чипов флэш-памяти, на котором сегодня доминируют корейская Samsung и ряд других компаний. Это оказалось бы актуальным решением в условиях всемирного дефицита памяти – ожидается, что напряженность с поставками NAND ослабнет только в 2H2027. Если CXMT действительно войдет в список крупнейших производителей NAND-флэш, это обострит конкуренцию не только на внешних для Китая рынках, но и на внутреннем – в Китае выпуском NAND-флэш с неплохими результатами занимается YMTC.
Как сообщает Reuters, CXMT (ChangXin Memory Technologies), планирует создать опытно-производственную линию для НИОКР по флеш-памяти NAND на своём новом предприятии в Пекине. По данным источника, компания также открыла исследовательский институт в китайской столице, и среди его проектов - разработка NAND. По словам третьего собеседника, CXMT обсуждала свои планы по NAND с клиентами, включая недавно созданный стартап, который намерен покупать её чипы NAND для устройств хранения, используемых в ИИ-системах и суперкомпьютерах, хотя источник отказался назвать эту компанию. Официальных подтверждений этих планов от компании CXMT пока не поступало.
По данным исследовательской фирмы TrendForce, Samsung была крупнейшим в мире поставщиком NAND по выручке 2q2026 с долей 29,3%. SK Hynix заняла 2-е место, далее следует Micron Technology из США.
До сих пор CXMT и YMTC работали на отдельных рынках, CXMT доминирует в китайском производстве DRAM, а YMTC – ведущий китайский производитель NAND. Границы, похоже, начали размываться. В апреле 2026 года Reuters сообщала, что YMTC направила клиентам образцы низкопотребляющей DRAM.
Обе компании – ключевые опоры Пекина на построение технологической независимости в полупроводниках. Они созданы с при активной поддержке национального фонда полупроводниковой промышленности Китая и местных властей. CXMT расширялась при поддержке Хэфея (центр провинции Аньхой на востоке Китая), тогда как YMTC выросла в Ухане (центр провинции Хубэй), что отражает конкуренцию между местными властями Китая за привлечение стратегических отраслей за счет инвестиций и других стимулов.
CXMT, которая в июле 2026 году привлекла 57,92 млрд юаней ($8,6 млрд) в рамках IPO, планирует запустить второй завод по выпуску чипов памяти в Пекине. Кроме того, компания вела переговоры о финансировании с технологическим производственным центром, который поддерживает местное правительство.
Материнская компания YMTC, CCSH, также планирует листинг в Шанхае с целью прилечь 33 млрд юаней. Это даст неплохие дополнительные ресурсы для развития производственных возможностей YMTC.
Экспортные ограничения США добавили стимулов усилиям Китая по развитию отечественных поставщиков памяти. И, похоже, в Китае собираются еще более поддать огоньку. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤1👍1
🇺🇸 🇯🇵 Международное сотрудничество. Слухи. Проекты. Инвестиции. США. Япония
По неподтвержденным пока что слухам, Япония и США ведут переговоры о строительстве в США крупного производства с американским управлением на японские инвестиции
Об этом 17 сентября сообщила Nikkei Asia со ссылкой на неназванных официальных лиц. Говорится о проекте в рамках инвестиционного соглашения общим объемом $550 млрд. Оценочная стоимость нового фаба – 2-3 трлн иен (до $20 млрд). На роль управляющей компании прочат GlobalFoudries. Предприятию прочат выпуск логических полупроводников. Японцев, конечно же, волнуют перспективы возврата инвестиций, обсуждение по слухам состоялось на днях.
GlobalFoundries попадает в новости не так частот, как TSMC или Samsung, но это компания, входящая в Топ-5 контрактных производителей микросхем по доле рынка, с производственными площадками в США, Германии и в Сингапуре. В феврале 2026 года GloFo объявляла о сотрудничестве с японской Renesas Electronics по производству чипов для автомобилей.
Если слухи подтвердятся, это будет важным шагом как для США, стремящихся быстро нарастить доступные ей производственные мощности в области полупроводников. Для Японии участие в таком проекте – возможность улучшить доступ к американскому рынку для поставщиков производственного оборудования и материалов, а также обеспечить поставки чипов японским автопроизводителям, работающим на американском рынке. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
По неподтвержденным пока что слухам, Япония и США ведут переговоры о строительстве в США крупного производства с американским управлением на японские инвестиции
Об этом 17 сентября сообщила Nikkei Asia со ссылкой на неназванных официальных лиц. Говорится о проекте в рамках инвестиционного соглашения общим объемом $550 млрд. Оценочная стоимость нового фаба – 2-3 трлн иен (до $20 млрд). На роль управляющей компании прочат GlobalFoudries. Предприятию прочат выпуск логических полупроводников. Японцев, конечно же, волнуют перспективы возврата инвестиций, обсуждение по слухам состоялось на днях.
GlobalFoundries попадает в новости не так частот, как TSMC или Samsung, но это компания, входящая в Топ-5 контрактных производителей микросхем по доле рынка, с производственными площадками в США, Германии и в Сингапуре. В феврале 2026 года GloFo объявляла о сотрудничестве с японской Renesas Electronics по производству чипов для автомобилей.
Если слухи подтвердятся, это будет важным шагом как для США, стремящихся быстро нарастить доступные ей производственные мощности в области полупроводников. Для Японии участие в таком проекте – возможность улучшить доступ к американскому рынку для поставщиков производственного оборудования и материалов, а также обеспечить поставки чипов японским автопроизводителям, работающим на американском рынке. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍2
🇮🇳 🇺🇸 Инвестиции. Зарубежные инвестиции. Страны. Индия. США
Applied Materials инвестирует $5 млрд в Индию в рамках поддержки проекта правительства Моди
Applied Materials инвестирует $5 млрд в Индию в течение следующих 10 лет, чтобы расширить свое присутствие в стране. AMAT сообщила, что её инвестиции в Индию будут сосредоточены на исследованиях, масштабировании цепочки поставок и программах создания квалифицированных кадров.
Индия стремится формировать собственную технологическую независимость, прежде всего, снизив зависимость от Тайваня и Китая. Для этого страна позиционирует себя как «надежного партнера». Планы амбициозны - по оценкам правительства, потребление полупроводников в Индии, как ожидается, достигнет до $110 млрд к 2030 году по сравнению с $45–50 млрд в 2025 году. Для поддержки этих планов выделено более $21 млрд в рамках программ стимулирования полупроводниковой отрасли
За последние 5 лет в Индии были одобрены 12 проектов, и 3 предприятия по упаковке чипов, включая одно под управлением американской Micron Technology, начали коммерческое производство.
Однако до сих пор в стране не заработало ни одно крупномасштабное производство кристаллов. Американцы не спешат помогать в этой теме (разумно), а собственный флагманский индийский проект – фабрика Tata Electronics стоимость $10 млрд в Гуджарате задержалось уже почти на 2 года. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Applied Materials инвестирует $5 млрд в Индию в рамках поддержки проекта правительства Моди
Applied Materials инвестирует $5 млрд в Индию в течение следующих 10 лет, чтобы расширить свое присутствие в стране. AMAT сообщила, что её инвестиции в Индию будут сосредоточены на исследованиях, масштабировании цепочки поставок и программах создания квалифицированных кадров.
Индия стремится формировать собственную технологическую независимость, прежде всего, снизив зависимость от Тайваня и Китая. Для этого страна позиционирует себя как «надежного партнера». Планы амбициозны - по оценкам правительства, потребление полупроводников в Индии, как ожидается, достигнет до $110 млрд к 2030 году по сравнению с $45–50 млрд в 2025 году. Для поддержки этих планов выделено более $21 млрд в рамках программ стимулирования полупроводниковой отрасли
За последние 5 лет в Индии были одобрены 12 проектов, и 3 предприятия по упаковке чипов, включая одно под управлением американской Micron Technology, начали коммерческое производство.
Однако до сих пор в стране не заработало ни одно крупномасштабное производство кристаллов. Американцы не спешат помогать в этой теме (разумно), а собственный флагманский индийский проект – фабрика Tata Electronics стоимость $10 млрд в Гуджарате задержалось уже почти на 2 года. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍2
🇺🇸 🇰🇷 Инвестиции. Зарубежные инвестиции. Страны. США. Корея
Подразделение SK Hynix рассматривает возможность строительства производства NAND-флэш в США
По информации отраслевых источников, речь идет о планах подразделения Solidigm, которое SK Hynix купило у Intel примерно за $9 млрд в убыточном статусе, сделка была закрыта в марте 2025 года.
Новое предприятие американского подразделения корейской компании может быть построено в северной части штата Нью-Йорк. Базирующаяся в США Solidigm пока что не комментирует эти слухи. Соглашение относительно инвестиций Solidigm в США не достигнуто, ключевые детали проекта остаются предметом обсуждения, предупредил один из источников.
Это очередной пример растущего давления «команды-Т» на союзные страны. Министр торговли США Говард Лутник в январе 2026 года на закладке завода Micron в Нью-Йорке угрожал тарифами до 100% для южнокорейских и тайваньских компаний, если они не обязуются расширять производство в США.
SK Hynix и до этого вела переговоры о производстве своих чипов памяти DRAM (и, возможно, HBM) на фабрике Intel в Огайо, но американцам этого мало, они хотели бы завлечь в инвестпроект в США еще и Solidigm с NAND. И это при том, что в августе 2026 года SK Hynix заложила фабрику продвинутой упаковки HBM в Индиане в Уэст-Лафайетте с планами инвестиций $4 млрд и запуска в 2H2029 – на сегодня это единственный американский проект SK Hynix, который уже запущен.
Сделка может быть интересной для обеих сторон - завод в США уменьшил бы зависимость Solidigm от её единственного на сегодня предприятия по производству NAND в китайском городе Далянь, а также помог бы защитить её от потенциальных американских тарифов и ограничений на экспорт оборудования для производства чипов в Китай. Кстати, SK Hynix и Solidgm занимаются экспансией и в Даляне, где в 2026 году было перезапущено строительство второго завода, приостановленное в 2022 году – в ноябре 2026 года планируется начать установку оборудования, а в 1H2027 – массовое производство. Это добавит еще 50 тысяч пластин в месяц к уже существующим 100 тысячам пластин в месяц.
С другой стороны, на SK Hynix давят и из Сеула, требуя расширить производственные мощности в Корее. SK Hynix уже инвестирует $38 млрд в две новые фабрики в Корее (Yongin Y2 и Cheongju M17).
Хотя расширение в США могло бы помочь SK Hynix сократить разрыв в доле рынка с Samsung по части производства NAND-флэш памяти, остаётся неясным, как будет развиваться спрос на чипы памяти к моменту запуска нового завода в США, если его решат строить. Впрочем, на сегодняшний день в SK Hynix считают, что дефицит памяти сохранится до конца 2030 года, а спрос будет превышать производственные мощности и после 2030 года.
Для всех этих планов нужны деньги. В августе 2026 года появились сообщения, что SK Hynix рассматривает pre-IPO финансирование Solidigm на $3.6 млрд при оценке в $36 млрд. Это может стать источником средств для американской фабрики.
Скорее всего, SK Hynix не будет спешить с окончательным решением, но попытается договориться с американцами по экспортным тарифам. Если угроза введения 100% тарифов сохранятся, компания скорее всего постарается запустить фаб в Нью-Йорке к 2030 - 2031 году. Если по тарифам получится договориться, то стройка Solidigm в Нью-Йорке вряд ли реализуется. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Подразделение SK Hynix рассматривает возможность строительства производства NAND-флэш в США
По информации отраслевых источников, речь идет о планах подразделения Solidigm, которое SK Hynix купило у Intel примерно за $9 млрд в убыточном статусе, сделка была закрыта в марте 2025 года.
Новое предприятие американского подразделения корейской компании может быть построено в северной части штата Нью-Йорк. Базирующаяся в США Solidigm пока что не комментирует эти слухи. Соглашение относительно инвестиций Solidigm в США не достигнуто, ключевые детали проекта остаются предметом обсуждения, предупредил один из источников.
Это очередной пример растущего давления «команды-Т» на союзные страны. Министр торговли США Говард Лутник в январе 2026 года на закладке завода Micron в Нью-Йорке угрожал тарифами до 100% для южнокорейских и тайваньских компаний, если они не обязуются расширять производство в США.
SK Hynix и до этого вела переговоры о производстве своих чипов памяти DRAM (и, возможно, HBM) на фабрике Intel в Огайо, но американцам этого мало, они хотели бы завлечь в инвестпроект в США еще и Solidigm с NAND. И это при том, что в августе 2026 года SK Hynix заложила фабрику продвинутой упаковки HBM в Индиане в Уэст-Лафайетте с планами инвестиций $4 млрд и запуска в 2H2029 – на сегодня это единственный американский проект SK Hynix, который уже запущен.
Сделка может быть интересной для обеих сторон - завод в США уменьшил бы зависимость Solidigm от её единственного на сегодня предприятия по производству NAND в китайском городе Далянь, а также помог бы защитить её от потенциальных американских тарифов и ограничений на экспорт оборудования для производства чипов в Китай. Кстати, SK Hynix и Solidgm занимаются экспансией и в Даляне, где в 2026 году было перезапущено строительство второго завода, приостановленное в 2022 году – в ноябре 2026 года планируется начать установку оборудования, а в 1H2027 – массовое производство. Это добавит еще 50 тысяч пластин в месяц к уже существующим 100 тысячам пластин в месяц.
С другой стороны, на SK Hynix давят и из Сеула, требуя расширить производственные мощности в Корее. SK Hynix уже инвестирует $38 млрд в две новые фабрики в Корее (Yongin Y2 и Cheongju M17).
Хотя расширение в США могло бы помочь SK Hynix сократить разрыв в доле рынка с Samsung по части производства NAND-флэш памяти, остаётся неясным, как будет развиваться спрос на чипы памяти к моменту запуска нового завода в США, если его решат строить. Впрочем, на сегодняшний день в SK Hynix считают, что дефицит памяти сохранится до конца 2030 года, а спрос будет превышать производственные мощности и после 2030 года.
Для всех этих планов нужны деньги. В августе 2026 года появились сообщения, что SK Hynix рассматривает pre-IPO финансирование Solidigm на $3.6 млрд при оценке в $36 млрд. Это может стать источником средств для американской фабрики.
Скорее всего, SK Hynix не будет спешить с окончательным решением, но попытается договориться с американцами по экспортным тарифам. Если угроза введения 100% тарифов сохранятся, компания скорее всего постарается запустить фаб в Нью-Йорке к 2030 - 2031 году. Если по тарифам получится договориться, то стройка Solidigm в Нью-Йорке вряд ли реализуется. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3❤1
🇹🇼 Производственные мощности. Передовая упаковка. Тайвань
На Тайване началось строительство нового индустриального парка передовой упаковки Baipu в Гаосюне
Якорным резидентом выступит TSMC. Компания построит 2 объекта: лабораторию валидации и центр обучения персонала.
Планы запуска производства в новом парке - 4q2029. Начало строительства - 21 сентября 2026 года.
Назначение парка - тестирование и валидация оборудования и материалов для передовой упаковки TSMC, позволяющей собирать мощные ИИ-чипы (Nvidia, AMD, Broadcom). Планируемая площадь - 88.7 га, из них 53.6 га - под промышленное использование. TSMC займет всего лишь 3 га; 25 га выделено под «базу тестирования и валидации передового оборудования и материалов». Фабричные помещения построят городские власти Гаосюна. Власти заявляют, что энергоснабжения достаточно для этого проекта.
Это часть курса Тайваня на расширение полупроводникового кластера на юге, куда также инвестируют ASE (планы создания двух объектов в Baipu) и Foxconn.
Ожидаемый экономический эффект ~$9 млрд и более 4 тысяч рабочих мест. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
На Тайване началось строительство нового индустриального парка передовой упаковки Baipu в Гаосюне
Якорным резидентом выступит TSMC. Компания построит 2 объекта: лабораторию валидации и центр обучения персонала.
Планы запуска производства в новом парке - 4q2029. Начало строительства - 21 сентября 2026 года.
Назначение парка - тестирование и валидация оборудования и материалов для передовой упаковки TSMC, позволяющей собирать мощные ИИ-чипы (Nvidia, AMD, Broadcom). Планируемая площадь - 88.7 га, из них 53.6 га - под промышленное использование. TSMC займет всего лишь 3 га; 25 га выделено под «базу тестирования и валидации передового оборудования и материалов». Фабричные помещения построят городские власти Гаосюна. Власти заявляют, что энергоснабжения достаточно для этого проекта.
Это часть курса Тайваня на расширение полупроводникового кластера на юге, куда также инвестируют ASE (планы создания двух объектов в Baipu) и Foxconn.
Ожидаемый экономический эффект ~$9 млрд и более 4 тысяч рабочих мест. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍2