🇷🇺 Производство ИК-матриц. Господдержка. Планы. Россия

В России к 2028 году хотят наладить серийное производство ИК-матриц

Об этом рассказывает CNews со ссылкой на трехступенчатый проект Минпромторга по поддержке реновации российских предприятий.

Поддержка обеспечена для предприятий Астрон и MAPPER (оба входят в ГК Ростех). Ожидается, что к 2028 году предприятия должны заработать, их мощность может достичь 11.5 тысяч ИК-матриц. На поддержку планируется направить от 4 до 15 млрд. В основном, эти средства будут задействованы для закупки производственного оборудования. В основном - по импорту.

Технологии, используемые для создания ИК-матриц - одни из самых сложных в микроэлектронике в плане реализации. Используются такие материалы, как оксид ванадия, аморфный гидрированный кремний, кадмий-ртуть-теллур, антимонид индия. Выращивание соответствующих структур некоторые считают не столько производством, сколько искусством. Процесс эпитаксии требует прецизионного контроля. Для неохлаждаемых матриц требуется обеспечивать теплоизоляцию на уровне пикселей. Сложной является процедура гибридизации - соединение фоточувствительной матрицы с кремниевой микросхемой считывания. Требуются матрицы с большой площадью, что всегда усложняет достижение высокого уровня годных.

Для успешного серийного производства нужно решить три группы ключевых проблем - материалы, оборудование, квалифицированные кадры. Это непросто.

Необходимые инвестиции для создания производства ИК-матриц в мире - от сотен миллионов до миллиардов долларов. В условиях России это будут пытаться сделать за меньшие деньги (на 1-2 порядка).

Насколько мне известно, только такие страны как США, Франция, Израиль, Россия и Китай освоили выпуск ИК-матриц. Если говорить о ключевых зарубежных производителях, то это американские Teledyne (FLIR Systems), L3Harris, DRS Technologies, RTX (Raytheon), французская Lynred (Sofradir), германская AIM, израильская SCD, китайская IRay Technology Co.

@RUSmicro

🇨🇳 Производство вычислительной техники. Производство ПК. Участники рынка. Тренды. Китай

Китайская компания Lenovo повышает цены на ПК из-за дефицита памяти

Lenovo Group предупредила о решении повысить цены на ПК, чтобы компенсировать растущие затраты на микросхемы памяти, - сообщает Reuters. Кроме того, компания намерена ускорить продвижение на рынок решений для инференса ИИ.

Это хорошо иллюстрирует общие проблемы, с которыми сталкиваются производители ПК, - дефицит микросхем памяти, связанный со взрывным спросом на ИИ, снижает рентабельность бизнеса производителей электроники, создавая для них сложное положение. Производители DRAM (Samsung, SK Hynix, Micron) сокращают выпуск традиционной памяти (DDR4/DDR5) в пользу высокомаржинальной HBM для ускорителей Nvidia/Huawei. Это создает структурный дефицит обычной DRAM, применяемой в ПК.

Выручка Lenovo за 3-й финансовый квартал 2025 года (4q2025) выросла на 18% до $22,2 млрд, превзойдя ожидания в $20,6 млрд, но чистая прибыль упала на 21% до $546 млн из-за списания на реструктуризацию в размере $285 млн. (Скорректированная чистая прибыль (non-HKFRS) выросла на 36% до $589 млн).

Реструктуризация направлена на усиление ориентации компании Lenovo на рынок искусственного интеллекта и, как надеются в компании, позволит сократить расходы на $200 млн в течение ближайших 3 лет, заявил генеральный директор Lenovo.

6 января 2026 на CES / Tech World компания Lenovo представила три специализированных инференс-сервера:

▫️ThinkSystem SR675i V3 (8x PCIe Gen5 GPU, полный цикл ИИ) для тяжелых LLM, RAG и симуляций;
▫️ThinkSystem SR650i V4 – для ЦОД общего назначения
▫️ ThinkEdge SE455i V3 – для ритейла, телекома и т.п.

Президент Lenovo в Северной Америке Райан Маккерди рекомендовал партнерам и корпоративным заказчикам немедленно размещать заказы: «Текущие цены — самые низкие, которые будут существовать в ближайшие 6–12 месяцев».

@RUSmicro

🇰🇷 Производство памяти. HBM. Участники рынка. Корея

Samsung начал отгружать чипы HBM4 неназванным клиентам

Впрочем, основной «подозреваемый», это, конечно, Nvidia с ускорителем Vera Rubin, который начнут выпускать в 2H2026. До сих пор Samsung заметно отставала от своего основного конкурента в области передовой памяти, от южнокорейской компании SK Hynix. Но не в этот раз.

Samsung заявляет для своих микросхем такие характеристики, как стабильная скорость доступа в 11,7 Гбит/с, что на 22% больше, чем у HBM3. По данным компании, максимальная скорость у чипов может достигать и 13 Гбит/с. Впрочем, в этом плане лучше подождать независимых оценок.

В планах компании – начать поставки образцов чипов HBM4E, то есть следующего поколения за HBM – в 2H2026. Прогноз роста доходов от HBM в 2026 году - более чем в 3 раза!

SK hynix пока что не добилась того же уровня выхода годных для HBM4, как у HBM3E. И в целом пока что не начала массовых отгрузок.

Американская Micron утверждает, что находится в стадии «крупномасштабного производства HBM4 и начала поставки чипов клиентам». Однако SemiAnalysis ставит это под сомнение, утверждая, что Micron не прошёл квалификацию Nvidia по скорости (>11 Гбит/с) и не получил заказов на 2026 год. По данным SemiAnalysis, рыночные доли на основе долей в заказах HBM4 выглядят так: 70% приходится на SK Hynix, 30% - на Samsung, 0% - на Micron.

Конкуренция явно обострилась, пирог чипов памяти для ИИ слишком высокомаржинальный, чтобы им делиться. Несмотря на явные усилия и успехи Samsung, SK Hynix пока что не лишится своего доминирования на рынке HBM. Если лезть глубже в технологии, то изделия SK Hynix показывают более высокую целостность сигнала и отличаются прогрессивной упаковкой, тогда как у Samsung привлекает 4-нм логика, что дает высокую энергоэффективность. Micron пока отстает по скорости (pin speed), что не позволило изделиям компании пройти квалификационный барьер Nvidia, который на текущий момент составляет 11 Гбит/с.

@RUSmicro

🇮🇳 Разработка микросхем. Индия

Qualcomm завершила разработку (tape-out) 2-нм чипа в Индии

Работы проводились в инженерных центрах Qualcomm в Бангалоре, Ченнаи и Хайдарабаде, что указывает на растущую роль индийских команд разработчиков в разработке чипов следующего поколения.

Хотя 2-нм чип не будет производиться внутри страны, это достижение отражает прогресс Индии в освоении сложных этапов проектирования полупроводников в условиях, когда правительство активизирует свои усилия в рамках Индийской полупроводниковой миссии (ISM) 2.0.

Qualcomm – не единственная компания, «накачивающая» Индию технологиями. Тайваньский производитель чипов MediaTek выразил заинтересованность в будущем производстве чипов в Индии. «Мы открыты для производства чипов в Индии», — цитирует издание слова Анку Джайна, управляющего директора MediaTek India.

К декабрю 2025 года правительство Индии одобрило 10 полупроводниковых проектов в шести штатах, общая сумма инвестиций которых оценивается примерно в 1,6 триллиона рупий. Ключевые проекты включают сборочный и испытательный центр Micron в Гуджарате, инициативы по производству и упаковке, возглавляемые Tata Electronics в Гуджарате и Ассаме, а также совместный проект с участием CG Power, Renesas и STARS Microelectronics.

В Индии действует программа ISM 2.0 (2026-2027 годы). ISM 2.0 направлен на расширение этой базы, уделяя больше внимания оборудованию, материалам и полномасштабному проектированию микросхем. Дорожная карта также определяет долгосрочные цели для передовых производственных узлов, таких как 3 нм и 2 нм, при этом правительство намерено обеспечить 70–75% внутреннего спроса на микросхемы в Индии к 2029 году.

Важно отметить, что в рамках ISM 2.0 внимание обращается не только, например, на производстве чипов, но и на выстраивании всей цепочки создания стоимости: оборудование, материалы, интеллектуальная собственность, исследования, рабочая сила.

Стратегическая задача - вывести Индию из статуса крупного потребителя полупроводников в статус значимого мирового производителя и лидера в области проектирования в течение следующего десятилетия.

@RUSmicro

🇺🇸 Производители оборудования. GAA. Суб-2нм. США

Applied Materials представила инструменты для суб‑2‑нм GAA‑чипов и усиливает кооперацию с Кореей

Американская Applied Materials, один из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, анонсировала три новые системы для техпроцессов ангстремного масштаба. Решения нацелены на резкий рост производительности ИИ-чипов и одновременно - на сдерживание взрывного роста энергопотребления оборудованием в этом сегменте.

Представленные продукты, Viba, Sym3G Magnum и Spectral, оптимизированы под Gate-All-Around (GAA).

🔹 Viba. Предназначена для обработки поверхности на атомарном уровне.

🔹 Sym3G Magnum. Формирует полости истока/стока. Точно контролирует плотность ионов и угла наклона, что позволяет формировать прямоугольное дно, равномерный доступ к нанолистам и обеспечивает высокий выход годны.

🔹 Spectral. ALD установка для осаждения молибдена. Замена вольфрама на молибден в ключевых проводящих слоях обеспечивает снижение контактного сопротивления более, чем на 15%, при этом сохраняется низкое сопротивление даже на сверхтонких дорожках.

В компании связывают свою новую линейку с энергетическим кризисом из-за роста ИИ-инфраструктуры.

Что касается «корейского вектора», то Applied Materials рассматривает Корею как приоритетный рынок и усиливает локальное присутствие:

🔹 Samsung Electronics вошла в число первых финансирующих участников исследовательского центра EPIC Center, который Applied строит в Кремниевой долине.

🔹 В 2H2026 года в Осане (Кёнгидо) официально откроется Korea Collaboration Center (KCC) - площадка для совместных разработок с местными заказчиками и университетами.

Рынок оборудования для GAA и ангстремных техпроцессов стремительно нагревается. Прямые конкуренты Applied, Lam Research и Tokyo Electron, также ведут разработки в области GAA. Однако Applied делает ставку не только на «железо», но и на интеграцию с экосистемой заказчика через исследовательские коллаборации, что особенно заметно на примере корейских партнёрств.

@RUSmicro

🇷🇺 Производство материалов. Россия

Томский ИХТЦ запустил производство сверхчистого трибромида бора и готовит первые поставки

В феврале 2026 года Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) на базе Томского госуниверситета объявил о завершении проекта и запуске полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты марки 6N5. Первые промышленные поставки запланированы на 2026 год.

Проект выполнен по заказу Минпромторга России и стал первым завершённым в масштабной программе импортозамещения шести критических химических веществ для микроэлектроники (общий бюджет под эти разработки - 1,9 млрд рублей).

🎓 Что такое трибромид бора 6N5?

Трибромид бора (BBr₃) — ключевой реагент для легирования полупроводников в микроэлектронике. Обозначение «6N5» указывает на степень чистоты 99,99995%, что соответствует содержанию примесей не более 5 частей на миллион (0,5 ppm) и является мировым стандартом для передовых технологических процессов.

🎓 Где применяется?

В первую очередь - в производстве полупроводников: плазмохимическое и реактивное ионное травление, осаждение тонких плёнок, легирование кремниевых пластин. Также востребован в оптоэлектронике, фотонике, органическом синтезе и создании специальных материалов.

🔹 Участники проекта

▫️ Томск (ИХТЦ ТГУ) — головной разработчик, организация полного цикла производства;

▫️ Новосибирск (Институт неорганической химии СО РАН) — методики аналитического контроля и стандарты качества;

▫️ Нижний Новгород (ООО «НПИ») — технологические решения и инжиниринг.

🔹 Производственные параметры

Мощность установки: 24 кг в год, что соответствует потребностям опытного и мелкосерийного производства микроэлектронных компонентов. Продукт будет поставляться в формате, интегрированном в технологические линии заказчиков: кварцевые ампулы различного объёма и специальные ёмкости-барботеры, исключающие контакт вещества с атмосферой. Для использования в крупносерийном производстве процесс нужно будет масштабировать, что не является простой задачей.

Руководитель проекта в ИХТЦ Ася Водянкина:

«Нашей задачей было не просто наладить синтез вещества, а построить завершённый технологический цикл, включая систему контроля качества на каждом этапе. Это необходимо для обеспечения стабильных характеристик материала, что критически важно для микроэлектроники».

Директор ИХТЦ Алексей Князев:

«Мы ориентировались на потребности отечественных предприятий. Их ключевым требованием было не просто импортозамещение, а получение материала гарантированного качества по конкурентной цене. Этот критерий стал для нас основным, и в ходе реализации проекта он был достигнут».

📌 Значимость проекта в плане импортзамещения

Основные поставки трибромида бора в Россию на фоне отсутствия собственного производства осуществлялись из Китая, Германии и США, а также от American Elements, Albemarle, Solvay и Mitsubishi.

Проект решает задачи обеспечения технологической независимости и укрепления российских компетенций в области высокочистого химического синтеза.

🔹 Перспективы и планы

ИХТЦ уже формирует портфель заказов от промышленных потребителей. Вероятно понадобится:

- масштабировать технологические процессы при сохранении чистоты 6N5;

- сертифицировать продукцию на соответствие отраслевым стандартам, впрочем, российская специфика (от которой хотелось бы когда-нибудь уйти) - проверять все самостоятельно на производстве.

@RUSmicro

🇺🇸 Регулирование. Оборудование для производства микросхем. Экспортное регулирование. Штрафы. Участники рынка. США

Applied Materials выплатит $252 млн за «незаконный экспорт» в Китай оборудования для производства микросхем

Минторг США объявил о достижении соглашения с Applied Materials (AMAT) – производитель выплатит $252 млн в рамках урегулирования претензий по поводу незаконного экспорта оборудования китайской SMIC. Это второй по величине штраф в истории Бюро промышленности и безопасности (BIS) — больше только штраф Seagate ($300 млн) в 2023 году.

Расследование стало следствием эксклюзивного отчёта Reuters в 2023 году, впервые раскрывшего схему поставок и факт уголовного расследования.

Суть нарушений. Вскоре после того, как Минторг в декабре 2020 года внёс SMIC в «чёрный список» (Entity List), заработала схема обхода ограничений: оборудование AMAT, произведённое в США, направлялось дочерней компании в Южной Корее (Applied Materials Korea), а оттуда - в Китай, где его в конечном итоге получала SMIC. Таким образом поставлялись ионные имплантаторы - критическое оборудование для производства чипов .

Масштаб. Незаконные поставки произошли 56 раз в 2021 и 2022 годах. Общая стоимость оборудования составила $126 млн.

Штраф. Сумма в $252 млн ровно в 2 раза превышает стоимость поставок. Это максимальный штраф, разрешённый американским законодательством (выше ×2 назначить нельзя).

Кадровые и корпоративные последствия. В рамках урегулирования Applied Materials подтвердила, что сотрудники и старшие менеджеры, ответственные за нелегальные поставки, покинули компанию. Кроме того, компания обязалась проводить серию аудитов экспортного комплаенса и ежегодно сертифицировать их результаты перед BIS.

Закрытие других расследований. Минюст США (DOJ) и Комиссия по ценным бумагам и биржам (SEC) уведомили Applied Materials о закрытии параллельных расследований без применения каких-либо мер.

В Applied Materials заявили, что удовлетворены достигнутым соглашением. Для Минторга США это дело стало важным прецедентом: подчёркивается, что экспортные правила распространяются на любые цепочки поставок, включая реэкспорт через третьи страны.

@RUSmicro

🇯🇵 Передовые производства микроэлектроники. 2нм. Япония

Rapidus ускоряет освоение 2-нм техпроцесса

Согласно официальным планам, представленным в Министерство экономики, торговли и промышленности Японии, дорожная карта Rapidus выглядит следующим образом:

🔹 В 2027 году компания планирует начать производство кристаллов по техпроцессу 2нм, а в 2028 году финансовом году перейти к крупномасштабному производству. На начальном этапе, как ожидается, производственные мощности компании составят около 6000 пластин (12 дюймов в месяц), но примерно через год объемы производства, как ожидается, вырастут до 25 тысяч пластин в месяц.

В Rapidus ставят перед собой задачу обеспечивать выпуск полупроводниковых микросхем по самым передовым технологиям. А потому среди целей компании – начать в 2029 году производство чипов по техпроцессу 1.4 нм, а в перспективе достичь уровня в 1 нм (сроки освоения данного техпроцесса компания не называет).

Производство 2нм GAA планируется наладить на фабрике IIJ-1 в Титосе, Хоккайдо. Это фаб полного цикла – от изготовления пластин до формирования структур на пластинах, разделения пластин, упаковки и корпусирования кристаллов.

Проект активно развивается. В частности, первая производственная линия запущена еще в апреле 2025 года. Вот уже почти год идет отладка процесса GAA 2нм. Компания сообщала о прогрессе в этом еще летом 2025 года.

В 1q2026 компания планирует начать поставки клиентам PDK (Process Design Kit) – набора файлов, необходимых для проектирования чипов под процесс 2нм GAA компании (2HP). Как заявляет компания, это техпроцесс позволяет достигать плотности размещения элементов в 237.31 MTr/кв.мм, что близко к показателям техпроцесса в 236.17 МТр/кв.мм и превосходит возможности Intel 18A с его плотностью в 184,21 МТр/мм² .

Поскольку в Rapidus понимают, что отстают от лидеров рынка, TSMC и Samsung, которые уже начали массовое производство чипов в 2025 году, в Rapidus намерены выиграть за счет предложения рынку «гибких и быстрых» услуг. Ключевым отличием может стать концепция срочной обработки отдельных пластин или их небольших партий. В частности, если традиционные производственные циклы достигают 120 дней, то Rapidus обещает сокращение этих сроков до 50 дней, а в случае срочных заказов – до невероятных 15 дней!

Проект пользуется активной поддержкой правительства страны, в частности, компания уже получила значительную господдержку. В 2025-2027 финансовых годах, правительство Японии намерено выделить еще $19 млрд.

Как и всегда ключевым вопросом остается – получится ли у компании выйти на приемлемый уровень выхода годных. Не менее сложно будет заполучить крупных клиентов для загрузки новых мощностей. Выход на рынок нового конкурента в виде Rapidus, конечно, окажет давление на ценовую политику TSMC и Samsung, но насколько заказчики масштабов Apple, Qualcomm и Nvidia захотят предавать свои заказы новому участнику рынка? Впрочем, безусловно, если у японцев «все срастется», то и это сценарий вполне реалистичен.

@RUSmicro

🇹🇼 Производство GaAs полупроводников. Участники рынка. Тайвань

Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

Тайваньская компания Win Semiconductor, мировой лидер в контрактном производстве полупроводниковых структур на арсенид-галлиевых пластинах, прогнозирует x2 - x3 рост спроса в 2026 году. Причина - бум рынка оптических модулей передачи данных 1.6T, которые используются при развитии инфраструктуры ИИ-ЦОД и магистральных каналов связи. Кроме того, микросхемы GaAs активно применяют также в низкоорбитальных спутниках и в смартфонах.

WIN Semiconductors предоставляет услуги по разработке и производству монолитных микроволновых интегральных схем (MMIC) и радиочастотных микросхем (RFIC) для различных применений — от 50 МГц до 170 ГГц. Компания поддерживает широкий спектр технологий, включая HBT (гетеропереход биполярный транзистор), pHEMT, GaN HEMT и другие.

Рынок GaAs-фаундри относительно невелик по сравнению с кремниевым, но он растет, особенно по части высокочастотных и малошумящих применений, что актуально в телекоме, аэрокосмической отрасли, оборонной промышленности. По данным на 2024 год, глобальный рынок GaAs-фаундри оценивался в $853 млн, а к 2031 году прогнозировался рост до $1079 млн при среднегодовом темпе роста (CAGR) 3,5% - возможно теперь эти прогнозы придется пересмотреть.

@RUSmicro

🇫🇷 Научная инфраструктура. Чистые комнаты. FD-SOI. Франция. Европа

CEA-Leti представляет чистую комнату площадью 2000 кв. м для разработки полупроводников следующего поколения

CEA-Leti официально открыл пилотную линию FAMES, включающую чистую комнату площадью 2000 кв. м.
Этот комплекс, увеличивает общую площадь чистых комнат CEA-Leti до 14 000 кв. м, предназначен для поддержки разработки и прототипирования передовых технологий FD-SOI, радиочастотных технологий, встроенной памяти, 3D-интеграции и управления питанием.

Что уникального в новой чистой комнате?

Комплекс является открытым, что позволяет европейским стартапам (это что-то из области единорогов?), малым и средним предприятиям, промышленным группам и исследовательским организациям ее использовать - создавать прототипы, проводить квалификацию и снижать риски передовых полупроводниковых технологий перед их промышленным внедрением.

Два подземных уровня обеспечивают размещение сложных технических установок, а высота потолка в 5 метров позволяет разместить крупногабаритное оборудование.

Низкий уровень вибраций и выделенные резервные системы электропитания гарантируют бесперебойную работу, что крайне важно для высокоточного производства полупроводников.

«Разработанные в FAMES прорывные технологии призваны поддерживать будущие поколения микросхем FD-SOI с размером элементов менее 10 нм, обеспечивая создание высокопроизводительных и энергоэффективных компонентов для Европы», — сказал Жан-Рене Лекепей, заместитель директора и технический директор CEA-Leti.

Это настолько выдающееся для современной Европы событие, что торжественное открытие собрало более 350 представителей промышленности, исследовательских организаций, государственных органов и европейских институтов. Но вряд ли эти "чистые комнаты" как-то кардинально поменяют картину отставания ЕС от США, Тайваня и Китая в современных технологиях микроэлектроники в доле глобального рынка.

@RUSmicro, по материалам CleanRoomTechnology

🔬 Горизонты технологий. Материалы GeSn. Перспективные полупроводники. Европа

В Европе разработали новый класс полупроводников на базе GeSn

Учёные из Университета Эдинбурга и других исследовательских центров (включая GFZ Helmholtz Centre for Geosciences, Университет Лилля, Университет Гренобль Альпы, Университет Байройта и Европейский синхротронный центр) разработали метод создания стабильных германий-оловянных сплавов.

GeSn-полупроводники – это новый класс материалов, которые могут значительно улучшить эффективность оптоэлектронных устройств. Эти материалы способны более эффективно поглощать и излучать свет по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками.

Это было известно и ранее, но до сих пор ученым не удавалось создавать стабильные германий-оловянные сплавы. Более того, считалось, что создать такой материал практически невозможно, так как германий и олово не вступают в химическую реакцию друг с другом в обычных условиях. Теперь – удалось!

Смесь германия и олова нагревали до температуры выше 1200 °C и одновременно применяли давление до 10 гигапаскалей (примерно в 100 раз превышающее давление на дне Марианской впадины). В этих экстремальных условиях атомы образовали новую гексагональную кристаллическую структуру. В результате получились сплавы, которые остаются стабильными при комнатной температуре и давлении. И являются эффективными полупроводниками (при доле олова до 16%).

Поскольку германий и олово относятся к той же группе периодической таблицы, что и кремний, их сплавы можно интегрировать в существующие CMOS-процессы.

Исследования показали, что GeSn-полупроводники обладают интересными спин-связанными свойствами, что делает их перспективными для спинтроники.

Многообещающе выглядит материал и для создания лазеров, способных работать при высоких температурах. Например, ранее исследователи демонстрировали GeSn-лазеры, работающие при температурах до 180 Кельвинов (около −135 °C), с более широким диапазоном длин волн и более низким пороговым значением генерации. Цель учёных — создать электрически накачиваемый лазер, работающий при комнатной температуре.

🎓 Кремний и германий – материалы с так называемой непрямой запрещенную зону. Запрещенная зона, это разница энергий, которую электроны должны преодолеть, чтобы проводить электричество. В материале с непрямой запрещенной зоной электроны не могут легко высвобождать энергию в виде света; вместо этого большая ее часть теряется в виде тепла. Это делает кремний и германий неэффективными для создания светоизлучающих устройств.

Добавление олова изменяет электронную структуру и, следовательно, расположение энергетических уровней внутри материала. При достаточном количестве олова германий может приблизиться к прямой запрещенной зоне, что означает, что электроны могут высвобождать энергию непосредственно в виде света. Это существенно облегчает задачу создания лазеров.

@RUSmicro

🇪🇺 Производители полупроводниковых структур. Участники рынка. Европа. Нидерланды

Голландская Nexperia получит госкредит $60 млн для увеличения производства микросхем

Голландское государственное финансовое учреждение Invest International предоставит производителю микросхем Nexperia кредит в размере $60 млн для поддержки ряда глобальных инвестиций в его производственные площадки, сообщает Reuters.

Финансирование призвано помочь нарастить объемы производства, модернизировать производственные линии и повысить эффективность.

Компания Nexperia, базирующаяся в Нидерландах и являющаяся подразделением китайской Wingtech, оказалась в центре крупного корпоративного противостояния между Европой и Китаем после вмешательства чиновников Нидерландов в его деятельность в 2025 году, в рамках которого была назначена европейская управленческая команда.

Этот шаг спровоцировал кризис, который нарушил глобальные поставки базовых микросхем для автомобильной промышленности и отпугнул инвесторов.
Ссылаясь на представителя компании, голландская газета FD упомянула, что идут и другие переговоры о финансировании Nexperia.

На прошлой неделе голландский суд распорядился провести расследование ненадлежащего управления в Nexperia. Он зафиксировал, что европейская команда менеджеров останется у руля в компании.

@RUSmicro

🔬 Мнения. Производственное оборудование

TSMC не спешит за High-NA EUV. Почему?

TSMC немало лет остается самым передовым производством полупроводниковых пластин. Но, по каким-то причинам, эта компания пока что не спешит с закупками наиболее передовых литографов ASML High-NA 0.55 (Twinscan EXE:5200B). С рекордной ценой в $380 млн за единицу. Машины с числовой апертурой NA 0.55 позволяют получать линии 8нм за один проход, тогда как литографы Low-NA 0.33 дают, минимум, 13 нм.

Экономика прежде всего

Вряд ли кто-то, кроме непосредственно принимавших это решение людей, знает истинные причины. Но вполне можно предположить причины стратегии, выбранной в TSMC. Главная причина, которую официально озвучивает сама компания, — стоимость. Один High-NA-сканер стоит почти вдвое дороже нынешних систем EUV (около $200 млн). Кроме того, в TSMC могут достичь целевых показателей производительности, выхода годных и плотности транзисторов для своих 2-нм и A16 (1.6 нм) продуктов, используя проверенные 0.33-NA EUV-сканеры.

Исследования IBM показывают, что одиночный High-NA-экспонирование обходится в 2.5 раза дороже стандартного низкоапертурного. И только на сложных слоях с многократным патернированием High-NA может снизить стоимость пластины в 1.7-2.1 раз за счет сокращения числа масок. Паритетет затрат, по оценкам аналитиков SemiAnalytics, наступит не ранее 2030 года, но это лишь прогноз. В TSMC, похоже, рискнули не платить "технологический аванс", уступив это неблагодарное дело конкурентам.

Технологическая уверенность

TSMC демонстрирует, что может "выжимать" максимум из существующего оборудования. Компания подтвердила, что ее техпроцессы A16 (1.6 нм) и A14 (1.4 нм) будут запущены в производство без использования High-NA EUV. Компания успешно добивается высокой плотности и высокого уровня годных на Low-NA за счет улучшений в дизайне и в процессах: улучшений алгоритмов коррекции близости (OPC), совершенствования масок и процессов травления, использования многопроходной литорафии везде, где это оправдано экономически.

Разумеется, это не означает, что TSMC полностью игнорит новую технологию. Компания внимательно следит за ситуацией и спроектировала фаб A16 так, чтобы была возможность развернуть на нем High-NA EUV машины.

Кто выиграет

Пока в TSMC не спешат, этим пытаются воспользоваться другие игроки.

У Intel уже есть работающие High-NA-сканеры, компания планирует использовать их для выпуска структур с разрешением 14A. Но пока что речь не столько об "опередить", сколько о хотя бы догнать.

Японская Rapidus уже выпустила PDK (набор для проектирования) для своих первых клиентов. Если Rapidus преуспеет, он может отобрать у TSMC часть заказов на передовые чипы для ИИ. Но японцы годами не занимались передовыми технологиями, будет ли проект успешным, не останется ли он нишевым - мы пока не знаем.

Заказы на ASML High NA 0.55 разместили корейские SK Hynix и Samsung. А Intel уже работает на передовом литографе с тестовыми пластинами.

Может ли это изменить расстановку сил на рынке передовой литографии уже в 2028-2029 году? Нет. High-NA начнет оказывать заметное влияние на рынок не ранее 2030 года. (..)

(2)
Смогут ли Китай и Россия вступить в гонку за 2нм в ближайшие 5 лет?

У Китая, безусловно, есть шансы. Но, скорее всего, речь не будет идти о покупке EUV-сканеров. В Китае активно идет развитие собственных литографических решений. Пока что говорить о паритете с ASML не приходится. Как и о том, получится ли у китайцев добиться сравнимой (или меньшей) цены на свои изделия, а также достаточного для рентабельного производства выхода годных. Возможно китайцы добьются большего успеха в разработке литографы на основе другого источника (LDP, лазерно-индуцированная плазма). Но и здесь потребуется время, это в целом технология без подтвержденной дорожной карты.

Что до нашей страны, учитывая завесу неразглашений, говорить о достижениях в области передовой литографии крайне сложно. Но с учетом необходимых инвестиций и геополитической ситуации, шансы для России вступить в гонку за освоение 2нм и ниже в ближайшие 5 лет выглядят низкими. Даже если кто-то активо занимается литографом, даже если эти работы увенчаются успехом уже в ближайшие годы, то нужно еще будет параллельно создать всю экосистемы - от материалов и другого оборудования до кадров. За 5 лет этого не сделать.

@RUSmicro