🎓 Образование. Партнерства бизнеса и университетов. Производители электроники. Россия
Yadro объявляет о начале приема на совместные программы с МФТИ, ИТМО, МИЭТ и ВШЭ
Компания Yadro (входит в ИКС Холдинг) объявила о старте ежегодного приема заявок на программы бакалавриата и магистратуры. Для будущих инженеров, разработчиков и исследователей открыто 8 программ с местами на бюджетной и коммерческой основе.
Образовательные программы разработаны на стыке ИТ, инженерных наук и прикладных дисциплин и учитывают, какие знания, навыки и умения понадобятся молодым специалистам для старта карьеры. Наряду с теоретической подготовкой студенты получают возможность работать над реальными производственными задачами под руководством ведущих специалистов Yadro, наблюдать реализацию своих идей: путь от теории к практике максимально короткий.
МФТИ
Новую магистерскую программу «Телекоммуникационные сети и системы» совместно с Yadro открывает МФТИ. Магистратура Кафедры мультимедийных технологий и телекоммуникаций (КМТТ) предлагает научные исследования с акцентом на физический уровень беспроводных систем для будущих сетевых инженеров и специалистов по передаче данных. В университете отмечают широкий выбор тем для научно-исследовательских работ, которые разрабатываются студентами в тесной связке с их рабочими задачами.
МФТИ также ведет набор на программу «Промышленная разработка ПО», открытую совместно с Yadro и Бюро 1440 в прошлом году, и в магистратуру «Микропроцессорные технологии» Физтех-школы радиотехники и компьютерных технологий (ФРКТ). Yadro выступает базовой организацией программы, проводит стажировки студентов и трудоустраивает их, при этом учебная нагрузка рассчитана на совмещение с работой.
ИТМО
В рамках корпоративной программы Yadro «Инструменты разработки и анализа программ» вуз готовит специалистов по низкоуровневой разработке и системному программированию. Особенностью магистерской программы является практическая работа на реальных кейсах от различных подразделений Yadro, при этом проектная деятельность под руководством инженеров компании и ведущих преподавателей института начинается уже с первого семестра.
НИУ МИЭТ
Магистратура «Вычислительные системы и электронная компонентная база» создана специально для инженеров по разработке систем на кристалле с практикой MPW-запусков (Multi Project Wafer). Программа включает три образовательных трека по наиболее востребованным направлениям: RTL-проектирование, функциональная верификация, топологическое проектирование.
ВШЭ, СибГУТИ, ИТМО
Прием на программы бакалавриата, разработанные совместно со специалистами Yadro открыт в ВШЭ («Компьютерные технологии, системы и сети»), в СибГУТИ («Программное обеспечение систем мобильной связи»), и в ИТМО («Беспроводные технологии»). Обучение включает подготовку по программированию и теории информации, знакомство с работой устройств; студенты освоят операционные системы, тестирование, прикладную работу алгоритмов.
▫️ Yadro ведет партнерские программы более чем в 20 ведущих технических вузах, и набор образовательных форматов выходит далеко за рамки бакалавриата и магистратуры. Образовательные инициативы компании включают практические курсы и школы, лаборатории, стажировки, стипендиальные программы - узнать подробнее можно на сайте edu.yadro.com.
Программы Yadro в сфере образования стали частью масштабной стратегии ИКС Холдинга по подготовке инженеров для высокотехнологичных отраслей. Это долгосрочные инициативы, которые выстраивают системную работу компании и просветительских институтов страны. Такое партнерство объединяет возможности вузов как благоприятной среды для подготовки кадров и практические задачи предприятия, необходимые для непрерывного развития инженерного сообщества.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Yadro объявляет о начале приема на совместные программы с МФТИ, ИТМО, МИЭТ и ВШЭ
Компания Yadro (входит в ИКС Холдинг) объявила о старте ежегодного приема заявок на программы бакалавриата и магистратуры. Для будущих инженеров, разработчиков и исследователей открыто 8 программ с местами на бюджетной и коммерческой основе.
Образовательные программы разработаны на стыке ИТ, инженерных наук и прикладных дисциплин и учитывают, какие знания, навыки и умения понадобятся молодым специалистам для старта карьеры. Наряду с теоретической подготовкой студенты получают возможность работать над реальными производственными задачами под руководством ведущих специалистов Yadro, наблюдать реализацию своих идей: путь от теории к практике максимально короткий.
МФТИ
Новую магистерскую программу «Телекоммуникационные сети и системы» совместно с Yadro открывает МФТИ. Магистратура Кафедры мультимедийных технологий и телекоммуникаций (КМТТ) предлагает научные исследования с акцентом на физический уровень беспроводных систем для будущих сетевых инженеров и специалистов по передаче данных. В университете отмечают широкий выбор тем для научно-исследовательских работ, которые разрабатываются студентами в тесной связке с их рабочими задачами.
МФТИ также ведет набор на программу «Промышленная разработка ПО», открытую совместно с Yadro и Бюро 1440 в прошлом году, и в магистратуру «Микропроцессорные технологии» Физтех-школы радиотехники и компьютерных технологий (ФРКТ). Yadro выступает базовой организацией программы, проводит стажировки студентов и трудоустраивает их, при этом учебная нагрузка рассчитана на совмещение с работой.
ИТМО
В рамках корпоративной программы Yadro «Инструменты разработки и анализа программ» вуз готовит специалистов по низкоуровневой разработке и системному программированию. Особенностью магистерской программы является практическая работа на реальных кейсах от различных подразделений Yadro, при этом проектная деятельность под руководством инженеров компании и ведущих преподавателей института начинается уже с первого семестра.
НИУ МИЭТ
Магистратура «Вычислительные системы и электронная компонентная база» создана специально для инженеров по разработке систем на кристалле с практикой MPW-запусков (Multi Project Wafer). Программа включает три образовательных трека по наиболее востребованным направлениям: RTL-проектирование, функциональная верификация, топологическое проектирование.
ВШЭ, СибГУТИ, ИТМО
Прием на программы бакалавриата, разработанные совместно со специалистами Yadro открыт в ВШЭ («Компьютерные технологии, системы и сети»), в СибГУТИ («Программное обеспечение систем мобильной связи»), и в ИТМО («Беспроводные технологии»). Обучение включает подготовку по программированию и теории информации, знакомство с работой устройств; студенты освоят операционные системы, тестирование, прикладную работу алгоритмов.
▫️ Yadro ведет партнерские программы более чем в 20 ведущих технических вузах, и набор образовательных форматов выходит далеко за рамки бакалавриата и магистратуры. Образовательные инициативы компании включают практические курсы и школы, лаборатории, стажировки, стипендиальные программы - узнать подробнее можно на сайте edu.yadro.com.
«Работа с образовательными задачами - это инвестиция в будущее, и мы видим, что наши усилия создают растущий поток молодых перспективных специалистов, готовых к разработке передовых продуктов на современном уровне», - отмечает Евгений Максимов, директор по развитию экосистемы и образовательных инициатив Yadro.
Программы Yadro в сфере образования стали частью масштабной стратегии ИКС Холдинга по подготовке инженеров для высокотехнологичных отраслей. Это долгосрочные инициативы, которые выстраивают системную работу компании и просветительских институтов страны. Такое партнерство объединяет возможности вузов как благоприятной среды для подготовки кадров и практические задачи предприятия, необходимые для непрерывного развития инженерного сообщества.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤5👍3
Forwarded from Пульс Телекома | АНО ТКО
По данным АНО «Телекоммуникационное оборудование», приведённым на сессии «Микроэлектронные компоненты для отрасли связи», прошедшей в рамках форума «Иннопром-2026», российский рынок телекоммуникационного оборудования выглядит так: в 2025 году его объём составил 260 млрд рублей, из них 75 млрд приходится на мобильную связь, 150 млрд на фиксированную и 35 млрд на прочее ТКО (в том числе спутниковую связь). На этом фоне растёт и спрос на компоненты.
Основную канву разговора обозначил модератор, редактор проекта Технологии «Российской газеты» и автор канала «Токсичная цифра» Олег Капранов: «На рынке часто не знают, что и где происходит», — и пока всё не собрано в очередной реестр или витрину, кооперация буксует.
Глава АНО «Телекоммуникационное оборудование» Григорий Ревазян напомнил, что телеком-рынок делится на регулируемую и нерегулируемую части, а требования к оборудованию будут ужесточаться: «С 2028 года уже будет необходимо использовать отечественную основную печатную плату, чтобы оборудование было признано российским». Потребление печатных плат для телекома составляет около 25 млн кв. дециметров в год, а к 2028 году вырастет до 35 млн за счёт регуляторики, которая была принята в прошлом году. Здесь открывается пространство для кооперации: производители оборудования уже заключают форвардные контракты с производителями печатных плат, где фиксируют стоимость и сроки, формируют требования к продукции.
— заключил глава АНО ТКО.
Отдельно Григорий Ревазян указал на перекос в регулировании. Правило «второй лишний» по постановлению №1875 отсекает иностранную заявку при наличии российской, но работает не везде: «Объём нерегулируемого рынка в телекоме значительно выше. Здесь требуется донастройка механизмов для стимулирования спроса — в том числе, возможно, через КИИ».
Производители в целом согласились с тем, что кооперация возможна. Технический директор МНИИ радиосвязи Сергей Лагунов отметил такой плюс импортозамещения: «Если раньше, покупая иностранный микропроцессор, мы не имели никакого диалога с поставщиком, то сейчас у нас очень позитивный опыт с рядом отечественных разработчиков – нас слышат и под нас делают кастомизацию». По СВЧ-компонентам он призвал агрегировать спрос: «Если собрать потребность всего рынка и привести к унификации, это станет гораздо более интересной историей».
Глава «Байкал Электроникс» Андрей Евдокимов говорил об особенностях телеком-отрасли, где глубокая интеграция специализированного ПО и компонентов требуют от производителя чипов иметь очень близкую коммуникацию с производителем оборудования. «Хорошая коммуникация – это когда мы всерьёз обсуждаем, как будет выглядеть будущее оборудование, какие есть требования, почему они такие, что можно сделать, что нельзя и так далее. Тогда получаются достаточно неплохие продукты». Что касается цен на российскую ЭКБ, то логика простая: «Хорошая себестоимость возникает, когда возникает достаточная серийность, чтобы иметь нормальную стоимость и сделать качественные чипы для тех же базовых станций».
Не обошлось без геополитики. Дмитрий Титов, член правления Ассоциации национальных чемпионов, подчеркнул: «Китай – добрый друг и хороший партнёр, но это не склад компонентов для российского суверенитета». Андрей Евдокимов напомнил: «Ни в одной стране мира микроэлектронная отрасль не взлетела без поддержки государства».
В целом тон дискуссии остался скорее оптимистичным. Подытоживая, участники отметили, что отрасль имеет возможность двигаться постепенно, осваивая технологические переделы, а главное – стремится к сотрудничеству.
#АНОТКО
Основную канву разговора обозначил модератор, редактор проекта Технологии «Российской газеты» и автор канала «Токсичная цифра» Олег Капранов: «На рынке часто не знают, что и где происходит», — и пока всё не собрано в очередной реестр или витрину, кооперация буксует.
Глава АНО «Телекоммуникационное оборудование» Григорий Ревазян напомнил, что телеком-рынок делится на регулируемую и нерегулируемую части, а требования к оборудованию будут ужесточаться: «С 2028 года уже будет необходимо использовать отечественную основную печатную плату, чтобы оборудование было признано российским». Потребление печатных плат для телекома составляет около 25 млн кв. дециметров в год, а к 2028 году вырастет до 35 млн за счёт регуляторики, которая была принята в прошлом году. Здесь открывается пространство для кооперации: производители оборудования уже заключают форвардные контракты с производителями печатных плат, где фиксируют стоимость и сроки, формируют требования к продукции.
«Основная проблема, которую озвучивают производители, – это стоимость российской ЭКБ. Поэтому мы рекомендуем заключать форвардные контракты по аналогии с печатными платами, если в этом есть взаимная выгода со стороны производителей. Что касается наращивания потребления российских компонентов, мы видим целесообразной корректировку регуляторики с точки зрения нерегулируемого рынка. Чем больше производители будут поставлять продукции для операторов связи, тем больше у них будет спрос и это будет влиять на закупку российской ЭКБ»,
— заключил глава АНО ТКО.
Отдельно Григорий Ревазян указал на перекос в регулировании. Правило «второй лишний» по постановлению №1875 отсекает иностранную заявку при наличии российской, но работает не везде: «Объём нерегулируемого рынка в телекоме значительно выше. Здесь требуется донастройка механизмов для стимулирования спроса — в том числе, возможно, через КИИ».
Производители в целом согласились с тем, что кооперация возможна. Технический директор МНИИ радиосвязи Сергей Лагунов отметил такой плюс импортозамещения: «Если раньше, покупая иностранный микропроцессор, мы не имели никакого диалога с поставщиком, то сейчас у нас очень позитивный опыт с рядом отечественных разработчиков – нас слышат и под нас делают кастомизацию». По СВЧ-компонентам он призвал агрегировать спрос: «Если собрать потребность всего рынка и привести к унификации, это станет гораздо более интересной историей».
Глава «Байкал Электроникс» Андрей Евдокимов говорил об особенностях телеком-отрасли, где глубокая интеграция специализированного ПО и компонентов требуют от производителя чипов иметь очень близкую коммуникацию с производителем оборудования. «Хорошая коммуникация – это когда мы всерьёз обсуждаем, как будет выглядеть будущее оборудование, какие есть требования, почему они такие, что можно сделать, что нельзя и так далее. Тогда получаются достаточно неплохие продукты». Что касается цен на российскую ЭКБ, то логика простая: «Хорошая себестоимость возникает, когда возникает достаточная серийность, чтобы иметь нормальную стоимость и сделать качественные чипы для тех же базовых станций».
Не обошлось без геополитики. Дмитрий Титов, член правления Ассоциации национальных чемпионов, подчеркнул: «Китай – добрый друг и хороший партнёр, но это не склад компонентов для российского суверенитета». Андрей Евдокимов напомнил: «Ни в одной стране мира микроэлектронная отрасль не взлетела без поддержки государства».
В целом тон дискуссии остался скорее оптимистичным. Подытоживая, участники отметили, что отрасль имеет возможность двигаться постепенно, осваивая технологические переделы, а главное – стремится к сотрудничеству.
#АНОТКО
❤7👍1🔥1
Forwarded from ё-Пром | Промышленные инновации России
В Вологодской области стартовало строительство завода печатных плат
В ОЭЗ «Вологодская» дан старт строительству одного из крупнейших в России заводов по производству печатных плат. Новое импортозамещающее производство «Луч» обеспечит локализацию выпуска приборов учета на местном заводе «Наркис». Кроме этого, вологодские платы будут доступны и другим отечественным приборостроителям.
Что известно о заводе:
✔️ Площадь — более 21 тыс. кв. м.
✔️ Продукция — двух- и четырехслойные платы до 6-го класса точности.
✔️ Мощность — до 12 млн кв. дециметров плат в год.
✔️ Локализация — от 60% до 100%.
✔️ Ввод в эксплуатацию — начало 2028 года, выход на полную мощность — во второй половине 2028 года.
Соглашение о проекте заключили на ПМЭФ-2025. От подачи заявки на создание ОЭЗ до начала стройки прошел всего один год и 9 месяцев — один из самых коротких сроков в стране.
Инвестиции составят 7,7 млрд рублей. Завод создаст около 400 новых рабочих мест, что укрепит промышленный потенциал региона и кадровый резерв в высокотехнологичном секторе.
📸 Фото: Телеграм канал губернатора Вологодской области
#Микроэлектроника
Отдать голос за🏭 @yoprom
В ОЭЗ «Вологодская» дан старт строительству одного из крупнейших в России заводов по производству печатных плат. Новое импортозамещающее производство «Луч» обеспечит локализацию выпуска приборов учета на местном заводе «Наркис». Кроме этого, вологодские платы будут доступны и другим отечественным приборостроителям.
Что известно о заводе:
✔️ Площадь — более 21 тыс. кв. м.
✔️ Продукция — двух- и четырехслойные платы до 6-го класса точности.
✔️ Мощность — до 12 млн кв. дециметров плат в год.
✔️ Локализация — от 60% до 100%.
✔️ Ввод в эксплуатацию — начало 2028 года, выход на полную мощность — во второй половине 2028 года.
Соглашение о проекте заключили на ПМЭФ-2025. От подачи заявки на создание ОЭЗ до начала стройки прошел всего один год и 9 месяцев — один из самых коротких сроков в стране.
Инвестиции составят 7,7 млрд рублей. Завод создаст около 400 новых рабочих мест, что укрепит промышленный потенциал региона и кадровый резерв в высокотехнологичном секторе.
📸 Фото: Телеграм канал губернатора Вологодской области
#Микроэлектроника
Отдать голос за
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍15❤4
🇺🇸 Производство микроэлектроники. Производство памяти. Внутреннее производство. Инвестиции. Тренды. США
Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
Компания Micron Technology представила планы наращивания инвестиций в производство чипов памяти в США с $200 млрд до более $250 млрд до 2035 года, что в компании объясняют растущим спросом на микросхемы памяти в эпоху ИИ. А заодно в компании красиво связали эту цифру с 250-летием США.
Это добавляет к ранее анонсированным планам еще $50 млрд. Все эти средства, что принципиально важно, должны быть вложены в стране. Так промышленные гиганты США участвуют в программе решоринга производства и восстановления производственных возможностей США.
Micron заявила, что рост инвестиций поддержит ее долгосрочную цель – нарастить выпуск доли DRAM, производимой в стране до 40%, и создать новые рабочие места для американцев.
Компания Micron сообщила, что строительство нового производства в Клей, Нью-Йорк идет с опережением на квартал относительно ранее запланированных сроков, площадка уже готова и строители перешли к «вертикальному строительству». Кроме того, компания работает над расширением производства в штатах Айдахо (две фабрики в Бойсе) и Вирджиния. Ожидается, что эти проекты создадут в общей сложности более 90 тысяч рабочих мест, из них 50 тысяч в штате Нью-Йорк, 9 тысяч из них – прямые рабочие места на производстве в Клей.
Эти события стоит рассматривать не изолированно, а в рамках других схожих событий. На днях правительство Южной Кореи объявило, что два основных конкурента американской Micron, то есть компании Samsung Electronics и SK Hynix возглавят программу инвестиций в развитие полупроводников и ИИ в стране в размере $1 трлн. Samsung и SK Hynix вместе инвестируют примерно $518 млрд в строительство заводов по производству чипов. Отдельно другие конгломераты (SK Group, GS Group, Naver) планируют вложить около $356 млрд в центры обработки данных. Так что планируемые инвестиции Micron - примерно на уровне инвестиций основных конкурентов этой компании.
Кроме того, Micron выделит еще $3 млрд, которые пойдут на «укрепление цепочки поставок полупроводников в США». В частности, Micron предоставит стратегическую поддержку в размере $500 млн тайваньской компании GlobalWafers для развития производства кремниевых пластин в штате Техас. Компании заключили 10-летнее соглашение о предоставлении Micron доступа к значительной доле мощностей GlobalWafers по производству кремниевых пластин для поддержки долгосрочных производственных планов и укрепления экосистемы полупроводникового производства в США.
Еще один пример из США - активностей по наращиванию производственных мощностей, выстраиванию и замыканию производственных цепочек внутри США и формированию долгосрочных партнерств между участниками цепочек поставок, своего рода, консолидации рынка.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
Компания Micron Technology представила планы наращивания инвестиций в производство чипов памяти в США с $200 млрд до более $250 млрд до 2035 года, что в компании объясняют растущим спросом на микросхемы памяти в эпоху ИИ. А заодно в компании красиво связали эту цифру с 250-летием США.
Это добавляет к ранее анонсированным планам еще $50 млрд. Все эти средства, что принципиально важно, должны быть вложены в стране. Так промышленные гиганты США участвуют в программе решоринга производства и восстановления производственных возможностей США.
Micron заявила, что рост инвестиций поддержит ее долгосрочную цель – нарастить выпуск доли DRAM, производимой в стране до 40%, и создать новые рабочие места для американцев.
Компания Micron сообщила, что строительство нового производства в Клей, Нью-Йорк идет с опережением на квартал относительно ранее запланированных сроков, площадка уже готова и строители перешли к «вертикальному строительству». Кроме того, компания работает над расширением производства в штатах Айдахо (две фабрики в Бойсе) и Вирджиния. Ожидается, что эти проекты создадут в общей сложности более 90 тысяч рабочих мест, из них 50 тысяч в штате Нью-Йорк, 9 тысяч из них – прямые рабочие места на производстве в Клей.
Эти события стоит рассматривать не изолированно, а в рамках других схожих событий. На днях правительство Южной Кореи объявило, что два основных конкурента американской Micron, то есть компании Samsung Electronics и SK Hynix возглавят программу инвестиций в развитие полупроводников и ИИ в стране в размере $1 трлн. Samsung и SK Hynix вместе инвестируют примерно $518 млрд в строительство заводов по производству чипов. Отдельно другие конгломераты (SK Group, GS Group, Naver) планируют вложить около $356 млрд в центры обработки данных. Так что планируемые инвестиции Micron - примерно на уровне инвестиций основных конкурентов этой компании.
Кроме того, Micron выделит еще $3 млрд, которые пойдут на «укрепление цепочки поставок полупроводников в США». В частности, Micron предоставит стратегическую поддержку в размере $500 млн тайваньской компании GlobalWafers для развития производства кремниевых пластин в штате Техас. Компании заключили 10-летнее соглашение о предоставлении Micron доступа к значительной доле мощностей GlobalWafers по производству кремниевых пластин для поддержки долгосрочных производственных планов и укрепления экосистемы полупроводникового производства в США.
Еще один пример из США - активностей по наращиванию производственных мощностей, выстраиванию и замыканию производственных цепочек внутри США и формированию долгосрочных партнерств между участниками цепочек поставок, своего рода, консолидации рынка.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍1
🇺🇸 Производство микроэлектроники. Оборудование для производства микроэлектроники. Электронно-лучевая литография. Прототипирование и мелкосерийное производство. США
Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
Американец Сэм Зелуф известен как один из пионеров DIY-производства микроэлектроники. Как и ожидается в таких случаях, еще подростком он дошел до техпроцесса 300 нм в гараже родителей. В 2022 году к Сэма Зелуфа появился партнер Джим Келлер с опытом разработки AMD Zen и Apple A-Series) и был основан стартап (как по мне, каждый талантливый подросток должен получить опыт создания и работы в своем стартапе). И пока что этот стартап продолжает выглядеть очень интересным и бизнес-перспективным.
Интересен и необычен подход компании. Если сейчас чаще всего ради сокращения времени выхода на рынок любые изделия, включая производственное оборудование проектируют и собирают, как конструктор, из готовых частей / модулей, покупая их у других производителей, то в Fab2 исповедуют «сделай сам» - здесь создают даже такие компоненты, как насосы, клапаны, газовые магистрали, вакуумные клапаны, установки литографии (включая электронно-лучевую), системы осаждения и травления, нагреватели, датчики и актуаторы. Из этих компонентов собирают машины. Из машин – мини-фабы.
В комплект входит собственный браузерный EDA-инструмент для проектирования топологий, схем и симуляций. Раньше известный под названием Atomic Studio, сейчас он называется просто Studio. Это позволяет инженеру придумать схему, запустить симуляцию, отправить выбранный дизайн в мини-фаб и через несколько часов/дней получить прототип чипа.
Производство fab fab развернуто в Локхарте, Техас, 2.8 тыс кв.м - здесь оказалось проще найти квалифицированный персонал, чем в Сан-Франциско, где сохранилась «гаражная фабрика» с которой все началось, теперь она играет роль лаборатории. А в Остине, Техас, 11 тыс кв.м расположилась новая штаб-квартира компании (да, теперь «все как у больших»), где также идут исследования и даже производство.
Так просто? Стартап-убийца ASML и прочих производителей оборудования для микроэлектронного производства?
Нет. За все нужно платить, и в данном случае, платой за компактность решения и возможность быстро и недорого получить прототип чипа, является низкая пропускная способность решения.
Fab2 использует электронно-лучевую литографию: луч рисует рисунок на подложке напрямую, без маски. Формирование одного слоя даже на небольшом чипе может занять значительно больше времени, чем EUV-сканер тратит на экспонирование целой 300-мм пластины. Поэтому решения Fab2 хороши для прототипирования, в каких-то случаях для мелкой серии, но не для крупного контрактного производства.
Покупатели продукции Fab2 платят не за производственные мощности, как таковые, а за короткий цикл разработки. Кроме того, решения Fab2 снижают барьер входа в отрасль. «Выпекать» микросхемы, оказывается, можно и в своем гараже, университете или даже школе. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
Американец Сэм Зелуф известен как один из пионеров DIY-производства микроэлектроники. Как и ожидается в таких случаях, еще подростком он дошел до техпроцесса 300 нм в гараже родителей. В 2022 году к Сэма Зелуфа появился партнер Джим Келлер с опытом разработки AMD Zen и Apple A-Series) и был основан стартап (как по мне, каждый талантливый подросток должен получить опыт создания и работы в своем стартапе). И пока что этот стартап продолжает выглядеть очень интересным и бизнес-перспективным.
Интересен и необычен подход компании. Если сейчас чаще всего ради сокращения времени выхода на рынок любые изделия, включая производственное оборудование проектируют и собирают, как конструктор, из готовых частей / модулей, покупая их у других производителей, то в Fab2 исповедуют «сделай сам» - здесь создают даже такие компоненты, как насосы, клапаны, газовые магистрали, вакуумные клапаны, установки литографии (включая электронно-лучевую), системы осаждения и травления, нагреватели, датчики и актуаторы. Из этих компонентов собирают машины. Из машин – мини-фабы.
В комплект входит собственный браузерный EDA-инструмент для проектирования топологий, схем и симуляций. Раньше известный под названием Atomic Studio, сейчас он называется просто Studio. Это позволяет инженеру придумать схему, запустить симуляцию, отправить выбранный дизайн в мини-фаб и через несколько часов/дней получить прототип чипа.
Производство fab fab развернуто в Локхарте, Техас, 2.8 тыс кв.м - здесь оказалось проще найти квалифицированный персонал, чем в Сан-Франциско, где сохранилась «гаражная фабрика» с которой все началось, теперь она играет роль лаборатории. А в Остине, Техас, 11 тыс кв.м расположилась новая штаб-квартира компании (да, теперь «все как у больших»), где также идут исследования и даже производство.
Так просто? Стартап-убийца ASML и прочих производителей оборудования для микроэлектронного производства?
Нет. За все нужно платить, и в данном случае, платой за компактность решения и возможность быстро и недорого получить прототип чипа, является низкая пропускная способность решения.
Fab2 использует электронно-лучевую литографию: луч рисует рисунок на подложке напрямую, без маски. Формирование одного слоя даже на небольшом чипе может занять значительно больше времени, чем EUV-сканер тратит на экспонирование целой 300-мм пластины. Поэтому решения Fab2 хороши для прототипирования, в каких-то случаях для мелкой серии, но не для крупного контрактного производства.
Покупатели продукции Fab2 платят не за производственные мощности, как таковые, а за короткий цикл разработки. Кроме того, решения Fab2 снижают барьер входа в отрасль. «Выпекать» микросхемы, оказывается, можно и в своем гараже, университете или даже школе. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
1🔥8❤3👏1
Forwarded from Пульс Телекома | АНО ТКО
Идеальный вариант кооперации производителя конечного устройства и электронных микрокомпонентов уже обсуждали на этой неделе на «Иннопроме». Ключевой тезис, который озвучил Андрей Евдокимов из «Байкал Электроникс», звучит принципиально: нельзя спроектировать чип для смартфона, не видя всей архитектуры устройства целиком. Смартфон как один из вариантов глубоко интегрированных систем требует тесного диалога между теми, кто делает электронные компоненты и прочую аппаратную и софтверную часть. А главное преимущество такого сотрудничества еще и в возможности адаптации компонентов под требования заказчика.
Этот подход — отражение общемирового тренда. Его наглядно подтверждает крупная сделка, о которой на этой же неделе объявила компания Apple: она инвестирует более $30 млрд в партнёрство с Broadcom по производству микросхем. Соглашение предусматривает выпуск свыше 15 млрд чипов на территории США. Это не просто закупка компонентов, а долгосрочная кооперация: Broadcom будет разрабатывать и поставлять заказные ASIC‑чипы сразу для нескольких поколений продуктов Apple.
В рамках соглашения Broadcom расширит и модернизирует свои производственные мощности в Форт-Коллинсе, штат Колорадо, США, вложив в это предприятие еще $1,5 млрд. Как заявляется, Broadcom будет производить на этом предприятии передовые радиочастотные компоненты для продукции Apple, в том числе решения для беспроводной связи, критически важные для современных мобильных устройств.
Телеком-аналитик Алексей Бойко, автор канала @abloud62, отмечает, что
Таким образом, и в российском, и в мировом сегменте электроники прослеживается единая логика: сложность современных устройств растёт, и максимальная эффективность достигается не за счёт универсальных компонентов, а через тесную кооперацию разработчиков на самых ранних этапах. Этот подход позволяет создавать решения, оптимально сбалансированные по характеристикам, срокам и надёжности.
#вмире
Этот подход — отражение общемирового тренда. Его наглядно подтверждает крупная сделка, о которой на этой же неделе объявила компания Apple: она инвестирует более $30 млрд в партнёрство с Broadcom по производству микросхем. Соглашение предусматривает выпуск свыше 15 млрд чипов на территории США. Это не просто закупка компонентов, а долгосрочная кооперация: Broadcom будет разрабатывать и поставлять заказные ASIC‑чипы сразу для нескольких поколений продуктов Apple.
В рамках соглашения Broadcom расширит и модернизирует свои производственные мощности в Форт-Коллинсе, штат Колорадо, США, вложив в это предприятие еще $1,5 млрд. Как заявляется, Broadcom будет производить на этом предприятии передовые радиочастотные компоненты для продукции Apple, в том числе решения для беспроводной связи, критически важные для современных мобильных устройств.
Телеком-аналитик Алексей Бойко, автор канала @abloud62, отмечает, что
«использование ASIC в смартфонах становится трендом. Происходит фундаментальная смена модели: крупные технологические компании отказываются от покупки стандартизированных чипов у универсальных поставщиков и переходят к проектированию собственных ASIC под свои специфические задачи. Это даёт им контроль над производительностью, энергопотреблением и сроками поставок. По сути, происходит фундаментальная смена модели: вместо «сборки из готовых блоков» рынок движется к сквозному проектированию, где чип изначально создаётся под конкретную систему.
Сделка Apple и Broadcom показательна ещё и с точки зрения выстраивания цепочек поставок. Она демонстрирует, что глобальные производители стремятся локализовать ключевые этапы производства внутри одной страны - в данном случае в США. И хотя процесс решоринга идёт непросто, подобные инициативы говорят о системной работе по консолидации рынка и формированию долгосрочных партнёрств».
Таким образом, и в российском, и в мировом сегменте электроники прослеживается единая логика: сложность современных устройств растёт, и максимальная эффективность достигается не за счёт универсальных компонентов, а через тесную кооперацию разработчиков на самых ранних этапах. Этот подход позволяет создавать решения, оптимально сбалансированные по характеристикам, срокам и надёжности.
#вмире
1❤4🔥3
🇷🇺 Микроэлектроника. Новости отрасли одним абзацем. Россия
Микроконтроллеры RISC-V НИИЭТ K192ВГ1Т, К1921ВГ3Т, K1921ВГ5Т и К1921ВГ7Т вошли в Реестр российской промышленной продукции и Единый реестр радиоэлектронной продукции Минпромторга России, сообщает CNews. Эта мини-линейка была анонсирована в октябре 2020 года. А в апреле 2026 года стало известно о том, что НИИЭТ (ГК Элемент) разрабатывает версии в компактном корпусе.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Микроконтроллеры RISC-V НИИЭТ K192ВГ1Т, К1921ВГ3Т, K1921ВГ5Т и К1921ВГ7Т вошли в Реестр российской промышленной продукции и Единый реестр радиоэлектронной продукции Минпромторга России, сообщает CNews. Эта мини-линейка была анонсирована в октябре 2020 года. А в апреле 2026 года стало известно о том, что НИИЭТ (ГК Элемент) разрабатывает версии в компактном корпусе.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍13❤5
🔬 Микроэлектроника. Научные изыскания. Двумерные материалы
Некремниевые транзисторы на основе двумерных материалов будут более компактными – новые измерения это подтвердили
Ученые (Национальный университет Тайваня и коллеги из других организаций) измерили длину переноса носителей (carrier transfer length) в контакте металл-двумерный материал, в данном случае, в Bi/MoS₂. Этот параметр определяет, насколько малыми можно сделать контакты транзистора без потери производительности.
Используя поперечную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию (XSTM/S) с возможностью приложения рабочего напряжения непосредственно в процессе измерений, ученые определили область инжекции тока в контакте Bi/MoS₂. До сих пор оценки длины этой области основывались на теоретических моделях.
Длина переноса составила 2,0-3,0 нм при комнатной температуре. Это означает что контакты транзисторов на основе двумерных материалом можно будет масштабировать до размеров техпроцесса 1 нм без катастрофического роста контактного сопротивления.
От двумерных материалов типа MoS₂, графен и т.п. мы ожидаем, что они смогут заменить кремний в транзисторах будущего, поскольку они очень тонкие (всего 1 слой атомов) и обеспечивают хороший электростатический контроль затвора. Но узким местом остаются контакты – при уменьшении их размеров сопротивление повышается, что затрудняет работу. Зная точную длину переноса, порядка 2 нм, инженеры знают и физический предел миниатюризации контактов для этого класса материалов, что позволит создавать чипы со сверхплотными расположением узлов – для ИИ и высокопроизводительных материалов.
Подробнее: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10707-0
Подписи к картинке:
a) Схематическое изображение структуры образца.
b) Поперечный срез образца для СТМ, полученный сколом в сверхвысоком вакууме. Длина канала и длина контакта в исследуемом приборе составляют 2 мкм.
c) СТМ-зондирование на боковом срезе образца, в котором в ходе СТМ-измерения прикладывается напряжение сток–исток VDS, где VS обозначает смещение на образце для процесса СТМ.
d) Схема прибора вблизи стокового контакта Bi и MoS₂. Край стокового контакта Bi обозначен как С.Е. (край контакта).
e) Топография области сколотой поверхности в зоне края контакта (С.Е.) в крупном масштабе - от контакта Bi через диэлектрик HfO₂ до подложки Si.
f) Топография с высоким разрешением, сфокусированная на зоне края контакта (С.Е.), с вычислением первой производной для каждой линии вдоль оси x для выделения контуров контакта Bi и монослоя (ML) MoS₂ (чёрные линии) в области С.Е.
g) Изображение производной туннельного тока dI/dV с высоким разрешением с тем же контуром Bi в области С.Е., определённым на панели f. Изображение получено при напряжении смещения на образце Vs = +2.0В, токе It = 400 пА и напряжении сток-исток VDS = 0.0В.
Белые и красные пунктирные линии на панелях f и g обозначают положение линейных развёрток STS.
h) Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения поперечного сечения (HR-XTEM) границы Bi/MoS₂ (верхняя панель) и соответствующее картографирование элементов методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (нижняя панель). a.u. - произвольные единицы.
Масштабные линейки: 50 нм (e); 5 нм (f,g); 20 нм (h, верхняя и нижняя панели).
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Некремниевые транзисторы на основе двумерных материалов будут более компактными – новые измерения это подтвердили
Ученые (Национальный университет Тайваня и коллеги из других организаций) измерили длину переноса носителей (carrier transfer length) в контакте металл-двумерный материал, в данном случае, в Bi/MoS₂. Этот параметр определяет, насколько малыми можно сделать контакты транзистора без потери производительности.
Используя поперечную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию (XSTM/S) с возможностью приложения рабочего напряжения непосредственно в процессе измерений, ученые определили область инжекции тока в контакте Bi/MoS₂. До сих пор оценки длины этой области основывались на теоретических моделях.
Длина переноса составила 2,0-3,0 нм при комнатной температуре. Это означает что контакты транзисторов на основе двумерных материалом можно будет масштабировать до размеров техпроцесса 1 нм без катастрофического роста контактного сопротивления.
От двумерных материалов типа MoS₂, графен и т.п. мы ожидаем, что они смогут заменить кремний в транзисторах будущего, поскольку они очень тонкие (всего 1 слой атомов) и обеспечивают хороший электростатический контроль затвора. Но узким местом остаются контакты – при уменьшении их размеров сопротивление повышается, что затрудняет работу. Зная точную длину переноса, порядка 2 нм, инженеры знают и физический предел миниатюризации контактов для этого класса материалов, что позволит создавать чипы со сверхплотными расположением узлов – для ИИ и высокопроизводительных материалов.
Подробнее: https://doi.org/10.1038/s41586-026-10707-0
Подписи к картинке:
a) Схематическое изображение структуры образца.
b) Поперечный срез образца для СТМ, полученный сколом в сверхвысоком вакууме. Длина канала и длина контакта в исследуемом приборе составляют 2 мкм.
c) СТМ-зондирование на боковом срезе образца, в котором в ходе СТМ-измерения прикладывается напряжение сток–исток VDS, где VS обозначает смещение на образце для процесса СТМ.
d) Схема прибора вблизи стокового контакта Bi и MoS₂. Край стокового контакта Bi обозначен как С.Е. (край контакта).
e) Топография области сколотой поверхности в зоне края контакта (С.Е.) в крупном масштабе - от контакта Bi через диэлектрик HfO₂ до подложки Si.
f) Топография с высоким разрешением, сфокусированная на зоне края контакта (С.Е.), с вычислением первой производной для каждой линии вдоль оси x для выделения контуров контакта Bi и монослоя (ML) MoS₂ (чёрные линии) в области С.Е.
g) Изображение производной туннельного тока dI/dV с высоким разрешением с тем же контуром Bi в области С.Е., определённым на панели f. Изображение получено при напряжении смещения на образце Vs = +2.0В, токе It = 400 пА и напряжении сток-исток VDS = 0.0В.
Белые и красные пунктирные линии на панелях f и g обозначают положение линейных развёрток STS.
h) Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения поперечного сечения (HR-XTEM) границы Bi/MoS₂ (верхняя панель) и соответствующее картографирование элементов методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX) (нижняя панель). a.u. - произвольные единицы.
Масштабные линейки: 50 нм (e); 5 нм (f,g); 20 нм (h, верхняя и нижняя панели).
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤5🔥2
🇰🇷 Страны-участницы рынка производства микроэлектроники. Стратегии. Инвестиции. Корея
Корея заработала на передовых микросхемах и собирается разумно воспользоваться неожиданными деньгами
Южная Корея заявила, что расходная часть госбюджета в 2027 году вырастет до масштабных более 800 трлн вон ($531 млрд). Это последствия того, как резко выросли налоговые поступления этого государства от бурно развивающейся индустрии микросхем для ИИ.
Наивысший приоритет получат три «мегапроекта»:
▫️инвестиции в наращивание мощностей выпуска микросхем;
▫️в строительство и масштабирование ЦОД ИИ
▫️и в «физический ИИ» (робототехнику и т.п.).
Причем финансирование этих направлений будет осуществляться не только за счет выросших налоговых поступлений, но также за счет масштабной реструктуризации существующих программ расходов, пересмотра обязательных расходов и сокращения неэффективных программ.
В частности, в Южной Корее планируют сформировать Фонд реагирования на будущие изменения в качестве стратегической инвестиционной платформы. В этот фонд будут направлены налоговые поступления, которые условно «не ожидались» (в таком объеме). Их планируется затем инвестировать в 4 сегмента: молодежь, двигатели роста, регионы и таланты.
В эффективности этих правительственных трат, есть, конечно, сомнения, но посмотрим. «Мегапроекты» выглядят более понятным и разумным вложением средств. Так или иначе, на сегодня вложения крупных корейских компаний в области микроэлектроники, то есть Samsung Electronics и SK Hynix, похоже, «выстрелили».
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Корея заработала на передовых микросхемах и собирается разумно воспользоваться неожиданными деньгами
Южная Корея заявила, что расходная часть госбюджета в 2027 году вырастет до масштабных более 800 трлн вон ($531 млрд). Это последствия того, как резко выросли налоговые поступления этого государства от бурно развивающейся индустрии микросхем для ИИ.
Наивысший приоритет получат три «мегапроекта»:
▫️инвестиции в наращивание мощностей выпуска микросхем;
▫️в строительство и масштабирование ЦОД ИИ
▫️и в «физический ИИ» (робототехнику и т.п.).
Причем финансирование этих направлений будет осуществляться не только за счет выросших налоговых поступлений, но также за счет масштабной реструктуризации существующих программ расходов, пересмотра обязательных расходов и сокращения неэффективных программ.
«Дополнительные налоговые поступления – ценный ресурс, который будет использован в «золотой период», когда будет определено глобальное доминирование в области ИИ», - заявил президент Ли.
В частности, в Южной Корее планируют сформировать Фонд реагирования на будущие изменения в качестве стратегической инвестиционной платформы. В этот фонд будут направлены налоговые поступления, которые условно «не ожидались» (в таком объеме). Их планируется затем инвестировать в 4 сегмента: молодежь, двигатели роста, регионы и таланты.
В эффективности этих правительственных трат, есть, конечно, сомнения, но посмотрим. «Мегапроекты» выглядят более понятным и разумным вложением средств. Так или иначе, на сегодня вложения крупных корейских компаний в области микроэлектроники, то есть Samsung Electronics и SK Hynix, похоже, «выстрелили».
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤2🔥2
🇺🇸 Радиационно-стойкие микросхемы. Внутреннее производство. Страны-участницы рынка производства микроэлектроники. Стратегии. Инвестиции. Господдержка. США
В США хотят восстановить внутреннее производство радстойких микросхем
Минобороны США выделило сравнительно небольшую сумму в $16 млн компании BAE Systems, предприятию тесно связанному с ВПК США, на восстановление производства радстойких микросхем (от англ. Radiation-Hardened Microelectronics, RHM, радиационно-стойкие микросхемы).
Ключевая особенность таких микросхем – они способны сохранять работоспособность дольше, чем обычные, гражданские микросхемы в условиях, например, космического излучения или заметного радиационного воздействия. Конкретнее – речь идет о производственной платформе RH45 Storefront, основанной на подходах технологии «радстойкость за счет конструкции» (RHBD - Radiation Hardened by Design), в данном случае, в виду имеют технологию SOI (кремний-на-изоляторе), техпроцесс 45 нм.
Это давно отработанная в США технология, которую решили «реанимировать» на внутренних производственных мощностях, восстановив доверенную производственную базу. Под эту технологию есть и соответствующие изделия, которые выпускались ранее, теперь их выпуск планируется восстановить без затрат на новое проектирование.
В общем «технологический суверенитет» и «национальная безопасность» на марше.
((по материалам Interesting Engineering))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
В США хотят восстановить внутреннее производство радстойких микросхем
Минобороны США выделило сравнительно небольшую сумму в $16 млн компании BAE Systems, предприятию тесно связанному с ВПК США, на восстановление производства радстойких микросхем (от англ. Radiation-Hardened Microelectronics, RHM, радиационно-стойкие микросхемы).
Ключевая особенность таких микросхем – они способны сохранять работоспособность дольше, чем обычные, гражданские микросхемы в условиях, например, космического излучения или заметного радиационного воздействия. Конкретнее – речь идет о производственной платформе RH45 Storefront, основанной на подходах технологии «радстойкость за счет конструкции» (RHBD - Radiation Hardened by Design), в данном случае, в виду имеют технологию SOI (кремний-на-изоляторе), техпроцесс 45 нм.
Это давно отработанная в США технология, которую решили «реанимировать» на внутренних производственных мощностях, восстановив доверенную производственную базу. Под эту технологию есть и соответствующие изделия, которые выпускались ранее, теперь их выпуск планируется восстановить без затрат на новое проектирование.
В общем «технологический суверенитет» и «национальная безопасность» на марше.
((по материалам Interesting Engineering))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥1
🇹🇼 Производство микросхем. Производственные мощности. Расширение производственных мощностей. Тайвань
TSMC развернет еще два фаба в Научном парке Цзяи на юге острова
Сегодня прошла церемония закладки «первого камня», в рамках которого в Научном парке Цзяи на юге Тайваня планируется построить 3-й и 4-й фабы TSMC по производству «современных микросхем». Первый фаб TSMC в этом месте уже запущен в серийное производство, начало серийного производства на втором заводе ожидается «в ближайшее время».
От парка ожидают ежегодной выручки в размере более 300 млрд тайванских долларов ($9.35 млрд) в год и более 9 тысяч рабочих мест после выхода на серийное производство всех четырех фабов.
Это реакция мирового лидера в области контрактного производства на продолжающийся рост спроса на чипы ИИ, его желание сохранить свою долю рынка на фоне массовых инвестиций в расширение национальных производственных мощностей чуть не всех стран, которые занимаются производством микроэлектроники. И, конечно, это отражает успех бизнес-модели TSMC – контрактное производство с топовыми технологиями, но при сравнительно низкой себестоимости.
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
TSMC развернет еще два фаба в Научном парке Цзяи на юге острова
Сегодня прошла церемония закладки «первого камня», в рамках которого в Научном парке Цзяи на юге Тайваня планируется построить 3-й и 4-й фабы TSMC по производству «современных микросхем». Первый фаб TSMC в этом месте уже запущен в серийное производство, начало серийного производства на втором заводе ожидается «в ближайшее время».
От парка ожидают ежегодной выручки в размере более 300 млрд тайванских долларов ($9.35 млрд) в год и более 9 тысяч рабочих мест после выхода на серийное производство всех четырех фабов.
Это реакция мирового лидера в области контрактного производства на продолжающийся рост спроса на чипы ИИ, его желание сохранить свою долю рынка на фоне массовых инвестиций в расширение национальных производственных мощностей чуть не всех стран, которые занимаются производством микроэлектроники. И, конечно, это отражает успех бизнес-модели TSMC – контрактное производство с топовыми технологиями, но при сравнительно низкой себестоимости.
((по материалам Reuters))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤1👍1🔥1
🇨🇳 Собственные ИИ-чипы. ИИ-чипы для инференса. Китай
DeepSeek разрабатывает собственный чип для вывода?
По данным Reuters, разработка стартовала примерно год назад. Года на создание такой микросхемы, конечно, недостаточно, это одна из причин того, что чип пока не готов. По данным источников информационного агентства, компания по-прежнему, ведет переговоры с фирмами, которые занимаются проектированием чипов, контрактными производителями полупроводников и поставщиками памяти. А еще – нанимает инженеров.
У DeepSeek были разные периоды в процессе развития линейки ИИ. На первом этапе компания использовала чипы Nvidia, например, H800 для обучения R1. Затем компания перешла на решения Huawei (Ascend).
Создать ИИ-чип даже для инференса – непростое дело, проектированием архитектуры дело не исчерпывается, нужно подобрать подходящую память, особенно важно выбрать быструю память HBM, предусмотреть взаимодействие с уже развернутым программным стеком, пройти этапы тестирования и оптимизации.
Китайская команда идет этим путем последовательно. В апреле 2026 года была выпущена модель V4, которая изначально проектировалась и отлаживалась в связке с кластерами на Huawei Ascend. Для этого пришлось переписать ряд операторов CUDA под фреймворк CANN.
Пока что нет ясности, когда появится собственный чип DeepSeek, но то, что он появится в ближайшие годы, весьма вероятно. В этом плане DeepSeek идет той же дорогой, что и многие другие крупные IT-компании.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
DeepSeek разрабатывает собственный чип для вывода?
По данным Reuters, разработка стартовала примерно год назад. Года на создание такой микросхемы, конечно, недостаточно, это одна из причин того, что чип пока не готов. По данным источников информационного агентства, компания по-прежнему, ведет переговоры с фирмами, которые занимаются проектированием чипов, контрактными производителями полупроводников и поставщиками памяти. А еще – нанимает инженеров.
У DeepSeek были разные периоды в процессе развития линейки ИИ. На первом этапе компания использовала чипы Nvidia, например, H800 для обучения R1. Затем компания перешла на решения Huawei (Ascend).
Создать ИИ-чип даже для инференса – непростое дело, проектированием архитектуры дело не исчерпывается, нужно подобрать подходящую память, особенно важно выбрать быструю память HBM, предусмотреть взаимодействие с уже развернутым программным стеком, пройти этапы тестирования и оптимизации.
Китайская команда идет этим путем последовательно. В апреле 2026 года была выпущена модель V4, которая изначально проектировалась и отлаживалась в связке с кластерами на Huawei Ascend. Для этого пришлось переписать ряд операторов CUDA под фреймворк CANN.
Пока что нет ясности, когда появится собственный чип DeepSeek, но то, что он появится в ближайшие годы, весьма вероятно. В этом плане DeepSeek идет той же дорогой, что и многие другие крупные IT-компании.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥4👍1
🇷🇺 Отечественная электроника. СХД. Россия
Сигналтек и Рейдикс представили российские СХД на базе Raidix 5
Это двухпроцессорные решения корпоративного уровня для начального и среднего сегмента, основанные на отечественных серверах Сигналтек (2х Intel Xeon Gen 5) и ПО Рэйдикс.
Тестирование и валидацию прошли две системы – на 12 и 24 диска, соответственно: Сигнал Датастэк DS-5201 ТДРС.465279.024 и Сигнал Датастэк DS-5202 ТДРС.465279.025. Объем хранения можно нарастить до 132 накопителей, добавляя дисковые полки.
Компания отмечает такие особенности своего решения, как экономичность для конфигурации с одним контроллером; высокая надежность в отказоустойчивой конфигурации с двумя контроллерами, в которой реализовано дублирование ключевых компонентов системы; поддержка протоколов файлового (NFS, NFS-over-RDMA, SMB, FTP) и блочного (FC, IB-SRP, iSCSI, iSER) типов доступа, что позволяет адаптировать системы под различные типы нагрузки.
Высокая производительность достигается в том числе за счет использования ПО Raidix 5 технологии кэширования ресурсов в оперативной памяти, математические алгоритмы собственной разработки обеспечивают увеличение скорости расчета контрольных сумм в RAID-массивах.
Среди функциональных особенностей можно отметить такие запатентованные Рэйдикс технологии, как, например, упреждающая и частичная реконструкция, адаптивный механизм упреждающего чтения, защита от скрытого повреждения данных.
В компании ожидают, что системы будут востребованы для построения ИТ-инфраструктуры в организациях со строгими требованиями к сохранности данных, например, в медицинских и финансовых учреждениях, а также органах государственной власти. В 3q2026 в компании рассчитывают на включение решений в реестр Минпромторга РФ по коду СХД.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Сигналтек и Рейдикс представили российские СХД на базе Raidix 5
Это двухпроцессорные решения корпоративного уровня для начального и среднего сегмента, основанные на отечественных серверах Сигналтек (2х Intel Xeon Gen 5) и ПО Рэйдикс.
Тестирование и валидацию прошли две системы – на 12 и 24 диска, соответственно: Сигнал Датастэк DS-5201 ТДРС.465279.024 и Сигнал Датастэк DS-5202 ТДРС.465279.025. Объем хранения можно нарастить до 132 накопителей, добавляя дисковые полки.
Компания отмечает такие особенности своего решения, как экономичность для конфигурации с одним контроллером; высокая надежность в отказоустойчивой конфигурации с двумя контроллерами, в которой реализовано дублирование ключевых компонентов системы; поддержка протоколов файлового (NFS, NFS-over-RDMA, SMB, FTP) и блочного (FC, IB-SRP, iSCSI, iSER) типов доступа, что позволяет адаптировать системы под различные типы нагрузки.
Высокая производительность достигается в том числе за счет использования ПО Raidix 5 технологии кэширования ресурсов в оперативной памяти, математические алгоритмы собственной разработки обеспечивают увеличение скорости расчета контрольных сумм в RAID-массивах.
Среди функциональных особенностей можно отметить такие запатентованные Рэйдикс технологии, как, например, упреждающая и частичная реконструкция, адаптивный механизм упреждающего чтения, защита от скрытого повреждения данных.
В компании ожидают, что системы будут востребованы для построения ИТ-инфраструктуры в организациях со строгими требованиями к сохранности данных, например, в медицинских и финансовых учреждениях, а также органах государственной власти. В 3q2026 в компании рассчитывают на включение решений в реестр Минпромторга РФ по коду СХД.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥6👀1
🇷🇺 Микроэлектроника. Дискретные полупроводники. Мощные транзисторы. GaN. Россия
НИИЭТ выводит на рынок два мощных GaN-транзистора
Воронежский НИИ электронной техники (ГК Элемент) анонсирует выпуск мощных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры.
Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт.
ТНГ 131005-28 в традиционном металлокерамическом корпусе оптимизирован по работу в Ku-диапазоне – выдает непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13.5 ГГц (отмечу, что речь - не о пиковой мощности). При этом транзистор показывает коэффициент усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50% - это высокие параметры для дискретных транзисторов в корпусе.
Проектируя ТНГ 60005‑28П старались сделать его меньшим по площади, пригодным для групповой сборки печатных плат методом поверхностного монтажа. Но и его рабочие частоты сравнительно высокие – 6-8 ГГц, опять же, при мощности более 10 Вт. В итоге получился прибор размером 3х3 мм в металлополимерном корпусе DFN3x3-6L. Коэффициент усиления Kур ≥ 17,4 дБ (в том числе, за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса), опять же, выше, чем у аналогов. Заявленный КПД ≥ 56%.
При рабочем напряжении в 28 В, запас приборов по напряжению - до 130 В.
Где можно применять такие приборы?
В усилителях мощности передатчиков (например, в радиомодулях базовых станций сотовой связи), в радиолокационных станциях, в системах радиоэлектронной борьбы и т.п.
Развитие GaN‑направления в Группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия официально признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
НИИЭТ выводит на рынок два мощных GaN-транзистора
Воронежский НИИ электронной техники (ГК Элемент) анонсирует выпуск мощных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры.
Новые транзисторы ТНГ 131005‑28 и ТНГ 60005‑28П рассчитаны на напряжение питания 28 В и обеспечивают выходную мощность более 10 Вт.
ТНГ 131005-28 в традиционном металлокерамическом корпусе оптимизирован по работу в Ku-диапазоне – выдает непрерывную выходную мощность более 10 Вт на частотах до 13.5 ГГц (отмечу, что речь - не о пиковой мощности). При этом транзистор показывает коэффициент усиления Кур ≥ 13 дБ и КПД до 50% - это высокие параметры для дискретных транзисторов в корпусе.
Проектируя ТНГ 60005‑28П старались сделать его меньшим по площади, пригодным для групповой сборки печатных плат методом поверхностного монтажа. Но и его рабочие частоты сравнительно высокие – 6-8 ГГц, опять же, при мощности более 10 Вт. В итоге получился прибор размером 3х3 мм в металлополимерном корпусе DFN3x3-6L. Коэффициент усиления Kур ≥ 17,4 дБ (в том числе, за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей корпуса), опять же, выше, чем у аналогов. Заявленный КПД ≥ 56%.
При рабочем напряжении в 28 В, запас приборов по напряжению - до 130 В.
Где можно применять такие приборы?
В усилителях мощности передатчиков (например, в радиомодулях базовых станций сотовой связи), в радиолокационных станциях, в системах радиоэлектронной борьбы и т.п.
Развитие GaN‑направления в Группе компаний «Элемент» соответствует стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Технология на основе нитрида галлия официально признана ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года, и работа института в этом сегменте служит одним из практических примеров реализации обозначенных целей. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤13👍8🔥2
♨️ Чиплетная технология. Мнения
Если вас интересует эта тема, то можно посмотреть публикацию "Горячий конструктор для холодного расчета", автор - Андрей Кондратьев, Телеспутник.
Статья посвящена чиплетному подходу в микроэлектронике - модульной архитектуре, при которой система собирается из нескольких специализированных кристаллов (чиплетов), изготовленных по разным техпроцессам и объединённых в одном корпусе. Это мировой тренд, позволяющий обходить физические ограничения закона Мура, снижать стоимость разработки и повышать выход годных изделий. Для Китая и России такой подход рассматривается еще и как способ преодоления санкционных ограничений, позволяющий создавать высокопроизводительные системы даже на «зрелых» техпроцессах (например, 28 нм).
В России уже сделаны первые шаги: Фонд перспективных исследований зарегистрировал топологию интерфейсного чиплета с высокоскоростным интерконнектом, НИИМА «Прогресс» ведёт НИР по чиплетам в сотрудничестве с Зеленоградским нанотехнологическим центром. Однако эксперты отмечают серьёзные препятствия: отсутствие универсальных стандартов соединений (UCIe), низкую кооперацию между производителями, технические проблемы (теплоотвод, питание, интеграция) и необходимость создания экосистемы на десятилетия. При этом чиплеты признаются перспективными для дорогих нишевых решений (АФАР-антенны, системы спецназначения), но не для массовой недорогой продукции.
Конечно, в рамках одного текста невозможно было даже краешком зацепить многие важные аспекты. Например, можно говорить о сложностях производства подложек для гетерогенной интеграции, а также о межсоединениях TSV, материалы для упаковки (полимеры и припои) и оборудование для сборки тоже зачастую в санкционных списках. Есть ли на эти решения массовый заказчик, кроме "специальных". Тот же UCIe можно ли использовать, да и в целом консорциум UCIe постоянно развивает стандарт, если не быть частью этой работы, то есть риск, что отставание будет и в чиплетах. Проектирование чиплетов потребует других САПР, впрочем, здесь мы и так начинаем чуть ли не с чистого листа.
Несмотря на перечисленное, я все равно придерживаюсь идеи перспективности чиплетных технологий для России, если мы еще продолжаем смотреть в сторону технологической независимости. Впрочем, если все еще вернется к ситуации закупок, то научные разработки в этой области вряд ли пропадут, возможно, найдутся те, кому их можно будет лицензировать.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Если вас интересует эта тема, то можно посмотреть публикацию "Горячий конструктор для холодного расчета", автор - Андрей Кондратьев, Телеспутник.
Статья посвящена чиплетному подходу в микроэлектронике - модульной архитектуре, при которой система собирается из нескольких специализированных кристаллов (чиплетов), изготовленных по разным техпроцессам и объединённых в одном корпусе. Это мировой тренд, позволяющий обходить физические ограничения закона Мура, снижать стоимость разработки и повышать выход годных изделий. Для Китая и России такой подход рассматривается еще и как способ преодоления санкционных ограничений, позволяющий создавать высокопроизводительные системы даже на «зрелых» техпроцессах (например, 28 нм).
В России уже сделаны первые шаги: Фонд перспективных исследований зарегистрировал топологию интерфейсного чиплета с высокоскоростным интерконнектом, НИИМА «Прогресс» ведёт НИР по чиплетам в сотрудничестве с Зеленоградским нанотехнологическим центром. Однако эксперты отмечают серьёзные препятствия: отсутствие универсальных стандартов соединений (UCIe), низкую кооперацию между производителями, технические проблемы (теплоотвод, питание, интеграция) и необходимость создания экосистемы на десятилетия. При этом чиплеты признаются перспективными для дорогих нишевых решений (АФАР-антенны, системы спецназначения), но не для массовой недорогой продукции.
Конечно, в рамках одного текста невозможно было даже краешком зацепить многие важные аспекты. Например, можно говорить о сложностях производства подложек для гетерогенной интеграции, а также о межсоединениях TSV, материалы для упаковки (полимеры и припои) и оборудование для сборки тоже зачастую в санкционных списках. Есть ли на эти решения массовый заказчик, кроме "специальных". Тот же UCIe можно ли использовать, да и в целом консорциум UCIe постоянно развивает стандарт, если не быть частью этой работы, то есть риск, что отставание будет и в чиплетах. Проектирование чиплетов потребует других САПР, впрочем, здесь мы и так начинаем чуть ли не с чистого листа.
Несмотря на перечисленное, я все равно придерживаюсь идеи перспективности чиплетных технологий для России, если мы еще продолжаем смотреть в сторону технологической независимости. Впрочем, если все еще вернется к ситуации закупок, то научные разработки в этой области вряд ли пропадут, возможно, найдутся те, кому их можно будет лицензировать.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤8
🇮🇪 🇺🇸 Производители микросхем. Инвестиции. Крупные участники рынка. Ирландия. США
Intel инвестирует 5 млрд евро в мощности производственных площадок для ИИ в ЕС
Речь не о заглохшем проекте фаба в Магдебурге, Германия, а о планах расширить производственные мощности в Лейкслипе, Килдэйр, Ирландия. Процесс уже начался ранее в 2026 году, идет модернизация производственных мощностей и установку передового оборудования для увеличения объемов выпуска процессоров Intel Xeon 6 и следующего поколения (по техпроцессу Intel 3).
Кроме того, Intel занимается интеграцией разрозненных модулей кампуса в единую высокопроизводительную систему.
Фаб в Ирландии и до модернизации был одним из наиболее передовых производств Intel. Инвестиции помогут Ирландии оставаться «на передовой» исследований, укрепляя позиции Европы. Инвестиции составляют около 30% от запланированных капитальных расходов Intel на 2026 год ($17 млрд). С момента начала деятельности в 1989 году Intel инвестировала более 30 миллиардов евро в Республику Ирландия. На площадке в Лейкслипе в настоящее время работают 4900 человек. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Intel инвестирует 5 млрд евро в мощности производственных площадок для ИИ в ЕС
Речь не о заглохшем проекте фаба в Магдебурге, Германия, а о планах расширить производственные мощности в Лейкслипе, Килдэйр, Ирландия. Процесс уже начался ранее в 2026 году, идет модернизация производственных мощностей и установку передового оборудования для увеличения объемов выпуска процессоров Intel Xeon 6 и следующего поколения (по техпроцессу Intel 3).
Кроме того, Intel занимается интеграцией разрозненных модулей кампуса в единую высокопроизводительную систему.
Фаб в Ирландии и до модернизации был одним из наиболее передовых производств Intel. Инвестиции помогут Ирландии оставаться «на передовой» исследований, укрепляя позиции Европы. Инвестиции составляют около 30% от запланированных капитальных расходов Intel на 2026 год ($17 млрд). С момента начала деятельности в 1989 году Intel инвестировала более 30 миллиардов евро в Республику Ирландия. На площадке в Лейкслипе в настоящее время работают 4900 человек. ||
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥1
📈 Рост цен на электронные компоненты. Мнения
Ericsson предупреждает о росте стоимости компонентов
Гендиректор Ericsson предупредил, что рост стоимости комплектующих повлияет на прибыльность подразделения Networks, что особенно печально для компании, у которой во втором квартале снизилась выручка.
Выручка снизилась на 6% год к году до $5.4 млрд, а чистая прибыль - на 12% гг до $0.4 млрд. Компания объяснила снижение доходов уменьшением выручки от лицензирования интеллектуальной собственности.
Интересно, что продажи подразделения Networks снизились на 8% гг из-за "негативного влияния валютных курсов" и "снижения цен в Европе и в Северной и Южной Америке" - интересно.
Уходящий гендиректор Экхольм отметил, что "в последние годы компания укрепила свой портфель, чтобы освоить следующую волну возможностей, основанную на оборудовании и ПО, основанных на ИИ. Опираясь на технологическое лидерство в мобильных сетях, мы расширились в привлекательные области роста, что позволит Ericsson извлекать выгоду из того, что ИИ все более проникает в физический мир".
((по материалам Mobile World Live))
💎 Во всей этой истории интересны три тезиса - стоимость электронных компонентов заметно выросла; цены на телеком-оборудование в США и в Европе снизились; ИИ - неотъемлемая часть современных и перспективных телеком-решений.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Ericsson предупреждает о росте стоимости компонентов
Гендиректор Ericsson предупредил, что рост стоимости комплектующих повлияет на прибыльность подразделения Networks, что особенно печально для компании, у которой во втором квартале снизилась выручка.
Выручка снизилась на 6% год к году до $5.4 млрд, а чистая прибыль - на 12% гг до $0.4 млрд. Компания объяснила снижение доходов уменьшением выручки от лицензирования интеллектуальной собственности.
Интересно, что продажи подразделения Networks снизились на 8% гг из-за "негативного влияния валютных курсов" и "снижения цен в Европе и в Северной и Южной Америке" - интересно.
Уходящий гендиректор Экхольм отметил, что "в последние годы компания укрепила свой портфель, чтобы освоить следующую волну возможностей, основанную на оборудовании и ПО, основанных на ИИ. Опираясь на технологическое лидерство в мобильных сетях, мы расширились в привлекательные области роста, что позволит Ericsson извлекать выгоду из того, что ИИ все более проникает в физический мир".
((по материалам Mobile World Live))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤3🔥1