RUSmicro
5.74K subscribers
1.91K photos
25 videos
30 files
5.98K links
Новости микроэлектроники, электроники и вычислительной техники. Поддержка @abloud

Обсуждения публикаций доступны участникам закрытой группы ChipChat, вступить в нее можно по рекомендации кого-либо из участников группы или ведущего канал.
Download Telegram
🇷🇺 Отечественное оборудование. Оборудование для тестирования микросхем. Россия

Positive Technologies создал комплекс LFI-26 для тестирования безопасности чипов

LFI - от англ. Laser Fault Injection, лазерная инжекция неисправностей. Комплекс позволяет вносить «управляемые сбои» в работу чипов с помощью сфокусированного лазерного излучения. Точность воздействия обычно достигает нескольких микросекунд и позволяет выявлять уязвимости в аппаратной защите устройств. Такие исследования позволяют выявлять не только уязвимости, но и возможные «закладки» на аппаратном уровне.

С помощью LFI-26 можно проверять защищенность чипов, которые устанавливают в банкоматы, банковские карты, криптокошельки, iPhon'ы, IoT-устройства, автомобильные блоки управления или орбитальные спутники.

До 2022 году такие решения закупались за рубежом, обычно, у французской ALPhANOV и у компании Riscure, Нидерланды.

LFI-26 – не изолированное решение, но часть линейки комплексов для исследований безопасности микроэлектроники, разработкой и выпуском которой занимается компания Positive Labs. В эту линейку, в частности, входят системы для электромагнитного воздействия на чипы – EMFI-26 (Electromagnetic Fault Injection) и анализа побочных каналов EMSCA-26 (от англ. ElectroMagnetic Side Channel Analysis).

Комплекс представили на ПМЭФ.

((по материалам пресс-релиза компании Positive Technologies))

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
👍71👏1
🇺🇸 Микроэлектроника. Искусственный интеллект. Платформы. SoC. Тренды. США

Платформа Nvidia RTX Spark – ИИ идет на ПК и другие пользовательские устройства

Nvidia анонсировала свою новую платформу на выставке Computex 2026, которую в целом можно свести к одной общей идее – ИИ массово идет на пользовательские устройства. Решение Nvidia послужит катализатором этого процесса, но и без того тема мейнстримовая, Nvidia – далеко не единственный участник рынка, который способствует движению в данную сторону.

Итак, что такое Nvidia RTX Spark – это SoC, созданная в сотрудничестве с MediaTek, произведенная по 3нм техпроцессу TSMC. В общем, без Тайваня, ее бы не было.

В составе платформы – 20-ядерный ARM-процессор Grace, и графический процессор Blackwell RTX с 6144-ядрами, с поддержкой всего, что создается под CUDA и тензорными ядрами. Заявленная производительность в терминах FP4 – до 1 Петафлопс.

За счет применения унифицированной памяти LPDDR5X с ее пропускной способностью до 300 ГБ/с емкостью до 128 ГБ, на платформе можно запускать LLM до 120 млрд параметров.

Первые устройства на базе RTX Spark, а это будут ноуты и мини-ПК от таких известных брендов, как Dell, HP, Lenovo, Sus, Acer и MSI появятся еще до конца 2026 года. Хочется верить, что хоть что-то из этого изобилия будет доступно и на подсанкционном и локализуемом российском рынке – было бы обидно оказаться в стороне от мейнстрима.

В целом выставка ясно дала понять: ИИ смещается от облачных серверов в сторону «физического ИИ». В качестве необязательных доказательств – партнерство Nvidia с китайской Unitree для создания гуманоидного ИИ-робота для исследователей, ИИ-решения 3D зрения от Aetina, решения Edge AI от Advanctech.

Один из побудительных мотивов к смещению ИИ из облака на устройство пользователя – это, конечно, приватность. Данные, которые мы передаем ИИ, зачастую слишком многое рассказывают о нас, чтобы направлять их в облако – личные разговоры, медицинские данные и т.п. При использовании ИИ на устройстве, есть хотя бы теоретическая возможность, что персональные данные не покинут устройства пользователя, что снижает риск их утечки. Из дополнительных бонусов – снижение загрузки каналов связи и связанная с этим энергоэффективность ИИ-вычислений. Впрочем, это дискуссионная тема. Куда привлекательнее то, что локальные ИИ-возможности не зависят от доступности и стабильности интернет-подключения. Для российских условий с внезапными «замедлениями» или блокировками тех или других интернет-сайтов, приложений и сервисов, с частыми блокировками мобильного интернета последних месяцев, ИИ на устройстве - это в целом важная возможность.

Один минус – своей Nvidia в России пока нет.

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
2🤔1
🇷🇺 Силовая электроника. ЭЗС. Силовые модули. Цепочки поставок. Соглашения. Россия

Элемент-Технологии и Реватт договорились о поставках силовых модулей для зарядных станций
 
Компании договорились о поставке 800 силовых модулей мощностей 40 кВт разработки ГК Элемент, которые будут задействованы в электрозарядных станциях (ЭЗС) производства Реватт мощностью до 480 кВт и зарядных хабов. Для признания ЭЗС российской, использование произведенного в России силового модуля является обязательным, что стимулирует производителей ЭЗС внимательно приглядываться к российским поставщикам таких решений.
 
Серийное производство модулей планируется запустить «в ближайшие несколько месяцев» на собственном производстве компании Элемент-Технологии в ОЭЗ «Технополис Москва». До конца 2026 года на площадке в Алабушево планируется произвести «порядка 15 тысяч российских силовых модулей». Заявляемый КПД модулей для Реватт – около 95%, в Элемент-Технологиях работают над расширением линейки моделей для ЭЗС. ||

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
9🔥5👏4
Доля российских производителей на рынке радиоэлектроники выросла с 12–12,5% в 2020 г. до 62% в 2025 г. Об этом 5 июня 2026 г. на II Всероссийской научно-практической конференции по проектированию, разработке, материалам и технологиям производства печатных плат РТУ МИРЭА и Консорциума печатных плат заявил директор департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга Юрий Плясунов. Совокупную емкость этого сегмента по итогам прошлого года в министерстве оценивают в 3–4 трлн руб., из которых около 1–1,2 трлн руб. пришлось на госзаказ. Об этом пишет издание Ведомости.

Существенный рост доли российских производителей связан с изменением структуры спроса, когда в отсутствие иностранного участники рынка постепенно начали переход на отечественные решения. По мнению экспертов, дополнительным фактором развития стали государственные программы поддержки отрасли и требования по использованию отечественной продукции в отдельных категориях закупок.
Доля 62% — это интегральный показатель, так как в зависимости от типа оборудования доли могут различаться. Драйвером такого увеличения, в первую очередь, является регулируемый рынок, где, по нашим оценкам, доля отечественного телеком оборудования составляет уже более 70%. Некоторые виды оборудования, например, устройства для коммутации и оборудование спектрального уплотнения (DWDM) востребованы и на нерегулируемом рынке. По некоторым типам оборудования доля еще небольшая (например, базовые станции), но и операторы связи, и производители в последнее время активно работают над увеличением доли российского ТКО,

— отметил генеральный директор АНО Консорциум "Телекоммуникационное оборудование" Григорий Ревазян.

Одна из мер по стимулированию рынка отечественной продукции – требования к признанию их российскими через постановление правительства № 719. Оно предусматривает начисление баллов, необходимых для попадания в реестр отечественной радиоэлектронной продукции Минпромторга. Баллы можно получить за счет локальных комплектующих и техпроцессов, которые используются при производстве. Госзаказчики обязаны руководствоваться реестром Минпромторга при проведении закупок. В АНО ТКО считают, что
"сейчас реализуется широкая линейка мер поддержки спроса, однако в тоже время необходимо уделить больше внимания увеличению существующих механизмов. Так, мы видим потенциал в стимулировании спроса на отечественные решения через регулирование требований в сфере критической информационной инфраструктуры. В определении типов и уровней, а также необходимого оборудования для КИИ существует возможность воздействовать и на нерегулируемый рынок с целью повышения доли отечественного".
👍94👏2
🇷🇺 Производство электроники. Регулирование. Технологический сбор. Россия

«Технологический сбор» отодвинули на 1-е декабря 2026 года

Этот небольшой подарок особо не поможет компаниям, которые ввозят или производят электронику и компоненты, но хотя бы позволит им насладиться месяцами, остающимися до появления этого нового «неналога», подготовиться к его введению (насколько это вообще возможно в условиях проблем с оборотными средствами), настроить его администрирование.

Как заявляется, средства, собранные в рамках «техносбора» пойдут в бюджет. А затем, возможно, на субсидирование программ по развитию производства электроники и микроэлектроники. Возможно, через ФРП. Но это пока не точно.

Отсрочка, как ожидается, позволит уточнить процедуры обмена данными, снять «спорные вопросы», синхронизировать информационные системы. Впрочем, скорее всего, истинная причина временного послабления – политическая, приближаются выборы. А вот 2027 год, похоже, станет очередным серьезным испытанием для российского бизнеса в области электроники. ||

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
3
🇨🇳 Микроэлектроника. Технологии. Наноимпринтинг. Китай

Китайская Prianano показала потенциал применения наноимпринтной технологии в фотонике
 
Хотя об этом почему-то пишут сейчас, компания уже демонстрировала наноимпринтную установку еще в 2025 году, уже тогда на ней выпустили опытные изделия кремниевой фотоники. Что изменилось с августа 2025 года? Не знаю, на первый взгляд, ничего существенного. Фотонные чипы еще тогад были сформирована на 8-дюймовых кремниевых пластинах в сотрудничестве с Shenzhen Litra Technology.
 
В 2025 году Prinano представила установку PuLin PL-SR (степпер) для производства фотонных кристаллов на основе так называемой наноимпринтной литографии (Nanoimprint Lithography, NIL), не путать с фотолитографией.

Технология действительно может найти применение в микроэлектронном производстве, но пока что не претендует на возможность заменить EUV-литографию для производства передовых логических микросхем. EUV-установки ASML обеспечивают более высокую плотность размещения элементов, возможность многошаговой обработки. Но для кремниевой фотоники хватает и возможностей наноимпринтинга. Эта установка, похоже, является репликой решения Canon FPA-1200NZ2C, а этот инструмент умеет создавать линии плотностью до 10нм.
 
🎓 Как работает NIL-установка? Первым делом изготавливается шаблон-штамп с рельефной наноструктурой (для этого применяется электронно-лучевая литография). На подложку наносят резист, который под давлением отверждается УФ-излучением. Механизм прецизионного совмещения обеспечивает точное наложение и прижим шаблона к подложке, далее производится отверждение резиста и начинаются обычные процессы – травления, промыки, металлизации и т.п. Как правило, вместе с установкой наноимпринтинга применяют систему контроля качества отпечатка (используется атомно-силовая микроскопия).
 
Импринтные установки позволяют обойтись без сложнейшей оптики и мощных лазерных источников. Только на сниженном потреблении электроэнергии можно сэкономить значительные средства. В обмен предъявляются сложно реализуемые требования к штампу и поддержания чистоты процесса.
 
Стоит отметить, что Prinano не раскрыла такие ключевые показатели, как объём выпуска, данные о выходе годных, плотности дефектов. Нет информации о заказчиках и независимого подтверждения заявленных результатов также не представлено.
 
Наноимпринтная технология известна не первый день, ей давно и активно занимаются в Японии. Canon совместно с Toshiba создали прототип NIL‑установки для 5‑нм фотонных чипов. В 2025 году они запустили пилотную линию по выпуску оптических компонентов для ЦОД. В Токийском Университете пробуют сочетать NIL и плазменное травление, добиваясь разрешения в 18нм. Sharp использует NIL для производства волноводов и резонаторов для LiDAR-систем.  Компания Dai Nippon Printing (DNP) заявляет, что уже испытывает технологию с планами начать серийное производство в 2027 году. В декабре 2025 года компания показывала технологию с шириной линии 10нм на выставке SEMICON Japan 2025 в Токио. Ширина линии 10 нм была достигнута с помощью так называемой технологии саморегулируемого двойного формирования рисунка (паттернинга) или SADP. ||

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
3👍1
🇨🇳 🇯🇵 🇺🇸 РЗЭ. Геополитика. Китай. Япония. США

США попросили Китай возобновить экспорт в Японию РЗЭ, но, похоже, просьба не возымеет успеха

В марте-апреле 2026 года экспорт РЗЭ из Китая в Японию сократился на десятки процентов год к году, что некоторые связывают с реакцией Пекина на заявление осенью 2025 года премьер-министра Японии о возможном участии его страны в потенциальном конфликте за Тайвань. Впрочем, есть и другие стимулы для таких ограничений – внутренние квоты Китая на экспорт РЗЭ и рост внутреннего потребления РЗЭ в Китае.

Почему США просят за Японию? Эти две страны состоят в очень тесных отношениях, Япония – ключевой союзник США в АТР, частично можно говорить о взаимозависимости их экономик. Поэтому не удивительно, что США просят Китай за своего близкого и надежного союзника.

Хотя официальных заявлений по поводу ответа Пекина пока не было, нетрудно предположить, что в Китае не поспешат пойти навстречу. Подогревает ситуацию и Тайвань, где сейчас рассматривают возможность ужесточения экспортного контроля в отношении поставок чипов ИИ китайским компаниям – США продолжают латать «дырки в заборе» экспортного контроля.

Для Японии ситуация неприятная, промышленность этой страны уже ощущает негативные последствия нехватки РЗЭ. РЗЭ критически важны для японской промышленности, особенно для производства постоянных магнитов (неодим, празеодим), аккумуляторов (лантан, церий), оптики и лазеров (иттрий, европий).

Альтернатив немного – просить РЗЭ у союзников в лице США, которые также сталкиваются с их нехваткой, искать возможность закупки РЗЭ в других странах, - из реалистичных альтернатив можно перечислить Бразилию, Австралию, Вьетнам и, до какой-то степени, Россию, отношения с которой у Японии сейчас далеко не лучшие. Еще один поставщик РЗЭ в Японию – это Индия, но и эта страна намеревается остановить экспорт РЗЭ в Японию – страны не ссорились, просто Индия сама страдает от нехватки РЗЭ.

В этих условиях Япония активно инвестирует в проекты в Австралии, во Вьетнаме, присматривается к глубоководной добыче конкреций, рециклинку РЗЭ из электроники и магнитов – но все это не позволит заменить отвалившиеся закупки из Китая в краткосрочном периоде.

Для Китая на сегодня доминирование по добыче (60-70% мирового объема) и переработке (до 90%) РЗЭ стало «увесистой дубинкой», которую можно применять в международных отношениях. И в Китае ею пользуются, хотя и с определенной аккуратностью, не размахивая направо и налево просто «потому что могут». ||

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
🔥3👀1
Китай начал крупномасштабные поставки полупроводников и микросхем на основе нитрида галлия (GaN). В частности, будет реализовано 5 млн компонентов, предназначенных для терминалов спутниковой связи 6G. Передовой компонент разработан «Научно-исследовательским институтом электронных технологий №55» Китая (CETC), который находится под санкциями США, а также его подразделением – Nanjing Guobo Electronics.
 
Китай является крупнейшим в мире держателем запасов галлия, а также крупнейшим экспортером этого редкоземельного элемента. В настоящее время экспорт галлия и его оксидов контролируется госструктурами Китая.
 
Активность по части разработки и внедрения GaN-полупроводников, включая микросхемы и микросборки, сейчас наблюдается во многих технологически развитых странах. Этому способствует возможность полупроводниковых GaN-устройств выдерживать бо‌льшие мощности и температуры, чем кремниевых на высоких частотах, оставаться энергоэффективными в большем диапазоне частот.

В России в применении разработок на основе GaN тоже заинтересованы. В конце 2025 года компания «Миландр» (Зеленоград) завершила квалификационные испытания широкой линейки мощных импульсных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия, предназначенных для использования в перспективном телекоммуникационном оборудовании. Также в Институте физики полупроводников СО РАН изучают возможности системы самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AIN.

#вмире
3
(2) 🇨🇳 Микроэлектроника. Производство полупроводников. GaN для телекома. 5G/6G. Китай

Продолжу тему деталями общей картины активностей в области нитрида галлия в других странах:
 
🇺🇸 В США GaN-компоненты предлагают компании Qorvo, Wolfspeed и Microchip. Они используются в радарах и в системах спутниковой связи. Intel Foundry Services объявила о крупном технологическом прорыве - разработке и изготовлении «самого тонкого в мире» чиплета из нитрида галлия (GaN-on-Si). Толщина кремниевой подложки уменьшена до 19 мкм.
Есть любопытный факт партнерства американской onsemi с китайской Innoscience. В декабре 2025 года подписано соглашение этих компаний о совместной разработке GaN-технологий низкого и среднего напряжения, начиная с устройств на 40-200 В. Цель партнерства – объединить опыт onsemi в области интегрированных систем с 8-дюймовой GaN-технологией Innoscience для поддержки продуктов для промышленного применения, автомобильной промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры, потребительских товаров и центров обработки данных с использованием ИИ.
 
🇯🇵 В Японии рынок RF GaN хорошо развит – Mitsubishi Electric, например, выпускает усилитель мощности 7 ГГц для БС 5G Advanced. NTT Advanced Technology (NTT-AT) занимается производством эпитаксиальных пластин GaN-HEMT.
 
🇰🇷 В Корее разрабатывают как силовые полупроводники GaN, так и интегральные схемы MMIC. Компания IVWorks – единственный в стране производитель эпитаксиальных платин GaN-HEMT привлекла $4.5 млн для расширения рынка для своих продуктов, в частности, с ориентацией на спутниковую связь.
 
🇹🇼 Тайвань ведет активные исследования в области GaN-компонентов для 6G и спутниковой связи. TSMC лицензирует свои наработки в этой области, например, компании ROHM. В 2024 году было объявлено о стратегическом партнерстве для разработки автомобильных и телекоммуникационных GaN-устройств. Можно вспомнить о WIN Semi, одном из тайваньских разработчиков GaN HEMT – изделий. Тайваньская компания VIS лицензировала технологию GaN-on-QST.
 
🇪🇸 Испания. Sener координирует проект SGAN-Next по разработке европейских чипов GaN для спутников, как низкоорбитальных, так и геостационарных. Проект поддерживает Еврокомиссия в рамках программы Horizon Europe.
 
🇸🇪 Швеция. SweGaN и Ericsson сотрудничают в разработке GaN-усилителей для 6G. В 2025 году они запустили проект GaN6G+, направленный на создание высокоэффективных усилителей мощности для 6G в диапазоне 7–15 ГГц (X/Ku-диапазоны).

🇩🇪 Германия. Fraunhofer IAF разрабатывает высокочастотную электронику GaN для телекома 5G/6G, радаров и спутниковой связи. Институт фокусируется на компонентах и модулях, включая HEMT и MMIC для усилителей мощности, малошумящих усилителей и переключателей.
 
🇮🇳 Индия. Здесь создан первый в стране фаб по производству GaN-чипов (Polymatech Electronics), есть лаборатория тестирования GaN-чипов (AGNIT) и разработка чипов для ВПК (DRDO). Индийская инженерно-технологическая компания Cyient (штаб-квартира в Хайдарабаде) объявила о разработке семейства силовых интегральных схем на основе нитрида галлия (GaN), созданных по технологиям американской Navitas.
 
🇮🇱 Израиль – заметный участник рынка GaN.
 
🇬🇧 Великобритания с ее компанией IQE – заметный участник рынка GaN.
 
🇨🇦 Канада с ее GaN Systems – заметный участник рынка GaN.
 
В целом рынку телекома прочат массовый переход на GaN-чипы, например, аналитики PWC. Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин GaN диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня уже и 150 мм считается устаревшим.

С учетом всех этих фактов и мнений - активность Китая по части GaN полупроводников, включая микросхемы, понятна и логична.

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
👍2
☸️ Новости одним абзацем

🇨🇳 Китай готов вложить в ИИ еще $295 млрд в ближайшие 5 лет. Эти средства, около 2 трлн юаней, планируется инвестировать в постройку ЦОД по всей стране. Управлять этой гигантской вычислительной инфраструктурой поручат государственным телекоммуникационным компаниям – China Mobile и China Telecom, а основную часть технологий поставит Huawei.

🇺🇸 Nvidia претендует на серьезные позиции на рынке AI-RAN / 6G? Nvidia все более активно стремится выйти за ограничения сегмента графических процессоров для серверов. После недавнего выхода на рынок CPU для ПК, компания, похоже, демонстрирует серьезный интерес и к RAN compute.

🇷🇺 Сбербанк запросил у завода Квант 3.4 млрд рублей в счет долга, сообщает CNews. Так выглядят "силовые переговоры" с возможным покупателем завода - компанией NexTouch?

🇺🇸 ИИ Claude Fable 5 выкатили в общий доступ. Хотя более полная модель - Mythos 5 остается доступна только в режиме B2B, да и то лишь для избранных организаций в рамках Project Glasswing, но даже ее "усеченная" и "контролируемая" версия не может не впечатлять.

подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
🔥21
🇰🇷 Вести из лабораторий. Новые транзисторы. Корея

В Южной Корее экспериментируют с комбинацией оксида цинка ZnO и теллура Te

Эти материалы, во-первых, можно наносить тонкими пленками при температуре ниже 200 °C, что важно, например, при доработке готовых чипов.

📌 А во-вторых на их основе создан гетеропереходный транзистор с двойной отрицательной дифференциальной крутизной (D-NDT). При росте напряжения на затворе такой транзистор вначале дает рост тока, затем ток уменьшается, причем процесс происходит дважды (за один период входного сигнала формируется четыре выходных импульса, то есть транзистор работает как умножитель частоты на 4), что позволяет на одном транзисторе выполнять функции, которые обычно требуют несколько компонентов (корейцы сообщают о возможности сокращения на 64-75%).

На базе этого устройства команда, в частности, сформировала четырехполюсник, преобразующий 1 входной сигнал в 4 выходных. D-NDT прочат практические применения, в частности, с перспективой ускорения вычислений.

Детальнее: https://www.researchgate.net

Интересно, что корейцы не взялись объяснить полученный эффект D-NDT, но желающие нашлись. В сети есть спорный текст: https://doi.org/10.5281/ZENODO.19634565 . Его автор предлагает свое объяснение наблюдаемого корейцами эффекта, делая это с привлечением теории, согласно которой время в транзисторе течет неравномерно, а "неровными шагами". Несмотря на то, что выглядит он как научный, я бы не спешил верить в это объяснение. Наверняка найдутся и другие желающие пояснить наблюдаемые эффекты, с версиями, более «стыкующимися» с современным состоянием науки, например, связав явления с квантовым туннелированнием.

В любом случае у нас есть эффект, и, предположительно, он может найти полезные применения.

((картинки - авторов исследования, источник -  Advanced Functional Materials))

подписаться на RUSmicro,
✓ наши новости можно читать также
на MForum и в ВК
1🙈1