🇺🇸 Производство микроэлектроники. Производство памяти. Внутреннее производство. Инвестиции. Тренды. США
Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
Компания Micron Technology представила планы наращивания инвестиций в производство чипов памяти в США с $200 млрд до более $250 млрд до 2035 года, что в компании объясняют растущим спросом на микросхемы памяти в эпоху ИИ. А заодно в компании красиво связали эту цифру с 250-летием США.
Это добавляет к ранее анонсированным планам еще $50 млрд. Все эти средства, что принципиально важно, должны быть вложены в стране. Так промышленные гиганты США участвуют в программе решоринга производства и восстановления производственных возможностей США.
Micron заявила, что рост инвестиций поддержит ее долгосрочную цель – нарастить выпуск доли DRAM, производимой в стране до 40%, и создать новые рабочие места для американцев.
Компания Micron сообщила, что строительство нового производства в Клей, Нью-Йорк идет с опережением на квартал относительно ранее запланированных сроков, площадка уже готова и строители перешли к «вертикальному строительству». Кроме того, компания работает над расширением производства в штатах Айдахо (две фабрики в Бойсе) и Вирджиния. Ожидается, что эти проекты создадут в общей сложности более 90 тысяч рабочих мест, из них 50 тысяч в штате Нью-Йорк, 9 тысяч из них – прямые рабочие места на производстве в Клей.
Эти события стоит рассматривать не изолированно, а в рамках других схожих событий. На днях правительство Южной Кореи объявило, что два основных конкурента американской Micron, то есть компании Samsung Electronics и SK Hynix возглавят программу инвестиций в развитие полупроводников и ИИ в стране в размере $1 трлн. Samsung и SK Hynix вместе инвестируют примерно $518 млрд в строительство заводов по производству чипов. Отдельно другие конгломераты (SK Group, GS Group, Naver) планируют вложить около $356 млрд в центры обработки данных. Так что планируемые инвестиции Micron - примерно на уровне инвестиций основных конкурентов этой компании.
Кроме того, Micron выделит еще $3 млрд, которые пойдут на «укрепление цепочки поставок полупроводников в США». В частности, Micron предоставит стратегическую поддержку в размере $500 млн тайваньской компании GlobalWafers для развития производства кремниевых пластин в штате Техас. Компании заключили 10-летнее соглашение о предоставлении Micron доступа к значительной доле мощностей GlobalWafers по производству кремниевых пластин для поддержки долгосрочных производственных планов и укрепления экосистемы полупроводникового производства в США.
Еще один пример из США - активностей по наращиванию производственных мощностей, выстраиванию и замыканию производственных цепочек внутри США и формированию долгосрочных партнерств между участниками цепочек поставок, своего рода, консолидации рынка.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
Компания Micron Technology представила планы наращивания инвестиций в производство чипов памяти в США с $200 млрд до более $250 млрд до 2035 года, что в компании объясняют растущим спросом на микросхемы памяти в эпоху ИИ. А заодно в компании красиво связали эту цифру с 250-летием США.
Это добавляет к ранее анонсированным планам еще $50 млрд. Все эти средства, что принципиально важно, должны быть вложены в стране. Так промышленные гиганты США участвуют в программе решоринга производства и восстановления производственных возможностей США.
Micron заявила, что рост инвестиций поддержит ее долгосрочную цель – нарастить выпуск доли DRAM, производимой в стране до 40%, и создать новые рабочие места для американцев.
Компания Micron сообщила, что строительство нового производства в Клей, Нью-Йорк идет с опережением на квартал относительно ранее запланированных сроков, площадка уже готова и строители перешли к «вертикальному строительству». Кроме того, компания работает над расширением производства в штатах Айдахо (две фабрики в Бойсе) и Вирджиния. Ожидается, что эти проекты создадут в общей сложности более 90 тысяч рабочих мест, из них 50 тысяч в штате Нью-Йорк, 9 тысяч из них – прямые рабочие места на производстве в Клей.
Эти события стоит рассматривать не изолированно, а в рамках других схожих событий. На днях правительство Южной Кореи объявило, что два основных конкурента американской Micron, то есть компании Samsung Electronics и SK Hynix возглавят программу инвестиций в развитие полупроводников и ИИ в стране в размере $1 трлн. Samsung и SK Hynix вместе инвестируют примерно $518 млрд в строительство заводов по производству чипов. Отдельно другие конгломераты (SK Group, GS Group, Naver) планируют вложить около $356 млрд в центры обработки данных. Так что планируемые инвестиции Micron - примерно на уровне инвестиций основных конкурентов этой компании.
Кроме того, Micron выделит еще $3 млрд, которые пойдут на «укрепление цепочки поставок полупроводников в США». В частности, Micron предоставит стратегическую поддержку в размере $500 млн тайваньской компании GlobalWafers для развития производства кремниевых пластин в штате Техас. Компании заключили 10-летнее соглашение о предоставлении Micron доступа к значительной доле мощностей GlobalWafers по производству кремниевых пластин для поддержки долгосрочных производственных планов и укрепления экосистемы полупроводникового производства в США.
Еще один пример из США - активностей по наращиванию производственных мощностей, выстраиванию и замыканию производственных цепочек внутри США и формированию долгосрочных партнерств между участниками цепочек поставок, своего рода, консолидации рынка.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍1
🇺🇸 Производство микроэлектроники. Оборудование для производства микроэлектроники. Электронно-лучевая литография. Прототипирование и мелкосерийное производство. США
Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
Американец Сэм Зелуф известен как один из пионеров DIY-производства микроэлектроники. Как и ожидается в таких случаях, еще подростком он дошел до техпроцесса 300 нм в гараже родителей. В 2022 году к Сэма Зелуфа появился партнер Джим Келлер с опытом разработки AMD Zen и Apple A-Series) и был основан стартап (как по мне, каждый талантливый подросток должен получить опыт создания и работы в своем стартапе). И пока что этот стартап продолжает выглядеть очень интересным и бизнес-перспективным.
Интересен и необычен подход компании. Если сейчас чаще всего ради сокращения времени выхода на рынок любые изделия, включая производственное оборудование проектируют и собирают, как конструктор, из готовых частей / модулей, покупая их у других производителей, то в Fab2 исповедуют «сделай сам» - здесь создают даже такие компоненты, как насосы, клапаны, газовые магистрали, вакуумные клапаны, установки литографии (включая электронно-лучевую), системы осаждения и травления, нагреватели, датчики и актуаторы. Из этих компонентов собирают машины. Из машин – мини-фабы.
В комплект входит собственный браузерный EDA-инструмент для проектирования топологий, схем и симуляций. Раньше известный под названием Atomic Studio, сейчас он называется просто Studio. Это позволяет инженеру придумать схему, запустить симуляцию, отправить выбранный дизайн в мини-фаб и через несколько часов/дней получить прототип чипа.
Производство fab fab развернуто в Локхарте, Техас, 2.8 тыс кв.м - здесь оказалось проще найти квалифицированный персонал, чем в Сан-Франциско, где сохранилась «гаражная фабрика» с которой все началось, теперь она играет роль лаборатории. А в Остине, Техас, 11 тыс кв.м расположилась новая штаб-квартира компании (да, теперь «все как у больших»), где также идут исследования и даже производство.
Так просто? Стартап-убийца ASML и прочих производителей оборудования для микроэлектронного производства?
Нет. За все нужно платить, и в данном случае, платой за компактность решения и возможность быстро и недорого получить прототип чипа, является низкая пропускная способность решения.
Fab2 использует электронно-лучевую литографию: луч рисует рисунок на подложке напрямую, без маски. Формирование одного слоя даже на небольшом чипе может занять значительно больше времени, чем EUV-сканер тратит на экспонирование целой 300-мм пластины. Поэтому решения Fab2 хороши для прототипирования, в каких-то случаях для мелкой серии, но не для крупного контрактного производства.
Покупатели продукции Fab2 платят не за производственные мощности, как таковые, а за короткий цикл разработки. Кроме того, решения Fab2 снижают барьер входа в отрасль. «Выпекать» микросхемы, оказывается, можно и в своем гараже, университете или даже школе. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
Американец Сэм Зелуф известен как один из пионеров DIY-производства микроэлектроники. Как и ожидается в таких случаях, еще подростком он дошел до техпроцесса 300 нм в гараже родителей. В 2022 году к Сэма Зелуфа появился партнер Джим Келлер с опытом разработки AMD Zen и Apple A-Series) и был основан стартап (как по мне, каждый талантливый подросток должен получить опыт создания и работы в своем стартапе). И пока что этот стартап продолжает выглядеть очень интересным и бизнес-перспективным.
Интересен и необычен подход компании. Если сейчас чаще всего ради сокращения времени выхода на рынок любые изделия, включая производственное оборудование проектируют и собирают, как конструктор, из готовых частей / модулей, покупая их у других производителей, то в Fab2 исповедуют «сделай сам» - здесь создают даже такие компоненты, как насосы, клапаны, газовые магистрали, вакуумные клапаны, установки литографии (включая электронно-лучевую), системы осаждения и травления, нагреватели, датчики и актуаторы. Из этих компонентов собирают машины. Из машин – мини-фабы.
В комплект входит собственный браузерный EDA-инструмент для проектирования топологий, схем и симуляций. Раньше известный под названием Atomic Studio, сейчас он называется просто Studio. Это позволяет инженеру придумать схему, запустить симуляцию, отправить выбранный дизайн в мини-фаб и через несколько часов/дней получить прототип чипа.
Производство fab fab развернуто в Локхарте, Техас, 2.8 тыс кв.м - здесь оказалось проще найти квалифицированный персонал, чем в Сан-Франциско, где сохранилась «гаражная фабрика» с которой все началось, теперь она играет роль лаборатории. А в Остине, Техас, 11 тыс кв.м расположилась новая штаб-квартира компании (да, теперь «все как у больших»), где также идут исследования и даже производство.
Так просто? Стартап-убийца ASML и прочих производителей оборудования для микроэлектронного производства?
Нет. За все нужно платить, и в данном случае, платой за компактность решения и возможность быстро и недорого получить прототип чипа, является низкая пропускная способность решения.
Fab2 использует электронно-лучевую литографию: луч рисует рисунок на подложке напрямую, без маски. Формирование одного слоя даже на небольшом чипе может занять значительно больше времени, чем EUV-сканер тратит на экспонирование целой 300-мм пластины. Поэтому решения Fab2 хороши для прототипирования, в каких-то случаях для мелкой серии, но не для крупного контрактного производства.
Покупатели продукции Fab2 платят не за производственные мощности, как таковые, а за короткий цикл разработки. Кроме того, решения Fab2 снижают барьер входа в отрасль. «Выпекать» микросхемы, оказывается, можно и в своем гараже, университете или даже школе. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
1🔥8❤3👏1
Forwarded from Пульс Телекома | АНО ТКО
Идеальный вариант кооперации производителя конечного устройства и электронных микрокомпонентов уже обсуждали на этой неделе на «Иннопроме». Ключевой тезис, который озвучил Андрей Евдокимов из «Байкал Электроникс», звучит принципиально: нельзя спроектировать чип для смартфона, не видя всей архитектуры устройства целиком. Смартфон как один из вариантов глубоко интегрированных систем требует тесного диалога между теми, кто делает электронные компоненты и прочую аппаратную и софтверную часть. А главное преимущество такого сотрудничества еще и в возможности адаптации компонентов под требования заказчика.
Этот подход — отражение общемирового тренда. Его наглядно подтверждает крупная сделка, о которой на этой же неделе объявила компания Apple: она инвестирует более $30 млрд в партнёрство с Broadcom по производству микросхем. Соглашение предусматривает выпуск свыше 15 млрд чипов на территории США. Это не просто закупка компонентов, а долгосрочная кооперация: Broadcom будет разрабатывать и поставлять заказные ASIC‑чипы сразу для нескольких поколений продуктов Apple.
В рамках соглашения Broadcom расширит и модернизирует свои производственные мощности в Форт-Коллинсе, штат Колорадо, США, вложив в это предприятие еще $1,5 млрд. Как заявляется, Broadcom будет производить на этом предприятии передовые радиочастотные компоненты для продукции Apple, в том числе решения для беспроводной связи, критически важные для современных мобильных устройств.
Телеком-аналитик Алексей Бойко, автор канала @abloud62, отмечает, что
Таким образом, и в российском, и в мировом сегменте электроники прослеживается единая логика: сложность современных устройств растёт, и максимальная эффективность достигается не за счёт универсальных компонентов, а через тесную кооперацию разработчиков на самых ранних этапах. Этот подход позволяет создавать решения, оптимально сбалансированные по характеристикам, срокам и надёжности.
#вмире
Этот подход — отражение общемирового тренда. Его наглядно подтверждает крупная сделка, о которой на этой же неделе объявила компания Apple: она инвестирует более $30 млрд в партнёрство с Broadcom по производству микросхем. Соглашение предусматривает выпуск свыше 15 млрд чипов на территории США. Это не просто закупка компонентов, а долгосрочная кооперация: Broadcom будет разрабатывать и поставлять заказные ASIC‑чипы сразу для нескольких поколений продуктов Apple.
В рамках соглашения Broadcom расширит и модернизирует свои производственные мощности в Форт-Коллинсе, штат Колорадо, США, вложив в это предприятие еще $1,5 млрд. Как заявляется, Broadcom будет производить на этом предприятии передовые радиочастотные компоненты для продукции Apple, в том числе решения для беспроводной связи, критически важные для современных мобильных устройств.
Телеком-аналитик Алексей Бойко, автор канала @abloud62, отмечает, что
«использование ASIC в смартфонах становится трендом. Происходит фундаментальная смена модели: крупные технологические компании отказываются от покупки стандартизированных чипов у универсальных поставщиков и переходят к проектированию собственных ASIC под свои специфические задачи. Это даёт им контроль над производительностью, энергопотреблением и сроками поставок. По сути, происходит фундаментальная смена модели: вместо «сборки из готовых блоков» рынок движется к сквозному проектированию, где чип изначально создаётся под конкретную систему.
Сделка Apple и Broadcom показательна ещё и с точки зрения выстраивания цепочек поставок. Она демонстрирует, что глобальные производители стремятся локализовать ключевые этапы производства внутри одной страны - в данном случае в США. И хотя процесс решоринга идёт непросто, подобные инициативы говорят о системной работе по консолидации рынка и формированию долгосрочных партнёрств».
Таким образом, и в российском, и в мировом сегменте электроники прослеживается единая логика: сложность современных устройств растёт, и максимальная эффективность достигается не за счёт универсальных компонентов, а через тесную кооперацию разработчиков на самых ранних этапах. Этот подход позволяет создавать решения, оптимально сбалансированные по характеристикам, срокам и надёжности.
#вмире
1❤4🔥3
🇷🇺 Микроэлектроника. Новости отрасли одним абзацем. Россия
Микроконтроллеры RISC-V НИИЭТ K192ВГ1Т, К1921ВГ3Т, K1921ВГ5Т и К1921ВГ7Т вошли в Реестр российской промышленной продукции и Единый реестр радиоэлектронной продукции Минпромторга России, сообщает CNews. Эта мини-линейка была анонсирована в октябре 2020 года. А в апреле 2026 года стало известно о том, что НИИЭТ (ГК Элемент) разрабатывает версии в компактном корпусе.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Микроконтроллеры RISC-V НИИЭТ K192ВГ1Т, К1921ВГ3Т, K1921ВГ5Т и К1921ВГ7Т вошли в Реестр российской промышленной продукции и Единый реестр радиоэлектронной продукции Минпромторга России, сообщает CNews. Эта мини-линейка была анонсирована в октябре 2020 года. А в апреле 2026 года стало известно о том, что НИИЭТ (ГК Элемент) разрабатывает версии в компактном корпусе.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍13❤5
🔬 Микроэлектроника. Научные изыскания. Двумерные материалы
Некремниевые транзисторы на основе двумерных материалов будут более компактными – новые измерения это подтвердили
Ученые (Национальный университет Тайваня и коллеги из других организаций) измерили длину переноса носителей (carrier transfer length) в контакте металл-двумерный материал, в данном случае, в Bi/MoS₂. Этот параметр определяет, насколько малыми можно сделать контакты транзистора без потери производительности.
Используя поперечную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию (XSTM/S) с возможностью приложения рабочего напряжения непосредственно в процессе измерений, ученые определили область инжекции тока в контакте Bi/MoS₂. До сих пор оценки длины этой области основывались на теоретических моделях.
Длина переноса составила 2,0-3,0 нм при комнатной температуре. Это означает что контакты транзисторов на основе двумерных материалом можно будет масштабировать до размеров техпроцесса 1 нм без катастрофического роста контактного сопротивления.
От двумерных материалов типа MoS₂, графен и т.п. мы ожидаем, что они смогут заменить кремний в транзисторах будущего, поскольку они очень тонкие (всего 1 слой атомов) и обеспечивают хороший электростатический контроль затвора. Но узким местом остаются контакты – при уменьшении их размеров сопротивление повышается, что затрудняет работу. Зная точную длину переноса, порядка 2 нм, инженеры знают и физический предел миниатюризации контактов для этого класса материалов, что позволит создавать чипы со сверхплотными расположением узлов – для ИИ и высокопроизводительных материалов.
Подробнее: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10707-0
Подписи к картинке:
a) Схематическое изображение структуры образца.
b) Поперечный срез образца для СТМ, полученный сколом в сверхвысоком вакууме. Длина канала и длина контакта в исследуемом приборе составляют 2 мкм.
c) СТМ-зондирование на боковом срезе образца, в котором в ходе СТМ-измерения прикладывается напряжение сток–исток VDS, где VS обозначает смещение на образце для процесса СТМ.
d) Схема прибора вблизи стокового контакта Bi и MoS₂. Край стокового контакта Bi обозначен как С.Е. (край контакта).
e) Топография области сколотой поверхности в зоне края контакта (С.Е.) в крупном масштабе - от контакта Bi через диэлектрик HfO₂ до подложки Si.
f) Топография с высоким разрешением, сфокусированная на зоне края контакта (С.Е.), с вычислением первой производной для каждой линии вдоль оси x для выделения контуров контакта Bi и монослоя (ML) MoS₂ (чёрные линии) в области С.Е.
g) Изображение производной туннельного тока dI/dV с высоким разрешением с тем же контуром Bi в области С.Е., определённым на панели f. Изображение получено при напряжении смещения на образце Vs = +2.0В, токе It = 400 пА и напряжении сток-исток VDS = 0.0В.
Белые и красные пунктирные линии на панелях f и g обозначают положение линейных развёрток STS.
h) Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения поперечного сечения (HR-XTEM) границы Bi/MoS₂ (верхняя панель) и соответствующее картографирование элементов методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (нижняя панель). a.u. - произвольные единицы.
Масштабные линейки: 50 нм (e); 5 нм (f,g); 20 нм (h, верхняя и нижняя панели).
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Некремниевые транзисторы на основе двумерных материалов будут более компактными – новые измерения это подтвердили
Ученые (Национальный университет Тайваня и коллеги из других организаций) измерили длину переноса носителей (carrier transfer length) в контакте металл-двумерный материал, в данном случае, в Bi/MoS₂. Этот параметр определяет, насколько малыми можно сделать контакты транзистора без потери производительности.
Используя поперечную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию (XSTM/S) с возможностью приложения рабочего напряжения непосредственно в процессе измерений, ученые определили область инжекции тока в контакте Bi/MoS₂. До сих пор оценки длины этой области основывались на теоретических моделях.
Длина переноса составила 2,0-3,0 нм при комнатной температуре. Это означает что контакты транзисторов на основе двумерных материалом можно будет масштабировать до размеров техпроцесса 1 нм без катастрофического роста контактного сопротивления.
От двумерных материалов типа MoS₂, графен и т.п. мы ожидаем, что они смогут заменить кремний в транзисторах будущего, поскольку они очень тонкие (всего 1 слой атомов) и обеспечивают хороший электростатический контроль затвора. Но узким местом остаются контакты – при уменьшении их размеров сопротивление повышается, что затрудняет работу. Зная точную длину переноса, порядка 2 нм, инженеры знают и физический предел миниатюризации контактов для этого класса материалов, что позволит создавать чипы со сверхплотными расположением узлов – для ИИ и высокопроизводительных материалов.
Подробнее: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10707-0
Подписи к картинке:
a) Схематическое изображение структуры образца.
b) Поперечный срез образца для СТМ, полученный сколом в сверхвысоком вакууме. Длина канала и длина контакта в исследуемом приборе составляют 2 мкм.
c) СТМ-зондирование на боковом срезе образца, в котором в ходе СТМ-измерения прикладывается напряжение сток–исток VDS, где VS обозначает смещение на образце для процесса СТМ.
d) Схема прибора вблизи стокового контакта Bi и MoS₂. Край стокового контакта Bi обозначен как С.Е. (край контакта).
e) Топография области сколотой поверхности в зоне края контакта (С.Е.) в крупном масштабе - от контакта Bi через диэлектрик HfO₂ до подложки Si.
f) Топография с высоким разрешением, сфокусированная на зоне края контакта (С.Е.), с вычислением первой производной для каждой линии вдоль оси x для выделения контуров контакта Bi и монослоя (ML) MoS₂ (чёрные линии) в области С.Е.
g) Изображение производной туннельного тока dI/dV с высоким разрешением с тем же контуром Bi в области С.Е., определённым на панели f. Изображение получено при напряжении смещения на образце Vs = +2.0В, токе It = 400 пА и напряжении сток-исток VDS = 0.0В.
Белые и красные пунктирные линии на панелях f и g обозначают положение линейных развёрток STS.
h) Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения поперечного сечения (HR-XTEM) границы Bi/MoS₂ (верхняя панель) и соответствующее картографирование элементов методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (нижняя панель). a.u. - произвольные единицы.
Масштабные линейки: 50 нм (e); 5 нм (f,g); 20 нм (h, верхняя и нижняя панели).
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤5🔥2
🇰🇷 Страны-участницы рынка производства микроэлектроники. Стратегии. Инвестиции. Корея
Корея заработала на передовых микросхемах и собирается разумно воспользоваться неожиданными деньгами
Южная Корея заявила, что расходная часть госбюджета в 2027 году вырастет до масштабных более 800 трлн вон ($531 млрд). Это последствия того, как резко выросли налоговые поступления этого государства от бурно развивающейся индустрии микросхем для ИИ.
Наивысший приоритет получат три «мегапроекта»:
▫️инвестиции в наращивание мощностей выпуска микросхем;
▫️в строительство и масштабирование ЦОД ИИ
▫️и в «физический ИИ» (робототехнику и т.п.).
Причем финансирование этих направлений будет осуществляться не только за счет выросших налоговых поступлений, но также за счет масштабной реструктуризации существующих программ расходов, пересмотра обязательных расходов и сокращения неэффективных программ.
В частности, в Южной Корее планируют сформировать Фонд реагирования на будущие изменения в качестве стратегической инвестиционной платформы. В этот фонд будут направлены налоговые поступления, которые условно «не ожидались» (в таком объеме). Их планируется затем инвестировать в 4 сегмента: молодежь, двигатели роста, регионы и таланты.
В эффективности этих правительственных трат, есть, конечно, сомнения, но посмотрим. «Мегапроекты» выглядят более понятным и разумным вложением средств. Так или иначе, на сегодня вложения крупных корейских компаний в области микроэлектроники, то есть Samsung Electronics и SK Hynix, похоже, «выстрелили».
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Корея заработала на передовых микросхемах и собирается разумно воспользоваться неожиданными деньгами
Южная Корея заявила, что расходная часть госбюджета в 2027 году вырастет до масштабных более 800 трлн вон ($531 млрд). Это последствия того, как резко выросли налоговые поступления этого государства от бурно развивающейся индустрии микросхем для ИИ.
Наивысший приоритет получат три «мегапроекта»:
▫️инвестиции в наращивание мощностей выпуска микросхем;
▫️в строительство и масштабирование ЦОД ИИ
▫️и в «физический ИИ» (робототехнику и т.п.).
Причем финансирование этих направлений будет осуществляться не только за счет выросших налоговых поступлений, но также за счет масштабной реструктуризации существующих программ расходов, пересмотра обязательных расходов и сокращения неэффективных программ.
«Дополнительные налоговые поступления – ценный ресурс, который будет использован в «золотой период», когда будет определено глобальное доминирование в области ИИ», - заявил президент Ли.
В частности, в Южной Корее планируют сформировать Фонд реагирования на будущие изменения в качестве стратегической инвестиционной платформы. В этот фонд будут направлены налоговые поступления, которые условно «не ожидались» (в таком объеме). Их планируется затем инвестировать в 4 сегмента: молодежь, двигатели роста, регионы и таланты.
В эффективности этих правительственных трат, есть, конечно, сомнения, но посмотрим. «Мегапроекты» выглядят более понятным и разумным вложением средств. Так или иначе, на сегодня вложения крупных корейских компаний в области микроэлектроники, то есть Samsung Electronics и SK Hynix, похоже, «выстрелили».
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤2🔥2
🇺🇸 Радиационно-стойкие микросхемы. Внутреннее производство. Страны-участницы рынка производства микроэлектроники. Стратегии. Инвестиции. Господдержка. США
В США хотят восстановить внутреннее производство радстойких микросхем
Минобороны США выделило сравнительно небольшую сумму в $16 млн компании BAE Systems, предприятию тесно связанному с ВПК США, на восстановление производства радстойких микросхем (от англ. Radiation-Hardened Microelectronics, RHM, радиационно-стойкие микросхемы).
Ключевая особенность таких микросхем – они способны сохранять работоспособность дольше, чем обычные, гражданские микросхемы в условиях, например, космического излучения или заметного радиационного воздействия. Конкретнее – речь идет о производственной платформе RH45 Storefront, основанной на подходах технологии «радстойкость за счет конструкции» (RHBD - Radiation Hardened by Design), в данном случае, в виду имеют технологию SOI (кремний-на-изоляторе), техпроцесс 45 нм.
Это давно отработанная в США технология, которую решили «реанимировать» на внутренних производственных мощностях, восстановив доверенную производственную базу. Под эту технологию есть и соответствующие изделия, которые выпускались ранее, теперь их выпуск планируется восстановить без затрат на новое проектирование.
В общем «технологический суверенитет» и «национальная безопасность» на марше.
((по материалам Interesting Engineering))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
В США хотят восстановить внутреннее производство радстойких микросхем
Минобороны США выделило сравнительно небольшую сумму в $16 млн компании BAE Systems, предприятию тесно связанному с ВПК США, на восстановление производства радстойких микросхем (от англ. Radiation-Hardened Microelectronics, RHM, радиационно-стойкие микросхемы).
Ключевая особенность таких микросхем – они способны сохранять работоспособность дольше, чем обычные, гражданские микросхемы в условиях, например, космического излучения или заметного радиационного воздействия. Конкретнее – речь идет о производственной платформе RH45 Storefront, основанной на подходах технологии «радстойкость за счет конструкции» (RHBD - Radiation Hardened by Design), в данном случае, в виду имеют технологию SOI (кремний-на-изоляторе), техпроцесс 45 нм.
Это давно отработанная в США технология, которую решили «реанимировать» на внутренних производственных мощностях, восстановив доверенную производственную базу. Под эту технологию есть и соответствующие изделия, которые выпускались ранее, теперь их выпуск планируется восстановить без затрат на новое проектирование.
В общем «технологический суверенитет» и «национальная безопасность» на марше.
((по материалам Interesting Engineering))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥1
🇹🇼 Производство микросхем. Производственные мощности. Расширение производственных мощностей. Тайвань
TSMC развернет еще два фаба в Научном парке Цзяи на юге острова
Сегодня прошла церемония закладки «первого камня», в рамках которого в Научном парке Цзяи на юге Тайваня планируется построить 3-й и 4-й фабы TSMC по производству «современных микросхем». Первый фаб TSMC в этом месте уже запущен в серийное производство, начало серийного производства на втором заводе ожидается «в ближайшее время».
От парка ожидают ежегодной выручки в размере более 300 млрд тайванских долларов ($9.35 млрд) в год и более 9 тысяч рабочих мест после выхода на серийное производство всех четырех фабов.
Это реакция мирового лидера в области контрактного производства на продолжающийся рост спроса на чипы ИИ, его желание сохранить свою долю рынка на фоне массовых инвестиций в расширение национальных производственных мощностей чуть не всех стран, которые занимаются производством микроэлектроники. И, конечно, это отражает успех бизнес-модели TSMC – контрактное производство с топовыми технологиями, но при сравнительно низкой себестоимости.
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
TSMC развернет еще два фаба в Научном парке Цзяи на юге острова
Сегодня прошла церемония закладки «первого камня», в рамках которого в Научном парке Цзяи на юге Тайваня планируется построить 3-й и 4-й фабы TSMC по производству «современных микросхем». Первый фаб TSMC в этом месте уже запущен в серийное производство, начало серийного производства на втором заводе ожидается «в ближайшее время».
От парка ожидают ежегодной выручки в размере более 300 млрд тайванских долларов ($9.35 млрд) в год и более 9 тысяч рабочих мест после выхода на серийное производство всех четырех фабов.
Это реакция мирового лидера в области контрактного производства на продолжающийся рост спроса на чипы ИИ, его желание сохранить свою долю рынка на фоне массовых инвестиций в расширение национальных производственных мощностей чуть не всех стран, которые занимаются производством микроэлектроники. И, конечно, это отражает успех бизнес-модели TSMC – контрактное производство с топовыми технологиями, но при сравнительно низкой себестоимости.
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤1👍1🔥1
🇨🇳 Собственные ИИ-чипы. ИИ-чипы для инференса. Китай
DeepSeek разрабатывает собственный чип для вывода?
По данным Reuters, разработка стартовала примерно год назад. Года на создание такой микросхемы, конечно, недостаточно, это одна из причин того, что чип пока не готов. По данным источников информационного агентства, компания по-прежнему, ведет переговоры с фирмами, которые занимаются проектированием чипов, контрактными производителями полупроводников и поставщиками памяти. А еще – нанимает инженеров.
У DeepSeek были разные периоды в процессе развития линейки ИИ. На первом этапе компания использовала чипы Nvidia, например, H800 для обучения R1. Затем компания перешла на решения Huawei (Ascend).
Создать ИИ-чип даже для инференса – непростое дело, проектированием архитектуры дело не исчерпывается, нужно подобрать подходящую память, особенно важно выбрать быструю память HBM, предусмотреть взаимодействие с уже развернутым программным стеком, пройти этапы тестирования и оптимизации.
Китайская команда идет этим путем последовательно. В апреле 2026 года была выпущена модель V4, которая изначально проектировалась и отлаживалась в связке с кластерами на Huawei Ascend. Для этого пришлось переписать ряд операторов CUDA под фреймворк CANN.
Пока что нет ясности, когда появится собственный чип DeepSeek, но то, что он появится в ближайшие годы, весьма вероятно. В этом плане DeepSeek идет той же дорогой, что и многие другие крупные IT-компании.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
DeepSeek разрабатывает собственный чип для вывода?
По данным Reuters, разработка стартовала примерно год назад. Года на создание такой микросхемы, конечно, недостаточно, это одна из причин того, что чип пока не готов. По данным источников информационного агентства, компания по-прежнему, ведет переговоры с фирмами, которые занимаются проектированием чипов, контрактными производителями полупроводников и поставщиками памяти. А еще – нанимает инженеров.
У DeepSeek были разные периоды в процессе развития линейки ИИ. На первом этапе компания использовала чипы Nvidia, например, H800 для обучения R1. Затем компания перешла на решения Huawei (Ascend).
Создать ИИ-чип даже для инференса – непростое дело, проектированием архитектуры дело не исчерпывается, нужно подобрать подходящую память, особенно важно выбрать быструю память HBM, предусмотреть взаимодействие с уже развернутым программным стеком, пройти этапы тестирования и оптимизации.
Китайская команда идет этим путем последовательно. В апреле 2026 года была выпущена модель V4, которая изначально проектировалась и отлаживалась в связке с кластерами на Huawei Ascend. Для этого пришлось переписать ряд операторов CUDA под фреймворк CANN.
Пока что нет ясности, когда появится собственный чип DeepSeek, но то, что он появится в ближайшие годы, весьма вероятно. В этом плане DeepSeek идет той же дорогой, что и многие другие крупные IT-компании.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥4👍1
🇷🇺 Отечественная электроника. СХД. Россия
Сигналтек и Рейдикс представили российские СХД на базе Raidix 5
Это двухпроцессорные решения корпоративного уровня для начального и среднего сегмента, основанные на отечественных серверах Сигналтек (2х Intel Xeon Gen 5) и ПО Рэйдикс.
Тестирование и валидацию прошли две системы – на 12 и 24 диска, соответственно: Сигнал Датастэк DS-5201 ТДРС.465279.024 и Сигнал Датастэк DS-5202 ТДРС.465279.025. Объем хранения можно нарастить до 132 накопителей, добавляя дисковые полки.
Компания отмечает такие особенности своего решения, как экономичность для конфигурации с одним контроллером; высокая надежность в отказоустойчивой конфигурации с двумя контроллерами, в которой реализовано дублирование ключевых компонентов системы; поддержка протоколов файлового (NFS, NFS-over-RDMA, SMB, FTP) и блочного (FC, IB-SRP, iSCSI, iSER) типов доступа, что позволяет адаптировать системы под различные типы нагрузки.
Высокая производительность достигается в том числе за счет использования ПО Raidix 5 технологии кэширования ресурсов в оперативной памяти, математические алгоритмы собственной разработки обеспечивают увеличение скорости расчета контрольных сумм в RAID-массивах.
Среди функциональных особенностей можно отметить такие запатентованные Рэйдикс технологии, как, например, упреждающая и частичная реконструкция, адаптивный механизм упреждающего чтения, защита от скрытого повреждения данных.
В компании ожидают, что системы будут востребованы для построения ИТ-инфраструктуры в организациях со строгими требованиями к сохранности данных, например, в медицинских и финансовых учреждениях, а также органах государственной власти. В 3q2026 в компании рассчитывают на включение решений в реестр Минпромторга РФ по коду СХД.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Сигналтек и Рейдикс представили российские СХД на базе Raidix 5
Это двухпроцессорные решения корпоративного уровня для начального и среднего сегмента, основанные на отечественных серверах Сигналтек (2х Intel Xeon Gen 5) и ПО Рэйдикс.
Тестирование и валидацию прошли две системы – на 12 и 24 диска, соответственно: Сигнал Датастэк DS-5201 ТДРС.465279.024 и Сигнал Датастэк DS-5202 ТДРС.465279.025. Объем хранения можно нарастить до 132 накопителей, добавляя дисковые полки.
Компания отмечает такие особенности своего решения, как экономичность для конфигурации с одним контроллером; высокая надежность в отказоустойчивой конфигурации с двумя контроллерами, в которой реализовано дублирование ключевых компонентов системы; поддержка протоколов файлового (NFS, NFS-over-RDMA, SMB, FTP) и блочного (FC, IB-SRP, iSCSI, iSER) типов доступа, что позволяет адаптировать системы под различные типы нагрузки.
Высокая производительность достигается в том числе за счет использования ПО Raidix 5 технологии кэширования ресурсов в оперативной памяти, математические алгоритмы собственной разработки обеспечивают увеличение скорости расчета контрольных сумм в RAID-массивах.
Среди функциональных особенностей можно отметить такие запатентованные Рэйдикс технологии, как, например, упреждающая и частичная реконструкция, адаптивный механизм упреждающего чтения, защита от скрытого повреждения данных.
В компании ожидают, что системы будут востребованы для построения ИТ-инфраструктуры в организациях со строгими требованиями к сохранности данных, например, в медицинских и финансовых учреждениях, а также органах государственной власти. В 3q2026 в компании рассчитывают на включение решений в реестр Минпромторга РФ по коду СХД.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥6👀1
🇷🇺 Микроэлектроника. Дискретные полупроводники. Мощные транзисторы. GaN. Россия
НИИЭТ выводит на рынок два мощных GaN-транзистора
Воронежский НИИ электронной техники (ГК Элемент) анонсирует выпуск мощных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры.
Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт.
ТНГ 131005-28 в традиционном металлокерамическом корпусе оптимизирован по работу в Ku-диапазоне – выдает непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13.5 ГГц (отмечу, что речь - не о пиковой мощности). При этом транзистор показывает коэффициент усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50% - это высокие параметры для дискретных транзисторов в корпусе.
Проектируя ТНГ 60005‑28П старались сделать его меньшим по площади, пригодным для групповой сборки печатных плат методом поверхностного монтажа. Но и его рабочие частоты сравнительно высокие – 6-8 ГГц, опять же, при мощности более 10 Вт. В итоге получился прибор размером 3х3 мм в металлополимерном корпусе DFN3x3-6L. Коэффициент усиления Kур ≥ 17,4 дБ (в том числе, за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса), опять же, выше, чем у аналогов. Заявленный КПД ≥ 56%.
При рабочем напряжении в 28 В, запас приборов по напряжению - до 130 В.
Где можно применять такие приборы?
В усилителях мощности передатчиков (например, в радиомодулях базовых станций сотовой связи), в радиолокационных станциях, в системах радиоэлектронной борьбы и т.п.
Развитие GaN‑направления в Группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия официально признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
НИИЭТ выводит на рынок два мощных GaN-транзистора
Воронежский НИИ электронной техники (ГК Элемент) анонсирует выпуск мощных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры.
Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт.
ТНГ 131005-28 в традиционном металлокерамическом корпусе оптимизирован по работу в Ku-диапазоне – выдает непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13.5 ГГц (отмечу, что речь - не о пиковой мощности). При этом транзистор показывает коэффициент усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50% - это высокие параметры для дискретных транзисторов в корпусе.
Проектируя ТНГ 60005‑28П старались сделать его меньшим по площади, пригодным для групповой сборки печатных плат методом поверхностного монтажа. Но и его рабочие частоты сравнительно высокие – 6-8 ГГц, опять же, при мощности более 10 Вт. В итоге получился прибор размером 3х3 мм в металлополимерном корпусе DFN3x3-6L. Коэффициент усиления Kур ≥ 17,4 дБ (в том числе, за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса), опять же, выше, чем у аналогов. Заявленный КПД ≥ 56%.
При рабочем напряжении в 28 В, запас приборов по напряжению - до 130 В.
Где можно применять такие приборы?
В усилителях мощности передатчиков (например, в радиомодулях базовых станций сотовой связи), в радиолокационных станциях, в системах радиоэлектронной борьбы и т.п.
Развитие GaN‑направления в Группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия официально признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤13👍8🔥2
♨️ Чиплетная технология. Мнения
Если вас интересует эта тема, то можно посмотреть публикацию "Горячий конструктор для холодного расчета", автор - Андрей Кондратьев, Телеспутник.
Статья посвящена чиплетному подходу в микроэлектронике - модульной архитектуре, при которой система собирается из нескольких специализированных кристаллов (чиплетов), изготовленных по разным техпроцессам и объединённых в одном корпусе. Это мировой тренд, позволяющий обходить физические ограничения закона Мура, снижать стоимость разработки и повышать выход годных изделий. Для Китая и России такой подход рассматривается еще и как способ преодоления санкционных ограничений, позволяющий создавать высокопроизводительные системы даже на «зрелых» техпроцессах (например, 28 нм).
В России уже сделаны первые шаги: Фонд перспективных исследований зарегистрировал топологию интерфейсного чиплета с высокоскоростным интерконнектом, НИИМА «Прогресс» ведёт НИР по чиплетам в сотрудничестве с Зеленоградским нанотехнологическим центром. Однако эксперты отмечают серьёзные препятствия: отсутствие универсальных стандартов соединений (UCIe), низкую кооперацию между производителями, технические проблемы (теплоотвод, питание, интеграция) и необходимость создания экосистемы на десятилетия. При этом чиплеты признаются перспективными для дорогих нишевых решений (АФАР-антенны, системы спецназначения), но не для массовой недорогой продукции.
Конечно, в рамках одного текста невозможно было даже краешком зацепить многие важные аспекты. Например, можно говорить о сложностях производства подложек для гетерогенной интеграции, а также о межсоединениях TSV, материалы для упаковки (полимеры и припои) и оборудование для сборки тоже зачастую в санкционных списках. Есть ли на эти решения массовый заказчик, кроме "специальных". Тот же UCIe можно ли использовать, да и в целом консорциум UCIe постоянно развивает стандарт, если не быть частью этой работы, то есть риск, что отставание будет и в чиплетах. Проектирование чиплетов потребует других САПР, впрочем, здесь мы и так начинаем чуть ли не с чистого листа.
Несмотря на перечисленное, я все равно придерживаюсь идеи перспективности чиплетных технологий для России, если мы еще продолжаем смотреть в сторону технологической независимости. Впрочем, если все еще вернется к ситуации закупок, то научные разработки в этой области вряд ли пропадут, возможно, найдутся те, кому их можно будет лицензировать.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Если вас интересует эта тема, то можно посмотреть публикацию "Горячий конструктор для холодного расчета", автор - Андрей Кондратьев, Телеспутник.
Статья посвящена чиплетному подходу в микроэлектронике - модульной архитектуре, при которой система собирается из нескольких специализированных кристаллов (чиплетов), изготовленных по разным техпроцессам и объединённых в одном корпусе. Это мировой тренд, позволяющий обходить физические ограничения закона Мура, снижать стоимость разработки и повышать выход годных изделий. Для Китая и России такой подход рассматривается еще и как способ преодоления санкционных ограничений, позволяющий создавать высокопроизводительные системы даже на «зрелых» техпроцессах (например, 28 нм).
В России уже сделаны первые шаги: Фонд перспективных исследований зарегистрировал топологию интерфейсного чиплета с высокоскоростным интерконнектом, НИИМА «Прогресс» ведёт НИР по чиплетам в сотрудничестве с Зеленоградским нанотехнологическим центром. Однако эксперты отмечают серьёзные препятствия: отсутствие универсальных стандартов соединений (UCIe), низкую кооперацию между производителями, технические проблемы (теплоотвод, питание, интеграция) и необходимость создания экосистемы на десятилетия. При этом чиплеты признаются перспективными для дорогих нишевых решений (АФАР-антенны, системы спецназначения), но не для массовой недорогой продукции.
Конечно, в рамках одного текста невозможно было даже краешком зацепить многие важные аспекты. Например, можно говорить о сложностях производства подложек для гетерогенной интеграции, а также о межсоединениях TSV, материалы для упаковки (полимеры и припои) и оборудование для сборки тоже зачастую в санкционных списках. Есть ли на эти решения массовый заказчик, кроме "специальных". Тот же UCIe можно ли использовать, да и в целом консорциум UCIe постоянно развивает стандарт, если не быть частью этой работы, то есть риск, что отставание будет и в чиплетах. Проектирование чиплетов потребует других САПР, впрочем, здесь мы и так начинаем чуть ли не с чистого листа.
Несмотря на перечисленное, я все равно придерживаюсь идеи перспективности чиплетных технологий для России, если мы еще продолжаем смотреть в сторону технологической независимости. Впрочем, если все еще вернется к ситуации закупок, то научные разработки в этой области вряд ли пропадут, возможно, найдутся те, кому их можно будет лицензировать.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤8
🇮🇪 🇺🇸 Производители микросхем. Инвестиции. Крупные участники рынка. Ирландия. США
Intel инвестирует 5 млрд евро в мощности производственных площадок для ИИ в ЕС
Речь не о заглохшем проекте фаба в Магдебурге, Германия, а о планах расширить производственные мощности в Лейкслипе, Килдэйр, Ирландия. Процесс уже начался ранее в 2026 году, идет модернизация производственных мощностей и установку передового оборудования для увеличения объемов выпуска процессоров Intel Xeon 6 и следующего поколения (по техпроцессу Intel 3).
Кроме того, Intel занимается интеграцией разрозненных модулей кампуса в единую высокопроизводительную систему.
Фаб в Ирландии и до модернизации был одним из наиболее передовых производств Intel. Инвестиции помогут Ирландии оставаться «на передовой» исследований, укрепляя позиции Европы. Инвестиции составляют около 30% от запланированных капитальных расходов Intel на 2026 год ($17 млрд). С момента начала деятельности в 1989 году Intel инвестировала более 30 миллиардов евро в Республику Ирландия. На площадке в Лейкслипе в настоящее время работают 4900 человек. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Intel инвестирует 5 млрд евро в мощности производственных площадок для ИИ в ЕС
Речь не о заглохшем проекте фаба в Магдебурге, Германия, а о планах расширить производственные мощности в Лейкслипе, Килдэйр, Ирландия. Процесс уже начался ранее в 2026 году, идет модернизация производственных мощностей и установку передового оборудования для увеличения объемов выпуска процессоров Intel Xeon 6 и следующего поколения (по техпроцессу Intel 3).
Кроме того, Intel занимается интеграцией разрозненных модулей кампуса в единую высокопроизводительную систему.
Фаб в Ирландии и до модернизации был одним из наиболее передовых производств Intel. Инвестиции помогут Ирландии оставаться «на передовой» исследований, укрепляя позиции Европы. Инвестиции составляют около 30% от запланированных капитальных расходов Intel на 2026 год ($17 млрд). С момента начала деятельности в 1989 году Intel инвестировала более 30 миллиардов евро в Республику Ирландия. На площадке в Лейкслипе в настоящее время работают 4900 человек. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥1
📈 Рост цен на электронные компоненты. Мнения
Ericsson предупреждает о росте стоимости компонентов
Гендиректор Ericsson предупредил, что рост стоимости комплектующих повлияет на прибыльность подразделения Networks, что особенно печально для компании, у которой во втором квартале снизилась выручка.
Выручка снизилась на 6% год к году до $5.4 млрд, а чистая прибыль - на 12% гг до $0.4 млрд. Компания объяснила снижение доходов уменьшением выручки от лицензирования интеллектуальной собственности.
Интересно, что продажи подразделения Networks снизились на 8% гг из-за "негативного влияния валютных курсов" и "снижения цен в Европе и в Северной и Южной Америке" - интересно.
Уходящий гендиректор Экхольм отметил, что "в последние годы компания укрепила свой портфель, чтобы освоить следующую волну возможностей, основанную на оборудовании и ПО, основанных на ИИ. Опираясь на технологическое лидерство в мобильных сетях, мы расширились в привлекательные области роста, что позволит Ericsson извлекать выгоду из того, что ИИ все более проникает в физический мир".
((по материалам Mobile World Live))
💎 Во всей этой истории интересны три тезиса - стоимость электронных компонентов заметно выросла; цены на телеком-оборудование в США и в Европе снизились; ИИ - неотъемлемая часть современных и перспективных телеком-решений.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Ericsson предупреждает о росте стоимости компонентов
Гендиректор Ericsson предупредил, что рост стоимости комплектующих повлияет на прибыльность подразделения Networks, что особенно печально для компании, у которой во втором квартале снизилась выручка.
Выручка снизилась на 6% год к году до $5.4 млрд, а чистая прибыль - на 12% гг до $0.4 млрд. Компания объяснила снижение доходов уменьшением выручки от лицензирования интеллектуальной собственности.
Интересно, что продажи подразделения Networks снизились на 8% гг из-за "негативного влияния валютных курсов" и "снижения цен в Европе и в Северной и Южной Америке" - интересно.
Уходящий гендиректор Экхольм отметил, что "в последние годы компания укрепила свой портфель, чтобы освоить следующую волну возможностей, основанную на оборудовании и ПО, основанных на ИИ. Опираясь на технологическое лидерство в мобильных сетях, мы расширились в привлекательные области роста, что позволит Ericsson извлекать выгоду из того, что ИИ все более проникает в физический мир".
((по материалам Mobile World Live))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤3🔥1
🇺🇸 Передовые техпроцессы. 18А. США
Intel готова сама производить процессоры Nova Lake по техпроцессу 18A – о зависимости от TSMC можно забыть?
До последнего времени план был – выпускать основную часть вычислительных блоков процессора Nova Lake на мощностях TSMC по техпроцессу 2нм (N2), где-то 60-70% объема. Остальные 30-40% американцы хотели производить на Intel Foundry по техпроцессу 18A. Но, похоже, объем собственного производства решили нарастить до уровня более 80%.
Чтобы это стало возможным, нужно было поднять показатель выхода годных (yield) нового для Intel техпроцесса. На первых этапах он был не слишком высок, порядка 65%, а сейчас, после доработок, достигает, согласно источникам из отрасли, примерно 85%. Это уже вполне приемлемый уровень для массового производства.
💎 Плюсы такого сценария для Intel и США – рост технологической независимости, больший контроль над графиком выпуска, доступностью компонентов и затратами. Возможность масштабирования производства 18А, если оно себя хорошо покажет на Nova Lake.
Но давайте все же дождемся официальных подтверждений успеха от Intel, а не будем основываться на слухах с рынка. Кроме того, мощности 18A у Intel пока что весьма скромные - около 30 тысяч пластин в месяц на фабах в Финиксе, Аризона и в Хиллсборо, Орегон.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Intel готова сама производить процессоры Nova Lake по техпроцессу 18A – о зависимости от TSMC можно забыть?
До последнего времени план был – выпускать основную часть вычислительных блоков процессора Nova Lake на мощностях TSMC по техпроцессу 2нм (N2), где-то 60-70% объема. Остальные 30-40% американцы хотели производить на Intel Foundry по техпроцессу 18A. Но, похоже, объем собственного производства решили нарастить до уровня более 80%.
Чтобы это стало возможным, нужно было поднять показатель выхода годных (yield) нового для Intel техпроцесса. На первых этапах он был не слишком высок, порядка 65%, а сейчас, после доработок, достигает, согласно источникам из отрасли, примерно 85%. Это уже вполне приемлемый уровень для массового производства.
Но давайте все же дождемся официальных подтверждений успеха от Intel, а не будем основываться на слухах с рынка. Кроме того, мощности 18A у Intel пока что весьма скромные - около 30 тысяч пластин в месяц на фабах в Финиксе, Аризона и в Хиллсборо, Орегон.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥2❤1
🌎 Геополитика и микроэлектроника. Материалы для производства полупроводников. Гелий
Китай установил «временный запрет» на вывоз гелия - атака или защита?
Китай ввел «временный запрет» на вывоз гелия, не уточнив срок действия и возможности «исключений». Эту меру китайские журналисты уже успели окрестить «гелиевым нокаутом», имея в виду негативные последствия для «западного блока».
Гелий действительно является одним из ряда «критических газов», используемых в производстве полупроводников. Он используется, в частности, для охлаждения пластин, в операциях литографии и для поиска утечек. Кроме полупроводниковой индустрии, гелий используют в МРТ-аппаратах, сверхпроводящих системах и в ракетных топливных системах. Быстро заменить его другими веществами – мало реально.
На самом деле проблема с гелием вызревала еще с 2022 года, но резко усугубилась в 2026 году в связи с конфликтом США и Ирана. Еще несколько лет тому назад, одним из крупнейших поставщиков этого газа выступала Украина. После уничтожения производства гелия в этой стране, крупнейшими производителями остались США с долей порядка 40%, Катар с долей более 30% и Россия с примерно 9.5%. В апреле 2026 года правительство РФ установило разрешительный порядок экспорта гелия за пределы ЕАЭС до конца 2027 года. А поставки из Катара сейчас затрудняют боевые действия на Ближнем Востоке.
Учитывая, что Китай – крупнейший импортер, этот временный запрет – не столько попытка ударить по западному блоку, сколько отражение проблем собственно Китая. Эта страна «закрывает» импортом до 85% своих потребностей в гелии, основным поставщиком был Катар. Раньше Китай закупал много гелия у США, но за 10 лет сократил импорт гелия из этой страны с 28% до 2%, переключившись на Катар и Россию из стратегических соображений. В 2025 году Россия поставила Китаю более половины от общего объема зарубежных закупок гелия. В этой ситуации уже не удивительно, что проблемы вокруг Катара заставляют Китай более жестко контролировать свои гелиевые возможности.
В США, казалось бы, не должны испытывать проблем с гелием, раз у них исчез такой крупный покупатель, как Китай. Но газу тут же нашлось применение, США теперь приходится снабжать Тайвань, Корею и Японию (доли импорта гелия из США в этих странах за год выросли с 4% до 60%, с 28% до 56% и с 28% до 83% соответственно). Так что никакого «высвобождения объема» не произошло, а собственные потребности растут. К тому же, в США умудрились в какой-то момент продать федеральный резерв гелия.
Наиболее уязвимыми сейчас выглядят Корея (на 2025 год импортировала из Катара 64.7% гелия) и Тайвань. Европа пострадает меньше, поскольку все же имеет немалые внутренние производства. США, хотя и сталкиваются с дефицитом, даже могут выиграть от постоянного роста цен на гелий, являясь крупнейшим в мире экспортером.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Китай установил «временный запрет» на вывоз гелия - атака или защита?
Китай ввел «временный запрет» на вывоз гелия, не уточнив срок действия и возможности «исключений». Эту меру китайские журналисты уже успели окрестить «гелиевым нокаутом», имея в виду негативные последствия для «западного блока».
Гелий действительно является одним из ряда «критических газов», используемых в производстве полупроводников. Он используется, в частности, для охлаждения пластин, в операциях литографии и для поиска утечек. Кроме полупроводниковой индустрии, гелий используют в МРТ-аппаратах, сверхпроводящих системах и в ракетных топливных системах. Быстро заменить его другими веществами – мало реально.
На самом деле проблема с гелием вызревала еще с 2022 года, но резко усугубилась в 2026 году в связи с конфликтом США и Ирана. Еще несколько лет тому назад, одним из крупнейших поставщиков этого газа выступала Украина. После уничтожения производства гелия в этой стране, крупнейшими производителями остались США с долей порядка 40%, Катар с долей более 30% и Россия с примерно 9.5%. В апреле 2026 года правительство РФ установило разрешительный порядок экспорта гелия за пределы ЕАЭС до конца 2027 года. А поставки из Катара сейчас затрудняют боевые действия на Ближнем Востоке.
Учитывая, что Китай – крупнейший импортер, этот временный запрет – не столько попытка ударить по западному блоку, сколько отражение проблем собственно Китая. Эта страна «закрывает» импортом до 85% своих потребностей в гелии, основным поставщиком был Катар. Раньше Китай закупал много гелия у США, но за 10 лет сократил импорт гелия из этой страны с 28% до 2%, переключившись на Катар и Россию из стратегических соображений. В 2025 году Россия поставила Китаю более половины от общего объема зарубежных закупок гелия. В этой ситуации уже не удивительно, что проблемы вокруг Катара заставляют Китай более жестко контролировать свои гелиевые возможности.
В США, казалось бы, не должны испытывать проблем с гелием, раз у них исчез такой крупный покупатель, как Китай. Но газу тут же нашлось применение, США теперь приходится снабжать Тайвань, Корею и Японию (доли импорта гелия из США в этих странах за год выросли с 4% до 60%, с 28% до 56% и с 28% до 83% соответственно). Так что никакого «высвобождения объема» не произошло, а собственные потребности растут. К тому же, в США умудрились в какой-то момент продать федеральный резерв гелия.
Наиболее уязвимыми сейчас выглядят Корея (на 2025 год импортировала из Катара 64.7% гелия) и Тайвань. Европа пострадает меньше, поскольку все же имеет немалые внутренние производства. США, хотя и сталкиваются с дефицитом, даже могут выиграть от постоянного роста цен на гелий, являясь крупнейшим в мире экспортером.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤5🤔3👍1
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Отечественные микроконтроллеры. Серийное производство. Россия
НИИЭТ начал серийные поставки RISC-V микроконтроллера К1921ВГ015 российским производителям электроники
Представленная в 2023 году микросхема может применяться применяться в измерительных приборах, счетчиках газа и электроэнергии, системах промышленной автоматизации, медицинской технике и других энергоэффективных встраиваемых устройствах.
В феврале 2025 года на площадке НИИЭТ (ГК Элемент) была выпущена первая серийная партия микросхем в пластиковых корпусах. Корпусирование изделий выполняется на собственном технологическом участке института. За год работы суммарный объем выпуска технологического участка составил около 1,5 млн изделий. Проектная мощность линии достигает 10 млн изделий в год. Микросхема включена в единый реестр российской радиоэлектронной продукции в соответствии с постановлениями Правительства РФ №719 и №878.
Серийное производство отечественных микроконтроллеров на RISC-V формирует практическую основу для развития открытой процессорной архитектуры в России. Эти направления развивает Российский Альянс RISC-V, объединяющий разработчиков вычислительной техники и программного обеспечения, производителей микроэлектроники, университеты и научные организации. В число учредителей Альянса входят Yadro, Baikal Electronics, Syntacore, Группа Астра, «Новатор» и НИУ МИЭТ.
В экосистеме Альянса микроконтроллеры на базе RISC-V развивают несколько участников: наряду с НИИЭТ, «Байкал Электроникс» выпускает серийный 32-разрядный микроконтроллер Baikal-U (BE-U1000) для промышленной автоматизации, робототехники, приборов учета, устройств ввода-вывода и решений для интернета вещей.
((фото - НИИЭТ))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
НИИЭТ начал серийные поставки RISC-V микроконтроллера К1921ВГ015 российским производителям электроники
Представленная в 2023 году микросхема может применяться применяться в измерительных приборах, счетчиках газа и электроэнергии, системах промышленной автоматизации, медицинской технике и других энергоэффективных встраиваемых устройствах.
В феврале 2025 года на площадке НИИЭТ (ГК Элемент) была выпущена первая серийная партия микросхем в пластиковых корпусах. Корпусирование изделий выполняется на собственном технологическом участке института. За год работы суммарный объем выпуска технологического участка составил около 1,5 млн изделий. Проектная мощность линии достигает 10 млн изделий в год. Микросхема включена в единый реестр российской радиоэлектронной продукции в соответствии с постановлениями Правительства РФ №719 и №878.
Серийное производство отечественных микроконтроллеров на RISC-V формирует практическую основу для развития открытой процессорной архитектуры в России. Эти направления развивает Российский Альянс RISC-V, объединяющий разработчиков вычислительной техники и программного обеспечения, производителей микроэлектроники, университеты и научные организации. В число учредителей Альянса входят Yadro, Baikal Electronics, Syntacore, Группа Астра, «Новатор» и НИУ МИЭТ.
В экосистеме Альянса микроконтроллеры на базе RISC-V развивают несколько участников: наряду с НИИЭТ, «Байкал Электроникс» выпускает серийный 32-разрядный микроконтроллер Baikal-U (BE-U1000) для промышленной автоматизации, робототехники, приборов учета, устройств ввода-вывода и решений для интернета вещей.
«Серийные поставки российских микроконтроллеров на RISC-V показывают, что архитектура уже становится основой для прикладных микроэлектронных решений. Следующий этап - развитие среды вокруг самих изделий: программных и отладочных инструментов, образовательных программ, отраслевых требований и готовых сценариев применения. Альянс объединяет участников рынка для решения этих задач и формирования условий, при которых разработчики и производители электроники смогут системно использовать RISC-V в своих продуктах», - отметила Татьяна Сорокина, исполнительный директор Российского Альянса RISC-V.
((фото - НИИЭТ))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍11❤3⚡2🔥2👏1
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Отечественные микроконтроллеры. Серийное производство. Россия
НИИЭТ готовится к поставкам RISC-V микроконтроллера K1921ВГ11Т в 4q2026
Микроконтроллер K1921ВГ11Т был анонсирован в апреле 2026 года, разработали его в НИИЭТ (ГК Элемент), взяв за основу МК К1921ВГ3Т. Заказчиком выступает «один из крупнейших российских разработчиков и поставщиков электронных блоков управления для транспортной отрасли».
Как и «прообраз», K1921ВГ11Т это 32-разрядный МК RISC-V, c тактовой частотой 120 МГц, его отличия - это компактный пластиковый корпус LQFP-100. Встроенная флэш-память - объемом 1 МБ. Часть функций К1921ВГ3Т, не востребованных заказчиком, не выведена на внешние контакты K1921ВГ11Т, в частности, не поддерживается доступ к контроллеру внешней памяти, недоступны интерфейсы Ethernet, USB и ряд других каналов ввода-вывода. Это позволило сократить сроки и стоимость разработки.
Финальная стоимость будет зависеть от объема заказа и условий поставки. Ориентировочная цена одного микроконтроллера при серийных поставках составит до 1000 рублей. Для крупных заказчиков предусмотрена гибкая система скидок, размеры которых будут определяться в зависимости от объема закупки.
Изделие предназначено для использования в составе АСУ ТП, автоэлектроники, и, вероятно, для летающих беспилотников, учитывая его компактность.
В настоящее время идет серийный выпуск первых партий продукции и подготовка к поставкам потребителям. Первые серийные поставки запланированы на 4q2026. В 2026 году планируется выпустить первую партию в объеме 500 микроконтроллеров для передачи потребителям на тестирование и опытную эксплуатацию. Объемы производства на 2027 год будут сформированы по итогам оценки потребительского спроса и результатов внедрения первых изделий.
((фото - НИИЭТ))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
НИИЭТ готовится к поставкам RISC-V микроконтроллера K1921ВГ11Т в 4q2026
Микроконтроллер K1921ВГ11Т был анонсирован в апреле 2026 года, разработали его в НИИЭТ (ГК Элемент), взяв за основу МК К1921ВГ3Т. Заказчиком выступает «один из крупнейших российских разработчиков и поставщиков электронных блоков управления для транспортной отрасли».
Как и «прообраз», K1921ВГ11Т это 32-разрядный МК RISC-V, c тактовой частотой 120 МГц, его отличия - это компактный пластиковый корпус LQFP-100. Встроенная флэш-память - объемом 1 МБ. Часть функций К1921ВГ3Т, не востребованных заказчиком, не выведена на внешние контакты K1921ВГ11Т, в частности, не поддерживается доступ к контроллеру внешней памяти, недоступны интерфейсы Ethernet, USB и ряд других каналов ввода-вывода. Это позволило сократить сроки и стоимость разработки.
Финальная стоимость будет зависеть от объема заказа и условий поставки. Ориентировочная цена одного микроконтроллера при серийных поставках составит до 1000 рублей. Для крупных заказчиков предусмотрена гибкая система скидок, размеры которых будут определяться в зависимости от объема закупки.
Изделие предназначено для использования в составе АСУ ТП, автоэлектроники, и, вероятно, для летающих беспилотников, учитывая его компактность.
В настоящее время идет серийный выпуск первых партий продукции и подготовка к поставкам потребителям. Первые серийные поставки запланированы на 4q2026. В 2026 году планируется выпустить первую партию в объеме 500 микроконтроллеров для передачи потребителям на тестирование и опытную эксплуатацию. Объемы производства на 2027 год будут сформированы по итогам оценки потребительского спроса и результатов внедрения первых изделий.
((фото - НИИЭТ))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍10❤2
🇷🇺 Производство электроники. Отечественные серверы. Россия
Yadro начинает продажи сервера H225 G4 на базе процессоров AMD
Особенность этого сервера - использование процессоров AMD Epyc 9004 Genoa и 9005 Turin. Это альтернатива привычным серверам на x86 процессорах Intel.
H225 G4 позиционируется компанией, как универсальный сервер для сценариев масштабирования scale-out и scale-up нагрузок. Производитель позиционирует его как выбор для высокоплотных сред виртуализации, озер данных, HPC-кластеров и OLAP-систем.
Двухпроцессорная платформа в форм-факторе 2U на базе процессоров AMD Epyc 9004 и 9005 объединяет до 384 физических вычислительных ядер с частотой до 5ГГц, позволяя поддерживать плотную виртуальную среду и экономить пространство стойки. 12-канальная архитектура с поддержкой до 24 модулей DDR5-6400 и общим объемом до 6 ТБ предназначена для ресурсоемких задач обработки данных и облачных сервисов.
Платформа поддерживает от 4 до 11 слотов PCIe 5.0 и позволяет подключить от 8 до 30 дисковых накопителей.
Сервер Yadro H255 G4 включен в Единый реестр Минпромторга, что важно для госзаказчиков и организаций регулируемых отраслей и проектов субъектов КИИ.
((фото - Yadro))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Yadro начинает продажи сервера H225 G4 на базе процессоров AMD
Особенность этого сервера - использование процессоров AMD Epyc 9004 Genoa и 9005 Turin. Это альтернатива привычным серверам на x86 процессорах Intel.
H225 G4 позиционируется компанией, как универсальный сервер для сценариев масштабирования scale-out и scale-up нагрузок. Производитель позиционирует его как выбор для высокоплотных сред виртуализации, озер данных, HPC-кластеров и OLAP-систем.
Двухпроцессорная платформа в форм-факторе 2U на базе процессоров AMD Epyc 9004 и 9005 объединяет до 384 физических вычислительных ядер с частотой до 5ГГц, позволяя поддерживать плотную виртуальную среду и экономить пространство стойки. 12-канальная архитектура с поддержкой до 24 модулей DDR5-6400 и общим объемом до 6 ТБ предназначена для ресурсоемких задач обработки данных и облачных сервисов.
Платформа поддерживает от 4 до 11 слотов PCIe 5.0 и позволяет подключить от 8 до 30 дисковых накопителей.
«Мы видим устойчивый спрос на решения с высокой плотностью ядер и делаем ставку на платформы, которые позволяют консолидировать ресурсы, масштабировать вычислительные мощности и точнее управлять затратами на размещение и эксплуатацию оборудования», - отметил Александр Бакулин, коммерческий директор Yadro.
Сервер Yadro H255 G4 включен в Единый реестр Минпромторга, что важно для госзаказчиков и организаций регулируемых отраслей и проектов субъектов КИИ.
((фото - Yadro))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤3👍3😁2
🇺🇸 Микроэлектроника. Чипы edge-AI. США
GPX10 Pro от Ambient Scientific - миниатюрная умная красота
Это система на кристалле (SoC) для edge‑AI: в ней 10 программируемых AI‑ядер MX8 на архитектуре DigAn, плюс Arm Cortex‑M4F для управления (от 100 кГц до 100 МГц). Главная фишка - очень низкое энергопотребление (в режиме «всегда включён» - менее 100 мкВт), чтобы работать в портативных и батарейных устройствах без облака. Чип производят на мощностях TSMC по 40‑нм техпроцессу.
((подробнее - CNXsoft, картинка - компании Ambient Scientific))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
GPX10 Pro от Ambient Scientific - миниатюрная умная красота
Это система на кристалле (SoC) для edge‑AI: в ней 10 программируемых AI‑ядер MX8 на архитектуре DigAn, плюс Arm Cortex‑M4F для управления (от 100 кГц до 100 МГц). Главная фишка - очень низкое энергопотребление (в режиме «всегда включён» - менее 100 мкВт), чтобы работать в портативных и батарейных устройствах без облака. Чип производят на мощностях TSMC по 40‑нм техпроцессу.
((подробнее - CNXsoft, картинка - компании Ambient Scientific))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥2