🇷🇺 Розница. Участники рынка продаж электроники. Россия
Одну из структур Fplus признали банкротом, задолженность превышает 3.6 млрд, но проблемы куда глубже?
Об этом рассказывает CNews со ссылкой на картотеку арбитражных дел, где опубликовано соответствующее решение. Структура под названием МКТ (ООО Мобильные и Компьютерные Технологии) занималась оптовой торговлей электроникой и не исполнила обязательств по кредитному договору на 2.18 млрд, что привело к обращению в суд кредитора - ББР БАНКа. Также компания должна ВЭБ.РФ, сумма включенных в реестр кредиторов требований - около 6.97 млрд.
В рамках процедуры банкротства введено наблюдение за рядом дочерних и аффилированных структур холдинга, включая и головную компанию – ООО «Ф-плюс оборудование и разработки».
Претензии предъявлены и к главе холдинга, от банка «Санкт-Петербург», поскольку глава холдинга выступал поручителем по кредиту, выданному МКТ, на 2 млрд. Нельзя исключить, что он утратит право занимать руководящие должности.
Нельзя исключить, что из этого кризиса структура, если и выйдет, то в виде своей "тени", поскольку судя по доступной информации, кредиты выдавались структурам холдинга под залог долей друг в друге, что привело к тому, что сейчас сразу несколько банков пришли с требованиями – суммарно на десятки миллиардов рублей.
Будем ожидать распродажи активов – от розницы до производства и дистрибуции, как наиболее вероятного сценария? По идее, на производственные активы при разумной цене покупатель найдется.
Неприятно об этом думать, но есть ощущение, что проблемы холдинга FPlus - не изолированный случай, и мы еще будем вынуждены узнавать про другие аналогичные случаи на российском рынке. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Одну из структур Fplus признали банкротом, задолженность превышает 3.6 млрд, но проблемы куда глубже?
Об этом рассказывает CNews со ссылкой на картотеку арбитражных дел, где опубликовано соответствующее решение. Структура под названием МКТ (ООО Мобильные и Компьютерные Технологии) занималась оптовой торговлей электроникой и не исполнила обязательств по кредитному договору на 2.18 млрд, что привело к обращению в суд кредитора - ББР БАНКа. Также компания должна ВЭБ.РФ, сумма включенных в реестр кредиторов требований - около 6.97 млрд.
В рамках процедуры банкротства введено наблюдение за рядом дочерних и аффилированных структур холдинга, включая и головную компанию – ООО «Ф-плюс оборудование и разработки».
Претензии предъявлены и к главе холдинга, от банка «Санкт-Петербург», поскольку глава холдинга выступал поручителем по кредиту, выданному МКТ, на 2 млрд. Нельзя исключить, что он утратит право занимать руководящие должности.
Нельзя исключить, что из этого кризиса структура, если и выйдет, то в виде своей "тени", поскольку судя по доступной информации, кредиты выдавались структурам холдинга под залог долей друг в друге, что привело к тому, что сейчас сразу несколько банков пришли с требованиями – суммарно на десятки миллиардов рублей.
Будем ожидать распродажи активов – от розницы до производства и дистрибуции, как наиболее вероятного сценария? По идее, на производственные активы при разумной цене покупатель найдется.
Неприятно об этом думать, но есть ощущение, что проблемы холдинга FPlus - не изолированный случай, и мы еще будем вынуждены узнавать про другие аналогичные случаи на российском рынке. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
1🤔9❤1🙈1
🇷🇺 Планы строительства нового производства микроэлектроники. Дальний Восток. Россия
ИКС Холдинг инвестирует 35 млрд в производство сложных полупроводников на Дальнем Востоке
ИКС холдинг объявил о планах инвестиций свыше 35 млрд рублей в создание к 2030 году в Приморском крае двух предприятий, которые сформируют производственный комплекс сложных полупроводников. Общая площадь комплекса превысит 35 тысяч кв. м, на площадке будет создано 500 рабочих мест для специалистов инженерных специальностей. Компания позиционирует свой проект, как возможную основу национального кластера сложных полупроводников.
В частности, планируется выпускать на мощностях предприятий СВЧ-компоненты – более 5 млн микросхем в год и фотоэлектрические преобразователи на основе арсенида и нитрида галлия – до 0.5 млн в год.
В качестве якорных заказчиков для новых производств выступят предприятия холдинга, это упростит загрузку производственных мощностей, что важно для любого производства. СВЧ-компоненты планируется использовать при создании телекоммуникационного оборудования новых поколений связи YADRO, а космические фотоэлектрические преобразователи - в инновационных решениях Бюро 1440. Это радикально снижает рыночные риски и создаёт экономическую модель, при которой инвестиции окупаются не за счёт внешнего рынка, а за счёт вертикальной интеграции
Проект реализуется при поддержке Минпромторга России, Минвостокразвития России и правительства Приморского края. Планы по созданию производственного комплекса были закреплены на Восточном экономическом форуме. Соглашение о сотрудничестве подписали генеральный директор ИКС Холдинга Алексей Шелобков, министр промышленности и торговли Антон Алиханов, министр по развитию Дальнего Востока и Арктики Алексей Чекунков и первый вице-губернатор Приморского края - председатель правительства Приморского края Вера Щербина.
Алексей Шелобков, генеральный директор ИКС Холдинга:
Антон Алиханов, министр промышленности и торговли:
Алексей Чекунков, министр по развитию Дальнего Востока и Арктики:
В рамках соглашения стороны также намерены сформировать дорожную карту реализации проекта и совместно проработать земельные, инфраструктурные, энергетические, технологические и кадровые вопросы.
Проект формирует новый производственный кластер на Дальнем Востоке, привязанный к близости Китая как источника комплектующих и материалов, что на текущем этапе обеспечит логистическое преимущество перед площадками в европейской части России. Технологическая специализация на арсениде и нитриде галлия - материалах, критически важных для СВЧ-электроники и космической фотоэнергетики, - позволяет рассчитывать на спрос, гарантированный государственными заказами в сфере связи и космоса.
Для успеха проекта потребуется решить ряд нетривиальных задач, например, завезти в регион или подготовить на месте 500 инженеров, энергетическую и транспортную инфраструктуру. Вряд ли мы будем ощущать существенное влияние реализации этого проекта на отрасль до 2030 года. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
ИКС Холдинг инвестирует 35 млрд в производство сложных полупроводников на Дальнем Востоке
ИКС холдинг объявил о планах инвестиций свыше 35 млрд рублей в создание к 2030 году в Приморском крае двух предприятий, которые сформируют производственный комплекс сложных полупроводников. Общая площадь комплекса превысит 35 тысяч кв. м, на площадке будет создано 500 рабочих мест для специалистов инженерных специальностей. Компания позиционирует свой проект, как возможную основу национального кластера сложных полупроводников.
В частности, планируется выпускать на мощностях предприятий СВЧ-компоненты – более 5 млн микросхем в год и фотоэлектрические преобразователи на основе арсенида и нитрида галлия – до 0.5 млн в год.
В качестве якорных заказчиков для новых производств выступят предприятия холдинга, это упростит загрузку производственных мощностей, что важно для любого производства. СВЧ-компоненты планируется использовать при создании телекоммуникационного оборудования новых поколений связи YADRO, а космические фотоэлектрические преобразователи - в инновационных решениях Бюро 1440. Это радикально снижает рыночные риски и создаёт экономическую модель, при которой инвестиции окупаются не за счёт внешнего рынка, а за счёт вертикальной интеграции
Проект реализуется при поддержке Минпромторга России, Минвостокразвития России и правительства Приморского края. Планы по созданию производственного комплекса были закреплены на Восточном экономическом форуме. Соглашение о сотрудничестве подписали генеральный директор ИКС Холдинга Алексей Шелобков, министр промышленности и торговли Антон Алиханов, министр по развитию Дальнего Востока и Арктики Алексей Чекунков и первый вице-губернатор Приморского края - председатель правительства Приморского края Вера Щербина.
Алексей Шелобков, генеральный директор ИКС Холдинга:
«Для ИКС Холдинга этот проект - следующий шаг в развитии собственных технологических компетенций. Мы уже создаем сложные конечные системы - от телекоммуникационного оборудования до спутниковых систем связи, а теперь идем глубже - к критическим компонентам, от которых зависят возможности этих систем. У новых производств уже есть основной промышленный спрос внутри холдинга со стороны YADRO и БЮРО 1440. Но наша амбиция шире двух фабрик: мы хотим, чтобы они стали промышленным ядром, вокруг которого на Дальнем Востоке сможет сформироваться национальный кластер сложных полупроводников».
Антон Алиханов, министр промышленности и торговли:
«Минпромторг России поддерживает проект по созданию сложных полупроводников, где разработка, производство и спрос собраны в единый контур. Отмечу, что в этом проекте потребитель определен уже на старте — продукция предназначена для телекоммуникационных и космических проектов. Несомненно, это важный шаг к переходу от импортозамещения к собственному производственному потенциалу».
Алексей Чекунков, министр по развитию Дальнего Востока и Арктики:
«Одно из приоритетных и стратегических направлений развития макрорегиона — поддержка высокотехнологичных отраслей. Речь не только об импортозамещении, а о способности создавать новые технологии и выводить их на рынок. Микроэлектроника сегодня востребована практически в любой отрасли — от авиации и космоса до энергетики и транспорта. Это основа комплектующих для нашей техники. Поэтому строительство кластера в Приморском крае станет важным вкладом в обеспечение технологического суверенитета нашей страны».
В рамках соглашения стороны также намерены сформировать дорожную карту реализации проекта и совместно проработать земельные, инфраструктурные, энергетические, технологические и кадровые вопросы.
Проект формирует новый производственный кластер на Дальнем Востоке, привязанный к близости Китая как источника комплектующих и материалов, что на текущем этапе обеспечит логистическое преимущество перед площадками в европейской части России. Технологическая специализация на арсениде и нитриде галлия - материалах, критически важных для СВЧ-электроники и космической фотоэнергетики, - позволяет рассчитывать на спрос, гарантированный государственными заказами в сфере связи и космоса.
Для успеха проекта потребуется решить ряд нетривиальных задач, например, завезти в регион или подготовить на месте 500 инженеров, энергетическую и транспортную инфраструктуру. Вряд ли мы будем ощущать существенное влияние реализации этого проекта на отрасль до 2030 года. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🙈8👏7🔥5❤2
🇷🇺 Образование. Инженерные кадры микроэлектроники. Дальний Восток. Приморский край. Россия
На Дальнем Востоке начнут готовить специалистов для работы в сфере микроэлектроники
На острове Русский в Приморском крае планируется создать «Русский инжиниринговый центр», который будет заниматься практико-ориентированной подготовкой инженеров в сфере микроэлектроники. Его создание станет логичным предложением проекта ИКС Холдинг по созданию двух производственных предприятий в Приморском крае.
Образовательный проект планируется реализовать в сотрудничестве ИКС Холдинг, ДВФУ и Фонда развития Инновационного научно-технологического центра «Русский» (ИНТЦ).
ДВФУ обеспечит подготовку 200 инженеров. Университетское образование дополнят практические занятиями и стажировками, а учебные и выпускные работы будут основаны на реальных задачах отрасли. Студенты смогут проходить практику в компаниях ИКС холдинга и подключаться к работе инжинирингового центра во время обучения.
Новый центр станет площадкой для прикладных исследований, проектирования, создания прототипов, испытаний и подготовки решений к внедрению. Его возможности будут открыты не только для проектов ИКС Холдинга: партнеры планируют привлекать к работе других российских разработчиков, технологические компании, научные и образовательные организации.
Алексей Шелобков, генеральный директор ИКС Холдинга:
Стороны также планируют проводить олимпиады, хакатоны, инженерные конкурсы и конференции, развивая на Дальнем Востоке профессиональное сообщество инженеров, ученых и представителей технологического бизнеса. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
На Дальнем Востоке начнут готовить специалистов для работы в сфере микроэлектроники
На острове Русский в Приморском крае планируется создать «Русский инжиниринговый центр», который будет заниматься практико-ориентированной подготовкой инженеров в сфере микроэлектроники. Его создание станет логичным предложением проекта ИКС Холдинг по созданию двух производственных предприятий в Приморском крае.
Образовательный проект планируется реализовать в сотрудничестве ИКС Холдинг, ДВФУ и Фонда развития Инновационного научно-технологического центра «Русский» (ИНТЦ).
ДВФУ обеспечит подготовку 200 инженеров. Университетское образование дополнят практические занятиями и стажировками, а учебные и выпускные работы будут основаны на реальных задачах отрасли. Студенты смогут проходить практику в компаниях ИКС холдинга и подключаться к работе инжинирингового центра во время обучения.
Новый центр станет площадкой для прикладных исследований, проектирования, создания прототипов, испытаний и подготовки решений к внедрению. Его возможности будут открыты не только для проектов ИКС Холдинга: партнеры планируют привлекать к работе других российских разработчиков, технологические компании, научные и образовательные организации.
Алексей Шелобков, генеральный директор ИКС Холдинга:
«Сложное производство начинается не с запуска оборудования, а с команды, которая умеет с ним работать и развивать технологию дальше. Поэтому инженерное ядро наших будущих производств мы начинаем формировать уже сейчас. Вместе с ДВФУ и ИНТЦ «Русский» мы хотим выстроить максимально практичную модель: бизнес заранее формулирует реальные технологические задачи и необходимые компетенции, а университет и ИНТЦ помогают готовить под них команды. Для студентов это возможность еще во время обучения работать с задачами реального высокотехнологичного производства, а для нас - создавать на Дальнем Востоке инженерную среду, без которой невозможно развитие сложных технологий».
Стороны также планируют проводить олимпиады, хакатоны, инженерные конкурсы и конференции, развивая на Дальнем Востоке профессиональное сообщество инженеров, ученых и представителей технологического бизнеса. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍5❤2👏1🙈1
🇯🇵 SiC. Силовая электроника. Высокотемпературная. Горизонты технологий. Япония
Разработан прототип SiC-транзистора, работающий при 600 °C
Исследовательская группа Киотского университета опубликовала в журнале APL Electronic Devices статью, в которой описана новая конструкция транзистора на основе карбида кремния (SiC), способного стабильно работать при температуре 600 °C. Работа выполнена под руководством профессора Цунэнобу Кимото, первый автор - Мицуаки Канэко. В отличие от предыдущих разработок, новая структура решает 2 ключевые проблемы, десятилетиями препятствовавшие созданию практических SiC-приборов для экстремальных условий.
📌 Новая конструкция: вместо традиционного верхнего затвора (top-gate) исследователи применили нижний затвор (bottom-gate), разместив управляющий электрод под каналом транзистора. Это позволило компенсировать разброс примесных атомов при ионной имплантации и снизить расхождение между расчётным и измеренным пороговым напряжением с более чем 2 В до менее 0,1 В при 400 °C.
📌 Второе усовершенствование - двойная колодезная структура (double-well isolation) вместо полуизолирующей подложки SiC: элементы изолированы друг от друга pn-переходами, которые сохраняют свойства при нагреве и подавляют токи утечки, которые ранее возрастали на порядки. В результате при 600 °C ток утечки оказался на порядок ниже, чем у традиционных приборов при 400 °C, и приблизился к теоретическому пределу, определяемому собственными свойствами SiC.
💎 Почему 600 °C - важная цель. Обычная кремниевая электроника перестаёт работать уже выше 250 °C. Внутри реактивных двигателей, в скважинах геотермальных станций, в промышленных печах или на поверхности Венеры (460 °C) температура не оставляет выбора: компоненты должны выдерживать экстремальный нагрев без активного охлаждения. Среди коммерчески доступных широкозонных полупроводников SiC - наиболее зрелая технология: он уже используется как материал для силовых приборов, а его широкая запрещённая зона (3,2 эВ) обеспечивает принципиальную возможность работы при температурах, недоступных для кремния.
Однако это пока только прототип. Нынешний транзистор выполнен в normally-on конфигурации - то есть без управляющего сигнала он открыт, а не закрыт, что неприемлемо для большинства практических применений. Следующий шаг команды - создать normally-off транзистор в рамках новой конструкции и на его основе разработать комплементарную JFET-интегральную схему с n- и p-каналами. В еще более отдаленной перспективе - создание более сложных схем, переход на пластины промышленного размера и обеспечение долговременной надёжности всей конструкции в экстремальных условиях. Тем не менее сам факт, что первая же попытка новой конструкции показала работу при 600 °C, подтверждает: SiC-электроника для экстремальных условий может быть одновременно точной и надёжной. ||
((картинки - авторов публикации DOI: 10.1063/5.0346734 ; тему подсказал - TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Разработан прототип SiC-транзистора, работающий при 600 °C
Исследовательская группа Киотского университета опубликовала в журнале APL Electronic Devices статью, в которой описана новая конструкция транзистора на основе карбида кремния (SiC), способного стабильно работать при температуре 600 °C. Работа выполнена под руководством профессора Цунэнобу Кимото, первый автор - Мицуаки Канэко. В отличие от предыдущих разработок, новая структура решает 2 ключевые проблемы, десятилетиями препятствовавшие созданию практических SiC-приборов для экстремальных условий.
📌 Новая конструкция: вместо традиционного верхнего затвора (top-gate) исследователи применили нижний затвор (bottom-gate), разместив управляющий электрод под каналом транзистора. Это позволило компенсировать разброс примесных атомов при ионной имплантации и снизить расхождение между расчётным и измеренным пороговым напряжением с более чем 2 В до менее 0,1 В при 400 °C.
📌 Второе усовершенствование - двойная колодезная структура (double-well isolation) вместо полуизолирующей подложки SiC: элементы изолированы друг от друга pn-переходами, которые сохраняют свойства при нагреве и подавляют токи утечки, которые ранее возрастали на порядки. В результате при 600 °C ток утечки оказался на порядок ниже, чем у традиционных приборов при 400 °C, и приблизился к теоретическому пределу, определяемому собственными свойствами SiC.
Однако это пока только прототип. Нынешний транзистор выполнен в normally-on конфигурации - то есть без управляющего сигнала он открыт, а не закрыт, что неприемлемо для большинства практических применений. Следующий шаг команды - создать normally-off транзистор в рамках новой конструкции и на его основе разработать комплементарную JFET-интегральную схему с n- и p-каналами. В еще более отдаленной перспективе - создание более сложных схем, переход на пластины промышленного размера и обеспечение долговременной надёжности всей конструкции в экстремальных условиях. Тем не менее сам факт, что первая же попытка новой конструкции показала работу при 600 °C, подтверждает: SiC-электроника для экстремальных условий может быть одновременно точной и надёжной. ||
((картинки - авторов публикации DOI: 10.1063/5.0346734 ; тему подсказал - TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
1👍6🔥2
🇮🇳 Чипы ИИ. Производители чипов ИИ. Индия
Индия продолжает разработку собственного ИИ-чипа
Это масштабный государственный проект, призванный снизить зависимость от американских технологий в условиях экспортных ограничений со стороны США.
Проект курирует Центр разработки передовых вычислительных технологий (C-DAC) – правительственная исследовательская организация, основанная в 1988 году для создания первых индийских суперкомпьютеров. На разработку чипа выделено $200 млн. Финансирование осуществляется в рамках Национальной суперкомпьютерной миссии, а не новой программы Semicon 2.0.
Насколько можно судить по доступной информации, в Индии разрабатывают чип GPU по технологии 2нм. Производить чип планируют на мощностях TSMC. По состоянию на июль 2026 года, чип перешел в стадию опытного производства. Валидацией конструкции и оценкой производительности разработки займется компания HCL Infosystems.
Чип планируют позиционировать в качестве аналога продуктов NVIDIA, Google (TPU) и Groq (LPU). Первый промышленный инференс-чип будет представлен в 2029 или в 2030 году.
Получится ли у индусов? Должно срастись несколько вещей – должна получиться сколько-то конкурентоспособная разработка; должно реализоваться успешное сотрудничество с TSMC (или другими подходящими факторами), поскольку своих производств такого уровня у Индии нет и не предвидится в ближайшие годы; должна быть создана полноценная программная экосистема.
Будет интересно посмотреть, что получится, но пока что ясности нет. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Индия продолжает разработку собственного ИИ-чипа
Это масштабный государственный проект, призванный снизить зависимость от американских технологий в условиях экспортных ограничений со стороны США.
Проект курирует Центр разработки передовых вычислительных технологий (C-DAC) – правительственная исследовательская организация, основанная в 1988 году для создания первых индийских суперкомпьютеров. На разработку чипа выделено $200 млн. Финансирование осуществляется в рамках Национальной суперкомпьютерной миссии, а не новой программы Semicon 2.0.
Насколько можно судить по доступной информации, в Индии разрабатывают чип GPU по технологии 2нм. Производить чип планируют на мощностях TSMC. По состоянию на июль 2026 года, чип перешел в стадию опытного производства. Валидацией конструкции и оценкой производительности разработки займется компания HCL Infosystems.
Чип планируют позиционировать в качестве аналога продуктов NVIDIA, Google (TPU) и Groq (LPU). Первый промышленный инференс-чип будет представлен в 2029 или в 2030 году.
Получится ли у индусов? Должно срастись несколько вещей – должна получиться сколько-то конкурентоспособная разработка; должно реализоваться успешное сотрудничество с TSMC (или другими подходящими факторами), поскольку своих производств такого уровня у Индии нет и не предвидится в ближайшие годы; должна быть создана полноценная программная экосистема.
Будет интересно посмотреть, что получится, но пока что ясности нет. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍2🤔2😭1
🇯🇵 Производство CMOS-сенсоров. Крупнейшие участники рынка. Япония
Sony заняла половину мирового рынка CMOS-сенсоров - впервые по независимым данным
По данным аналитиков Yole Group, в 2025 году доля Sony на мировом рынке CMOS-сенсоров изображения (CIS) впервые достигла около 50%. До этого Yole признавала за Sony 40% с небольшим - и в 2023-м, и в 2024-м.
Этот успех наглядно отразился на финансовых результатах компании. В 2025 финансовом году полупроводниковое направление Sony показало рекордную выручку и операционную прибыль. Апрель–июнь 2026 года тоже стали рекордными по операционной прибыли за несколько последних лет.
Yole в своём свежем отчёте выделила ключевые технологические направления развития рынка CIS: миниатюризация логических слоёв и 3D-стековая интеграция с дополнительной памятью и другими компонентами. В качестве наглядного примера обеих тенденций аналитики привели трёхслойный стековый сенсор Sony - то есть передовая технология японской компании задает направление для движения всей отрасли.
Вопрос в том, удастся ли Sony продолжить движение от 50% к целевым 60%, еще в 2022 году компания заявляла о таких амбициях.
((источник: @Techpubisher, по материалам EE Times Japan))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Sony заняла половину мирового рынка CMOS-сенсоров - впервые по независимым данным
По данным аналитиков Yole Group, в 2025 году доля Sony на мировом рынке CMOS-сенсоров изображения (CIS) впервые достигла около 50%. До этого Yole признавала за Sony 40% с небольшим - и в 2023-м, и в 2024-м.
Этот успех наглядно отразился на финансовых результатах компании. В 2025 финансовом году полупроводниковое направление Sony показало рекордную выручку и операционную прибыль. Апрель–июнь 2026 года тоже стали рекордными по операционной прибыли за несколько последних лет.
Yole в своём свежем отчёте выделила ключевые технологические направления развития рынка CIS: миниатюризация логических слоёв и 3D-стековая интеграция с дополнительной памятью и другими компонентами. В качестве наглядного примера обеих тенденций аналитики привели трёхслойный стековый сенсор Sony - то есть передовая технология японской компании задает направление для движения всей отрасли.
Вопрос в том, удастся ли Sony продолжить движение от 50% к целевым 60%, еще в 2022 году компания заявляла о таких амбициях.
((источник: @Techpubisher, по материалам EE Times Japan))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥2👌1
🇯🇵 Производство на пластинах 150мм. Тренды. Япония
Renesas закрывает производство на 6-дюймовых пластинах в Такасаки
Японская Renesas Electronics планомерно сворачивает производство на заводе в Такасаки, которому более 50 лет. Производство закроют полностью - поддерживать линии на 6-дюймовых (150 мм) пластинах стало экономически нецелесообразно: оборудование устарело, а его модернизация признана неоправданной. Исследовательские и конструкторские подразделения, напротив, сохранят и усилят.
Закрытие завода Renesas отражает глобальный тренд: крупные игроки (включая TSMC) сейчас выводят из эксплуатации старые 6-дюймовые линии. Современные процессоры, память и сложная логика более рентабельно выпускать на пластинах 200 мм (8 дюймов) и 300 мм (12 дюймов). Однако 6-дюймовый формат не исчезает полностью - он сохраняется в нишевых сегментах, где зрелость технологии – это не дефект, а цель.
В частности, 6-дюймовые линии остаются востребованы для аналоговых микросхем, дискретных силовых компонентов, датчиков и MEMS. Кроме того, на пластинах 150 мм сейчас активно пробуют осваивать производство из новых материалов, например, китайская Hangzhou Garen Semiconductor в 2026 году запустила первую в мире серийную линию по выпуску силовой микроэлектронике на базе пластин из оксида галлия (Ga₂O₃) диаметром 6 и 8 дюймов.
В России 6-дюймовые пластины остаются де-факто стандартом для многих производств. В условиях санкций ставка на 150 мм выглядит прагматично: бывшее в употреблении оборудование для таких линий доступнее, техпроцессы хорошо изучены, а потребности небольшого внутреннего рынка в силовой электронике и компонентах для промышленности как правило могут быть закрыты этим типоразмером. В России тоже идут работы по освоению новых материалов, например, оксида галлия.
Таким образом, 150-мм пластины хотя и перестают быть мейнстримом, но продолжают жить в нише зрелых технологий и становятся стартовой площадкой для революционных материалов будущего. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Renesas закрывает производство на 6-дюймовых пластинах в Такасаки
Японская Renesas Electronics планомерно сворачивает производство на заводе в Такасаки, которому более 50 лет. Производство закроют полностью - поддерживать линии на 6-дюймовых (150 мм) пластинах стало экономически нецелесообразно: оборудование устарело, а его модернизация признана неоправданной. Исследовательские и конструкторские подразделения, напротив, сохранят и усилят.
Закрытие завода Renesas отражает глобальный тренд: крупные игроки (включая TSMC) сейчас выводят из эксплуатации старые 6-дюймовые линии. Современные процессоры, память и сложная логика более рентабельно выпускать на пластинах 200 мм (8 дюймов) и 300 мм (12 дюймов). Однако 6-дюймовый формат не исчезает полностью - он сохраняется в нишевых сегментах, где зрелость технологии – это не дефект, а цель.
В частности, 6-дюймовые линии остаются востребованы для аналоговых микросхем, дискретных силовых компонентов, датчиков и MEMS. Кроме того, на пластинах 150 мм сейчас активно пробуют осваивать производство из новых материалов, например, китайская Hangzhou Garen Semiconductor в 2026 году запустила первую в мире серийную линию по выпуску силовой микроэлектронике на базе пластин из оксида галлия (Ga₂O₃) диаметром 6 и 8 дюймов.
В России 6-дюймовые пластины остаются де-факто стандартом для многих производств. В условиях санкций ставка на 150 мм выглядит прагматично: бывшее в употреблении оборудование для таких линий доступнее, техпроцессы хорошо изучены, а потребности небольшого внутреннего рынка в силовой электронике и компонентах для промышленности как правило могут быть закрыты этим типоразмером. В России тоже идут работы по освоению новых материалов, например, оксида галлия.
Таким образом, 150-мм пластины хотя и перестают быть мейнстримом, но продолжают жить в нише зрелых технологий и становятся стартовой площадкой для революционных материалов будущего. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤3🔥2
🇷🇺 Встречи. Отраслевые конференции. Россия
В Москве пройдет предконференция «Доверенная и экстремальная электроника»
Это одно из мероприятий российского форума «Микроэлектроника 2026», которое пройдет с 7 по 10 сентября 2026 года в Москве на площадке Консорциума НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС» (проспект Андропова, д. 18, корпус 5), более 50 докладов в 5 тематических блоках.
✦ «Экстремальная электроника»: специалисты обсудят создание и испытания изделий, предназначенных для работы при радиационных воздействиях, расширенных температурах, повышенных электрических нагрузках, электромагнитных помехах и других внешних дестабилизирующих факторах.
✦ «Технологическое и контрольно-измерительное оборудование»: будет обсуждаться, прежде всего, вопросы импортзамещения.
✦ «Разработка и производство ЭКБ микроэлектроники, СВЧ, фотоники, микросистемной техники, пассивки»: темы проектирования, разработки и изготовления изделий микроэлектроники разных классов.
✦ «Доверенная электроника» и ✦ «Развитие стандартизации в доверенной электроники»: участники обсудят какие требования должны предъявляться к электронным компонентам; радиоэлектронным устройствам; ПАК для объектов КИА, а также каким образом соответствие этим требованиям должно обеспечиваться и подтверждаться на разных стадиях жизненного цикла изделий.
Целый день будет посвящен обсуждению подходов к стандартизации в области электроники для критической информационной инфраструктуры при сомодераторстве экспертов «Росатом» и участии руководителя центрального органа СДС «КИИ-СЕРТ» и руководителя направления по оценке соответствия и стандартизации АО «НПО КИС». В центре дискуссии окажутся подтверждённые качество и безопасность электронной продукции. В понятие качества входят работоспособность, надёжность и стойкость к режимам и условиям эксплуатации, а безопасность включает информационную, технологическую и функциональную составляющие. Отдельное внимание планируется уделить контролируемости жизненного цикла электронной компонентной базы, прослеживаемости её происхождения и производства, выявлению контрафактной продукции и недекларированных возможностей.
Участники рассмотрят вопросы разработки национальных стандартов, сертификации доверенных ПАК и ЭКБ, формирования требований к испытаниям и подтверждения соответствия продукции к предполагаемым условиям эксплуатации. Значительная часть программы будет посвящена практическим механизмам обеспечения доверенности: контролю проектных и технологических решений, верификации, испытаниям, оценке надёжности и стойкости, а также сохранению подтверждённых свойств электронной продукции на стадиях производства, поставки и эксплуатации.
Предконференция станет московским этапом подготовки к основной программе Российского форума «Микроэлектроника 2026», который пройдёт с 27 сентября по 3 октября 2026 года на Федеральной территории «Сириус», где продолжится обсуждение вопросов доверенной электроники в рамках трека обзорно-дискуссионных заседаний «Доверенный ПАК и ЭК для регулируемых рынков критической информационной инфраструктуры». ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Москве пройдет предконференция «Доверенная и экстремальная электроника»
Это одно из мероприятий российского форума «Микроэлектроника 2026», которое пройдет с 7 по 10 сентября 2026 года в Москве на площадке Консорциума НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС» (проспект Андропова, д. 18, корпус 5), более 50 докладов в 5 тематических блоках.
✦ «Экстремальная электроника»: специалисты обсудят создание и испытания изделий, предназначенных для работы при радиационных воздействиях, расширенных температурах, повышенных электрических нагрузках, электромагнитных помехах и других внешних дестабилизирующих факторах.
✦ «Технологическое и контрольно-измерительное оборудование»: будет обсуждаться, прежде всего, вопросы импортзамещения.
✦ «Разработка и производство ЭКБ микроэлектроники, СВЧ, фотоники, микросистемной техники, пассивки»: темы проектирования, разработки и изготовления изделий микроэлектроники разных классов.
✦ «Доверенная электроника» и ✦ «Развитие стандартизации в доверенной электроники»: участники обсудят какие требования должны предъявляться к электронным компонентам; радиоэлектронным устройствам; ПАК для объектов КИА, а также каким образом соответствие этим требованиям должно обеспечиваться и подтверждаться на разных стадиях жизненного цикла изделий.
Целый день будет посвящен обсуждению подходов к стандартизации в области электроники для критической информационной инфраструктуры при сомодераторстве экспертов «Росатом» и участии руководителя центрального органа СДС «КИИ-СЕРТ» и руководителя направления по оценке соответствия и стандартизации АО «НПО КИС». В центре дискуссии окажутся подтверждённые качество и безопасность электронной продукции. В понятие качества входят работоспособность, надёжность и стойкость к режимам и условиям эксплуатации, а безопасность включает информационную, технологическую и функциональную составляющие. Отдельное внимание планируется уделить контролируемости жизненного цикла электронной компонентной базы, прослеживаемости её происхождения и производства, выявлению контрафактной продукции и недекларированных возможностей.
Участники рассмотрят вопросы разработки национальных стандартов, сертификации доверенных ПАК и ЭКБ, формирования требований к испытаниям и подтверждения соответствия продукции к предполагаемым условиям эксплуатации. Значительная часть программы будет посвящена практическим механизмам обеспечения доверенности: контролю проектных и технологических решений, верификации, испытаниям, оценке надёжности и стойкости, а также сохранению подтверждённых свойств электронной продукции на стадиях производства, поставки и эксплуатации.
Предконференция станет московским этапом подготовки к основной программе Российского форума «Микроэлектроника 2026», который пройдёт с 27 сентября по 3 октября 2026 года на Федеральной территории «Сириус», где продолжится обсуждение вопросов доверенной электроники в рамках трека обзорно-дискуссионных заседаний «Доверенный ПАК и ЭК для регулируемых рынков критической информационной инфраструктуры». ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤2👍1🔥1🤔1
🇯🇵 Производство корпусов для оптических трансиверов. Ключевые участники рынка. Тренды. Япония
Kyocera делает керамические корпуса для оптических трансиверов, опережая потребности рынка на 2 поколения
Kyocera наращивает технологическое совершенство и объемы производства керамических корпусов для оптических трансиверов, используемых в ИИ-ЦОД.
Керамика в этих изделиях защищает компоненты от влаги, пыли, электромагнитных помех и перегрева, а полая конструкция помогает миниатюризировать модули. Компания выпускает весь спектр необходимых отрасли корпусов - от компактных для поверхностного монтажа до многовыводных и коробчатых.
Ключевая разработка - технология GamoThru: трёхмерная трассировка сигналов внутри корпуса, снижающая потери на высоких частотах (свыше 90 ГГц!!). Kyocera уже предлагает корпуса для 128G Baud (1.6T и выше) и разрабатывает решения для 200G Baud.
Следующий осваиваемый этап - выход за пределы электро-оптической конвертации: компания осваивает сегменты CPO (Co-Packaged Optics) и оптических коммутаторов, где оптика размещается вплотную к чипу, сокращая энергопотребление - это критично для масштабирования ИИ-кластеров.
Kyocera на текущий момент занимает около 90% мирового рынка керамических корпусов для оптической связи - фактически это близко к монопольному положению. Чтобы нарастить производство и не терять опережение в R&D, компания инвестирует в свои разработки и производство около 650 млрд иен (~$4,4 млрд) до 2031 года, расширяя заводы в Кагосиме и Нагасаки.
Рынок керамических корпусов для оптики в 2025 году оценивался в $389–400 млн, а к 2032 году, как ожидается, он достигнет $748–760 млн (CAGR ~9,6%). При этом более широкий сегмент - керамические подложки - растёт еще быстрее, более чем на 20% в год и к 2032 году превысит $1,68 млрд. Это объясняется тем, что подложки используют не только в оптических корпусах, но и в других сегментах электроники, а также тем, что наблюдаются высокие темпы перехода на 800G, 1.6T и 3.2T модули для ИИ-кластеров.
Разрабатывая продукты под требования, которых рынок ещё не сформулировал (ориентир - «на 2 поколения вперёд»), Kyocera закрепляет своё лидерство: без её корпусов масштабирование ИИ-ЦОД и переход на сверхвысокие скорости становятся технически невозможными, превращая компанию из поставщика компонентов в системного бенефициара ИИ-бума с почти гарантированным спросом на годы вперёд. ||
Идея публикации - TechPublisher.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Kyocera делает керамические корпуса для оптических трансиверов, опережая потребности рынка на 2 поколения
Kyocera наращивает технологическое совершенство и объемы производства керамических корпусов для оптических трансиверов, используемых в ИИ-ЦОД.
Керамика в этих изделиях защищает компоненты от влаги, пыли, электромагнитных помех и перегрева, а полая конструкция помогает миниатюризировать модули. Компания выпускает весь спектр необходимых отрасли корпусов - от компактных для поверхностного монтажа до многовыводных и коробчатых.
Ключевая разработка - технология GamoThru: трёхмерная трассировка сигналов внутри корпуса, снижающая потери на высоких частотах (свыше 90 ГГц!!). Kyocera уже предлагает корпуса для 128G Baud (1.6T и выше) и разрабатывает решения для 200G Baud.
Следующий осваиваемый этап - выход за пределы электро-оптической конвертации: компания осваивает сегменты CPO (Co-Packaged Optics) и оптических коммутаторов, где оптика размещается вплотную к чипу, сокращая энергопотребление - это критично для масштабирования ИИ-кластеров.
Kyocera на текущий момент занимает около 90% мирового рынка керамических корпусов для оптической связи - фактически это близко к монопольному положению. Чтобы нарастить производство и не терять опережение в R&D, компания инвестирует в свои разработки и производство около 650 млрд иен (~$4,4 млрд) до 2031 года, расширяя заводы в Кагосиме и Нагасаки.
Рынок керамических корпусов для оптики в 2025 году оценивался в $389–400 млн, а к 2032 году, как ожидается, он достигнет $748–760 млн (CAGR ~9,6%). При этом более широкий сегмент - керамические подложки - растёт еще быстрее, более чем на 20% в год и к 2032 году превысит $1,68 млрд. Это объясняется тем, что подложки используют не только в оптических корпусах, но и в других сегментах электроники, а также тем, что наблюдаются высокие темпы перехода на 800G, 1.6T и 3.2T модули для ИИ-кластеров.
Разрабатывая продукты под требования, которых рынок ещё не сформулировал (ориентир - «на 2 поколения вперёд»), Kyocera закрепляет своё лидерство: без её корпусов масштабирование ИИ-ЦОД и переход на сверхвысокие скорости становятся технически невозможными, превращая компанию из поставщика компонентов в системного бенефициара ИИ-бума с почти гарантированным спросом на годы вперёд. ||
Идея публикации - TechPublisher.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
1❤2👍1🔥1
🇯🇵 Квантовые компьютеры. Кремниевые квантовые компьютеры. Вести из лабораторий. Япония
В Hitachi хотят внедрить в квантовые компьютеры две новые технологии
Hitachi в августе 2026 года объявила о разработке двух технологий, которые должны помочь перейти от экспериментальных квантовых систем к промышленным. Обе решают проблемы, без которых невозможно масштабирование - рост числа проводников и ошибки при переносе квантовой информации.
✦ Первая технология: архитектура "кросс-бар" вместо индивидуальных управляющих проводников
В традиционной схеме каждый кубит (квантовый разряд) требует отдельного управляющего проводника. При наращивании числа кубитов проводников становится так много, что возникают проблемы с компоновкой и охлаждением. Hitachi предложила архитектуру «кроссбар» с общими управляющими вентилями - это как матрица, в которой кубиты подключены к общим линиям, подобно тому, как в современной памяти. Вместо индивидуальной проводки к каждому кубиту - общие шины, что резко сокращает число необходимых соединений.
Совместно с бельгийским исследовательским центром imec на стандартных 300-мм кремниевых пластинах уже изготовлена тестовая матрица 4×4 (16 кубитов): сформированы все квантовые точки (места, где «живут» кубиты) и проверено выполнение части операций. Полноценная работа всех 16 кубитов пока не продемонстрирована.
✦ Вторая технология: плавное управление электронами
Роль кубитов в кремниевых квантовых процессорах играют электроны, несущие квантовую информацию. Чтобы кубиты могли взаимодействовать, электроны нужно перемещать между квантовыми точками - этот процесс называется электронным транспортом (или шаттлингом). Если электроны ускорять и тормозить сравнительно резко, это зачастую разрушает их квантовое состояние и приводит к ошибкам.
Hitachi разработала технологию фазовой модуляции напряжения - это как, если плавно подавать вперед педаль газа, не пытаясь одним движением вдавить педаль в пол. Электрон разгоняется и тормозится постепенно, без скачков, что сохраняет его квантовое состояние и снижает процент ошибок. Пока что метод проверен только в квантово-физических симуляциях, поэтому еще предстоит подождать – что получится в реальном мире.
Что дальше?
2027 год - открытый облачный доступ к квантовой системе для исследователей
2028 год - прототип на 100 кубитов с квантовой коррекцией ошибок
2030 год - система на 1000 кубитов
💎 Hitachi - не единственная компания, кто делает ставку на кремний в разработке квантовых компьютеров. Другие игроки тоже движутся в этом направлении: imec и австралийский стартап Diraq в июле 2026 года продемонстрировали работу 8 кремниевых кубитов, изготовленных по CMOS-совместимому процессу на 300-мм пластинах.
Кремниевый путь привлекателен тем, что использует уже существующие полупроводниковые заводы и технологии, которые намного проще масштабировать, чем при работе с экзотическими материалами. Hitachi рассчитывает, что её новые технологии логично продолжают этот подход. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Hitachi хотят внедрить в квантовые компьютеры две новые технологии
Hitachi в августе 2026 года объявила о разработке двух технологий, которые должны помочь перейти от экспериментальных квантовых систем к промышленным. Обе решают проблемы, без которых невозможно масштабирование - рост числа проводников и ошибки при переносе квантовой информации.
✦ Первая технология: архитектура "кросс-бар" вместо индивидуальных управляющих проводников
В традиционной схеме каждый кубит (квантовый разряд) требует отдельного управляющего проводника. При наращивании числа кубитов проводников становится так много, что возникают проблемы с компоновкой и охлаждением. Hitachi предложила архитектуру «кроссбар» с общими управляющими вентилями - это как матрица, в которой кубиты подключены к общим линиям, подобно тому, как в современной памяти. Вместо индивидуальной проводки к каждому кубиту - общие шины, что резко сокращает число необходимых соединений.
Совместно с бельгийским исследовательским центром imec на стандартных 300-мм кремниевых пластинах уже изготовлена тестовая матрица 4×4 (16 кубитов): сформированы все квантовые точки (места, где «живут» кубиты) и проверено выполнение части операций. Полноценная работа всех 16 кубитов пока не продемонстрирована.
✦ Вторая технология: плавное управление электронами
Роль кубитов в кремниевых квантовых процессорах играют электроны, несущие квантовую информацию. Чтобы кубиты могли взаимодействовать, электроны нужно перемещать между квантовыми точками - этот процесс называется электронным транспортом (или шаттлингом). Если электроны ускорять и тормозить сравнительно резко, это зачастую разрушает их квантовое состояние и приводит к ошибкам.
Hitachi разработала технологию фазовой модуляции напряжения - это как, если плавно подавать вперед педаль газа, не пытаясь одним движением вдавить педаль в пол. Электрон разгоняется и тормозится постепенно, без скачков, что сохраняет его квантовое состояние и снижает процент ошибок. Пока что метод проверен только в квантово-физических симуляциях, поэтому еще предстоит подождать – что получится в реальном мире.
Что дальше?
2027 год - открытый облачный доступ к квантовой системе для исследователей
2028 год - прототип на 100 кубитов с квантовой коррекцией ошибок
2030 год - система на 1000 кубитов
Кремниевый путь привлекателен тем, что использует уже существующие полупроводниковые заводы и технологии, которые намного проще масштабировать, чем при работе с экзотическими материалами. Hitachi рассчитывает, что её новые технологии логично продолжают этот подход. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍1🤣1
🇷🇺 Мнения. Опросы. Оценки. Прогнозы. Россия
Кризис в электронной отрасли? 45% производителей микросхем оценивают свой бизнес как «проблемный»
Отраслевое исследование, проведённое площадкой «Электроника CONNECT» в июле 2026 года (о нем рассказывает CNews), зафиксировало тревожную динамику в российской электронной промышленности. Хуже всего ситуация у производителей электронных компонентов: 45% из них оценивают состояние своего бизнеса как «проблемное», а 63% сообщили о сокращении выручки за последние полгода. Логично, что в такой ситуации компании этого сегмента не спешат расширять производство, инвестировать в оборудование или наращивать штат.
У производителей электронных устройств ситуация тоже сложная: 58% зафиксировали падение выручки - и, что примечательно, ни один участник опроса из этого сегмента не отметил роста. Но, несмотря на сложившиеся условия, большинство компаний не готовы «ждать у моря погоды», напротив, они намерены активничать: 89% компаний планируют вывод новых продуктов и услуг, несмотря на текущее падение.
В целом по отрасли картина выглядит так: выручка снизилась у 54% компаний (из них у 17% - значительно), персонал сократили 36% предприятий, инвестиции урезали 34%. Главные проблемы - падение спроса (49%), рост стоимости комплектующих и оборудования (34%), недоступность финансирования (32%).
Единственным относительно благополучным сектором остаётся инжиниринг и интеграция: 40% соответствующих компаний оценивают своё состояние как хорошее.
На ближайшие полгода бизнес выбирает тактику «точечного развития»: вывод новых продуктов или услуг планируют 50% участников, оптимизацию затрат - 43%, поиск новых партнёров и каналов сбыта - 35%. Перелома ситуации эксперты ожидают не раньше 2027 года, при условии снижения ключевой ставки.
💎 Исследование выявило все основные черты серьезного кризиса: производители компонентов страдают от затоваривания складов и от низких цен азиатских поставщиков, а сборщики конечных устройств – от неконтролируемого роста себестоимости при невозможности поднять цены из-за слабого спроса. При этом наиболее производители устройств демонстрирует максимальную готовность к продолжению инвестиций, в частности, 89% планируют обновление линейки, несмотря на отсутствие роста бизнеса. Компании вкладываются в новые продукты, чтобы выйти из кризиса через обновление предложения, а не через сокращение. Будет ли выбранный сценарий успешным? Во-многом, это определят макроэкономические условия, прежде всего, динамика изменений ключевой ставки ЦБ РФ и восстановления инвестиционной активности. ||
((картинка – из Telegram-канала «НИИчаво»))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Кризис в электронной отрасли? 45% производителей микросхем оценивают свой бизнес как «проблемный»
Отраслевое исследование, проведённое площадкой «Электроника CONNECT» в июле 2026 года (о нем рассказывает CNews), зафиксировало тревожную динамику в российской электронной промышленности. Хуже всего ситуация у производителей электронных компонентов: 45% из них оценивают состояние своего бизнеса как «проблемное», а 63% сообщили о сокращении выручки за последние полгода. Логично, что в такой ситуации компании этого сегмента не спешат расширять производство, инвестировать в оборудование или наращивать штат.
У производителей электронных устройств ситуация тоже сложная: 58% зафиксировали падение выручки - и, что примечательно, ни один участник опроса из этого сегмента не отметил роста. Но, несмотря на сложившиеся условия, большинство компаний не готовы «ждать у моря погоды», напротив, они намерены активничать: 89% компаний планируют вывод новых продуктов и услуг, несмотря на текущее падение.
В целом по отрасли картина выглядит так: выручка снизилась у 54% компаний (из них у 17% - значительно), персонал сократили 36% предприятий, инвестиции урезали 34%. Главные проблемы - падение спроса (49%), рост стоимости комплектующих и оборудования (34%), недоступность финансирования (32%).
Единственным относительно благополучным сектором остаётся инжиниринг и интеграция: 40% соответствующих компаний оценивают своё состояние как хорошее.
На ближайшие полгода бизнес выбирает тактику «точечного развития»: вывод новых продуктов или услуг планируют 50% участников, оптимизацию затрат - 43%, поиск новых партнёров и каналов сбыта - 35%. Перелома ситуации эксперты ожидают не раньше 2027 года, при условии снижения ключевой ставки.
((картинка – из Telegram-канала «НИИчаво»))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍4🤣2
🇷🇺 Отечественная электроника. Устройства автоматизации. Отечественные компоненты. Россия
«Колибри Микроэлектроникс» выпустила устройства автоматизации BIXANIT на микросхемах «Микрона»
Российский разработчик и производитель устройств автоматизации «Колибри Микроэлектроникс» завершил разработку линейки универсальных устройств BIXANIT на базе микросхем АО «Микрон» (ГК «Элемент»).
В устройствах BIXANIT ATD1-R, предназначенных для ввода и вывода дискретных и аналоговых сигналов в составе автоматизированных систем управления, используются микроконтроллер MIK32 «Амур» (К1948ВК015) и трансивер К5361ВВ1Т. MIK32 «Амур» реализует полный цикл управления устройством: сбор и обработку сигналов, выдачу команд через GPIO и ЦАП по интерфейсу SPI, а также обмен данными с контроллерами верхнего уровня. Трансивер К5361ВВ1Т обеспечивает связь по протоколу RS-485 на скорости до 10 000 Кбит/с.
Обе микросхемы выпускаются зеленоградским предприятием «Микрон» серийно и включены в реестр отечественной электронной продукции как компоненты первого уровня, что позволяет заказчикам получать максимальные баллы при локализации своих устройств.
Устройства BIXANIT предназначены для автоматизации в пищевой, перерабатывающей и химической промышленности, ЖКХ, сельском хозяйстве, на транспорте, в машиностроении, металлургии и энергетике. Линейка включает различные типы дискретных и аналоговых входов-выходов, чтобы дать возможность подбора решений под конкретные задачи. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
«Колибри Микроэлектроникс» выпустила устройства автоматизации BIXANIT на микросхемах «Микрона»
Российский разработчик и производитель устройств автоматизации «Колибри Микроэлектроникс» завершил разработку линейки универсальных устройств BIXANIT на базе микросхем АО «Микрон» (ГК «Элемент»).
В устройствах BIXANIT ATD1-R, предназначенных для ввода и вывода дискретных и аналоговых сигналов в составе автоматизированных систем управления, используются микроконтроллер MIK32 «Амур» (К1948ВК015) и трансивер К5361ВВ1Т. MIK32 «Амур» реализует полный цикл управления устройством: сбор и обработку сигналов, выдачу команд через GPIO и ЦАП по интерфейсу SPI, а также обмен данными с контроллерами верхнего уровня. Трансивер К5361ВВ1Т обеспечивает связь по протоколу RS-485 на скорости до 10 000 Кбит/с.
Обе микросхемы выпускаются зеленоградским предприятием «Микрон» серийно и включены в реестр отечественной электронной продукции как компоненты первого уровня, что позволяет заказчикам получать максимальные баллы при локализации своих устройств.
Устройства BIXANIT предназначены для автоматизации в пищевой, перерабатывающей и химической промышленности, ЖКХ, сельском хозяйстве, на транспорте, в машиностроении, металлургии и энергетике. Линейка включает различные типы дискретных и аналоговых входов-выходов, чтобы дать возможность подбора решений под конкретные задачи. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥7👍5❤1
🇯🇵 Материалы. Производство микроэлектроники. Япония
Японские учёные создали магнитный порошок из железа, меди и серебра для тестирования микрочипов
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали новый материал для полупроводниковых тест-сокетов - Fe-Cu-Ag микрокомпозитный порошок. Его электропроводность выше, чем у никелевых аналогов, а магнитные и механические характеристики сопоставимы.
Тест-сокеты применяются при проверке чипов: через них чип электрически соединяется с тестером. Стандартный наполнитель для таких сокетов - никелевый порошок или никель с благородным покрытием. По мере того как чипы становятся мельче, а число контактов растёт, старые материалы перестают справляться.
В новом порошке железо обеспечивает магнитные свойства и механическую прочность, медь и серебро - высокую проводимость. Соотношение компонентов по массе: Fe:Cu:Ag = 3:5:2.
Порошок синтезировали двумя методами. Газовое распыление (газоатомизация) расплавленного металла с быстрым охлаждением даёт частицы средним размером около 50 мкм. Метод термоплазмы, при котором охлаждают металлические пары, - наночастицы около 100 нм.
Оба варианта превзошли никель по электропроводности. Микропорошок сравнивали с Ni-частицами диаметром ~50 мкм, нанопорошок - с Ni-частицами ~5 мкм: в обоих случаях Fe-Cu-Ag показал более высокую проводимость при любой нагрузке.
По насыщенной намагниченности - параметру, важному для выравнивания наполнителя в сокете магнитным полем - микропорошок набрал 63 эме/г, нанопорошок 56 эме/г против 57 эме/г у никеля.
Твёрдость по Виккерсу у нового материала - 127 HV (1,25 ГПа), у стандартного никелевого порошка - 100–110 HV (0,98–1,08 ГПа), то есть сплав Fe-Cu-Ag механически прочнее.
((русскоязычная версия публикации EE Times Japan - канал TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Японские учёные создали магнитный порошок из железа, меди и серебра для тестирования микрочипов
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали новый материал для полупроводниковых тест-сокетов - Fe-Cu-Ag микрокомпозитный порошок. Его электропроводность выше, чем у никелевых аналогов, а магнитные и механические характеристики сопоставимы.
Тест-сокеты применяются при проверке чипов: через них чип электрически соединяется с тестером. Стандартный наполнитель для таких сокетов - никелевый порошок или никель с благородным покрытием. По мере того как чипы становятся мельче, а число контактов растёт, старые материалы перестают справляться.
В новом порошке железо обеспечивает магнитные свойства и механическую прочность, медь и серебро - высокую проводимость. Соотношение компонентов по массе: Fe:Cu:Ag = 3:5:2.
Порошок синтезировали двумя методами. Газовое распыление (газоатомизация) расплавленного металла с быстрым охлаждением даёт частицы средним размером около 50 мкм. Метод термоплазмы, при котором охлаждают металлические пары, - наночастицы около 100 нм.
Оба варианта превзошли никель по электропроводности. Микропорошок сравнивали с Ni-частицами диаметром ~50 мкм, нанопорошок - с Ni-частицами ~5 мкм: в обоих случаях Fe-Cu-Ag показал более высокую проводимость при любой нагрузке.
По насыщенной намагниченности - параметру, важному для выравнивания наполнителя в сокете магнитным полем - микропорошок набрал 63 эме/г, нанопорошок 56 эме/г против 57 эме/г у никеля.
Твёрдость по Виккерсу у нового материала - 127 HV (1,25 ГПа), у стандартного никелевого порошка - 100–110 HV (0,98–1,08 ГПа), то есть сплав Fe-Cu-Ag механически прочнее.
((русскоязычная версия публикации EE Times Japan - канал TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Telegram
TechPublisher
Японские учёные создали магнитный порошок из железа, меди и серебра для тестирования микрочипов
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали…
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали…
🤣1
📈 Производство микросхем. Производственное оборудование. Тренды
ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV
7 сентября 2026 года, накануне конференции SPIE Bacus, ASML и TSMC объявили о создании отраслевой инициативы по переходу на 12-дюймовые фотомаски для High-NA EUV-литографии. К инициативе уже присоединились Samsung и другие крупные игроки отрасли, а SK Hynix рассматривает возможность участия
High-NA EUV (числовая апертура 0,55 против 0,33 у обычного EUV) позволяет печатать более компактные узлы, но требует либо уменьшения поля экспозиции, либо перехода на более крупные маски.
Текущие 6-дюймовые маски (150 мм) ограничивают площадь чипа примерно на уровне 858 кв. мм, а при переходе на High-NA EUV это ограничение становится ещё более жёстким за счет сокращения площади экспозиции.
Переход на 12-дюймовые маски (300 мм) решит проблему «сшивки» (stitching) - соединения двух половин изображения на одном чипе. Ожидается, что пропускная способность сканеров High-NA EUV вырастет на 40%, снизятся затраты на производство чипов и упростится их проектирование.
При этом TSMC с 2030 года будет использовать High-NA EUV с существующими 6-дюймовыми масками, а переход на 12-дюймовые маски произойдёт после 2033 года. Intel, как сообщается, уже использует High-NA EUV выборочно в серийном производстве процессоров Panther Lake по технологии 18A.
ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с более крупными масками к 2031 году и подготовить новую технологию к крупносерийному производству к 2033 году.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV
7 сентября 2026 года, накануне конференции SPIE Bacus, ASML и TSMC объявили о создании отраслевой инициативы по переходу на 12-дюймовые фотомаски для High-NA EUV-литографии. К инициативе уже присоединились Samsung и другие крупные игроки отрасли, а SK Hynix рассматривает возможность участия
High-NA EUV (числовая апертура 0,55 против 0,33 у обычного EUV) позволяет печатать более компактные узлы, но требует либо уменьшения поля экспозиции, либо перехода на более крупные маски.
Текущие 6-дюймовые маски (150 мм) ограничивают площадь чипа примерно на уровне 858 кв. мм, а при переходе на High-NA EUV это ограничение становится ещё более жёстким за счет сокращения площади экспозиции.
Переход на 12-дюймовые маски (300 мм) решит проблему «сшивки» (stitching) - соединения двух половин изображения на одном чипе. Ожидается, что пропускная способность сканеров High-NA EUV вырастет на 40%, снизятся затраты на производство чипов и упростится их проектирование.
При этом TSMC с 2030 года будет использовать High-NA EUV с существующими 6-дюймовыми масками, а переход на 12-дюймовые маски произойдёт после 2033 года. Intel, как сообщается, уже использует High-NA EUV выборочно в серийном производстве процессоров Panther Lake по технологии 18A.
ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с более крупными масками к 2031 году и подготовить новую технологию к крупносерийному производству к 2033 году.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥4👌2
📈 Рынок GaN. Участники рынка. Оценки и прогнозы. Аналитика
Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience
Рынок GaN-транзисторов для силовой электроники в 2025 году вырос на 63% - до $588 млн. На этом фоне Infineon Technologies совершил один из самых заметных рывков в отрасли: поднялся с 5-го места на 2-е, увеличив долю рынка с 11,2% до 16%.
Это данные из отчёта Power GaN 2026, опубликованного французской исследовательской компанией Yole Group в августе 2026 года.
Лидером по-прежнему остаётся китайская Innoscience - с долей 31%. Она удерживала первое место и в 2024-м, когда рынок был вдвое меньше: $361 млн.
В 2024 году расстановка сил выглядела иначе. Второе место занимала Navitas Semiconductor с долей 17%, третье - Power Integrations (15,2%), четвёртое - EPC (13,5%), и лишь потом шёл Infineon с 11,2%.
За один год Infineon не просто сохранил позиции в условиях быстро растущего рынка, а опередил его: рынок вырос на 63%, тогда как доля Infineon увеличилась на 4,8 процентных пункта. Это означает, что выручка компании в сегменте GaN росла быстрее среднерыночного темпа.
Navitas, Power Integrations и EPC, судя по данным Yole, уступили ему позиции - каждый опустился как минимум на одну строчку в рейтинге.
💎 Основная причина этого рывка Infineon – это покупка GaN Systems в 2023 году. Это обеспечило компании не только дополнительную продуктовую линейку, но также доступ к клиентской базе в области ЦОД и в автопроме.
От рынка GaN ожидается серьезный рост – с $588 млн по итогам 2025 года до $3.5 млрд к 2031 году. Поскольку серьезную долю прироста ожидают от рынка ИИ дата-центров и от автомобильного сектора, а в этих секторах важны масштабы производства и вертикальная интеграция, у германской Infineon, несмотря на ее «европейскость», есть немалые преимущества. ||
((диаграммы - компании YOLE Group))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience
Рынок GaN-транзисторов для силовой электроники в 2025 году вырос на 63% - до $588 млн. На этом фоне Infineon Technologies совершил один из самых заметных рывков в отрасли: поднялся с 5-го места на 2-е, увеличив долю рынка с 11,2% до 16%.
Это данные из отчёта Power GaN 2026, опубликованного французской исследовательской компанией Yole Group в августе 2026 года.
Лидером по-прежнему остаётся китайская Innoscience - с долей 31%. Она удерживала первое место и в 2024-м, когда рынок был вдвое меньше: $361 млн.
В 2024 году расстановка сил выглядела иначе. Второе место занимала Navitas Semiconductor с долей 17%, третье - Power Integrations (15,2%), четвёртое - EPC (13,5%), и лишь потом шёл Infineon с 11,2%.
За один год Infineon не просто сохранил позиции в условиях быстро растущего рынка, а опередил его: рынок вырос на 63%, тогда как доля Infineon увеличилась на 4,8 процентных пункта. Это означает, что выручка компании в сегменте GaN росла быстрее среднерыночного темпа.
Navitas, Power Integrations и EPC, судя по данным Yole, уступили ему позиции - каждый опустился как минимум на одну строчку в рейтинге.
От рынка GaN ожидается серьезный рост – с $588 млн по итогам 2025 года до $3.5 млрд к 2031 году. Поскольку серьезную долю прироста ожидают от рынка ИИ дата-центров и от автомобильного сектора, а в этих секторах важны масштабы производства и вертикальная интеграция, у германской Infineon, несмотря на ее «европейскость», есть немалые преимущества. ||
((диаграммы - компании YOLE Group))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍4
🇺🇸 🇯🇵 Твердотельные реле. SiC. Высоковольтные реле. Участники рынка. США. Япония
ARATAS представила высоковольтное реле в стандартном 6-пиновом DIP-корпусе
Твердотельное реле G3VH-331 позволяет коммутировать 3.3 кВ (до 300 мА непрерывно, до 900 мА импульсно) постоянного тока в стандартном корпусе 8.8 х 6.4 мм. (Серия G3VH-181, рассчитанная на напряжение 1800 В, может выдерживать непрерывный ток до 30 мА и импульсный ток до 80 мА, с сопротивлением 120 Ом). Такие результаты были достигнуты за счет использования SiC (карбида кремния).
В составе реле – два SiC-MOSFET транзистора, включенные встречно-последовательно, с оптически изолированным драйвером затвора. Электрическая прочность изоляции между входом и выходов – 5 кВ. Сопротивление G3VH-331 в открытом состоянии – 3.5 Ом между клеммами, время выключения – 0.2 мс, включения - 1 или 2 мс.
Такие реле востребованы, например, в автоматических тестерах (ATE), которыми быстро проверяют высоковольтные силовые модули на производственной линии. Области применения этим не ограничиваются, твердотельные реле можно применять, например, в системах управления батареями (BMS), в прецизионных измерительных приборах.
Что такое ARATAS Corp.?
В марте 2026 года японская OMRON Corp. договорилась о продаже своего подразделения DMS (Device & Module Solution) американскому инвестфонду Carlyle Group. На основе DMS 1 июля 2026 года создана ARATAS Corp. (за OMRON останется 5% в ARATAS). Переход контроля к Carlyle Group намечен на 1 октября 2026 года. Так что «новая» ARATAS – это 10 предприятий и около 7 тысяч сотрудников с компетенциями и собственной разработкой.
💎 Впору задуматься, почему OMRON решила избавиться от своего core бизнеса, запущенного еще в 1933 году. Ответ прост – конкуренция с китайскими производителями, которая становится все более жесткими. У японцев просто не хватило денег, чтобы инвестировать с теми же темпами и в тех же объемах, как это делают в Китае (да и решения в Японии зачастую принимают слишком медленно). Американцы, скорее всего, купили бизнес из стратегических соображений.
OMRON теперь сосредоточится на своем более прибыльном направлении – промышленной автоматизации и сервисах на основе данных. ||
((изображение GSVH-331E - компании ARARAS Americas))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
ARATAS представила высоковольтное реле в стандартном 6-пиновом DIP-корпусе
Твердотельное реле G3VH-331 позволяет коммутировать 3.3 кВ (до 300 мА непрерывно, до 900 мА импульсно) постоянного тока в стандартном корпусе 8.8 х 6.4 мм. (Серия G3VH-181, рассчитанная на напряжение 1800 В, может выдерживать непрерывный ток до 30 мА и импульсный ток до 80 мА, с сопротивлением 120 Ом). Такие результаты были достигнуты за счет использования SiC (карбида кремния).
В составе реле – два SiC-MOSFET транзистора, включенные встречно-последовательно, с оптически изолированным драйвером затвора. Электрическая прочность изоляции между входом и выходов – 5 кВ. Сопротивление G3VH-331 в открытом состоянии – 3.5 Ом между клеммами, время выключения – 0.2 мс, включения - 1 или 2 мс.
Такие реле востребованы, например, в автоматических тестерах (ATE), которыми быстро проверяют высоковольтные силовые модули на производственной линии. Области применения этим не ограничиваются, твердотельные реле можно применять, например, в системах управления батареями (BMS), в прецизионных измерительных приборах.
Что такое ARATAS Corp.?
В марте 2026 года японская OMRON Corp. договорилась о продаже своего подразделения DMS (Device & Module Solution) американскому инвестфонду Carlyle Group. На основе DMS 1 июля 2026 года создана ARATAS Corp. (за OMRON останется 5% в ARATAS). Переход контроля к Carlyle Group намечен на 1 октября 2026 года. Так что «новая» ARATAS – это 10 предприятий и около 7 тысяч сотрудников с компетенциями и собственной разработкой.
OMRON теперь сосредоточится на своем более прибыльном направлении – промышленной автоматизации и сервисах на основе данных. ||
((изображение GSVH-331E - компании ARARAS Americas))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤2👍1
🇩🇪 Искусственный интеллект. Проектирование микросхем. Автоматизация. EDA. Германия
«Иду спать, дальше сам»: Siemens EDA представила ИИ-агента с самопроверкой для верификации чипов
Siemens EDA расширила платформу Fuse EDA AI Agent до режима автономной работы с самопроверкой: теперь ИИ-агент не только проектирует чип, но и самостоятельно верифицирует результат - без постоянного контроля каждого шага инженером. Анонс был сделан на конференции DAC 2026 в Лонг-Бич в июле, а 4 сентября на Siemens EDA Tech Forum 2026 в Токио компания представила более широкую стратегию «AI-native EDA».
До сих пор инженер должен был контролировать каждую итерацию. Теперь агент может действовать в режиме длительной работы - достаточно запустить процесс и можно не вмешиваться. Агент самостоятельно планирует работу, вызывает инструменты через архитектуру Model Context Protocol (MCP), проверяет промежуточные результаты через детерминированные физические движки и вносит необходимые коррективы.
Расширение сделано совместно с NVIDIA: в агент встроены ИИ-технологии компании, включая модели Nemotron и библиотеку NeMo Gym. Это повысило качество результатов, надёжность вызовов инструментов и эффективность использования токенов.
В итоге, например, верификация библиотек через Solido Characterization Suite позволила ускорить процесс более чем в 10 раз, а его стоимость в токенах упала в 5–10 раз.
Fuse EDA AI Agent - часть платформы Fuse EDA AI System, которую Siemens представила в июне 2025 года. В марте 2026-го на GTC добавили оркестрацию нескольких инструментов. Июльское обновление добавляет к этому самопроверку и поддержку длительной автономной работы.
Платформа открытая: к ней можно подключать инструменты сторонних производителей - при условии, что те предоставляют MCP-сервер или API.
Вице-президент Siemens EDA Анкур Гупта объясняет логику так: сейчас инженеры тратят от 40 до 60% рабочего времени на итерации. Если этот цикл отдать агенту, проектировщик сможет сосредоточиться на архитектурных решениях - там, где ИИ пока самостоятельно не справляется.
Глава Siemens EDA Japan Юкио Цутида особо выделил верификацию на уровне RTL (Register Transfer Level) как наиболее сложную часть: именно здесь повышение надёжности и скорости станет следующим приоритетом для команды.
💎 Кейс иллюстрирует два ключевых тренда в EDA-индустрии. Первый - переход от «AI как помощник» к «AI как автономный исполнитель»: агенты не просто генерируют варианты, а самостоятельно проверяют их через детерминированные симуляторы, что существенно меняет экономику проектирования.
Второй - победа открытых архитектур: MCP и API-подход позволяют собирать агентные воркфлоу из инструментов разных вендоров, превращая EDA-экосистему из набора проприетарных инструментов в платформу для оркестрации.
В итоге Siemens EDA не просто ускоряет верификацию, а переопределяет роли: инженер уходит от «тушения пожаров» к архитектурному проектированию, а ИИ берёт на себя рутину, где цена ошибки - миллионы долларов, потраченные на маску.
((По материалам TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
«Иду спать, дальше сам»: Siemens EDA представила ИИ-агента с самопроверкой для верификации чипов
Siemens EDA расширила платформу Fuse EDA AI Agent до режима автономной работы с самопроверкой: теперь ИИ-агент не только проектирует чип, но и самостоятельно верифицирует результат - без постоянного контроля каждого шага инженером. Анонс был сделан на конференции DAC 2026 в Лонг-Бич в июле, а 4 сентября на Siemens EDA Tech Forum 2026 в Токио компания представила более широкую стратегию «AI-native EDA».
До сих пор инженер должен был контролировать каждую итерацию. Теперь агент может действовать в режиме длительной работы - достаточно запустить процесс и можно не вмешиваться. Агент самостоятельно планирует работу, вызывает инструменты через архитектуру Model Context Protocol (MCP), проверяет промежуточные результаты через детерминированные физические движки и вносит необходимые коррективы.
Расширение сделано совместно с NVIDIA: в агент встроены ИИ-технологии компании, включая модели Nemotron и библиотеку NeMo Gym. Это повысило качество результатов, надёжность вызовов инструментов и эффективность использования токенов.
В итоге, например, верификация библиотек через Solido Characterization Suite позволила ускорить процесс более чем в 10 раз, а его стоимость в токенах упала в 5–10 раз.
Fuse EDA AI Agent - часть платформы Fuse EDA AI System, которую Siemens представила в июне 2025 года. В марте 2026-го на GTC добавили оркестрацию нескольких инструментов. Июльское обновление добавляет к этому самопроверку и поддержку длительной автономной работы.
Платформа открытая: к ней можно подключать инструменты сторонних производителей - при условии, что те предоставляют MCP-сервер или API.
Вице-президент Siemens EDA Анкур Гупта объясняет логику так: сейчас инженеры тратят от 40 до 60% рабочего времени на итерации. Если этот цикл отдать агенту, проектировщик сможет сосредоточиться на архитектурных решениях - там, где ИИ пока самостоятельно не справляется.
Глава Siemens EDA Japan Юкио Цутида особо выделил верификацию на уровне RTL (Register Transfer Level) как наиболее сложную часть: именно здесь повышение надёжности и скорости станет следующим приоритетом для команды.
Второй - победа открытых архитектур: MCP и API-подход позволяют собирать агентные воркфлоу из инструментов разных вендоров, превращая EDA-экосистему из набора проприетарных инструментов в платформу для оркестрации.
В итоге Siemens EDA не просто ускоряет верификацию, а переопределяет роли: инженер уходит от «тушения пожаров» к архитектурному проектированию, а ИИ берёт на себя рутину, где цена ошибки - миллионы долларов, потраченные на маску.
((По материалам TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍3❤2