🇷🇺 Производство материалов. Россия

Томский ИХТЦ запустил производство сверхчистого трибромида бора и готовит первые поставки

В феврале 2026 года Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) на базе Томского госуниверситета объявил о завершении проекта и запуске полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты марки 6N5. Первые промышленные поставки запланированы на 2026 год.

Проект выполнен по заказу Минпромторга России и стал первым завершённым в масштабной программе импортозамещения шести критических химических веществ для микроэлектроники (общий бюджет под эти разработки - 1,9 млрд рублей).

🎓 Что такое трибромид бора 6N5?

Трибромид бора (BBr₃) — ключевой реагент для легирования полупроводников в микроэлектронике. Обозначение «6N5» указывает на степень чистоты 99,99995%, что соответствует содержанию примесей не более 5 частей на миллион (0,5 ppm) и является мировым стандартом для передовых технологических процессов.

🎓 Где применяется?

В первую очередь - в производстве полупроводников: плазмохимическое и реактивное ионное травление, осаждение тонких плёнок, легирование кремниевых пластин. Также востребован в оптоэлектронике, фотонике, органическом синтезе и создании специальных материалов.

🔹 Участники проекта

▫️ Томск (ИХТЦ ТГУ) — головной разработчик, организация полного цикла производства;

▫️ Новосибирск (Институт неорганической химии СО РАН) — методики аналитического контроля и стандарты качества;

▫️ Нижний Новгород (ООО «НПИ») — технологические решения и инжиниринг.

🔹 Производственные параметры

Мощность установки: 24 кг в год, что соответствует потребностям опытного и мелкосерийного производства микроэлектронных компонентов. Продукт будет поставляться в формате, интегрированном в технологические линии заказчиков: кварцевые ампулы различного объёма и специальные ёмкости-барботеры, исключающие контакт вещества с атмосферой. Для использования в крупносерийном производстве процесс нужно будет масштабировать, что не является простой задачей.

Руководитель проекта в ИХТЦ Ася Водянкина:

«Нашей задачей было не просто наладить синтез вещества, а построить завершённый технологический цикл, включая систему контроля качества на каждом этапе. Это необходимо для обеспечения стабильных характеристик материала, что критически важно для микроэлектроники».

Директор ИХТЦ Алексей Князев:

«Мы ориентировались на потребности отечественных предприятий. Их ключевым требованием было не просто импортозамещение, а получение материала гарантированного качества по конкурентной цене. Этот критерий стал для нас основным, и в ходе реализации проекта он был достигнут».

📌 Значимость проекта в плане импортзамещения

Основные поставки трибромида бора в Россию на фоне отсутствия собственного производства осуществлялись из Китая, Германии и США, а также от American Elements, Albemarle, Solvay и Mitsubishi.

Проект решает задачи обеспечения технологической независимости и укрепления российских компетенций в области высокочистого химического синтеза.

🔹 Перспективы и планы

ИХТЦ уже формирует портфель заказов от промышленных потребителей. Вероятно понадобится:

- масштабировать технологические процессы при сохранении чистоты 6N5;

- сертифицировать продукцию на соответствие отраслевым стандартам, впрочем, российская специфика (от которой хотелось бы когда-нибудь уйти) - проверять все самостоятельно на производстве.

@RUSmicro

🇺🇸 Регулирование. Оборудование для производства микросхем. Экспортное регулирование. Штрафы. Участники рынка. США

Applied Materials выплатит $252 млн за «незаконный экспорт» в Китай оборудования для производства микросхем

Минторг США объявил о достижении соглашения с Applied Materials (AMAT) – производитель выплатит $252 млн в рамках урегулирования претензий по поводу незаконного экспорта оборудования китайской SMIC. Это второй по величине штраф в истории Бюро промышленности и безопасности (BIS) — больше только штраф Seagate ($300 млн) в 2023 году.

Расследование стало следствием эксклюзивного отчёта Reuters в 2023 году, впервые раскрывшего схему поставок и факт уголовного расследования.

Суть нарушений. Вскоре после того, как Минторг в декабре 2020 года внёс SMIC в «чёрный список» (Entity List), заработала схема обхода ограничений: оборудование AMAT, произведённое в США, направлялось дочерней компании в Южной Корее (Applied Materials Korea), а оттуда - в Китай, где его в конечном итоге получала SMIC. Таким образом поставлялись ионные имплантаторы - критическое оборудование для производства чипов .

Масштаб. Незаконные поставки произошли 56 раз в 2021 и 2022 годах. Общая стоимость оборудования составила $126 млн.

Штраф. Сумма в $252 млн ровно в 2 раза превышает стоимость поставок. Это максимальный штраф, разрешённый американским законодательством (выше ×2 назначить нельзя).

Кадровые и корпоративные последствия. В рамках урегулирования Applied Materials подтвердила, что сотрудники и старшие менеджеры, ответственные за нелегальные поставки, покинули компанию. Кроме того, компания обязалась проводить серию аудитов экспортного комплаенса и ежегодно сертифицировать их результаты перед BIS.

Закрытие других расследований. Минюст США (DOJ) и Комиссия по ценным бумагам и биржам (SEC) уведомили Applied Materials о закрытии параллельных расследований без применения каких-либо мер.

В Applied Materials заявили, что удовлетворены достигнутым соглашением. Для Минторга США это дело стало важным прецедентом: подчёркивается, что экспортные правила распространяются на любые цепочки поставок, включая реэкспорт через третьи страны.

@RUSmicro

🇯🇵 Передовые производства микроэлектроники. 2нм. Япония

Rapidus ускоряет освоение 2-нм техпроцесса

Согласно официальным планам, представленным в Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, дорожная карта Rapidus выглядит следующим образом:

🔹 В 2027 году компания планирует начать производство кристаллов по техпроцессу 2нм, а в 2028 году финансовом году перейти к крупномасштабному производству. На начальном этапе, как ожидается, производственные мощности компании составят около 6000 пластин (12 дюймов в месяц), но примерно через год объемы производства, как ожидается, вырастут до 25 тысяч пластин в месяц.

В Rapidus ставят перед собой задачу обеспечивать выпуск полупроводниковых микросхем по самым передовым технологиям. А потому среди целей компании – начать в 2029 году производство чипов по техпроцессу 1.4 нм, а в перспективе достичь уровня в 1 нм (сроки освоения данного техпроцесса компания не называет).

Производство 2нм GAA планируется наладить на фабрике IIJ-1 в Титосе, Хоккайдо. Это фаб полного цикла – от изготовления пластин до формирования структур на пластинах, разделения пластин, упаковки и корпусирования кристаллов.

Проект активно развивается. В частности, первая производственная линия запущена еще в апреле 2025 года. Вот уже почти год идет отладка процесса GAA 2нм. Компания сообщала о прогрессе в этом еще летом 2025 года.

В 1q2026 компания планирует начать поставки клиентам PDK (Process Design Kit) – набора файлов, необходимых для проектирования чипов под процесс 2нм GAA компании (2HP). Как заявляет компания, это техпроцесс позволяет достигать плотности размещения элементов в 237.31 MTr/кв.мм, что близко к показателям техпроцесса в 236.17 МТр/кв.мм и превосходит возможности Intel 18A с его плотностью в 184,21 МТр/мм² .

Поскольку в Rapidus понимают, что отстают от лидеров рынка, TSMC и Samsung, которые уже начали массовое производство чипов в 2025 году, в Rapidus намерены выиграть за счет предложения рынку «гибких и быстрых» услуг. Ключевым отличием может стать концепция срочной обработки отдельных пластин или их небольших партий. В частности, если традиционные производственные циклы достигают 120 дней, то Rapidus обещает сокращение этих сроков до 50 дней, а в случае срочных заказов – до невероятных 15 дней!

Проект пользуется активной поддержкой правительства страны, в частности, компания уже получила значительную господдержку. В 2025-2027 финансовых годах, правительство Японии намерено выделить еще $19 млрд.

Как и всегда ключевым вопросом остается – получится ли у компании выйти на приемлемый уровень выхода годных. Не менее сложно будет заполучить крупных клиентов для загрузки новых мощностей. Выход на рынок нового конкурента в виде Rapidus, конечно, окажет давление на ценовую политику TSMC и Samsung, но насколько заказчики масштабов Apple, Qualcomm и Nvidia захотят предавать свои заказы новому участнику рынка? Впрочем, безусловно, если у японцев «все срастется», то и это сценарий вполне реалистичен.

@RUSmicro

🇹🇼 Производство GaAs полупроводников. Участники рынка. Тайвань

Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

Тайваньская компания Win Semiconductor, мировой лидер в контрактном производстве полупроводниковых структур на арсенид-галлиевых пластинах, прогнозирует x2 - x3 рост спроса в 2026 году. Причина - бум рынка оптических модулей передачи данных 1.6T, которые используются при развитии инфраструктуры ИИ-ЦОД и магистральных каналов связи. Кроме того, микросхемы GaAs активно применяют также в низкоорбитальных спутниках и в смартфонах.

WIN Semiconductors предоставляет услуги по разработке и производству монолитных микроволновых интегральных схем (MMIC) и радиочастотных микросхем (RFIC) для различных применений — от 50 МГц до 170 ГГц. Компания поддерживает широкий спектр технологий, включая HBT (гетеропереход биполярный транзистор), pHEMT, GaN HEMT и другие.

Рынок GaAs-фаундри относительно невелик по сравнению с кремниевым, но он растет, особенно по части высокочастотных и малошумящих применений, что актуально в телекоме, аэрокосмической отрасли, оборонной промышленности. По данным на 2024 год, глобальный рынок GaAs-фаундри оценивался в $853 млн, а к 2031 году прогнозировался рост до $1079 млн при среднегодовом темпе роста (CAGR) 3,5% - возможно теперь эти прогнозы придется пересмотреть.

@RUSmicro

🇫🇷 Научная инфраструктура. Чистые комнаты. FD-SOI. Франция. Европа

CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения

CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.

Что уникального в новой чистой комнате?

Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.

Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.

Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.

«Разработанные в FAMES прорывные технологии призваны поддерживать будущие поколения микросхем FD-SOI с размером элементов менее 10 нм, обеспечивая создание высокопроизводительных и энергоэффективных компонентов для Европы», — сказал Жан-Рене Лекепей, заместитель директора и технический директор CEA-Leti.

Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.

@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology

🔬 Горизонты технологий. Материалы GeSn. Перспективные полупроводники. Европа

В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn

Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.

GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.

Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!

Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).

Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.

Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.

Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.

🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.

Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.

@RUSmicro

🇪🇺 Производители полупроводниковых структур. Участники рынка. Европа. Нидерланды

Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем

Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.

Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.

Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.

Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.

На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.

@RUSmicro

🔬 Мнения. Производственное оборудование

TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?

TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.

Экономика прежде всего

Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.

Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.

Технологическая уверенность

TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.

Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.

Кто выиграет

Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.

У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.

Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.

Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.

Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)

(2)
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?

У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.

Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.

@RUSmicro

🇺🇸 Участники рынка. Производители микросхем. США

Analog Devices прогнозирует сильные результаты 2fq2026

2-й финансовый квартал у компании начинается с 1 февраля 2026 года. Хорошим результатам способствовал спрос на продукцию Analog Devices со стороны промышленных предприятий и производителей серверов для ИИ ЦОД. Об этом сообщает Reuters.

Согласно данным LSEG, компания прогнозирует выручку за второй ф.квартал в размере $3,5 млрд, с погрешностью в плюс-минус $100 млн, по сравнению со средней оценкой аналитиков в $3,23 млрд. Выручка за 1-й ф.квартал составила $3,16 млрд, превысив прогнозы в $3,12 млрд.

Производитель микросхем прогнозирует скорректированную прибыль в размере $2,88 на акцию, плюс-минус 15 центов, по сравнению с консенсус-прогнозом аналитиков в $2,31 на акцию.

@RUSmicro

🇨🇳 Производство полупроводников. Китай

Где в Китае производят полупроводники

Стремление Китая догнать конкурентов в полупроводниковой отрасли имеет как регуляторный, так и географический аспект. Централизованные планы отправляются в провинции, где их реализуют с различными приоритетами. Пятнадцатый пятилетний план центрального правительства, охватывающий период с 2026 по 2030 год, сосредоточен на достижении самообеспеченности полупроводниками и развитии всех связанных с этим цепочек поставок.

Этот план ещё даже официально не принят, но его уже включают в местные пятилетние планы развития провинций, где расширяются целевые кластеры полупроводниковой промышленности в попытке постепенной специализации.

Хотя различные регионы Китая конкурируют друг с другом в качестве мест, где будут размещены производства, это «дифференцированная конкуренция», контролируемая Пекином для предотвращения чрезмерной дублированности.

Цель состоит в том, чтобы предотвратить производство одних и тех же товаров повсюду и чрезмерное усиление конкуренции внутри Китая, как это уже наблюдается в некоторых других отраслях.

Так где же сосредоточено производство микросхем в Китае?

Наиболее важными кластерами по производству микросхем являются Шанхай и дельта реки Янцзы с провинциями Цзянсу и Чжэцзян, за которыми следуют столица Пекин и неожиданно быстро развивающаяся провинция Хубэй. Два других важных региональных кластера можно найти в дельте реки Чжуцзян и провинциях Сычуань/Ганьсу.

Три кластера в дельте Нила, а именно Шанхай, Цзянсу и Чжэцзян, вместе привлекают более половины всех новых инвестиций в отрасль. Географическая концентрация производства полупроводников в Китае становится еще более очевидной, если учесть, что 5 упомянутых выше регионов привлекают более 80% всего капитала, несмотря на то, что в Китае насчитывается в общей сложности 21 провинция и город на уровне провинций.

Подробности

Шанхай и дельта реки Янцзы традиционно являются центрами литейного производства в Китае, и здесь расположены крупнейшие производители, такие как SMIC. Пекин и соседний Тяньцзинь обладают сильными позициями в области проектирования микросхем и полагаются на многочисленных выпускников своих ведущих университетов.

Дельта Жемчужной реки, которая в данном контексте также включает Гуанчжоу и Шэньчжэнь, а также их окрестности, известна своим бесфабричным проектированием и аутсорсингом производства специализированным литейным заводам. Другие региональные кластеры, такие как кластеры в провинции Сычуань (включая соседнюю Ганьсу) или перспективные технологические центры в провинциях Хубэй и Аньхой, развиваются за счет еще большей специализации на отдельных перспективных технологиях.

Ярким примером этого является крайне амбициозная провинция Аньхой, где сосредоточены на разработке микросхем памяти DRAM и недавно приняли решение о комплексном развитии ИИ, полупроводниковой и квантовой отраслей.

Пекин, Шанхай и Шэньчжэнь лидируют в развитии экосистем для производства логических микросхем (SMIC, Huahong, Huawei), в то время как Ухань в провинции Хубэй и Хэфэй в провинции Аньхой преуспевают в производстве микросхем памяти (YMTC, CXMT). В целенаправленном развитии кластеров правительство Китая придерживается принципа, который применялся ко всему населению в эпоху Дэн Сяопина: «Пусть кто-то сначала разбогатеет». На этот раз речь идет о нескольких регионах и промышленных кластерах, которые, как ожидается, постепенно обеспечат технологическую модернизацию и ускоренный рост ВВП всей страны в течение нескольких лет. (..)

@RUSmicro

(2) Развитие в рамках пятилеток

Тем, кто хочет добиться успеха в бизнесе в Китае в ближайшие годы или просто ищет подходящее место для размещения производственных линий, следует внимательно изучить отдельные пятилетние планы. Например, Шэньчжэнь в своем плане относит интегральные схемы к стратегическим отраслям, а также упоминает конкретные прорывные и асимметричные технологии. Цель состоит в том, чтобы стать «первопроходцем» и играть ведущую роль в развитии передовых полупроводниковых технологий.

В своем пятилетнем плане провинция Чжэцзян также заявляет о своем стремлении в ближайшее время добиться прорывов в диапазоне от 3 до 7нм и уделяет особое внимание таким сегментам, как чипы для ИИ и чипы с архитектурой RISC последнего поколения.

Пекин активно развивает несколько локальных кластеров. Среди них – северный район Хайдянь, который иногда называют «китайской Кремниевой долиной», и который сейчас стремится сосредоточиться на фундаментальных исследованиях в области архитектуры микросхем, современных полупроводников и программного обеспечения EDA. Здесь же расположен район Чжунгуаньцунь, известный высокой концентрацией высокотехнологичных компаний и находящийся в непосредственной близости от ведущих университетов страны.

Есть еще пригород Ичжуан на юге Пекина, где размещена Пекинская зона экономического и технологического развития (BDA) с ее чиповой промышленностью, робототехникой и автоматизацией, автономным вождением и другими высокотехнологичными отраслями. Вот уже немало лет, как она растет в среднем на 8% в год. Это один из нескольких китайских центров «воплощенного ИИ», который в Китае также поставили в центр стратегии развития пятилетки.

Помимо существующих заводов по производству микросхем, в Шанхае в последнее время все большое внимание уделяется интеграции чиповой индустрии с ИИ. С помощью таких программ, как «Шанхай, ориентированный на модели», например, планируется стимулировать разработку вертикальных моделей ИИ, одновременно продвигая исследования в области высококачественных микросхем для ИИ.

Для генеральных директоров и стратегов в других странах (и Россия здесь не исключение) дифференцированные технологические планы этих полупроводниковых регионов предоставляют важную информацию для поиска новых клиентов и рынков сбыта, а также конкретные указания по адаптации собственной корпоративной стратегии к возможностям роста в Китае.

@RUSmicro по материалам All-about-Industries, картинка - Asia Waypoint

🇺🇸 ИИ и спрос на чипы. Тренды. Участники рынка. США

Компания на M* закупит миллионы чипов Nvidia для ИИ

Компания заключила многолетнее соглашение на закупку и развертывание "миллионов" процессоров Nvidia для обеспечения развертывания следующей волны инфраструктуры ИИ.

Соглашение распространяется на локальные и облачные среды Заказчика, ориентированные на использование в гипермасштабных ЦОД, предназначенных для обработки как задач обучения ИИ, так и задач вывода.

Марк Цукерберг заявил, что компания планирует "создавать передовые кластеры", используя платформы NVidia для предоставления "персонального сверхинтеллекта каждому человеку в мире".

Сделка охватывает текущее поколение ускорителей ИИ Blackwell от Nvidia и будущую платформу Vera Rubin AI. Также Заказчик нарастит развертывание Arm-процессоров Nvidia Grace в производственных ЦОД, стремясь повысить производительность на ватт.

Заказчик планирует развернуть технологию Nvidia Confidential Computing, предназначенную для защиты данных и приложений, чтобы обеспечить работу функций AI на своей платформе мессенджера, сохраняя при этом конфиденциальность данных.

По данным Bloomberg, на Заказчика уже приходится около 9% выручки Nvidia, она является вторым по величине клиентом производителя. Только в прошлом финансовом году Компания потратила на закупку чипов Nvidia около $19 млрд (!)

Компания намерена инвестировать до $135 млрд в инфраструктуру ИИ в этом году.

@RUSmicro