🇷🇺 Регулирование. Балльная система. Локализация производства. Поддержка отечественных производителей. SIM-карты. Смарт-карты. Модули идентификации. Россия
Минпромторг меняет правила на рынке SIM-, банковских и смарт-карт
Минпромторг разработал проект постановления, вводящий балльную систему поддержки локализации для SIM-, банковских и смарт-карт. Тему сегодня обсуждает CNews, давайте и мы ее обсудим.
Документ вносит изменения в постановление № 719, дополняя раздел IX «Продукция радиоэлектроники» пятью новыми позициями: карты для электронных билетов, смарт-карты для контроля доступа, SIM-карты (с поддержкой и без поддержки интероперабельной среды), платежные карты и карты для хранения персональных данных.
Баллы начисляются за выполнение технологических операций на территории России. Максимальные баллы даёт применение микросхемы первого уровня - до 60 баллов для SIM-карт и карт хранения данных, до 30 баллов для платёжных карт.
Установлены поэтапные минимальные пороги. С 1 января 2027 года SIM-карты без поддержки интероперабельной среды должны набрать не менее 35 баллов, с 1 января 2029 года - 100 баллов. SIM-карты с поддержкой интероперабельной среды (современные eSIM) - не менее 40 баллов с 2027 года, 80 баллов с 2029 года и 100 баллов с 2030 года. Платёжные карты - не менее 70 баллов с 2027 года и 100 баллов с 2029 года. Карты для электронных билетов и смарт-карты доступа - 90 баллов с 2027 года и 100 с 2029 года.
Происходящее логично вписывается в рамки российской политики суверенизации систем связи и курса на технологическую независимость. После 2022 года операторы были вынуждены переключиться с европейских поставщиков (Gemalto и Giesecke & Devrient) на азиатских. Новые требования подразумевают полный отказ от импорта и поддержку отечественных производителей. Один из возможных плюсов – исключить риски остановки услуг связи из-за зависимости от зарубежных поставщиков.
«Математика» расчета баллов устроена так, что через 2 года набрать проходной балл можно будет только с кристаллом, сделанным на российском производстве. На сегодня такими возможностями, насколько мне известно, располагает только «Микрон».
Что может вызывать сомнения в этой инициативе?
📌 Прежде всего, дефицит производственных мощностей. Годовая потребность операторов только в SIM-картах – до 100 млн штук. Мощности «Микрона» вряд ли могут обеспечить такие объемы выпуска, по крайней мере, на сегодня. Скорее всего, надежды возлагают на «НМ-Тех», но к 2027 году на российском рынке может возникнуть дефицит SIM-карт.
📌 Высокая себестоимость и, соответственно, стоимость отечественных SIM-карт. Сейчас большинство производителей используют чипы, выпущенный в Азии, они заметно дешевле российских аналогов. Переход на отечественные компоненты SIM-карт, вероятно, приведет к росту затрат операторов. Кому-то придется раскошелиться – абонентам?
📌 Риск монополизации (олигополизации). На данный момент микросхемы первого уровня – это автоматически «Микрон»? То есть будет один поставщик, способный обеспечить проходной балл для отечественных SIM-карт? Хорошо ли это? Впрочем, к 2028 году часть работы сможет на себя взять и «НМ-Тех»?
В общем, идея, стоящая за новым регулированием понятна, но ее реализация может оказаться... болезненной для рынка и потребителей.
✓ RUSmicro в Max
Минпромторг меняет правила на рынке SIM-, банковских и смарт-карт
Минпромторг разработал проект постановления, вводящий балльную систему поддержки локализации для SIM-, банковских и смарт-карт. Тему сегодня обсуждает CNews, давайте и мы ее обсудим.
Документ вносит изменения в постановление № 719, дополняя раздел IX «Продукция радиоэлектроники» пятью новыми позициями: карты для электронных билетов, смарт-карты для контроля доступа, SIM-карты (с поддержкой и без поддержки интероперабельной среды), платежные карты и карты для хранения персональных данных.
Баллы начисляются за выполнение технологических операций на территории России. Максимальные баллы даёт применение микросхемы первого уровня - до 60 баллов для SIM-карт и карт хранения данных, до 30 баллов для платёжных карт.
Установлены поэтапные минимальные пороги. С 1 января 2027 года SIM-карты без поддержки интероперабельной среды должны набрать не менее 35 баллов, с 1 января 2029 года - 100 баллов. SIM-карты с поддержкой интероперабельной среды (современные eSIM) - не менее 40 баллов с 2027 года, 80 баллов с 2029 года и 100 баллов с 2030 года. Платёжные карты - не менее 70 баллов с 2027 года и 100 баллов с 2029 года. Карты для электронных билетов и смарт-карты доступа - 90 баллов с 2027 года и 100 с 2029 года.
Происходящее логично вписывается в рамки российской политики суверенизации систем связи и курса на технологическую независимость. После 2022 года операторы были вынуждены переключиться с европейских поставщиков (Gemalto и Giesecke & Devrient) на азиатских. Новые требования подразумевают полный отказ от импорта и поддержку отечественных производителей. Один из возможных плюсов – исключить риски остановки услуг связи из-за зависимости от зарубежных поставщиков.
«Математика» расчета баллов устроена так, что через 2 года набрать проходной балл можно будет только с кристаллом, сделанным на российском производстве. На сегодня такими возможностями, насколько мне известно, располагает только «Микрон».
Что может вызывать сомнения в этой инициативе?
📌 Прежде всего, дефицит производственных мощностей. Годовая потребность операторов только в SIM-картах – до 100 млн штук. Мощности «Микрона» вряд ли могут обеспечить такие объемы выпуска, по крайней мере, на сегодня. Скорее всего, надежды возлагают на «НМ-Тех», но к 2027 году на российском рынке может возникнуть дефицит SIM-карт.
📌 Высокая себестоимость и, соответственно, стоимость отечественных SIM-карт. Сейчас большинство производителей используют чипы, выпущенный в Азии, они заметно дешевле российских аналогов. Переход на отечественные компоненты SIM-карт, вероятно, приведет к росту затрат операторов. Кому-то придется раскошелиться – абонентам?
📌 Риск монополизации (олигополизации). На данный момент микросхемы первого уровня – это автоматически «Микрон»? То есть будет один поставщик, способный обеспечить проходной балл для отечественных SIM-карт? Хорошо ли это? Впрочем, к 2028 году часть работы сможет на себя взять и «НМ-Тех»?
В общем, идея, стоящая за новым регулированием понятна, но ее реализация может оказаться... болезненной для рынка и потребителей.
✓ RUSmicro в Max
🤔4👍2🤣1
🇺🇸 Кремниевая фотоника. Господдержка. NPO. CPO, Крупные участники рынка. США
Правительство США поддержит деньгами ставку на развитие кремниевой фотоники в стране
Речь идет о сравнительно небольшой (для рынка США) сумме в $300 млн, которая будет выделена компании GlobalFoundries (GF). Сделка оформлена как подписание «письма о намерениях» между Министерством торговли США и компанией GF. В рамках сделки государству отойдет около 1% акций компании (примерно на $269 млн по текущей рыночной стоимости). Средства выделяются в рамках того пакета в $874 млн, которые в США правительство направляет на поддержку развития критических технологий для цепочки поставок вычислительных систем.
Финансирование планируется направить на разработку новых оптических материалов, передовых технологий производства пластин и современных методов упаковки, включая 3D-гибридную склейку. В частности, от GF ожидают разработку и внедрение оптики с околопроцессорным размещением (NPO) и совместно упакованной оптики (CPO).
CPO особенно актуальна, поскольку предполагает интеграцию оптических и электрических компонентов в едином корпусе, что обеспечивает заметное повышение производительности на фоне снижения энергопотребления.
Технология будет опираться на недавно представленную GF платформу Silicon Photonics Co-Packaged Advanced Light Engine, которая уже обеспечивает производительность 400 Гбит/с на линию и повышает энергоэффективность в 5 раз.
Разработки предполагается внедрить на существующих мощностях GF в Мальте, штат Нью-Йорк, и Берлингтоне, штат Вермонт, что обеспечит создание в США производственной базы для серийного производства кремниевой фотоники.
💎 Кремниевая фотоника - это не просто сегмент рынка, а революционный шаг для вычислительной инфраструктуры, и данная сделка подчеркивает ее стратегический приоритет для США.
Современные системы ИИ требуют передачи значительных объемов данных между процессорами. Традиционные медные соединения стали «бутылочным горлышком», ограничивая производительность и создавая проблемы с энергопотреблением. Фотоника, передающая данные со скоростью света, предлагает решение по расширению этого горлышка. Технологии NPO и CPO, которые будет развивать GF, являются ключевыми этапами перехода от электрических соединений к оптическим.
Инвестиции направлены на то, чтобы закрепить за США лидерство в технологии, которая станет основой для инфраструктуры ИИ. Создание мощностей для серийного производства кремниевой фотоники в США снижает зависимость от иностранных поставщиков в критически важной для обороны и экономики сфере.
Получение государством доли в капитале компании мы уже видели в отношении Intel, похоже это становится новым элементом американской промышленной политики. Государство из наблюдателя или инвестора превращается в акционера, заинтересованного в успешности и росте компании. Похоже, что в США оценили действенность этого подхода на примере Китая, где подобное практикуется уже давно.
✓ RUSmicro в Max
Правительство США поддержит деньгами ставку на развитие кремниевой фотоники в стране
Речь идет о сравнительно небольшой (для рынка США) сумме в $300 млн, которая будет выделена компании GlobalFoundries (GF). Сделка оформлена как подписание «письма о намерениях» между Министерством торговли США и компанией GF. В рамках сделки государству отойдет около 1% акций компании (примерно на $269 млн по текущей рыночной стоимости). Средства выделяются в рамках того пакета в $874 млн, которые в США правительство направляет на поддержку развития критических технологий для цепочки поставок вычислительных систем.
Финансирование планируется направить на разработку новых оптических материалов, передовых технологий производства пластин и современных методов упаковки, включая 3D-гибридную склейку. В частности, от GF ожидают разработку и внедрение оптики с околопроцессорным размещением (NPO) и совместно упакованной оптики (CPO).
CPO особенно актуальна, поскольку предполагает интеграцию оптических и электрических компонентов в едином корпусе, что обеспечивает заметное повышение производительности на фоне снижения энергопотребления.
Технология будет опираться на недавно представленную GF платформу Silicon Photonics Co-Packaged Advanced Light Engine, которая уже обеспечивает производительность 400 Гбит/с на линию и повышает энергоэффективность в 5 раз.
Разработки предполагается внедрить на существующих мощностях GF в Мальте, штат Нью-Йорк, и Берлингтоне, штат Вермонт, что обеспечит создание в США производственной базы для серийного производства кремниевой фотоники.
Современные системы ИИ требуют передачи значительных объемов данных между процессорами. Традиционные медные соединения стали «бутылочным горлышком», ограничивая производительность и создавая проблемы с энергопотреблением. Фотоника, передающая данные со скоростью света, предлагает решение по расширению этого горлышка. Технологии NPO и CPO, которые будет развивать GF, являются ключевыми этапами перехода от электрических соединений к оптическим.
Инвестиции направлены на то, чтобы закрепить за США лидерство в технологии, которая станет основой для инфраструктуры ИИ. Создание мощностей для серийного производства кремниевой фотоники в США снижает зависимость от иностранных поставщиков в критически важной для обороны и экономики сфере.
Получение государством доли в капитале компании мы уже видели в отношении Intel, похоже это становится новым элементом американской промышленной политики. Государство из наблюдателя или инвестора превращается в акционера, заинтересованного в успешности и росте компании. Похоже, что в США оценили действенность этого подхода на примере Китая, где подобное практикуется уже давно.
✓ RUSmicro в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
MAX
Чипы и чиплеты | RUSmicro
Новости микроэлектроники, электроники и вычислительной техники.
🔥1🤣1
🇰🇷 Оборудование для упаковки. Advanced Packaging. Производственное оборудование. Безмасочные литографы. Корея
LG начала продажи собственного безмасочного литографа за $2 млн
Южнокорейская LG PRI (LG Production Engineering Research Institute) начала коммерческие поставки системы лазерной прямой литографии (Laser Direct Imaging, LDI). Первыми заказчиками стали дочерняя LG Innotek и неназванный зарубежный производитель печатных плат. Стоимость одной установки - около $2 млн (примерно 3 млрд вон).
В отличие от классических степперных литографов, система LG не использует фотошаблоны (маски). Вместо этого мощный лазерный диодный модуль с длиной волны 405 нм формирует фиолетово-синий луч, который через микрозеркальное устройство (DMD) формирует рисунок непосредственно на поверхности заготовки. Формально это не УФ-диапзаон, но поскольку 405 нм очень близок, лучи этой длины волны часто относят к ультрафиолетовой части спектра.
Ключевые параметры:
✦ Разрешение: 1,5–3 мкм.
✦ Максимальный размер подложки: 600 × 600 мм
✦ Технология активной компенсации в реальном времени (RTAC) для коррекции деформаций материала
✦ Поддерживаемые материалы: печатные платы, кремниевые пластины, стеклянные подложки
Это не установка для производства современных чипов по нанометровым техпроцессам. Разрешение в 1,5-3 мкм на три порядка грубее, чем у DUV- и EUV-систем. LDI-системы в принципе не предназначены для формирования транзисторов на кремниевых пластинах - это инструмент для формирования (рисования) соединений, а не для создания самих микросхем.
🔸 Плюсы:
✦ Не нужны фотошаблоны, которые дороги, изнашиваются и требуют замены при любом изменение рисунка. Это особенно важно при выпуске небольших партий и частых итерациях.
✦ Способность работы с подложками большого размера – все более востребованными, в отличие от классических степперов.
✦ Компенсация деформаций RTAC может повышать выход годных.
✦ Гибкость материалов - работает с печатными платами, кремнием, стеклом.
🔸 Минусы:
✦ Про низкое разрешение я уже написал выше, лазерная «запись» не быстрый процесс, для массового производства это ограничение. И, поскольку система только вышла в коммерческую доступность, она может быть сырой.
🔸 Это что-то новое?
Нет, LDI-технология развивается более десяти лет и применялась в производстве дисплеев и печатных плат. Можно вспомнить, что с ней работали такие японские компании как Nikon и другие, а также тайваньские, китайские, американские и европейские. Если погуглить на LDI, их нетрудно найти. Особенность решения LG – сочетание параметров, 1.5 мкм + подложки до 600х600 мм + RTAC + конкурентная цена.
Возможные применения: формирование слоев перераспределения (RDL) на подложках HBM и в подобных кейсах. В технологиях FoCoS и CoPoS (Fan-Out Chip-on-Substrate, Chip-on-Panel-on-Substrate) – в современных видах упаковки, где важны большие площади и гибкость. А также для работы со считающихся перспективными стеклянными подложками и в производстве многослойных печатных плат высокого класса точности.
Эта установка никак не конкурирует с фотолитографами ASML или даже Nikon и Canon, это попытка занять сегмент нишевого, но растущего сегмента упаковочного оборудования - рынок Advanced Packaging растёт, спрос на HBM и гетерогенную интеграцию требует гибких инструментов для работы с большими подложками, а LDI-технология, в которой японцы традиционно сильны, подходит для этих задач.
✓ RUSmicro в Max
LG начала продажи собственного безмасочного литографа за $2 млн
Южнокорейская LG PRI (LG Production Engineering Research Institute) начала коммерческие поставки системы лазерной прямой литографии (Laser Direct Imaging, LDI). Первыми заказчиками стали дочерняя LG Innotek и неназванный зарубежный производитель печатных плат. Стоимость одной установки - около $2 млн (примерно 3 млрд вон).
В отличие от классических степперных литографов, система LG не использует фотошаблоны (маски). Вместо этого мощный лазерный диодный модуль с длиной волны 405 нм формирует фиолетово-синий луч, который через микрозеркальное устройство (DMD) формирует рисунок непосредственно на поверхности заготовки. Формально это не УФ-диапзаон, но поскольку 405 нм очень близок, лучи этой длины волны часто относят к ультрафиолетовой части спектра.
Ключевые параметры:
✦ Разрешение: 1,5–3 мкм.
✦ Максимальный размер подложки: 600 × 600 мм
✦ Технология активной компенсации в реальном времени (RTAC) для коррекции деформаций материала
✦ Поддерживаемые материалы: печатные платы, кремниевые пластины, стеклянные подложки
Это не установка для производства современных чипов по нанометровым техпроцессам. Разрешение в 1,5-3 мкм на три порядка грубее, чем у DUV- и EUV-систем. LDI-системы в принципе не предназначены для формирования транзисторов на кремниевых пластинах - это инструмент для формирования (рисования) соединений, а не для создания самих микросхем.
🔸 Плюсы:
✦ Не нужны фотошаблоны, которые дороги, изнашиваются и требуют замены при любом изменение рисунка. Это особенно важно при выпуске небольших партий и частых итерациях.
✦ Способность работы с подложками большого размера – все более востребованными, в отличие от классических степперов.
✦ Компенсация деформаций RTAC может повышать выход годных.
✦ Гибкость материалов - работает с печатными платами, кремнием, стеклом.
🔸 Минусы:
✦ Про низкое разрешение я уже написал выше, лазерная «запись» не быстрый процесс, для массового производства это ограничение. И, поскольку система только вышла в коммерческую доступность, она может быть сырой.
🔸 Это что-то новое?
Нет, LDI-технология развивается более десяти лет и применялась в производстве дисплеев и печатных плат. Можно вспомнить, что с ней работали такие японские компании как Nikon и другие, а также тайваньские, китайские, американские и европейские. Если погуглить на LDI, их нетрудно найти. Особенность решения LG – сочетание параметров, 1.5 мкм + подложки до 600х600 мм + RTAC + конкурентная цена.
Возможные применения: формирование слоев перераспределения (RDL) на подложках HBM и в подобных кейсах. В технологиях FoCoS и CoPoS (Fan-Out Chip-on-Substrate, Chip-on-Panel-on-Substrate) – в современных видах упаковки, где важны большие площади и гибкость. А также для работы со считающихся перспективными стеклянными подложками и в производстве многослойных печатных плат высокого класса точности.
Эта установка никак не конкурирует с фотолитографами ASML или даже Nikon и Canon, это попытка занять сегмент нишевого, но растущего сегмента упаковочного оборудования - рынок Advanced Packaging растёт, спрос на HBM и гетерогенную интеграцию требует гибких инструментов для работы с большими подложками, а LDI-технология, в которой японцы традиционно сильны, подходит для этих задач.
✓ RUSmicro в Max
🔥2❤1🤣1
🇷🇺 Горизонты технологий. Вести из лабораторий. Перспективные материалы. 2D-пленки. Дисульфид молибдена. Россия
В МФТИ разработали технологию, которая позволит работать с двумерными материалами типа дисульфида молибдена
MoS₂ - перспективный материал, который постоянно всплывает в последние годы в зарубежных новостях микроэлектроники. Вот и в МТФИ решили сказать свое слово, нашли способ решения одной из ключевых проблем, которые мешают созданию промышленных технологий производства узлов на основе дисульфида молибдена, «двумерного» материала толщиной 0.65 нм (всего 3 атома).
Главная проблема двумерных материалов состоит в том, что при попытках подключить к тонкому слою проводника металлических контактов, полупроводник разрушается. Исследователи из МФТИ предложили «туннельный буфер» - ультратонкую прослойку из оксида титана (TiO₂) толщиной около 1 нм. Чтобы вырастить ее поверх дисульфида молибдена, поверхность обрабатывают низкоэнергетическими ионами гелия, выбивая из нее отдельные атомы серы и создавая тем самым микроскопические «вакансии», точки для сцепления с оксидом титана.
Этот подход универсален и применим к целому классу других двумерных материалов: дисульфиду вольфрама, селенидам молибдена и вольфрама. В перспективе этот подход можно будет задействовать для создания еще более миниатюрных, чем сегодняшние транзисторов, в том числе, для создания гибкой и прозрачной электроники.
Подробнее можно почитать в пресс-релизе МФТИ.
Это очень интересная разработка, результаты которой опубликованы в рецензируемом международном журнале Vacuum (doi 10.1016). Вместе с тем, стоит понимать, что это пока что, скорее, фундаментальное исследование технологии, которую вряд ли мы завтра увидим в серийном производстве.
🇺🇸 Если говорить о других интересных лабораторных исследованиях, то, например, сообщалось о том, что исследователи из Университета штата Пенсильвания в 2025 году создали первую в мире CMOS-структуру из двумерных материалов без использования кремния. Для транзисторов n-типа был задействовал дисульфид молибдена в виде двумерной пленки, а для транзисторов p-типа – диселенид вольфрама (WSe₂). В результате получился прототип, который способен выполнять базовые логические операции («И», «ИЛИ», «НЕ» и т.п.). Для его работы достаточно низкого напряжения, потребляет он очень мало энергии. Правда, есть нюанс: частота работы составила около 25 кГц - значительно медленнее, чем у современных кремниевых процессоров. В другом американском университете умеют делать из дисульфида молибдена волноводы толщиной 0.6 нм.
🇯🇵 В Японии научились растить из дисульфида молибдена почти идеальные однослойные нанотрубки диаметром около 1нм.
🇨🇳 А вот в прагматичном Китае уже подошли куда ближе к практическому использованию новых двумерных материалов. В частности, запущена первая демонстрационная линия по производству микропроцессоров из MoS₂. Речь о проекте компании Shanghai Atomic Technology. Они создали инженерную демонстрационную линию для производства микропроцессоров WUJI на основе дисульфида молибдена.
🇨🇳 В июле 2026 года запущена пилотная линия другой шанхайской компании - Yuanjiwei. Она тоже работает с 2D-материалами (в том числе с MoS₂) и поддерживает полный цикл: от подготовки двумерных материалов до проектирования, изготовления пластин и интеграции готовых микросхем. Это еще не промышленное массовое производство, но близко к тому.
🇨🇳 Есть китайские разработки чипов на основе монослоя дисульфида молибдена, которые выдерживают до 10 Мрад, без деградации параметров транзисторов.
В общем, похоже на то, что MoS₂ и другие двумерные материалы в шаге от массовых изделий и этот шаг, скорее всего, будет сделан в ближайшие годы, что сулит немалые изменения на рынке микроэлектроники.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В МФТИ разработали технологию, которая позволит работать с двумерными материалами типа дисульфида молибдена
MoS₂ - перспективный материал, который постоянно всплывает в последние годы в зарубежных новостях микроэлектроники. Вот и в МТФИ решили сказать свое слово, нашли способ решения одной из ключевых проблем, которые мешают созданию промышленных технологий производства узлов на основе дисульфида молибдена, «двумерного» материала толщиной 0.65 нм (всего 3 атома).
Главная проблема двумерных материалов состоит в том, что при попытках подключить к тонкому слою проводника металлических контактов, полупроводник разрушается. Исследователи из МФТИ предложили «туннельный буфер» - ультратонкую прослойку из оксида титана (TiO₂) толщиной около 1 нм. Чтобы вырастить ее поверх дисульфида молибдена, поверхность обрабатывают низкоэнергетическими ионами гелия, выбивая из нее отдельные атомы серы и создавая тем самым микроскопические «вакансии», точки для сцепления с оксидом титана.
Этот подход универсален и применим к целому классу других двумерных материалов: дисульфиду вольфрама, селенидам молибдена и вольфрама. В перспективе этот подход можно будет задействовать для создания еще более миниатюрных, чем сегодняшние транзисторов, в том числе, для создания гибкой и прозрачной электроники.
Подробнее можно почитать в пресс-релизе МФТИ.
Это очень интересная разработка, результаты которой опубликованы в рецензируемом международном журнале Vacuum (doi 10.1016). Вместе с тем, стоит понимать, что это пока что, скорее, фундаментальное исследование технологии, которую вряд ли мы завтра увидим в серийном производстве.
🇺🇸 Если говорить о других интересных лабораторных исследованиях, то, например, сообщалось о том, что исследователи из Университета штата Пенсильвания в 2025 году создали первую в мире CMOS-структуру из двумерных материалов без использования кремния. Для транзисторов n-типа был задействовал дисульфид молибдена в виде двумерной пленки, а для транзисторов p-типа – диселенид вольфрама (WSe₂). В результате получился прототип, который способен выполнять базовые логические операции («И», «ИЛИ», «НЕ» и т.п.). Для его работы достаточно низкого напряжения, потребляет он очень мало энергии. Правда, есть нюанс: частота работы составила около 25 кГц - значительно медленнее, чем у современных кремниевых процессоров. В другом американском университете умеют делать из дисульфида молибдена волноводы толщиной 0.6 нм.
🇯🇵 В Японии научились растить из дисульфида молибдена почти идеальные однослойные нанотрубки диаметром около 1нм.
🇨🇳 А вот в прагматичном Китае уже подошли куда ближе к практическому использованию новых двумерных материалов. В частности, запущена первая демонстрационная линия по производству микропроцессоров из MoS₂. Речь о проекте компании Shanghai Atomic Technology. Они создали инженерную демонстрационную линию для производства микропроцессоров WUJI на основе дисульфида молибдена.
🇨🇳 В июле 2026 года запущена пилотная линия другой шанхайской компании - Yuanjiwei. Она тоже работает с 2D-материалами (в том числе с MoS₂) и поддерживает полный цикл: от подготовки двумерных материалов до проектирования, изготовления пластин и интеграции готовых микросхем. Это еще не промышленное массовое производство, но близко к тому.
🇨🇳 Есть китайские разработки чипов на основе монослоя дисульфида молибдена, которые выдерживают до 10 Мрад, без деградации параметров транзисторов.
В общем, похоже на то, что MoS₂ и другие двумерные материалы в шаге от массовых изделий и этот шаг, скорее всего, будет сделан в ближайшие годы, что сулит немалые изменения на рынке микроэлектроники.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3🤔1
🇷🇺 Регулирование. Стандартизация. Химия. Конкурсы. Россия
Минпромторг ищет исполнителя работ по стандартизации химии для микроэлектроники
Минпромторг разместил конкурс на выполнение научно-исследовательской работы «Обновление отраслевого фонда документов по стандартизации химической продукции для электронно-компонентной базы», шифр - «Эталон-ЭКБ». На эти цели выделено 54 млн рублей. Приём заявок - до 14 августа 2026 года. Первую версию новой нормативной базы нужно подготовить к ноябрю 2027 года, а новые требования должны вступить в силу с 1 января 2028 года.
Действующая нормативная база по химическим материалам для микроэлектроники - это, по сути, разрозненные документы, разработанные ещё в СССР. В отрасли нет единой системы стандартизации и сертификации особо чистых веществ - кремнийсодержащих соединений, пластин фосфида галлия, монокристаллического германия и других материалов, критически важных для производства чипов.
В весьма сжатые сроки исполнитель должен решить следующие задачи:
✦ изучить мировой опыт сертификации химических материалов для радиоэлектронной промышленности;
✦ определить архитектуру будущей системы (институциональную модель управления);
✦ подготовить полный пакет нормативных документов, включая правила сертификации, порядок работы органов управления, требования к знаку соответствия;
✦ разработать несколько вариантов внедрения с оценкой экономических, технологических и бюджетных последствий;
✦ сформировать реестр испытательных лабораторий;
✦ оценить потребность отрасли в аналитическом оборудовании и отобрать подходящие отечественные приборы для сертификационных испытаний.
Эта работа – часть госпрограммы по импортзамещению в области материалов для микроэлектроники. Параллельно Минпромторг готовит поправки в постановление Правительства №719: в механизм балльной оценки уровня локализации включат 22 вида специализированной химической продукции. У отрасли будет примерно два года на подготовку.
Создать систему сертификации «с нуля» за полтора года - крайне амбициозная задача. Без работающей системы испытательных лабораторий и методик измерений новые стандарты останутся лишь набором требований на бумаге. Однако в случае успеха отрасль получит прозрачные правила игры: производители смогут сертифицировать свою продукцию, заказчики - получать гарантированное качество, а зависимость от импортных материалов - снизиться. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Минпромторг ищет исполнителя работ по стандартизации химии для микроэлектроники
Минпромторг разместил конкурс на выполнение научно-исследовательской работы «Обновление отраслевого фонда документов по стандартизации химической продукции для электронно-компонентной базы», шифр - «Эталон-ЭКБ». На эти цели выделено 54 млн рублей. Приём заявок - до 14 августа 2026 года. Первую версию новой нормативной базы нужно подготовить к ноябрю 2027 года, а новые требования должны вступить в силу с 1 января 2028 года.
Действующая нормативная база по химическим материалам для микроэлектроники - это, по сути, разрозненные документы, разработанные ещё в СССР. В отрасли нет единой системы стандартизации и сертификации особо чистых веществ - кремнийсодержащих соединений, пластин фосфида галлия, монокристаллического германия и других материалов, критически важных для производства чипов.
В весьма сжатые сроки исполнитель должен решить следующие задачи:
✦ изучить мировой опыт сертификации химических материалов для радиоэлектронной промышленности;
✦ определить архитектуру будущей системы (институциональную модель управления);
✦ подготовить полный пакет нормативных документов, включая правила сертификации, порядок работы органов управления, требования к знаку соответствия;
✦ разработать несколько вариантов внедрения с оценкой экономических, технологических и бюджетных последствий;
✦ сформировать реестр испытательных лабораторий;
✦ оценить потребность отрасли в аналитическом оборудовании и отобрать подходящие отечественные приборы для сертификационных испытаний.
Эта работа – часть госпрограммы по импортзамещению в области материалов для микроэлектроники. Параллельно Минпромторг готовит поправки в постановление Правительства №719: в механизм балльной оценки уровня локализации включат 22 вида специализированной химической продукции. У отрасли будет примерно два года на подготовку.
Создать систему сертификации «с нуля» за полтора года - крайне амбициозная задача. Без работающей системы испытательных лабораторий и методик измерений новые стандарты останутся лишь набором требований на бумаге. Однако в случае успеха отрасль получит прозрачные правила игры: производители смогут сертифицировать свою продукцию, заказчики - получать гарантированное качество, а зависимость от импортных материалов - снизиться. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥7👍2✍1
🇷🇺 Отечественная электроника. Дискретные решения. Вести из лабораторий. СВЧ-фазовращатели. Россия
В ТУСУР разработали компактный СВЧ-фазовращатель для ФАР
Учёные Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали инновационный фазовращатель - ключевой компонент для фазированных антенных решёток (ФАР), которые используются в системах 5G/6G, беспилотниках и «умных» автомобилях. В отличие от зарубежных аналогов, российское устройство создано по стандартной технологии печатных плат с использованием недорогих кремниевых варикапов. Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда и опубликована в журнале Progress In Electromagnetics Research C.
Новое устройство позволяет мгновенно менять направление радиолуча без механических приводов, работает в диапазоне 2,2–2,8 ГГц и сравнительно невелико по размеру (десятые доли от длины волны, то есть менее 2.5 см). Учёным удалось совместить малые вносимые потери и большой управляемый фазовый сдвиг (более 180°) при использовании стандартных компонентов.
Главное технологическое достижение - «умный» ответвитель сигнала (поперечно-направленный ответвитель с трансформацией импеданса), который позволил уменьшить размеры устройства и упростить его настройку. Многослойная структура фазовращателя обеспечивает встроенную гальваническую развязку цепи управления и СВЧ-канала без дополнительных элементов, а управление осуществляется всего по одной линии. Это существенно упрощает интеграцию устройства в антенные системы.
За рубежом для управления лучом в ФАР традиционно используют монолитные интегральные схемы СВЧ (MMIC) на основе арсенида галлия (GaAs) или нитрида галлия (GaN). Такие решения обеспечивают высокую точность (например, 6-битное управление с шагом 5,625°), дают возможность сдвига фазы вплоть до 360° и позволяют создавать антенны, работающие на частотах вплоть до десятков ГГц, но соответствующие решения требуют более сложного управления и стоят дороже. Наладить выпуск соответствующих отечественных MMIC и фазовращателей на их основе в России - не только дороже, но и технологически непросто.
Разработка ТУСУР – вариант прагматичного подхода к импортзамещению. Дискретное устройство на основе доступных компонентов и стандартной технологии печатных плат не столь универсально, но имеет свои плюсы, хотя и уступает зарубежным решениям на базе MMIC в точности и максимальном фазовом диапазоне. Применение дискретных фазовращателей в производстве отечественных ФАР обещает возможность создания решений, которые сейчас широко востребованы, например, в перспективных антенных устройствах БС сотовой связи и в других применениях. ||
((иллюстрация - с сайта ТУСУР))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В ТУСУР разработали компактный СВЧ-фазовращатель для ФАР
Учёные Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали инновационный фазовращатель - ключевой компонент для фазированных антенных решёток (ФАР), которые используются в системах 5G/6G, беспилотниках и «умных» автомобилях. В отличие от зарубежных аналогов, российское устройство создано по стандартной технологии печатных плат с использованием недорогих кремниевых варикапов. Работа выполнена при поддержке гранта Российского научного фонда и опубликована в журнале Progress In Electromagnetics Research C.
Новое устройство позволяет мгновенно менять направление радиолуча без механических приводов, работает в диапазоне 2,2–2,8 ГГц и сравнительно невелико по размеру (десятые доли от длины волны, то есть менее 2.5 см). Учёным удалось совместить малые вносимые потери и большой управляемый фазовый сдвиг (более 180°) при использовании стандартных компонентов.
Главное технологическое достижение - «умный» ответвитель сигнала (поперечно-направленный ответвитель с трансформацией импеданса), который позволил уменьшить размеры устройства и упростить его настройку. Многослойная структура фазовращателя обеспечивает встроенную гальваническую развязку цепи управления и СВЧ-канала без дополнительных элементов, а управление осуществляется всего по одной линии. Это существенно упрощает интеграцию устройства в антенные системы.
За рубежом для управления лучом в ФАР традиционно используют монолитные интегральные схемы СВЧ (MMIC) на основе арсенида галлия (GaAs) или нитрида галлия (GaN). Такие решения обеспечивают высокую точность (например, 6-битное управление с шагом 5,625°), дают возможность сдвига фазы вплоть до 360° и позволяют создавать антенны, работающие на частотах вплоть до десятков ГГц, но соответствующие решения требуют более сложного управления и стоят дороже. Наладить выпуск соответствующих отечественных MMIC и фазовращателей на их основе в России - не только дороже, но и технологически непросто.
Разработка ТУСУР – вариант прагматичного подхода к импортзамещению. Дискретное устройство на основе доступных компонентов и стандартной технологии печатных плат не столь универсально, но имеет свои плюсы, хотя и уступает зарубежным решениям на базе MMIC в точности и максимальном фазовом диапазоне. Применение дискретных фазовращателей в производстве отечественных ФАР обещает возможность создания решений, которые сейчас широко востребованы, например, в перспективных антенных устройствах БС сотовой связи и в других применениях. ||
((иллюстрация - с сайта ТУСУР))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍7😁4❤2⚡1👏1
🇬🇧 Электроника. МЭМС. Гироскопы. Великобритания
Новый компактный гироскоп Silicon Sensing CRG21 для устройств, работающих в экстремальных условиях
CRG21 – это новейший компактный микроэлектромеханический миниатюрный однокристальный гироскоп (MEMS) от британской компании Silicon Sensing. Это одноосевой датчик угловой скорости с замкнутым контуром. Он позиционируется в качестве «прямой замены» гироскопу СRG20, который уже применяется в различных критически важных аэрокосмических, оборонных, промышленных и автомобильных приложениях. Для совместимости размеры корпуса новинки и расположение контактов – точно такие, как и у предыдущей версии устройства - 9.5 х 9 х 3.4 мм, что упрощает его использование в разработках, сделанных под CRG20.
CRG21 выпускается в нескольких модификациях диапазона скоростей и полос пропускания (40, 75 и 90 Гц); он может работать при температурах от -40°C до +105°C. Производитель отмечает низкий уровень шумов и высокую термостабильность.
Производитель позиционирует свое изделие, как высокоточное, приближающееся по характеристикам к более дорогим волоконно-оптическим гироскопам (FOG). В частности, заявлено угловая случайная погрешность (ARW) - 0.2 град/ч (но оговаривается, что это «предварительная» характеристики, что уж там будет на деле – еще вопрос), то же касается и нестабильности смещения (1°/ч). Но если характеристики подтвердятся, то да, неплохо. И действительно можно говорить о характеристиках «почти как у FOG», но при значительном меньших размерах, весе и энергопотреблении, что важно.
В России разрабатывают и выпускают MEMS-гироскопы, а также навигационные модули и системы на их основе, но прямого аналога CRG21 по сочетанию размеров и стабильности я не знаю.
((картинка - компании Silicon Sensing))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Новый компактный гироскоп Silicon Sensing CRG21 для устройств, работающих в экстремальных условиях
CRG21 – это новейший компактный микроэлектромеханический миниатюрный однокристальный гироскоп (MEMS) от британской компании Silicon Sensing. Это одноосевой датчик угловой скорости с замкнутым контуром. Он позиционируется в качестве «прямой замены» гироскопу СRG20, который уже применяется в различных критически важных аэрокосмических, оборонных, промышленных и автомобильных приложениях. Для совместимости размеры корпуса новинки и расположение контактов – точно такие, как и у предыдущей версии устройства - 9.5 х 9 х 3.4 мм, что упрощает его использование в разработках, сделанных под CRG20.
CRG21 выпускается в нескольких модификациях диапазона скоростей и полос пропускания (40, 75 и 90 Гц); он может работать при температурах от -40°C до +105°C. Производитель отмечает низкий уровень шумов и высокую термостабильность.
Производитель позиционирует свое изделие, как высокоточное, приближающееся по характеристикам к более дорогим волоконно-оптическим гироскопам (FOG). В частности, заявлено угловая случайная погрешность (ARW) - 0.2 град/ч (но оговаривается, что это «предварительная» характеристики, что уж там будет на деле – еще вопрос), то же касается и нестабильности смещения (1°/ч). Но если характеристики подтвердятся, то да, неплохо. И действительно можно говорить о характеристиках «почти как у FOG», но при значительном меньших размерах, весе и энергопотреблении, что важно.
В России разрабатывают и выпускают MEMS-гироскопы, а также навигационные модули и системы на их основе, но прямого аналога CRG21 по сочетанию размеров и стабильности я не знаю.
((картинка - компании Silicon Sensing))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤3🤣1
Forwarded from ICT.Moscow
ТПП предложила усилить контроль за происхождением российской радиоэлектронной продукции
Торгово-промышленная палата (ТПП) обратилась в Минпромторг России с просьбой доработать механизмы борьбы с «псевдолокализацией» российской радиоэлектронной продукции. Речь идет о случаях, в которых производители выдают иностранные решения за отечественные.
В ТПП утверждают, что компании продолжают использовать иностранные компоненты вместо отечественных уже после внесения решений в реестр, а у заказчиков «нет эффективных механизмов входного контроля и проверки фактического состава продукции».
Вице-президент GS Group Сергей Долгопольский рассказал, что количество «псевдолокализованной» продукции велико, большая доля оказывается в серой зоне, поскольку поставщик для включения в реестр представляет российские комплектующие, а в массовом производстве использует иностранную ЭКБ.
В Fplus считают, что оценить, сколько сейчас на рынке «псевдолокализованной» продукции, нельзя, так как «чаще всего попадают на рынок компоненты по второму уровню локализации, когда документация делается в России, а продукт производится в Китае, это самый распространенный способ».
🔗 В марте сообщалось, что Минпромторг России может ужесточить критерии локализации компонентов печатных плат.
Торгово-промышленная палата (ТПП) обратилась в Минпромторг России с просьбой доработать механизмы борьбы с «псевдолокализацией» российской радиоэлектронной продукции. Речь идет о случаях, в которых производители выдают иностранные решения за отечественные.
В ТПП утверждают, что компании продолжают использовать иностранные компоненты вместо отечественных уже после внесения решений в реестр, а у заказчиков «нет эффективных механизмов входного контроля и проверки фактического состава продукции».
Вице-президент GS Group Сергей Долгопольский рассказал, что количество «псевдолокализованной» продукции велико, большая доля оказывается в серой зоне, поскольку поставщик для включения в реестр представляет российские комплектующие, а в массовом производстве использует иностранную ЭКБ.
В Fplus считают, что оценить, сколько сейчас на рынке «псевдолокализованной» продукции, нельзя, так как «чаще всего попадают на рынок компоненты по второму уровню локализации, когда документация делается в России, а продукт производится в Китае, это самый распространенный способ».
🔗 В марте сообщалось, что Минпромторг России может ужесточить критерии локализации компонентов печатных плат.
❤6🤝3😁1
Forwarded from Электронное машиностроение
🇮🇳 Индия утвердила программу Semicon 2.0 с бюджетом свыше 13 млрд долл. США, расширяющую меры поддержки национальной полупроводниковой отрасли
📜 Кабинет министров Индии 15 июля 2026 года утвердил программу Semicon 2.0 — второй этап государственной поддержки полупроводниковой отрасли, запущенной для снижения зависимости от импорта. Первый этап, запущенный в 2021 году, первоначально оценивался примерно в 10 млрд долл. США. Одновременно была одобрена отдельная программа поддержки производства мобильных телефонов на 6,5 млрд долл. США, рассчитанная на 2026/27–2030/31 финансовые годы.
💸 На первом этапе действия программы государство возмещало 50% капитальных затрат по любому проекту. Semicon 2.0 отказывается от единой ставки в пользу дифференцированной, при этом уровень поддержки производства снижается:
— кремниевые фабрики — 40% капзатрат;
— фабрики по производству полупроводников на основе соединений (compound semiconductors) и дисплеев — до 35%;
— передовое корпусирование — до 35%;
— традиционное корпусирование — до 25%.
🆕 Одновременно вводится новая категория получателей: производители оборудования для выпуска микросхем, а также материалов, химикатов и технологических газов получат до 30% капитальных затрат. На первом этапе этот сегмент под господдержку не подпадал.
Поддержка предоставляется в форме прямых капитальных грантов: государство софинансирует вложения одновременно с инвестором. Это отличает индийскую модель от Кореи и Тайваня, где преобладают налоговые вычеты и субсидирование операционных расходов, и сближает её с японской практикой адресных грантов.
Если предыдущий этап был сосредоточен главным образом на запуске фабрик, то Semicon 2.0 расширяет охват господдержки на всю цепочку создания стоимости. Новые инициативы касаются следующих направлений:
📋 Проектирование. В проектировании акцент сделан на создании собственных IP-блоков, законченных проектов микросхем и систем на кристалле.
🔬 НИОКР. Индия нацелена на переход от освоенных технологий диапазона 28–110 нм к более передовым топологическим нормам и другим перспективным технологиям в сотрудничестве с исследовательскими центрами внутри страны и за рубежом.
🧩 Корпусирование. Программа ориентирована на привлечение в страну компаний, специализирующихся на передовом корпусировании.
👩🏫 Подготовка кадров. Один из приоритетов новой программы – углубление подготовки на уровне вузов и участие индустрии в обучении работе в чистых помещениях и строительству фабрик.
По итогам первого этапа Semicon 1.0 правительство Индии одобрило создание 12 производственных проектов с совокупным объёмом инвестиций более 17 млрд долл. США: одна кремниевая фабрика, одна фабрика производства полупроводников на основе карбида кремния, интегрированная фабрика микро-LED-дисплеев на нитриде галлия и девять предприятий корпусирования. Коммерческое производство в стране уже начали три компании — Micron, Kaynes Semicon и CG Semi, ещё одно предприятие должно выйти на этот этап в 2026 году.
📈 Объём рынка микросхем в Индии вырос примерно с 38 млрд долл. США в 2023 году до оценочных 45–50 млрд в 2024–2025 годах. Целевой показатель правительства — 100–110 млрд долл. США к 2030 году.
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлМаш #технологии #Индия
📜 Кабинет министров Индии 15 июля 2026 года утвердил программу Semicon 2.0 — второй этап государственной поддержки полупроводниковой отрасли, запущенной для снижения зависимости от импорта. Первый этап, запущенный в 2021 году, первоначально оценивался примерно в 10 млрд долл. США. Одновременно была одобрена отдельная программа поддержки производства мобильных телефонов на 6,5 млрд долл. США, рассчитанная на 2026/27–2030/31 финансовые годы.
💸 На первом этапе действия программы государство возмещало 50% капитальных затрат по любому проекту. Semicon 2.0 отказывается от единой ставки в пользу дифференцированной, при этом уровень поддержки производства снижается:
— кремниевые фабрики — 40% капзатрат;
— фабрики по производству полупроводников на основе соединений (compound semiconductors) и дисплеев — до 35%;
— передовое корпусирование — до 35%;
— традиционное корпусирование — до 25%.
🆕 Одновременно вводится новая категория получателей: производители оборудования для выпуска микросхем, а также материалов, химикатов и технологических газов получат до 30% капитальных затрат. На первом этапе этот сегмент под господдержку не подпадал.
Поддержка предоставляется в форме прямых капитальных грантов: государство софинансирует вложения одновременно с инвестором. Это отличает индийскую модель от Кореи и Тайваня, где преобладают налоговые вычеты и субсидирование операционных расходов, и сближает её с японской практикой адресных грантов.
Если предыдущий этап был сосредоточен главным образом на запуске фабрик, то Semicon 2.0 расширяет охват господдержки на всю цепочку создания стоимости. Новые инициативы касаются следующих направлений:
📋 Проектирование. В проектировании акцент сделан на создании собственных IP-блоков, законченных проектов микросхем и систем на кристалле.
🔬 НИОКР. Индия нацелена на переход от освоенных технологий диапазона 28–110 нм к более передовым топологическим нормам и другим перспективным технологиям в сотрудничестве с исследовательскими центрами внутри страны и за рубежом.
🧩 Корпусирование. Программа ориентирована на привлечение в страну компаний, специализирующихся на передовом корпусировании.
👩🏫 Подготовка кадров. Один из приоритетов новой программы – углубление подготовки на уровне вузов и участие индустрии в обучении работе в чистых помещениях и строительству фабрик.
По итогам первого этапа Semicon 1.0 правительство Индии одобрило создание 12 производственных проектов с совокупным объёмом инвестиций более 17 млрд долл. США: одна кремниевая фабрика, одна фабрика производства полупроводников на основе карбида кремния, интегрированная фабрика микро-LED-дисплеев на нитриде галлия и девять предприятий корпусирования. Коммерческое производство в стране уже начали три компании — Micron, Kaynes Semicon и CG Semi, ещё одно предприятие должно выйти на этот этап в 2026 году.
📈 Объём рынка микросхем в Индии вырос примерно с 38 млрд долл. США в 2023 году до оценочных 45–50 млрд в 2024–2025 годах. Целевой показатель правительства — 100–110 млрд долл. США к 2030 году.
#ЭлМаш #технологии #Индия
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Business-Standard
Semicon India 1.0 vs 2.0: What's new in the govt's ₹1.27 trillion plan?
From chip design and fabs to talent development, here's how Semicon India 2.0 builds on the gains of the first phase
🤔3❤2
🇷🇺 Отечественная электроника. Рынок серверов. Оценки и прогнозы. Аналитика. Россия
В Fplus оценили российский рынок серверов в 2025 году и высказали предположения относительно итогов 2026 года
Основные выводы – в течение 2025 года рынок находился под мощным давлением регуляторных ограничений. При этом сокращалась доля прежних (в основном зарубежных) лидеров рынка – Dell, Lenovo, IBM и так далее. Несмотря на общее замедление экономики, серверный рынок продемонстрировал уверенный рост в деньгах (порядка 30%), объем оценивается суммой около 180 млрд руб. Учитывая тот факт, что количество поставленных серверов оценивают в 140-150 тысяч (примерно, как в 2024 году), можно с уверенностью говорить о повышении средней цены сервера на российском рынке. Впрочем, это вполне укладывается в глобальный тренд.
Рост рынка в деньгах в компании связывают прежде всего, с подорожанием основных компонентов (память – оперативная и SSD и ряда других), причем по некоторым позициям рост был более чем в 10 раз. Также у некоторых российских производителей в портфолио появились более тяжеловесные и, соответственно, более дорогостоящие системы за счет того, что удалось решить проблему доступности передовых платформ и ключевых компонентов, а также совместимости стека программных продуктов на широком круге прикладных задач.
Количество и состав основных игроков рынка также не изменились: несмотря на достаточно тяжёлую ситуацию на рынке, лидеры сохраняют и упрочняют свои позиции, как производители, так и основные поставщики-интеграторы.
Прогноз на 2026 год
Пока что он «осторожный», хотя некоторые крупные участники рынка и рассчитывают на двузначный рост.
➚ В частности, можно надеяться на сокращение объема серого импорта, что, возможно, будет толкать вверх продажи отечественных решений, активная фаза реализации программ импортозамещения и растущая потребность в ИИ-решениях. Еще одним стимулом для роста станут требования ФСТЭК в рамках приказа №117, которые поддержат спрос на доверенные платформы для хранения и обработки данных граждан с использованием импортозамещенного аппаратного стека.
➘ Есть и сдерживающие факторы. В первую очередь, это продолжающийся дефицит и рост цен на компоненты, а также то, что многие госкорпорации действуют осторожно и прагматично, практически не закладывают бюджет на развитие ИТ-систем, а расходуют деньги только на поддержку и сопровождение текущей инфраструктуры. Поэтому, несмотря на уже сформированный отложенный спрос, вполне вероятен и сценарий с незначительным падением рынка.
((источник: канал Fplus))
💎 В качестве «итого» хочется воспроизвести известное высказывание Йоды: «Тёмная сторона застилает всё. Невозможно увидеть будущее». На мой взгляд, оно хорошо характеризует сложившуюся ситуацию.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Fplus оценили российский рынок серверов в 2025 году и высказали предположения относительно итогов 2026 года
Основные выводы – в течение 2025 года рынок находился под мощным давлением регуляторных ограничений. При этом сокращалась доля прежних (в основном зарубежных) лидеров рынка – Dell, Lenovo, IBM и так далее. Несмотря на общее замедление экономики, серверный рынок продемонстрировал уверенный рост в деньгах (порядка 30%), объем оценивается суммой около 180 млрд руб. Учитывая тот факт, что количество поставленных серверов оценивают в 140-150 тысяч (примерно, как в 2024 году), можно с уверенностью говорить о повышении средней цены сервера на российском рынке. Впрочем, это вполне укладывается в глобальный тренд.
Рост рынка в деньгах в компании связывают прежде всего, с подорожанием основных компонентов (память – оперативная и SSD и ряда других), причем по некоторым позициям рост был более чем в 10 раз. Также у некоторых российских производителей в портфолио появились более тяжеловесные и, соответственно, более дорогостоящие системы за счет того, что удалось решить проблему доступности передовых платформ и ключевых компонентов, а также совместимости стека программных продуктов на широком круге прикладных задач.
«Более половины оборота (около 65%) пришлось на госзакупки по 44 ФЗ и 223 ФЗ. В сегменте закупок для госучреждений и госкорпораций в целом наблюдалось формирование устойчивого рынка - количество неисполненных госконтрактов сократилось в 1,5 раза, что говорит об адекватном восприятии бизнеса заказчиками, выстраивании реалистичных ожиданий по срокам, цене, доступности решений», - замечают в компании.
Количество и состав основных игроков рынка также не изменились: несмотря на достаточно тяжёлую ситуацию на рынке, лидеры сохраняют и упрочняют свои позиции, как производители, так и основные поставщики-интеграторы.
Прогноз на 2026 год
Пока что он «осторожный», хотя некоторые крупные участники рынка и рассчитывают на двузначный рост.
➚ В частности, можно надеяться на сокращение объема серого импорта, что, возможно, будет толкать вверх продажи отечественных решений, активная фаза реализации программ импортозамещения и растущая потребность в ИИ-решениях. Еще одним стимулом для роста станут требования ФСТЭК в рамках приказа №117, которые поддержат спрос на доверенные платформы для хранения и обработки данных граждан с использованием импортозамещенного аппаратного стека.
➘ Есть и сдерживающие факторы. В первую очередь, это продолжающийся дефицит и рост цен на компоненты, а также то, что многие госкорпорации действуют осторожно и прагматично, практически не закладывают бюджет на развитие ИТ-систем, а расходуют деньги только на поддержку и сопровождение текущей инфраструктуры. Поэтому, несмотря на уже сформированный отложенный спрос, вполне вероятен и сценарий с незначительным падением рынка.
«В целом мы считаем, что 2026 год скорее всего повторит результаты рынка в денежном выражении и уменьшится не более, чем на 5-10% в количественном выражении», - резюмируют в Fplus.
((источник: канал Fplus))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🤔6❤2😁1👌1🤨1
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Электронно-лучевые литографы. Вести из лабораторий. Россия
В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах
Об этом рассказали Известия. При использовании мультикатода, можно обработать кремниевую пластину за 5-7 минут, на несколько порядков быстрее, чем при использовании традиционных однолучевых электронных литографов. Это позволяет по-новому взглянуть на технологию электронной литографии, как до какой-то степени, альтернативу традционной фотолитографии при производстве полупроводников.
На данный момент завершён этап научно-исследовательских работ (НИР): мультикатод изготовлен и прошёл практические испытания. Однако самого литографа пока нет — его создание в рамках опытно-конструкторской разработки (ОКР) ещё впереди. Разработчики рассчитывают, что первый опытный образец может появиться примерно через 3 года
Заявляется, что источники пучков имеют радиус закругления вершины от 1.5 до 2 нм – это позволяет рассчитывать на возможность создания с помощью будущей установки передовых чипов. Впрочем, чтобы можно было изготавливать чипы по техпроцессам с высоким разрешением, необходим далеко не только литограф, а еще десятки других установок, входящий в цепочку, формирующую полупроводниковые структуры на пластине, и подходящие материалы.
Главное преимущество российской технологии — способ формирования лучей: вместо сложных схем расщепления одного луча с большим количеством зеркал и оптических затворов (как в зарубежных аналогах) установка создаёт множество независимых источников электронов на единой подложке. Это упрощает конструкцию, снижает энергопотребление и стоимость оборудования.
По оценкам разработчиков первый опытный образец литографа может быть создан в России примерно через 3 года.
На ключевой вопрос – какие техпроцессы доступны с помощью такого литографа – ответить непросто. Это зависит от многих факторов. Даже если катод позволяет формировать множество очень узких лучей, которыми можно управлять с высокой точностью, разрешающая способность установки будет зависеть и от ряда других факторов, например, от качества фоторезистов. Технология потенциально может использоваться для производства микросхем с нормами от 350 нм до нескольких нанометров, но конкретный диапазон станет ясен только после появления работающего прототипа. ||
🗝 Подробнее о мультикатодах - патент (неизвестно, этот ли патент положен в основу разработки)
В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах
Об этом рассказали Известия. При использовании мультикатода, можно обработать кремниевую пластину за 5-7 минут, на несколько порядков быстрее, чем при использовании традиционных однолучевых электронных литографов. Это позволяет по-новому взглянуть на технологию электронной литографии, как до какой-то степени, альтернативу традционной фотолитографии при производстве полупроводников.
На данный момент завершён этап научно-исследовательских работ (НИР): мультикатод изготовлен и прошёл практические испытания. Однако самого литографа пока нет — его создание в рамках опытно-конструкторской разработки (ОКР) ещё впереди. Разработчики рассчитывают, что первый опытный образец может появиться примерно через 3 года
Заявляется, что источники пучков имеют радиус закругления вершины от 1.5 до 2 нм – это позволяет рассчитывать на возможность создания с помощью будущей установки передовых чипов. Впрочем, чтобы можно было изготавливать чипы по техпроцессам с высоким разрешением, необходим далеко не только литограф, а еще десятки других установок, входящий в цепочку, формирующую полупроводниковые структуры на пластине, и подходящие материалы.
Главное преимущество российской технологии — способ формирования лучей: вместо сложных схем расщепления одного луча с большим количеством зеркал и оптических затворов (как в зарубежных аналогах) установка создаёт множество независимых источников электронов на единой подложке. Это упрощает конструкцию, снижает энергопотребление и стоимость оборудования.
По оценкам разработчиков первый опытный образец литографа может быть создан в России примерно через 3 года.
На ключевой вопрос – какие техпроцессы доступны с помощью такого литографа – ответить непросто. Это зависит от многих факторов. Даже если катод позволяет формировать множество очень узких лучей, которыми можно управлять с высокой точностью, разрешающая способность установки будет зависеть и от ряда других факторов, например, от качества фоторезистов. Технология потенциально может использоваться для производства микросхем с нормами от 350 нм до нескольких нанометров, но конкретный диапазон станет ясен только после появления работающего прототипа. ||
🗝 Подробнее о мультикатодах - патент (неизвестно, этот ли патент положен в основу разработки)
👏10❤5👍2
Forwarded from Электронное машиностроение
🇩🇪 Zeiss SMT открыл первый корпус расширенного производства EUV-оптики в Оберкохене
🏗️ ZEISS SMT завершила первый этап расширения своей основной площадки в Оберкохене, где выпускается высокоточная оптика для литографических систем ASML. Строительство нового офисного корпуса стартовало в мае 2022 года. В дальнейшем компания будет поэтапно вводить производственные здания. Общая площадь новых производственных и вспомогательных помещений составит около 25 тыс. м².
📍 Оберкохен и Вецлар остаются единственными площадками в мире, способными выпускать комплектные оптические системы для сканеров ASML. ZEISS является единственным поставщиком зеркал, линз, осветительных систем, коллекторов и ряда других критически важных оптических компонентов. В 2025 году объем закупок ASML у ZEISS SMT и связанных с ней компаний достиг примерно 4,8 млрд долл. США против 4,3 млрд долл. США в 2024 году и 3,6 млрд долл. США в 2023 году.
📈 Расширение площадки напрямую связано с планами ASML нарастить выпуск EUV-оборудования. В 2026 году компания рассчитывает поставить около 65 сканеров Low-NA EUV, а в 2027 году увеличить соответствующие мощности примерно на 30%. Еще одно увеличение на 30% рассматривается на 2028 год. Параллельно ASML сокращает цикл сборки литографических установок примерно с 22 до 15–16 недель, поэтому производительность ZEISS становится одним из ключевых ограничений для дальнейшего роста выпуска.
☝️ При этом в годовом отчёте ASML прямо указывается, что количество систем, которые компания способна производить, ограничено производственными мощностями ZEISS SMT. Фактически именно немецкая площадка выступает узким местом всей цепочки EUV-сканеров, определяя верхний предел масштабирования выпуска.
🪩 Особенно сложным остается производство оптики для High-NA EUV. Проекционная система содержит более 40 тыс. компонентов, весит около 12 т и примерно в семь раз превосходит стандартную EUV-оптику по массе и объему. Осветительная система включает еще около 25 тыс. деталей и весит 6 т. Отдельные зеркала весят несколько сотен килограммов, примерно вдвое крупнее и в десять раз тяжелее зеркал современных EUV-систем. Для их проверки используется специальная вакуумная камера размером 5 × 10 м, которая состоит более чем из 100 тыс. деталей и весит свыше 150 т.
Новые площади позволят ZEISS вести больше производственных и контрольных операций параллельно. Однако само расширение не сокращает многомесячную механическую обработку, нанесение покрытий и аттестацию оптических элементов, поэтому оптика продолжит определять предельные темпы масштабирования выпуска EUV-сканеров.
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлМаш #технологии #EUV #ZEISS #ASML
🏗️ ZEISS SMT завершила первый этап расширения своей основной площадки в Оберкохене, где выпускается высокоточная оптика для литографических систем ASML. Строительство нового офисного корпуса стартовало в мае 2022 года. В дальнейшем компания будет поэтапно вводить производственные здания. Общая площадь новых производственных и вспомогательных помещений составит около 25 тыс. м².
📍 Оберкохен и Вецлар остаются единственными площадками в мире, способными выпускать комплектные оптические системы для сканеров ASML. ZEISS является единственным поставщиком зеркал, линз, осветительных систем, коллекторов и ряда других критически важных оптических компонентов. В 2025 году объем закупок ASML у ZEISS SMT и связанных с ней компаний достиг примерно 4,8 млрд долл. США против 4,3 млрд долл. США в 2024 году и 3,6 млрд долл. США в 2023 году.
📈 Расширение площадки напрямую связано с планами ASML нарастить выпуск EUV-оборудования. В 2026 году компания рассчитывает поставить около 65 сканеров Low-NA EUV, а в 2027 году увеличить соответствующие мощности примерно на 30%. Еще одно увеличение на 30% рассматривается на 2028 год. Параллельно ASML сокращает цикл сборки литографических установок примерно с 22 до 15–16 недель, поэтому производительность ZEISS становится одним из ключевых ограничений для дальнейшего роста выпуска.
☝️ При этом в годовом отчёте ASML прямо указывается, что количество систем, которые компания способна производить, ограничено производственными мощностями ZEISS SMT. Фактически именно немецкая площадка выступает узким местом всей цепочки EUV-сканеров, определяя верхний предел масштабирования выпуска.
🪩 Особенно сложным остается производство оптики для High-NA EUV. Проекционная система содержит более 40 тыс. компонентов, весит около 12 т и примерно в семь раз превосходит стандартную EUV-оптику по массе и объему. Осветительная система включает еще около 25 тыс. деталей и весит 6 т. Отдельные зеркала весят несколько сотен килограммов, примерно вдвое крупнее и в десять раз тяжелее зеркал современных EUV-систем. Для их проверки используется специальная вакуумная камера размером 5 × 10 м, которая состоит более чем из 100 тыс. деталей и весит свыше 150 т.
Новые площади позволят ZEISS вести больше производственных и контрольных операций параллельно. Однако само расширение не сокращает многомесячную механическую обработку, нанесение покрытий и аттестацию оптических элементов, поэтому оптика продолжит определять предельные темпы масштабирования выпуска EUV-сканеров.
#ЭлМаш #технологии #EUV #ZEISS #ASML
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥3❤2🤣1
🇷🇺 Производство полупроводников. Производственное оборудование. Установки жидкостного химического травления. Контракты. Россия
РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм
Информацией поделился CNews. Исполнителем выступает ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», Саров, Ростатом. Сумма контракта – 1,43 млрд. Работа из четырех этапов должна быть завершена до 30 ноября 2029 года.
Установка ЖХТ позволяет проводить химическое травление, очистку, промывку и сушку. Оборудование работает с химическими реагентами (HF, H₂SO₄, H₂O₂, HCl, NH₄OH) при температуре до 160°C. Оно способно обрабатывать за цикл до 100 пластин, обеспечивать их автоматическую загрузку и выгрузку с использованием SMIF-загрузчика. Равномерность травления по пластине – не более 5%. (Функциональными аналогами являются: Shellback Torrent / Siconnex BATCHSPRAY, Shellback MERCURY™+, а также японская Tokyo Electron ZETA™+ 200).
Критические компоненты установки: герметичная процессная камера, ротор, кассетный модуль, узлы спрей-системы подачи реагентов, системы подачи химии, вентиляции и газоочистки, центральный контроллер и программное обеспечение – все это должно быть отечественным (впрочем, по согласования с заказчиком допускается и применение импортных комплектующих).
Совсем недавно, в июле 2026 года РФЯЦ-ВНИИЭФ получил еще один заказа от Минпромторга – на разработку установок бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. В рамках проекта будут созданы два типа установок: для временного соединения полупроводниковых пластин с пластиной-носителем (бондинг), а также для дебондинга и очистки кремниевых пластин. Сумма контракта – 992,85 млн руб.
Интересно… Помнится в 2026 году мы ожидали линейку установок жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин (ЖХО) от ЭСТО и НИИС Седакова, в 2025 году был готов опытный образец транспортно-перегрузочного модуля (ТПМ), их вроде бы производят теперь серийно. Но где же линейка установок ЖХО этих производителей?
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм
Информацией поделился CNews. Исполнителем выступает ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», Саров, Ростатом. Сумма контракта – 1,43 млрд. Работа из четырех этапов должна быть завершена до 30 ноября 2029 года.
Установка ЖХТ позволяет проводить химическое травление, очистку, промывку и сушку. Оборудование работает с химическими реагентами (HF, H₂SO₄, H₂O₂, HCl, NH₄OH) при температуре до 160°C. Оно способно обрабатывать за цикл до 100 пластин, обеспечивать их автоматическую загрузку и выгрузку с использованием SMIF-загрузчика. Равномерность травления по пластине – не более 5%. (Функциональными аналогами являются: Shellback Torrent / Siconnex BATCHSPRAY, Shellback MERCURY™+, а также японская Tokyo Electron ZETA™+ 200).
Критические компоненты установки: герметичная процессная камера, ротор, кассетный модуль, узлы спрей-системы подачи реагентов, системы подачи химии, вентиляции и газоочистки, центральный контроллер и программное обеспечение – все это должно быть отечественным (впрочем, по согласования с заказчиком допускается и применение импортных комплектующих).
Совсем недавно, в июле 2026 года РФЯЦ-ВНИИЭФ получил еще один заказа от Минпромторга – на разработку установок бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. В рамках проекта будут созданы два типа установок: для временного соединения полупроводниковых пластин с пластиной-носителем (бондинг), а также для дебондинга и очистки кремниевых пластин. Сумма контракта – 992,85 млн руб.
Интересно… Помнится в 2026 году мы ожидали линейку установок жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин (ЖХО) от ЭСТО и НИИС Седакова, в 2025 году был готов опытный образец транспортно-перегрузочного модуля (ТПМ), их вроде бы производят теперь серийно. Но где же линейка установок ЖХО этих производителей?
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤7👍1
Forwarded from ё-Пром | Промышленные инновации России
Минпромторг подготовил законопроект, который закроет с 1 января 2027 года популярную схему обхода импортозамещения для электроники, сообщили «Ведомости».
❌ Сейчас госзаказчики легально закупают иностранные ноутбуки, планшеты и мониторы вместо российской техники, добавляя в один лот тендера одновременно технику, у которой есть отечественные аналоги, и ту, у которой аналогов нет. Это позволяет обойти правило «второй лишний» и закупить всё иностранное оборудование по всем позициям лота, полностью игнорируя российскую продукцию. На эту схему жаловались более 70% компаний из сфер радиоэлектроники.
Проект постановления Минпромторга запретит смешивать в одном лоте товары с российскими аналогами и без таковых:
🔹 ноутбуки и планшетные компьютеры (массой до 10 кг);
🔹 мониторы и проекторы;
🔹 принтеры, сканеры и МФУ;
🔹 клавиатуры, мыши и другую периферию;
🔹 электронно-вычислительные машины для обработки данных.
✔️ Похожее ограничение уже действует, но только для специфического оборудования (некоторых медизделий и музыкальных инструментов). Радиоэлектроника под него пока не подпадала.
Производители электроники считают, что такие меры нужно было вводить ещё три года назад, в 2023 году. Сейчас, по их словам, ситуация с импортозамещением близка к кризисной.
Часть экспертов поддерживает разделение лотов — это сделает госзакупки прозрачнее. Другие предлагают оставить смешанные лоты, но только из техники, которая есть в реестре Минпромторга. Проблема возникает, когда в лот добавляют одну отсутствующую в реестре деталь, чтобы «завезти» весь иностранный комплект.
Однако не все верят, что запрет мгновенно переключит заказчиков на российскую электронику. Отмечается, что проблема смешанных лотов только регулированием госзакупок не решается: заказчики часто составляют список оборудования ещё на этапе проектирования с учётом совместимости. Также есть мнение, что разделение лотов может повысить объёмы закупок отечественной техники, но массового перехода к прямым контрактам с заводами это вряд ли вызовет.
📸 Фото: Pixabay
#Радиоэлектроника
Отдать голос за
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤9👏2🤔2🔥1
🇷🇺 Отечественная электроника. Системы хранения. Россия
Компания Yadro сообщает о доступности старшей модели в линейке специализированных систем резервного копирования
Новую модель TATLIN.BACKUP.L отличает объем полезной емкости более 1 ПБ и два контроллера хранения для дополнительной отказоустойчивости. Решение разработано специально для крупных корпоративных сред с повышенными требования к доступности данных и объему их хранения.
Также компания выпустила масштабное обновление ПО v1.5 для всей линейки систем хранения резервных копий. В дополнение к технологиям дедупликации и компрессии данных, в системе появилась асинхронная репликация на уровне виртуальных файловых систем. Технология позволяет регулярно передавать данные на удаленную площадку, чтобы иметь возможность гарантированного восстановления в случае аварии на основном ЦОД. Также упростилась процедура самостоятельной замены дисков (CRU). Расширен комплекс мер безопасности, улучшен аудит логов при подключении по протоколу T-BOOST, обновлены инструменты мониторинга и управления системой. Это обеспечивает надежное и эффективное хранение огромных массивов информации, упрощает администрирование.
С выходом обновления v1.5 заказчикам стали доступны оптимизированные конфигурации систем TATLIN.BACKUP, оснащенные контроллерами хранения с 1.5 ТБ оперативной памяти. Вендор утверждает, что производительность системы сопоставима с конфигурациями с 2 ТБ оперативной памяти в малых инсталляциях полезной емкостью до 380 ТБ. При дальнейшем росте объемов данных и расширении ИТ-сценариев рекомендуется использовать максимальную конфигурацию с 2 ТБ оперативной памяти.
В дальнейших планах компании – развитие интеграций репликации с решениями технологических партнеров в сегменте ПО для резервного копирования. Также планируется развивать механизмы защиты резервных копий, включая поддержку неизменяемых резервных копий WORM и режим «Бункер».
Новая старшая модель TATLIN.BACKUP.L уже доступна для демонстрационного тестирования.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Компания Yadro сообщает о доступности старшей модели в линейке специализированных систем резервного копирования
Новую модель TATLIN.BACKUP.L отличает объем полезной емкости более 1 ПБ и два контроллера хранения для дополнительной отказоустойчивости. Решение разработано специально для крупных корпоративных сред с повышенными требования к доступности данных и объему их хранения.
Также компания выпустила масштабное обновление ПО v1.5 для всей линейки систем хранения резервных копий. В дополнение к технологиям дедупликации и компрессии данных, в системе появилась асинхронная репликация на уровне виртуальных файловых систем. Технология позволяет регулярно передавать данные на удаленную площадку, чтобы иметь возможность гарантированного восстановления в случае аварии на основном ЦОД. Также упростилась процедура самостоятельной замены дисков (CRU). Расширен комплекс мер безопасности, улучшен аудит логов при подключении по протоколу T-BOOST, обновлены инструменты мониторинга и управления системой. Это обеспечивает надежное и эффективное хранение огромных массивов информации, упрощает администрирование.
С выходом обновления v1.5 заказчикам стали доступны оптимизированные конфигурации систем TATLIN.BACKUP, оснащенные контроллерами хранения с 1.5 ТБ оперативной памяти. Вендор утверждает, что производительность системы сопоставима с конфигурациями с 2 ТБ оперативной памяти в малых инсталляциях полезной емкостью до 380 ТБ. При дальнейшем росте объемов данных и расширении ИТ-сценариев рекомендуется использовать максимальную конфигурацию с 2 ТБ оперативной памяти.
«Обновление 1.5 — один из самых масштабных и значимых релизов в истории TATLIN.BACKUP. Старшая модель TATLIN.BACKUP.L создавалась специально для крупнейших ИТ-инфраструктур с бескомпромиссными требованиями к доступности данных. В то же время новые конфигурации TATLIN.BACKUP оптимизируют стоимость владения решением без компромиссов в производительности, что особенно важно в условиях роста цен на электронные компоненты. Отдельное ключевое направление этого релиза - репликация. Она повышает сетевую эффективность, безопасность и киберустойчивость системы, а также формирует технологическую основу для режима «Бункер», который мы реализуем в следующей версии 1.6», - отметил Владислав Леонтьев, старший менеджер продукта TATLIN.BACKUP компании Yadro.
В дальнейших планах компании – развитие интеграций репликации с решениями технологических партнеров в сегменте ПО для резервного копирования. Также планируется развивать механизмы защиты резервных копий, включая поддержку неизменяемых резервных копий WORM и режим «Бункер».
Новая старшая модель TATLIN.BACKUP.L уже доступна для демонстрационного тестирования.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3👏3
🇰🇷 Производство памяти. Новые технологии. Аналитика. Конкуренция. Корея
Samsung представила 3D-память для ИИ: zHBM, zNAND-O и V10 BV-NAND
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, Samsung Electronics представила концептуальные модели памяти нового поколения, которые, по заявлению компании, должны кардинально изменить архитектуру ИИ-систем. Мероприятие собрало около 30 экспонатов, демонстрирующих дорожную карту Samsung в области DRAM, NAND и корпоративных хранилищ.
zHBM: память над ускорителем
Главной новинкой стала zHBM (vertical HBM) - архитектура, в которой высокоскоростная память размещается вертикально непосредственно над ИИ-ускорителем (xPU), а не рядом с ним, как в традиционных решениях. Буква «z» в названии, очевидно, означает использование вертикальной оси (Z) для трёхмерной компоновки.
По оценкам Samsung, интерфейс следующего поколения на базе zHBM обеспечит примерно прирост производительности x8 по сравнению с HBM5. Благодаря технологии склеивания пластин (wafer bonding) достигается рост плотности памяти более чем x10, а также повышение энергоэффективности x3 и снижение теплового сопротивления более чем в 2 раза. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию заказных IP-блоков в промежуточный слой между памятью и ускорителем, что позволяет расширять ёмкость и адаптировать архитектуру под конкретные задачи.
zNAND-O: для периферийного ИИ
Второй концепт - zNAND-O - высокопроизводительное NAND-решение на базе V-NAND, оптимизированное для периферийных (edge) ИИ-сред. Буква «O» означает ориентацию на on-device AI - обработку данных непосредственно на устройстве. Решение разрабатывается в четырёх- и восьмислойной конфигурациях и сочетает высокую пространственную эффективность, улучшенную скорость ввода-вывода и низкую задержку для поддержки ресурсоёмких приложений реального времени.
V10 BV-NAND: более 400 слоёв
Кроме того, Samsung впервые продемонстрировала V10 BV-NAND - 10-е поколение вертикальной NAND-памяти с новой архитектурой склеивания пластин (Bonding V-NAND) и более чем 400 слоями. Это первая в отрасли V-NAND, преодолевшая рубеж в 400 слоёв. Плотность хранения увеличена примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, при этом улучшены производительность чтения/записи и энергоэффективность.
Рынок памяти: $1 трлн в 2026 году
Samsung конкурирует с SK Hynix и Micron за лидерство на рынке памяти и выгодные контракты с ИИ-гигантами. Во втором квартале 2026 года Samsung зафиксировала рекордную операционную прибыль, чему способствовали продажи памяти.
По данным Counterpoint Research, глобальная выручка от продаж полупроводниковой памяти в 2026 году достигнет около $975 млрд - $1 трлн, что в 4,2 раза больше, чем в 2025 году ($360 трлн вон). Драйвером роста выступает беспрецедентный спрос со стороны ИИ-дата-центров на фоне ограниченного предложения. Samsung также раскрыла, что долгосрочные контракты с клиентами могут составить 60–70% её продаж памяти.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Samsung представила 3D-память для ИИ: zHBM, zNAND-O и V10 BV-NAND
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, Samsung Electronics представила концептуальные модели памяти нового поколения, которые, по заявлению компании, должны кардинально изменить архитектуру ИИ-систем. Мероприятие собрало около 30 экспонатов, демонстрирующих дорожную карту Samsung в области DRAM, NAND и корпоративных хранилищ.
zHBM: память над ускорителем
Главной новинкой стала zHBM (vertical HBM) - архитектура, в которой высокоскоростная память размещается вертикально непосредственно над ИИ-ускорителем (xPU), а не рядом с ним, как в традиционных решениях. Буква «z» в названии, очевидно, означает использование вертикальной оси (Z) для трёхмерной компоновки.
По оценкам Samsung, интерфейс следующего поколения на базе zHBM обеспечит примерно прирост производительности x8 по сравнению с HBM5. Благодаря технологии склеивания пластин (wafer bonding) достигается рост плотности памяти более чем x10, а также повышение энергоэффективности x3 и снижение теплового сопротивления более чем в 2 раза. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию заказных IP-блоков в промежуточный слой между памятью и ускорителем, что позволяет расширять ёмкость и адаптировать архитектуру под конкретные задачи.
zNAND-O: для периферийного ИИ
Второй концепт - zNAND-O - высокопроизводительное NAND-решение на базе V-NAND, оптимизированное для периферийных (edge) ИИ-сред. Буква «O» означает ориентацию на on-device AI - обработку данных непосредственно на устройстве. Решение разрабатывается в четырёх- и восьмислойной конфигурациях и сочетает высокую пространственную эффективность, улучшенную скорость ввода-вывода и низкую задержку для поддержки ресурсоёмких приложений реального времени.
V10 BV-NAND: более 400 слоёв
Кроме того, Samsung впервые продемонстрировала V10 BV-NAND - 10-е поколение вертикальной NAND-памяти с новой архитектурой склеивания пластин (Bonding V-NAND) и более чем 400 слоями. Это первая в отрасли V-NAND, преодолевшая рубеж в 400 слоёв. Плотность хранения увеличена примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, при этом улучшены производительность чтения/записи и энергоэффективность.
Рынок памяти: $1 трлн в 2026 году
Samsung конкурирует с SK Hynix и Micron за лидерство на рынке памяти и выгодные контракты с ИИ-гигантами. Во втором квартале 2026 года Samsung зафиксировала рекордную операционную прибыль, чему способствовали продажи памяти.
По данным Counterpoint Research, глобальная выручка от продаж полупроводниковой памяти в 2026 году достигнет около $975 млрд - $1 трлн, что в 4,2 раза больше, чем в 2025 году ($360 трлн вон). Драйвером роста выступает беспрецедентный спрос со стороны ИИ-дата-центров на фоне ограниченного предложения. Samsung также раскрыла, что долгосрочные контракты с клиентами могут составить 60–70% её продаж памяти.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3❤2🤣1
🇺🇸 Геополитика и микроэлектроника. Производство поликремния. США
Трамп ввел 15% пошлину на поликремний в рамках борьбы с доминированием Китая в этом сегменте
6 августа 2026 года в США подписан указ о введении 15% пошлины на импорт поликристаллического кремния (поликремния) и продукции из него. Одновременно установлены минимальные импортные цены: $21 за кг поликремния и $100 за кг готовой продукции из него. Документ подписан в рамках расследования Минторга США о рисках для нацбезопасности в рамках цепочки поставок поликремния.
Пошлины вступят в силу через 120 дней - 4 декабря 2026 года. Указ также предусматривает механизм предотвращения накопления запасов в ожидании введения пошлин: Таможенно-пограничная служба США получила полномочия ограничивать импорт при подозрении в попытках уклониться от уплаты новых пошлин. Кроме того, министру торговли поручено разработать программу стимулирования для компаний, строящих или расширяющих производство поликремния в США.
Поликремний - сырьё для полупроводников и солнечных панелей. Китай контролирует более 90% мирового производства этого материала, тогда как доля США упала с 50% в 2005 году до менее 2%. Как заявил министр торговли Говард Лутник, новые меры должны перенести цепь поставок в США.
Посольство КНР в Вашингтоне заявило, что США «злоупотребляют государственной властью для атак на китайский бизнес», а протекционизм «не сделает США более конкурентоспособными». Китайские эксперты назвали меры протекционистскими и предупредили о росте издержек для американских производителей и отрасли солнечной электроэнергетики.
В России есть собственное производство поликремния, но оно не обеспечивает потребностей страны, во многом потому, что сталкивается с проблемами из-за демпингового импорта из Китая, которое делает российское производство мало конкурентным.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Трамп ввел 15% пошлину на поликремний в рамках борьбы с доминированием Китая в этом сегменте
6 августа 2026 года в США подписан указ о введении 15% пошлины на импорт поликристаллического кремния (поликремния) и продукции из него. Одновременно установлены минимальные импортные цены: $21 за кг поликремния и $100 за кг готовой продукции из него. Документ подписан в рамках расследования Минторга США о рисках для нацбезопасности в рамках цепочки поставок поликремния.
Пошлины вступят в силу через 120 дней - 4 декабря 2026 года. Указ также предусматривает механизм предотвращения накопления запасов в ожидании введения пошлин: Таможенно-пограничная служба США получила полномочия ограничивать импорт при подозрении в попытках уклониться от уплаты новых пошлин. Кроме того, министру торговли поручено разработать программу стимулирования для компаний, строящих или расширяющих производство поликремния в США.
Поликремний - сырьё для полупроводников и солнечных панелей. Китай контролирует более 90% мирового производства этого материала, тогда как доля США упала с 50% в 2005 году до менее 2%. Как заявил министр торговли Говард Лутник, новые меры должны перенести цепь поставок в США.
Посольство КНР в Вашингтоне заявило, что США «злоупотребляют государственной властью для атак на китайский бизнес», а протекционизм «не сделает США более конкурентоспособными». Китайские эксперты назвали меры протекционистскими и предупредили о росте издержек для американских производителей и отрасли солнечной электроэнергетики.
В России есть собственное производство поликремния, но оно не обеспечивает потребностей страны, во многом потому, что сталкивается с проблемами из-за демпингового импорта из Китая, которое делает российское производство мало конкурентным.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍1
🇷🇺 Измерительное оборудование. Электронные микроскопы. Россия
В ЗНТЦ займутся разработкой опытного образца сканирующего электронного микроскопа для контроля чипов
Об этом сообщает CNews. Оборудование типа CD-SEM должно позволять контролировать и измерять размеры элементов, сформированных на поверхности подложек - пластин диаметром 100, 150 и 200 мм.
Российская разработка, как ожидается, сможет заменить японские установки Hitachi CD-SEM S-9380 и CG4000.
Как и в других подобных случаях, критические узлы должны быть отечественными (электронная пушка, электронно-оптическая колонна, рабочая камера, вакуумные насосы, механизм загрузки-выгрузки пластин, центральный контроллер и программное обеспечение).
Сумма контракта - 2,37 млрд. Срок исполнения - до 30 июня 2030 года.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В ЗНТЦ займутся разработкой опытного образца сканирующего электронного микроскопа для контроля чипов
Об этом сообщает CNews. Оборудование типа CD-SEM должно позволять контролировать и измерять размеры элементов, сформированных на поверхности подложек - пластин диаметром 100, 150 и 200 мм.
Российская разработка, как ожидается, сможет заменить японские установки Hitachi CD-SEM S-9380 и CG4000.
Как и в других подобных случаях, критические узлы должны быть отечественными (электронная пушка, электронно-оптическая колонна, рабочая камера, вакуумные насосы, механизм загрузки-выгрузки пластин, центральный контроллер и программное обеспечение).
Сумма контракта - 2,37 млрд. Срок исполнения - до 30 июня 2030 года.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍8🔥2❤1👀1
🇰🇷 Производство памяти. Крупнейшие участники рынка. Инвестиции. Корея
SK Hynix инвестирует $38,3 млрд (54.3 трлн вон) в 2 новых фаба в Южной Корее
Это решение является частью более широкой долгосрочной стратегии компании, предусматривающей вложение 600 трлн вон в полупроводниковый кластер в Йонгине и 100 трлн вон в расширение производства в Чхонджу.
На завод Y2 в Йонгине будет направлено 35,2 трлн вон ($24,8 млрд) - это примерно две трети от общего бюджета. Y2 станет вторым из четырёх заводов в кластере Йонгина и будет производить DRAM и HBM для ИИ-серверов. Строительство начнётся в июле 2027 года, первая чистая комната должна заработать в июне 2029 года.
Ещё 19,1 трлн вон ($13,5 млрд) будут вложены в фаб M17 в Чхонджу, который будет выпускать память NAND-флеш. Строительство M17 начнётся раньше - в феврале 2027 года, а первая чистая комната откроется в декабре 2028 года.
Чхонджу выбран потому, что там уже работают заводы M11, M12 и M15 компании, что позволяет эффективно использовать существующую инфраструктуру.
SK Hynix намерена ускорить готовность всех четырёх фабов в кластере Йонгина, передвинув сроки полной готовности с 2045 года на 2033 год. При этом инфраструктура первой очереди кластера (энергоснабжение, водоснабжение) уже готова на 99%.
Генеральный директор SK Hynix предупредил, что 2027 год окажется годом наиболее серьёзного дефицита памяти в истории отрасли, спрос будет опережать производственные мощности как минимум до 2030 года. Компания рассматривает текущий рост спроса не как временный цикл, а как структурный сдвиг, в котором память стала ядром ИИ-инфраструктуры.
Во втором квартале 2026 года SK Hynix отчиталась о рекордной операционной прибыли в 60,54 трлн вон - рост на 557% год к году.
Конкурентная картина
Инвестиции SK Hynix - часть трёхсторонней гонки, в которую включились все крупнейшие производители памяти (впрочем, не стоит забывать и об активных китайских попытках выхода на этот рынок).
🇰🇷 Samsung Electronics остаётся лидером по масштабу. На 2026 год компания анонсировала инвестиции свыше $70 млрд в расширение производственных мощностей и НИОКР. В более долгосрочной перспективе Samsung планирует вложить 2 100 трлн вон в производство чипов до 2040 года. Вместе с SK Hynix компании также совместно инвестируют 800 трлн вон ($518 млрд) в создание нового полупроводникового хаба на юго-западе Кореи. По доле рынка Samsung лидирует с 38%, SK Hynix занимает второе место с 29%.
🇺🇸 Micron Technology - третий участник рынка и крупнейший производитель памяти в США. Компания планирует потратить около $27 млрд капитальных расходов в 2026 финансовом году с дальнейшим ростом в 2027-м. Мощности Micron по выпуску HBM полностью распроданы до конца 2026 года, а компания не ожидает, что предложение догонит спрос раньше 2028 года. Доля Micron на рынке оценивается в 22%.
SK Hynix с инвестициями $38 млрд находится между более масштабными ($70 млрд+) вложениями Samsung и более скромными ($27 млрд) расходами Micron, но опережает обоих по темпам роста операционной прибыли и занимает прочную позицию в сегменте HBM для ИИ.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
SK Hynix инвестирует $38,3 млрд (54.3 трлн вон) в 2 новых фаба в Южной Корее
Это решение является частью более широкой долгосрочной стратегии компании, предусматривающей вложение 600 трлн вон в полупроводниковый кластер в Йонгине и 100 трлн вон в расширение производства в Чхонджу.
На завод Y2 в Йонгине будет направлено 35,2 трлн вон ($24,8 млрд) - это примерно две трети от общего бюджета. Y2 станет вторым из четырёх заводов в кластере Йонгина и будет производить DRAM и HBM для ИИ-серверов. Строительство начнётся в июле 2027 года, первая чистая комната должна заработать в июне 2029 года.
Ещё 19,1 трлн вон ($13,5 млрд) будут вложены в фаб M17 в Чхонджу, который будет выпускать память NAND-флеш. Строительство M17 начнётся раньше - в феврале 2027 года, а первая чистая комната откроется в декабре 2028 года.
Чхонджу выбран потому, что там уже работают заводы M11, M12 и M15 компании, что позволяет эффективно использовать существующую инфраструктуру.
SK Hynix намерена ускорить готовность всех четырёх фабов в кластере Йонгина, передвинув сроки полной готовности с 2045 года на 2033 год. При этом инфраструктура первой очереди кластера (энергоснабжение, водоснабжение) уже готова на 99%.
Генеральный директор SK Hynix предупредил, что 2027 год окажется годом наиболее серьёзного дефицита памяти в истории отрасли, спрос будет опережать производственные мощности как минимум до 2030 года. Компания рассматривает текущий рост спроса не как временный цикл, а как структурный сдвиг, в котором память стала ядром ИИ-инфраструктуры.
Во втором квартале 2026 года SK Hynix отчиталась о рекордной операционной прибыли в 60,54 трлн вон - рост на 557% год к году.
Конкурентная картина
Инвестиции SK Hynix - часть трёхсторонней гонки, в которую включились все крупнейшие производители памяти (впрочем, не стоит забывать и об активных китайских попытках выхода на этот рынок).
🇰🇷 Samsung Electronics остаётся лидером по масштабу. На 2026 год компания анонсировала инвестиции свыше $70 млрд в расширение производственных мощностей и НИОКР. В более долгосрочной перспективе Samsung планирует вложить 2 100 трлн вон в производство чипов до 2040 года. Вместе с SK Hynix компании также совместно инвестируют 800 трлн вон ($518 млрд) в создание нового полупроводникового хаба на юго-западе Кореи. По доле рынка Samsung лидирует с 38%, SK Hynix занимает второе место с 29%.
🇺🇸 Micron Technology - третий участник рынка и крупнейший производитель памяти в США. Компания планирует потратить около $27 млрд капитальных расходов в 2026 финансовом году с дальнейшим ростом в 2027-м. Мощности Micron по выпуску HBM полностью распроданы до конца 2026 года, а компания не ожидает, что предложение догонит спрос раньше 2028 года. Доля Micron на рынке оценивается в 22%.
SK Hynix с инвестициями $38 млрд находится между более масштабными ($70 млрд+) вложениями Samsung и более скромными ($27 млрд) расходами Micron, но опережает обоих по темпам роста операционной прибыли и занимает прочную позицию в сегменте HBM для ИИ.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤2🤣1
🇺🇸 Чипы ИИ. Участники рынка. США
Anthropic подтвердила создание собственной команды разработчиков микросхем для Claude
Компания Anthropic официально подтвердила, что формирует внутреннюю команду по разработке «кастомного кремния» для создания специализированных чипов под свои модели ИИ Claude.
Это публичное подтверждение планов компании по разработке собственных процессоров. Как сообщили в Anthropic изданию Business Insider, целью является повышение производительности и эффективности моделей на фоне растущего спроса.
В компании подчеркнули, что не намерены отказываться от существующих поставщиков. Anthropic будет придерживаться «мультичиповой стратегии» (multi-chip strategy), продолжая использовать решения AWS (Trainium), Google (TPU), Nvidia и AMD. Создание собственной команды инженеров с опытом работы на всех уровнях стека позволит компании разрабатывать оборудование и модели в тесной связке.
Ранее, в июле 2026 года, СМИ сообщали, что Anthropic ведёт переговоры с Samsung Electronics о возможном производстве своих чипов с использованием 2-нм техпроцесса Samsung Foundry. В апреле 2026 года Reuters также сообщало, что Anthropic изучает возможность создания собственных чипов.
Компания ведет найм специалистов – в объявлении о вакансии для инженеров по разработке чипов указан диапазон заработной платы от $320 тысяч до $485 тысяч в год (от 2,17 млн до 3,29 млн рублей в месяц – в России я о таких зарплатах для инженеров не слышал).
Компания ищет специалистов в области архитектуры, верификации, физического проектирования, производства и упаковки чипов.
Если планы Anthropic по созданию собственных чипов будут реализованы, компания пополнит растущий список игроков, разрабатывающих собственные процессоры для ИИ: OpenAI (проект Jápadá, партнёрство с Broadcom), Google (чип Frozen v2 для Gemini) и Amazon (собственные чипы Trainium и Inferentia).
А что у нас?
Яндекс на данный момент не анонсировал разработку собственных ИИ-чипов. Компания обучает свои модели на суперкомпьютерах, построенных на GPU Nvidia (H100, A100). Пополнять парк новейшими американскими чипами стало сложно. Возможная перспектива – использование китайских чипов.
Сбер показывал прототип фотонного чипа на ранней стадии, но это пока что, скорее, научно-исследовательская разработка, а не серийное изделие. В будущем компания, вероятно, будет использовать китайские чипы, но пока что их не применяет.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Anthropic подтвердила создание собственной команды разработчиков микросхем для Claude
Компания Anthropic официально подтвердила, что формирует внутреннюю команду по разработке «кастомного кремния» для создания специализированных чипов под свои модели ИИ Claude.
Это публичное подтверждение планов компании по разработке собственных процессоров. Как сообщили в Anthropic изданию Business Insider, целью является повышение производительности и эффективности моделей на фоне растущего спроса.
В компании подчеркнули, что не намерены отказываться от существующих поставщиков. Anthropic будет придерживаться «мультичиповой стратегии» (multi-chip strategy), продолжая использовать решения AWS (Trainium), Google (TPU), Nvidia и AMD. Создание собственной команды инженеров с опытом работы на всех уровнях стека позволит компании разрабатывать оборудование и модели в тесной связке.
Ранее, в июле 2026 года, СМИ сообщали, что Anthropic ведёт переговоры с Samsung Electronics о возможном производстве своих чипов с использованием 2-нм техпроцесса Samsung Foundry. В апреле 2026 года Reuters также сообщало, что Anthropic изучает возможность создания собственных чипов.
Компания ведет найм специалистов – в объявлении о вакансии для инженеров по разработке чипов указан диапазон заработной платы от $320 тысяч до $485 тысяч в год (от 2,17 млн до 3,29 млн рублей в месяц – в России я о таких зарплатах для инженеров не слышал).
Компания ищет специалистов в области архитектуры, верификации, физического проектирования, производства и упаковки чипов.
Если планы Anthropic по созданию собственных чипов будут реализованы, компания пополнит растущий список игроков, разрабатывающих собственные процессоры для ИИ: OpenAI (проект Jápadá, партнёрство с Broadcom), Google (чип Frozen v2 для Gemini) и Amazon (собственные чипы Trainium и Inferentia).
А что у нас?
Яндекс на данный момент не анонсировал разработку собственных ИИ-чипов. Компания обучает свои модели на суперкомпьютерах, построенных на GPU Nvidia (H100, A100). Пополнять парк новейшими американскими чипами стало сложно. Возможная перспектива – использование китайских чипов.
Сбер показывал прототип фотонного чипа на ранней стадии, но это пока что, скорее, научно-исследовательская разработка, а не серийное изделие. В будущем компания, вероятно, будет использовать китайские чипы, но пока что их не применяет.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🙈4✍2❤1👍1