🇫🇷 Научная инфраструктура. Чистые комнаты. FD-SOI. Франция. Европа
CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения
CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.
Что уникального в новой чистой комнате?
Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.
Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.
Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.
Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.
@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology
CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения
CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.
Что уникального в новой чистой комнате?
Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.
Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.
Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.
«Разработанные в FAMES прорывные технологии призваны поддерживать будущие поколения микросхем FD-SOI с размером элементов менее 10 нм, обеспечивая создание высокопроизводительных и энергоэффективных компонентов для Европы», — сказал Жан-Рене Лекепей, заместитель директора и технический директор CEA-Leti.
Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.
@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology
👍2
🔬 Горизонты технологий. Материалы GeSn. Перспективные полупроводники. Европа
В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.
GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.
Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!
Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).
Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.
Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.
Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.
🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.
Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.
@RUSmicro
В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn
Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.
GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.
Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!
Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).
Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.
Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.
Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.
🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.
Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.
@RUSmicro
👍4
🇪🇺 Производители полупроводниковых структур. Участники рынка. Европа. Нидерланды
Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем
Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.
Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.
Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.
Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.
На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.
@RUSmicro
Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем
Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.
Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.
Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.
Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.
На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.
@RUSmicro
❤2👍1
🔬 Мнения. Производственное оборудование
TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?
TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.
Экономика прежде всего
Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.
Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.
Технологическая уверенность
TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.
Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.
Кто выиграет
Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.
У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.
Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.
Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.
Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)
TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?
TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.
Экономика прежде всего
Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.
Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.
Технологическая уверенность
TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.
Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.
Кто выиграет
Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.
У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.
Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.
Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.
Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)
(2)
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?
У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.
Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.
@RUSmicro
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?
У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.
Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.
@RUSmicro
❤5😭2👏1
🇺🇸 Участники рынка. Производители микросхем. США
Analog Devices прогнозирует сильные результаты 2fq2026
2-й финансовый квартал у компании начинается с 1 февраля 2026 года. Хорошим результатам способствовал спрос на продукцию Analog Devices со стороны промышленных предприятий и производителей серверов для ИИ ЦОД. Об этом сообщает Reuters.
Согласно данным LSEG, компания прогнозирует выручку за второй ф.квартал в размере $3,5 млрд, с погрешностью в плюс-минус $100 млн, по сравнению со средней оценкой аналитиков в $3,23 млрд. Выручка за 1-й ф.квартал составила $3,16 млрд, превысив прогнозы в $3,12 млрд.
Производитель микросхем прогнозирует скорректированную прибыль в размере $2,88 на акцию, плюс-минус 15 центов, по сравнению с консенсус-прогнозом аналитиков в $2,31 на акцию.
@RUSmicro
Analog Devices прогнозирует сильные результаты 2fq2026
2-й финансовый квартал у компании начинается с 1 февраля 2026 года. Хорошим результатам способствовал спрос на продукцию Analog Devices со стороны промышленных предприятий и производителей серверов для ИИ ЦОД. Об этом сообщает Reuters.
Согласно данным LSEG, компания прогнозирует выручку за второй ф.квартал в размере $3,5 млрд, с погрешностью в плюс-минус $100 млн, по сравнению со средней оценкой аналитиков в $3,23 млрд. Выручка за 1-й ф.квартал составила $3,16 млрд, превысив прогнозы в $3,12 млрд.
Производитель микросхем прогнозирует скорректированную прибыль в размере $2,88 на акцию, плюс-минус 15 центов, по сравнению с консенсус-прогнозом аналитиков в $2,31 на акцию.
@RUSmicro
🇨🇳 Производство полупроводников. Китай
Где в Китае производят полупроводники
Стремление Китая догнать конкурентов в полупроводниковой отрасли имеет как регуляторный, так и географический аспект. Централизованные планы отправляются в провинции, где их реализуют с различными приоритетами. Пятнадцатый пятилетний план центрального правительства, охватывающий период с 2026 по 2030 год, сосредоточен на достижении самообеспеченности полупроводниками и развитии всех связанных с этим цепочек поставок.
Этот план ещё даже официально не принят, но его уже включают в местные пятилетние планы развития провинций, где расширяются целевые кластеры полупроводниковой промышленности в попытке постепенной специализации.
Хотя различные регионы Китая конкурируют друг с другом в качестве мест, где будут размещены производства, это «дифференцированная конкуренция», контролируемая Пекином для предотвращения чрезмерной дублированности.
Цель состоит в том, чтобы предотвратить производство одних и тех же товаров повсюду и чрезмерное усиление конкуренции внутри Китая, как это уже наблюдается в некоторых других отраслях.
Так где же сосредоточено производство микросхем в Китае?
Наиболее важными кластерами по производству микросхем являются Шанхай и дельта реки Янцзы с провинциями Цзянсу и Чжэцзян, за которыми следуют столица Пекин и неожиданно быстро развивающаяся провинция Хубэй. Два других важных региональных кластера можно найти в дельте реки Чжуцзян и провинциях Сычуань/Ганьсу.
Три кластера в дельте Янцзы, а именно Шанхай, Цзянсу и Чжэцзян, вместе привлекают более половины всех новых инвестиций в отрасль. Географическая концентрация производства полупроводников в Китае становится еще более очевидной, если учесть, что 5 упомянутых выше регионов привлекают более 80% всего капитала, несмотря на то, что в Китае насчитывается в общей сложности 21 провинция и город на уровне провинций.
Подробности
Шанхай и дельта реки Янцзы традиционно являются центрами литейного производства в Китае, и здесь расположены крупнейшие производители, такие как SMIC. Пекин и соседний Тяньцзинь обладают сильными позициями в области проектирования микросхем и полагаются на многочисленных выпускников своих ведущих университетов.
Дельта Жемчужной реки, которая в данном контексте также включает Гуанчжоу и Шэньчжэнь, а также их окрестности, известна своим бесфабричным проектированием и аутсорсингом производства специализированным литейным заводам. Другие региональные кластеры, такие как кластеры в провинции Сычуань (включая соседнюю Ганьсу) или перспективные технологические центры в провинциях Хубэй и Аньхой, развиваются за счет еще большей специализации на отдельных перспективных технологиях.
Ярким примером этого является крайне амбициозная провинция Аньхой, где сосредоточены на разработке микросхем памяти DRAM и недавно приняли решение о комплексном развитии ИИ, полупроводниковой и квантовой отраслей.
Пекин, Шанхай и Шэньчжэнь лидируют в развитии экосистем для производства логических микросхем (SMIC, Huahong, Huawei), в то время как Ухань в провинции Хубэй и Хэфэй в провинции Аньхой преуспевают в производстве микросхем памяти (YMTC, CXMT). В целенаправленном развитии кластеров правительство Китая придерживается принципа, который применялся ко всему населению в эпоху Дэн Сяопина: «Пусть кто-то сначала разбогатеет». На этот раз речь идет о нескольких регионах и промышленных кластерах, которые, как ожидается, постепенно обеспечат технологическую модернизацию и ускоренный рост ВВП всей страны в течение нескольких лет. (..)
@RUSmicro
Где в Китае производят полупроводники
Стремление Китая догнать конкурентов в полупроводниковой отрасли имеет как регуляторный, так и географический аспект. Централизованные планы отправляются в провинции, где их реализуют с различными приоритетами. Пятнадцатый пятилетний план центрального правительства, охватывающий период с 2026 по 2030 год, сосредоточен на достижении самообеспеченности полупроводниками и развитии всех связанных с этим цепочек поставок.
Этот план ещё даже официально не принят, но его уже включают в местные пятилетние планы развития провинций, где расширяются целевые кластеры полупроводниковой промышленности в попытке постепенной специализации.
Хотя различные регионы Китая конкурируют друг с другом в качестве мест, где будут размещены производства, это «дифференцированная конкуренция», контролируемая Пекином для предотвращения чрезмерной дублированности.
Цель состоит в том, чтобы предотвратить производство одних и тех же товаров повсюду и чрезмерное усиление конкуренции внутри Китая, как это уже наблюдается в некоторых других отраслях.
Так где же сосредоточено производство микросхем в Китае?
Наиболее важными кластерами по производству микросхем являются Шанхай и дельта реки Янцзы с провинциями Цзянсу и Чжэцзян, за которыми следуют столица Пекин и неожиданно быстро развивающаяся провинция Хубэй. Два других важных региональных кластера можно найти в дельте реки Чжуцзян и провинциях Сычуань/Ганьсу.
Три кластера в дельте Янцзы, а именно Шанхай, Цзянсу и Чжэцзян, вместе привлекают более половины всех новых инвестиций в отрасль. Географическая концентрация производства полупроводников в Китае становится еще более очевидной, если учесть, что 5 упомянутых выше регионов привлекают более 80% всего капитала, несмотря на то, что в Китае насчитывается в общей сложности 21 провинция и город на уровне провинций.
Подробности
Шанхай и дельта реки Янцзы традиционно являются центрами литейного производства в Китае, и здесь расположены крупнейшие производители, такие как SMIC. Пекин и соседний Тяньцзинь обладают сильными позициями в области проектирования микросхем и полагаются на многочисленных выпускников своих ведущих университетов.
Дельта Жемчужной реки, которая в данном контексте также включает Гуанчжоу и Шэньчжэнь, а также их окрестности, известна своим бесфабричным проектированием и аутсорсингом производства специализированным литейным заводам. Другие региональные кластеры, такие как кластеры в провинции Сычуань (включая соседнюю Ганьсу) или перспективные технологические центры в провинциях Хубэй и Аньхой, развиваются за счет еще большей специализации на отдельных перспективных технологиях.
Ярким примером этого является крайне амбициозная провинция Аньхой, где сосредоточены на разработке микросхем памяти DRAM и недавно приняли решение о комплексном развитии ИИ, полупроводниковой и квантовой отраслей.
Пекин, Шанхай и Шэньчжэнь лидируют в развитии экосистем для производства логических микросхем (SMIC, Huahong, Huawei), в то время как Ухань в провинции Хубэй и Хэфэй в провинции Аньхой преуспевают в производстве микросхем памяти (YMTC, CXMT). В целенаправленном развитии кластеров правительство Китая придерживается принципа, который применялся ко всему населению в эпоху Дэн Сяопина: «Пусть кто-то сначала разбогатеет». На этот раз речь идет о нескольких регионах и промышленных кластерах, которые, как ожидается, постепенно обеспечат технологическую модернизацию и ускоренный рост ВВП всей страны в течение нескольких лет. (..)
@RUSmicro
(2) Развитие в рамках пятилеток
Тем, кто хочет добиться успеха в бизнесе в Китае в ближайшие годы или просто ищет подходящее место для размещения производственных линий, следует внимательно изучить отдельные пятилетние планы. Например, Шэньчжэнь в своем плане относит интегральные схемы к стратегическим отраслям, а также упоминает конкретные прорывные и асимметричные технологии. Цель состоит в том, чтобы стать «первопроходцем» и играть ведущую роль в развитии передовых полупроводниковых технологий.
В своем пятилетнем плане провинция Чжэцзян также заявляет о своем стремлении в ближайшее время добиться прорывов в диапазоне от 3 до 7нм и уделяет особое внимание таким сегментам, как чипы для ИИ и чипы с архитектурой RISC последнего поколения.
Пекин активно развивает несколько локальных кластеров. Среди них – северный район Хайдянь, который иногда называют «китайской Кремниевой долиной», и который сейчас стремится сосредоточиться на фундаментальных исследованиях в области архитектуры микросхем, современных полупроводников и программного обеспечения EDA. Здесь же расположен район Чжунгуаньцунь, известный высокой концентрацией высокотехнологичных компаний и находящийся в непосредственной близости от ведущих университетов страны.
Есть еще пригород Ичжуан на юге Пекина, где размещена Пекинская зона экономического и технологического развития (BDA) с ее чиповой промышленностью, робототехникой и автоматизацией, автономным вождением и другими высокотехнологичными отраслями. Вот уже немало лет, как она растет в среднем на 8% в год. Это один из нескольких китайских центров «воплощенного ИИ», который в Китае также поставили в центр стратегии развития пятилетки.
Помимо существующих заводов по производству микросхем, в Шанхае в последнее время все большое внимание уделяется интеграции чиповой индустрии с ИИ. С помощью таких программ, как «Шанхай, ориентированный на модели», например, планируется стимулировать разработку вертикальных моделей ИИ, одновременно продвигая исследования в области высококачественных микросхем для ИИ.
Для генеральных директоров и стратегов в других странах (и Россия здесь не исключение) дифференцированные технологические планы этих полупроводниковых регионов предоставляют важную информацию для поиска новых клиентов и рынков сбыта, а также конкретные указания по адаптации собственной корпоративной стратегии к возможностям роста в Китае.
@RUSmicro по материалам All-about-Industries, картинка - Asia Waypoint
Тем, кто хочет добиться успеха в бизнесе в Китае в ближайшие годы или просто ищет подходящее место для размещения производственных линий, следует внимательно изучить отдельные пятилетние планы. Например, Шэньчжэнь в своем плане относит интегральные схемы к стратегическим отраслям, а также упоминает конкретные прорывные и асимметричные технологии. Цель состоит в том, чтобы стать «первопроходцем» и играть ведущую роль в развитии передовых полупроводниковых технологий.
В своем пятилетнем плане провинция Чжэцзян также заявляет о своем стремлении в ближайшее время добиться прорывов в диапазоне от 3 до 7нм и уделяет особое внимание таким сегментам, как чипы для ИИ и чипы с архитектурой RISC последнего поколения.
Пекин активно развивает несколько локальных кластеров. Среди них – северный район Хайдянь, который иногда называют «китайской Кремниевой долиной», и который сейчас стремится сосредоточиться на фундаментальных исследованиях в области архитектуры микросхем, современных полупроводников и программного обеспечения EDA. Здесь же расположен район Чжунгуаньцунь, известный высокой концентрацией высокотехнологичных компаний и находящийся в непосредственной близости от ведущих университетов страны.
Есть еще пригород Ичжуан на юге Пекина, где размещена Пекинская зона экономического и технологического развития (BDA) с ее чиповой промышленностью, робототехникой и автоматизацией, автономным вождением и другими высокотехнологичными отраслями. Вот уже немало лет, как она растет в среднем на 8% в год. Это один из нескольких китайских центров «воплощенного ИИ», который в Китае также поставили в центр стратегии развития пятилетки.
Помимо существующих заводов по производству микросхем, в Шанхае в последнее время все большое внимание уделяется интеграции чиповой индустрии с ИИ. С помощью таких программ, как «Шанхай, ориентированный на модели», например, планируется стимулировать разработку вертикальных моделей ИИ, одновременно продвигая исследования в области высококачественных микросхем для ИИ.
Для генеральных директоров и стратегов в других странах (и Россия здесь не исключение) дифференцированные технологические планы этих полупроводниковых регионов предоставляют важную информацию для поиска новых клиентов и рынков сбыта, а также конкретные указания по адаптации собственной корпоративной стратегии к возможностям роста в Китае.
@RUSmicro по материалам All-about-Industries, картинка - Asia Waypoint
👍3✍1
🇺🇸 ИИ и спрос на чипы. Тренды. Участники рынка. США
Компания на M* закупит миллионы чипов Nvidia для ИИ
Компания заключила многолетнее соглашение на закупку и развертывание "миллионов" процессоров Nvidia для обеспечения развертывания следующей волны инфраструктуры ИИ.
Соглашение распространяется на локальные и облачные среды Заказчика, ориентированные на использование в гипермасштабных ЦОД, предназначенных для обработки как задач обучения ИИ, так и задач вывода.
Марк Цукерберг заявил, что компания планирует "создавать передовые кластеры", используя платформы NVidia для предоставления "персонального сверхинтеллекта каждому человеку в мире".
Сделка охватывает текущее поколение ускорителей ИИ Blackwell от Nvidia и будущую платформу Vera Rubin AI. Также Заказчик нарастит развертывание Arm-процессоров Nvidia Grace в производственных ЦОД, стремясь повысить производительность на ватт.
Заказчик планирует развернуть технологию Nvidia Confidential Computing, предназначенную для защиты данных и приложений, чтобы обеспечить работу функций AI на своей платформе мессенджера, сохраняя при этом конфиденциальность данных.
По данным Bloomberg, на Заказчика уже приходится около 9% выручки Nvidia, она является вторым по величине клиентом производителя. Только в прошлом финансовом году Компания потратила на закупку чипов Nvidia около $19 млрд (!)
Компания намерена инвестировать до $135 млрд в инфраструктуру ИИ в этом году.
@RUSmicro
Компания на M* закупит миллионы чипов Nvidia для ИИ
Компания заключила многолетнее соглашение на закупку и развертывание "миллионов" процессоров Nvidia для обеспечения развертывания следующей волны инфраструктуры ИИ.
Соглашение распространяется на локальные и облачные среды Заказчика, ориентированные на использование в гипермасштабных ЦОД, предназначенных для обработки как задач обучения ИИ, так и задач вывода.
Марк Цукерберг заявил, что компания планирует "создавать передовые кластеры", используя платформы NVidia для предоставления "персонального сверхинтеллекта каждому человеку в мире".
Сделка охватывает текущее поколение ускорителей ИИ Blackwell от Nvidia и будущую платформу Vera Rubin AI. Также Заказчик нарастит развертывание Arm-процессоров Nvidia Grace в производственных ЦОД, стремясь повысить производительность на ватт.
Заказчик планирует развернуть технологию Nvidia Confidential Computing, предназначенную для защиты данных и приложений, чтобы обеспечить работу функций AI на своей платформе мессенджера, сохраняя при этом конфиденциальность данных.
По данным Bloomberg, на Заказчика уже приходится около 9% выручки Nvidia, она является вторым по величине клиентом производителя. Только в прошлом финансовом году Компания потратила на закупку чипов Nvidia около $19 млрд (!)
Компания намерена инвестировать до $135 млрд в инфраструктуру ИИ в этом году.
@RUSmicro
❤1
🇷🇺 Производство микросхем. Датчики углового положения. Россия
Микрон завершает разработку микросхем абсолютного On-Axis магнитного датчика углового положения MIK5147 и микросхемы бесконтактного индуктивного датчика положения на основе вихревых токов MIK2200 (названия микросхем могут меняться).
🔹 Магнитный датчик MIK5147
Магнитный энкодер абсолютного положения, включающий сенсорную систему на основе элементов Холла, следящий преобразователь «угол-код», цифровую обработку и схемы интерфейса.
▫️Аналоги: iC-MHM, AS5147, AEAT-8811-Q204
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm
▫️Общая ошибка преобразования: ± 0.35°
▫️Ток потребления: не более 33 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
🔹 Индуктивный датчик MIK2200
Для создания бесконтактных индуктивных датчиков положения с конструкцией сенсорной системы на основе плоской печатной платы и металлической мишени.
▫️Аналоги: AS5715, LX34070, IPS2200
▫️Частота LC генератора: От 1 до 6 МГц
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот, 2.5’’), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm.
▫️Ток потребления: не более 30 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
@RUSmicro
Микрон завершает разработку микросхем абсолютного On-Axis магнитного датчика углового положения MIK5147 и микросхемы бесконтактного индуктивного датчика положения на основе вихревых токов MIK2200 (названия микросхем могут меняться).
🔹 Магнитный датчик MIK5147
Магнитный энкодер абсолютного положения, включающий сенсорную систему на основе элементов Холла, следящий преобразователь «угол-код», цифровую обработку и схемы интерфейса.
▫️Аналоги: iC-MHM, AS5147, AEAT-8811-Q204
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm
▫️Общая ошибка преобразования: ± 0.35°
▫️Ток потребления: не более 33 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
🔹 Индуктивный датчик MIK2200
Для создания бесконтактных индуктивных датчиков положения с конструкцией сенсорной системы на основе плоской печатной платы и металлической мишени.
▫️Аналоги: AS5715, LX34070, IPS2200
▫️Частота LC генератора: От 1 до 6 МГц
▫️Разрешение: 10-14 бит (до 16384 отсчетов на оборот, 2.5’’), программируемое.
▫️Скорость вращения:
-14 бит / 30 000 rpm;
-13 бит / 60 000 rpm;
-12 бит / 120 000 rpm;
-11 бит / 240 000 rpm;
-10 бит / 480 000 rpm.
▫️Ток потребления: не более 30 мА (без нагрузки)
▫️Диапазон рабочих температур: От -40 до +125 ℃
▫️Корпус: QFN-64, 8х8 мм, шаг 0.4мм.
@RUSmicro
👍21🔥3❤2
🇨🇦 ИИ-чипы. Стартапы. Инвестиции. Канада
Стартап Taalas привлек $169 млн для разработки ИИ-чипов «оптимизированных под LLM»
С этим раундом общий объем привлеченных компанией средств составил $169 млн, рассказывает Reuters.
Недавняя сделка Nvidia по лицензированию IP у чип-стартапа Groq за $20 млрд вызвала всплеск интереса к другим компаниям, активным на рынке разработки ИИ-чипов, особенно к тем, которые пока что только начали привлекать инвестиции.
В Taalas исповедуют технологию кастомных ИИ-процессоров, оптимизированных под конкретные модели. Например, под Llama от M*. Такие процессоры дополняют встроенной памятью SRAM, что обеспечивает повышенную скорость вычислений. Примерно 100 слоев чипа – «типовые», на двух последних формируется «настройка» под модель.
Производство обеспечивает незаменимая TSMC. Только здесь такие процессоры могут выпекать всего за пару месяцев, в 3 раза быстрее, чем чипы Nvidia Blackwell.
До сих пор Taalas могла выпускать чипы только для не самых больших моделей, но к концу 2026 года компания планирует создать процессор, способный работать с передовыми системами, уровня GPT-5.2.
В компании ставят на отказ от универсальности чипа в пользу его эффективности. Убрав все, что не требуется для конкретной модели и оптимизируя использование площади кристалла, в Taalas добились значительного прироста как скорости, так и энергоэффективности. А это выглядит перспективно.
@RUSmicro
Стартап Taalas привлек $169 млн для разработки ИИ-чипов «оптимизированных под LLM»
С этим раундом общий объем привлеченных компанией средств составил $169 млн, рассказывает Reuters.
Недавняя сделка Nvidia по лицензированию IP у чип-стартапа Groq за $20 млрд вызвала всплеск интереса к другим компаниям, активным на рынке разработки ИИ-чипов, особенно к тем, которые пока что только начали привлекать инвестиции.
В Taalas исповедуют технологию кастомных ИИ-процессоров, оптимизированных под конкретные модели. Например, под Llama от M*. Такие процессоры дополняют встроенной памятью SRAM, что обеспечивает повышенную скорость вычислений. Примерно 100 слоев чипа – «типовые», на двух последних формируется «настройка» под модель.
Производство обеспечивает незаменимая TSMC. Только здесь такие процессоры могут выпекать всего за пару месяцев, в 3 раза быстрее, чем чипы Nvidia Blackwell.
До сих пор Taalas могла выпускать чипы только для не самых больших моделей, но к концу 2026 года компания планирует создать процессор, способный работать с передовыми системами, уровня GPT-5.2.
В компании ставят на отказ от универсальности чипа в пользу его эффективности. Убрав все, что не требуется для конкретной модели и оптимизируя использование площади кристалла, в Taalas добились значительного прироста как скорости, так и энергоэффективности. А это выглядит перспективно.
@RUSmicro