🇺🇸 Упаковка. EMIB. США
Технология Intel EMIB набирает популярность: станет ли она новой звездой в мире чипов для ИИ и смартфонов?
Технология продвинутой упаковки чипов Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) демонстрирует растущую популярность. Интерес к ней проявляют такие технологические гиганты, как Apple, Qualcomm, Google и M*. Это связано с дефицитом мощностей основного конкурента — TSMC, а также с преимуществами технологии EMIB в плане стоимости и гибкости дизайна для определенных классов продуктов.
Кто и почему проявляет интерес?
Интерес к EMIB подтверждают действия крупных игроков. Apple и Qualcomm размещали вакансии для инженеров, требующие опыта работы с технологией EMIB. Это значит, что компании как минимум исследуют данное направление, возможно, для процессоров смартфонов и чипов для серверов ИИ.
В сегменте AI-чипов (ASIC) также можно наблюдать сдвиг в эту сторону. Аналитики TrendForce сообщают, что крупные облачные провайдеры, включая Google (для TPU v9, ожидаемых в 2027 году) и M* (для ускорителей MTIA), рассматривают EMIB как альтернативу TSMC CoWoS. Это вызвано острой нехваткой мощностей упаковки у TSMC, которые в значительной степени заняты под заказы NVIDIA и AMD.
Более того, обсуждается такой оригинальный сценарий, как предоставление компанией Intel услуг по упаковке для чипов, произведенных TSMC на фабе в Аризоне.
(В таблице показаны ключевые отличия и преимущества EMIB и CoWoS)
Одним из ключевых преимуществ Intel является наличие мощностей для продвинутой упаковки на территории Соединенных Штатов (фабрики Fab 9 и Fab 11x в Нью-Мексико). Это придает технологии EMIB стратегический вес в условиях, когда США стремятся создать независимую полупроводниковую цепочку поставок.
Чего можно ожидать в ближайшие годы
В среднесрочной перспективе EMIB не заменит CoWoS для высокопроизводительных GPU NVIDIA и AMD. Однако технология займет прочные позиции в сегменте AI-ASIC, где крупные заказчики ищут альтернативы в условиях дефицита мощностей TSMC и стремятся контролировать издержки.
Если Intel сможет стать партнером по упаковки чипов, произведенных TSMC, это обеспечит для этой компании позицию критически важного участника в американской полупроводниковой экосистеме.
Растущий интерес к EMIB со стороны крупнейших производителей электроники сигнализирует о начале диверсификации рынка продвинутой упаковки, который долгое время был монополизирован TSMC. Это хорошо для отрасли.
@RUSmicro
Технология Intel EMIB набирает популярность: станет ли она новой звездой в мире чипов для ИИ и смартфонов?
Технология продвинутой упаковки чипов Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) демонстрирует растущую популярность. Интерес к ней проявляют такие технологические гиганты, как Apple, Qualcomm, Google и M*. Это связано с дефицитом мощностей основного конкурента — TSMC, а также с преимуществами технологии EMIB в плане стоимости и гибкости дизайна для определенных классов продуктов.
Кто и почему проявляет интерес?
Интерес к EMIB подтверждают действия крупных игроков. Apple и Qualcomm размещали вакансии для инженеров, требующие опыта работы с технологией EMIB. Это значит, что компании как минимум исследуют данное направление, возможно, для процессоров смартфонов и чипов для серверов ИИ.
В сегменте AI-чипов (ASIC) также можно наблюдать сдвиг в эту сторону. Аналитики TrendForce сообщают, что крупные облачные провайдеры, включая Google (для TPU v9, ожидаемых в 2027 году) и M* (для ускорителей MTIA), рассматривают EMIB как альтернативу TSMC CoWoS. Это вызвано острой нехваткой мощностей упаковки у TSMC, которые в значительной степени заняты под заказы NVIDIA и AMD.
Более того, обсуждается такой оригинальный сценарий, как предоставление компанией Intel услуг по упаковке для чипов, произведенных TSMC на фабе в Аризоне.
(В таблице показаны ключевые отличия и преимущества EMIB и CoWoS)
Одним из ключевых преимуществ Intel является наличие мощностей для продвинутой упаковки на территории Соединенных Штатов (фабрики Fab 9 и Fab 11x в Нью-Мексико). Это придает технологии EMIB стратегический вес в условиях, когда США стремятся создать независимую полупроводниковую цепочку поставок.
Чего можно ожидать в ближайшие годы
В среднесрочной перспективе EMIB не заменит CoWoS для высокопроизводительных GPU NVIDIA и AMD. Однако технология займет прочные позиции в сегменте AI-ASIC, где крупные заказчики ищут альтернативы в условиях дефицита мощностей TSMC и стремятся контролировать издержки.
Если Intel сможет стать партнером по упаковки чипов, произведенных TSMC, это обеспечит для этой компании позицию критически важного участника в американской полупроводниковой экосистеме.
Растущий интерес к EMIB со стороны крупнейших производителей электроники сигнализирует о начале диверсификации рынка продвинутой упаковки, который долгое время был монополизирован TSMC. Это хорошо для отрасли.
@RUSmicro
👍3
В другом моем канале - публикации по теме российского телеком-оборудования: по регулированию рынка РРЛ и новым изделиям DWDM
🇷🇺 Регулирование. Производство РРЛ. Россия Российские производители РРЛ просят обязать операторов связи закупать только отечественное оборудование
🇷🇺 Телеком-оборудование. DWDM. Россия В Ростелеком завершили испытания DWDM-решений Горизонт компании VPG LaserONE
🇷🇺 Регулирование. Производство РРЛ. Россия Российские производители РРЛ просят обязать операторов связи закупать только отечественное оборудование
🇷🇺 Телеком-оборудование. DWDM. Россия В Ростелеком завершили испытания DWDM-решений Горизонт компании VPG LaserONE
👍2❤1
🇫🇮 Квантовые компьютеры (сверхпроводящие). Производственные мощности. Финляндия
Европа наращивает мощности в квантовой гонке: IQM инвестирует в расширение производства в Финляндии
Европейская компания IQM Quantum Computers, работающая в области квантовых вычислений, объявила 26 ноября 2025 года о масштабных инвестициях в размере более 40 млн евро в расширение своей производственной площадки в Финляндии. Этот шаг направлен на удвоение производственных мощностей и укрепление технологического суверенитета Европы на фоне глобальной конкуренции в передовой области. Об этом рассказывает Reuters.
Расширение производства
Инвестиции будут направлены на расширение существующего комплекса в Эспоо до 8000 квадратных метров.
Основные усовершенствования включают:
🔸 Площадь чистых комнат будет увеличена почти вдвое для производства продвинутых квантовых чипов, предназначенных для компьютеров с коррекцией ошибок.
🔸 Мощности по сборке систем также удвоятся, за счет новой сборочной линии, что позволит компании выпускать до 30 полноценных квантовых компьютеров в год.
Ожидается, что расширение будет завершено к 1q2026.
Как отметил вице-президент по операциям IQM Паси Кивинен, в результате это станет "одним из самых передовых в мире производственных объектов для квантовых компьютеров, сочетающим сборочные линии и производство чипов"
Что это означает в разрезе геополитики?
Инвестиция укрепляет квантовый производственный цикл в Финляндии и Европе, что соответствует инициативам ЕС, направленным на обеспечение технологической независимости и глобальной конкурентоспособности региона. Насколько это возможно для современной ЕС.
На фоне интенсивной международной конкуренции в сфере квантовых технологий данный шаг позиционируется как способ уменьшить зависимость Европы от неевропейских поставщиков критически важных технологий.
Инвестиция в новые производственные мощности должна ускорить разработку и вывод на рынок масштабируемых квантовых систем с коррекцией ошибок. Со-основатель и генеральный директор IQM Ян Гётц отметил, что усиление возможностей по производству чипов для технологий коррекции ошибок укрепит лидерство компании в области сверхпроводящих квантовых вычислений.
Компания ставит перед собой амбициозные цели по созданию квантовых компьютеров с 1 миллионом кубитов к 2033 году и достижению устойчивой к сбоям (fault-tolerant) квантовой обработки информации к 2030 году.
@RUSmicro
Европа наращивает мощности в квантовой гонке: IQM инвестирует в расширение производства в Финляндии
Европейская компания IQM Quantum Computers, работающая в области квантовых вычислений, объявила 26 ноября 2025 года о масштабных инвестициях в размере более 40 млн евро в расширение своей производственной площадки в Финляндии. Этот шаг направлен на удвоение производственных мощностей и укрепление технологического суверенитета Европы на фоне глобальной конкуренции в передовой области. Об этом рассказывает Reuters.
Расширение производства
Инвестиции будут направлены на расширение существующего комплекса в Эспоо до 8000 квадратных метров.
Основные усовершенствования включают:
🔸 Площадь чистых комнат будет увеличена почти вдвое для производства продвинутых квантовых чипов, предназначенных для компьютеров с коррекцией ошибок.
🔸 Мощности по сборке систем также удвоятся, за счет новой сборочной линии, что позволит компании выпускать до 30 полноценных квантовых компьютеров в год.
Ожидается, что расширение будет завершено к 1q2026.
Как отметил вице-президент по операциям IQM Паси Кивинен, в результате это станет "одним из самых передовых в мире производственных объектов для квантовых компьютеров, сочетающим сборочные линии и производство чипов"
Что это означает в разрезе геополитики?
Инвестиция укрепляет квантовый производственный цикл в Финляндии и Европе, что соответствует инициативам ЕС, направленным на обеспечение технологической независимости и глобальной конкурентоспособности региона. Насколько это возможно для современной ЕС.
На фоне интенсивной международной конкуренции в сфере квантовых технологий данный шаг позиционируется как способ уменьшить зависимость Европы от неевропейских поставщиков критически важных технологий.
Инвестиция в новые производственные мощности должна ускорить разработку и вывод на рынок масштабируемых квантовых систем с коррекцией ошибок. Со-основатель и генеральный директор IQM Ян Гётц отметил, что усиление возможностей по производству чипов для технологий коррекции ошибок укрепит лидерство компании в области сверхпроводящих квантовых вычислений.
Компания ставит перед собой амбициозные цели по созданию квантовых компьютеров с 1 миллионом кубитов к 2033 году и достижению устойчивой к сбоям (fault-tolerant) квантовой обработки информации к 2030 году.
@RUSmicro
👀2❤1
🇺🇸 GaN. Участники рынка. США
GlobalFoundries переходит на GaN - США станет центром производства GaN, наряду с Китаем
Поскольку TSMC объявила о планах перестать выпускать полупроводники на пластинах GaN к 2027 году, этой возможностью воспользуется другой крупный производитель. GlobalFoundries намерена усилить свой бизнес в области GaN, предпринимая шаги, которые, по данным EE Times, могут сделать её ключевым центром производства GaN в США. Об этом рассказывает TrendForce.
10 ноября 2025 года GlobalFoundries объявила о заключении соглашения с TSMC о лицензировании технологий для 650В и 80В GaN-процессов. Высоковольтная 650В платформа, как сообщается, используется в таких устройствах, как адаптеры питания, приводы двигателей и фотоэлектрические преобразователи, в то время как средневольтные 80В узлы предназначены для систем питания серверов и ноутбуков.
EE Times отмечает, что компания TSMC, пионер в области GaN-на-кремнии, начала разработку GaN в 2011 году и начала массовое производство в 2015 году, преодолевая ряд таких технологических трудностей, например, как коробление пластин и контроль загрязнений. В отчёте говорится, что благодаря высоким стандартам надёжности TSMC и сертификации JEDEC/MIL-STD, GlobalFoundries может получить значительную выгоду от этого соглашения.
Navitas выбирает с кем остаться
Примечательно, что вскоре после того, как GF заключила лицензионное соглашение с TSMC, калифорнийская компания Navitas Semiconductor, которая было объявила в начале июля 2025 года о стратегическом партнёрстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) для развития технологии 200-мм GaN-на-кремнии, объявила о новом сотрудничестве с GF в области литейного производства. По данным EE Times, разработка запланирована на начало 2026 года, а производство полупроводников на основе GaN ожидается в том же году.
Navitas совершила прорыв в 2017 году, когда началось серийное производство силовых микросхем GaNFast производства TSMC, которые используются в быстрых зарядных устройствах таких брендов, как Anker, Lenovo и Xiaomi. С тех пор Navitas стала ключевым покупателем GaN-компонентов TSMC.
По оценкам TrendForce, в 2024 году Navitas будет занимать 16,5% мирового рынка силовых GaN-устройств, уступая только Innoscience (29,9%) и опережая EPC (12,4%), Infineon (10,3%) и Power Integrations (9,8%).
Создается американский GaN-хаб?
Примечательно, что, как отмечает EE Times, с переходом Navitas, отвечающей за почти половину производства пластин GaN TSMC, на GF, этот шаг может отражать более масштабные усилия по переносу стратегической цепочки поставок полупроводников в США с одновременным созданием устойчивой производственной базы для технологии GaN в США.
Похоже, эта идея набирает популярность. В конце 2024 года GlobalFoundries объявила о дополнительном финансировании из федерального бюджета США в размере $9,5 млн для наращивания усилий по производству GaN. EE Times также отмечает, что GF получила более $80 млн от правительства США на свои инициативы, связанные с GaN.
Тем временем GF также расширяет свои возможности в области GaN. EE Times подчеркивает, что в 2024 году компания приобрела интеллектуальные активы Tagore Technology в области GaN, что усилило ее стремление к крупномасштабному производству этой широкозонной технологии. Ожидается, что GF также захватит значительную долю существующего бизнеса TSMC по производству пластин GaN, особенно у американских поставщиков чипов GaN.
По мере того, как китайские конкуренты, во главе с Innoscience, укрепляют свои позиции на рынке GaN, эта технология становится всё более важным направлением для США в плане укрепления внутренней цепочки поставок полупроводников. Расширение GlobalFoundries подчёркивает этот стремления к расширению местных возможностей в области широкозонных полупроводников, которые найдут применение в самых разных областях — от центров обработки данных с искусственным интеллектом до электромобилей.
@RUSmicro
GlobalFoundries переходит на GaN - США станет центром производства GaN, наряду с Китаем
Поскольку TSMC объявила о планах перестать выпускать полупроводники на пластинах GaN к 2027 году, этой возможностью воспользуется другой крупный производитель. GlobalFoundries намерена усилить свой бизнес в области GaN, предпринимая шаги, которые, по данным EE Times, могут сделать её ключевым центром производства GaN в США. Об этом рассказывает TrendForce.
10 ноября 2025 года GlobalFoundries объявила о заключении соглашения с TSMC о лицензировании технологий для 650В и 80В GaN-процессов. Высоковольтная 650В платформа, как сообщается, используется в таких устройствах, как адаптеры питания, приводы двигателей и фотоэлектрические преобразователи, в то время как средневольтные 80В узлы предназначены для систем питания серверов и ноутбуков.
EE Times отмечает, что компания TSMC, пионер в области GaN-на-кремнии, начала разработку GaN в 2011 году и начала массовое производство в 2015 году, преодолевая ряд таких технологических трудностей, например, как коробление пластин и контроль загрязнений. В отчёте говорится, что благодаря высоким стандартам надёжности TSMC и сертификации JEDEC/MIL-STD, GlobalFoundries может получить значительную выгоду от этого соглашения.
Navitas выбирает с кем остаться
Примечательно, что вскоре после того, как GF заключила лицензионное соглашение с TSMC, калифорнийская компания Navitas Semiconductor, которая было объявила в начале июля 2025 года о стратегическом партнёрстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) для развития технологии 200-мм GaN-на-кремнии, объявила о новом сотрудничестве с GF в области литейного производства. По данным EE Times, разработка запланирована на начало 2026 года, а производство полупроводников на основе GaN ожидается в том же году.
Navitas совершила прорыв в 2017 году, когда началось серийное производство силовых микросхем GaNFast производства TSMC, которые используются в быстрых зарядных устройствах таких брендов, как Anker, Lenovo и Xiaomi. С тех пор Navitas стала ключевым покупателем GaN-компонентов TSMC.
По оценкам TrendForce, в 2024 году Navitas будет занимать 16,5% мирового рынка силовых GaN-устройств, уступая только Innoscience (29,9%) и опережая EPC (12,4%), Infineon (10,3%) и Power Integrations (9,8%).
Создается американский GaN-хаб?
Примечательно, что, как отмечает EE Times, с переходом Navitas, отвечающей за почти половину производства пластин GaN TSMC, на GF, этот шаг может отражать более масштабные усилия по переносу стратегической цепочки поставок полупроводников в США с одновременным созданием устойчивой производственной базы для технологии GaN в США.
Похоже, эта идея набирает популярность. В конце 2024 года GlobalFoundries объявила о дополнительном финансировании из федерального бюджета США в размере $9,5 млн для наращивания усилий по производству GaN. EE Times также отмечает, что GF получила более $80 млн от правительства США на свои инициативы, связанные с GaN.
Тем временем GF также расширяет свои возможности в области GaN. EE Times подчеркивает, что в 2024 году компания приобрела интеллектуальные активы Tagore Technology в области GaN, что усилило ее стремление к крупномасштабному производству этой широкозонной технологии. Ожидается, что GF также захватит значительную долю существующего бизнеса TSMC по производству пластин GaN, особенно у американских поставщиков чипов GaN.
По мере того, как китайские конкуренты, во главе с Innoscience, укрепляют свои позиции на рынке GaN, эта технология становится всё более важным направлением для США в плане укрепления внутренней цепочки поставок полупроводников. Расширение GlobalFoundries подчёркивает этот стремления к расширению местных возможностей в области широкозонных полупроводников, которые найдут применение в самых разных областях — от центров обработки данных с искусственным интеллектом до электромобилей.
@RUSmicro
👍3❤1
🇰🇷 Микросхемы памяти. Искусственный интеллект. Корея
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 со скоростью 48 Гбит/с; Samsung демонстрирует HBM4
Южнокорейские чип-гиганты готовят новые технологии для удовлетворения растущего спроса на ИИ. По данным ZDNet, Samsung Electronics и SK hynix планируют представить широкую линейку решений DRAM следующего поколения на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) 2026 года.
SK hynix представит свои новейшие GDDR7 и LPDDR6 для графических и мобильных приложений, а Samsung Electronics представит HBM4. Об этом рассказывает TrendForce.
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 следующего поколения
SK hynix представляет GDDR7 с пропускной способностью на вывод 48 Гбит/с и плотностью 24 Гбит. Чип использует симметричную двухканальную архитектуру, ориентированную на приложения с высокой пропускной способностью, такие как графические процессоры, периферийные решения для ИИ и игры.
Главный интерес представляют нестандартные характеристики памяти GDDR7 DRAM, которую SK hynix планирует представить. Хотя отрасль ожидала, что GDDR7 следующего поколения достигнет пиковой скорости около 32–37 Гбит/с, SK hynix представит доклад на ISSCC, демонстрирующий скорость 48 Гбит/с и плотность 24 Гбит, что, как отмечает издание Global Economic News, говорит о технологическом лидерстве.
В отчёте Global Economic News отмечается, что это представляет собой более чем 70%-ный скачок скорости передачи данных по сравнению с сегодняшней GDDR7 28 Гбит/с. Пропускная способность на чип достигает 192 ГБ/с по сравнению с примерно 112 ГБ/с у существующих продуктов 28 Гбит/с — технологический прорыв, который кардинально меняет парадигму производительности графической памяти DRAM.
ZDNet также отмечает, что компания впервые представила LPDDR6 со скоростью передачи данных 14,4 Гбит/с. Благодаря существенному увеличению пропускной способности по сравнению с LPDDR5 (9,6 Гбит/с), эта память позиционируется как мобильное решение DRAM, оптимизированное для высокопроизводительных смартфонов, ПК с искусственным интеллектом и периферийных устройств с возможностями генеративного ИИ.
Samsung представляет HBM4 нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта
Тем временем, как сообщает ZDNet, Samsung Electronics представляет HBM4 нового поколения, ёмкостью 36 ГБ и пропускной способностью 3,3 ТБ/с. HBM4, созданная на основе одноканальной технологии DRAM, усовершенствовала архитектуру TSV (Through-Silicon Via), что позволило сократить межканальные задержки сигнала и обеспечить сверхвысокую пропускную способность и энергосберегающую передачу данных, необходимые для будущих ускорителей искусственного интеллекта.
Как отмечает ZDNet, HBM4 от Samsung обеспечивает значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. Важно отметить, что он обеспечивает пропускную способность более 3 ТБ/с, необходимую ведущим производителям графических процессоров и специализированных микросхем для ИИ, и, как ожидается, получит широкое применение в серверных ускорителях ИИ, начиная со следующего года.
В настоящее время Samsung ведёт переговоры с NVIDIA о ценах на HBM4 в следующем году. Как сообщает Dealsite со ссылкой на источники, NVIDIA пригласила Samsung Electronics за стол переговоров всего через неделю после заключения контракта на поставку HBM4 с SK hynix. В отчёте также говорится, что, учитывая превышение спроса на HBM4 над предложением и отсутствие серьёзных стимулов для снижения цен на единицу продукции, Samsung Electronics стремится к тому же уровню цен, что и SK hynix на свою 12-слойную память HBM4.
@RUSmicro
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 со скоростью 48 Гбит/с; Samsung демонстрирует HBM4
Южнокорейские чип-гиганты готовят новые технологии для удовлетворения растущего спроса на ИИ. По данным ZDNet, Samsung Electronics и SK hynix планируют представить широкую линейку решений DRAM следующего поколения на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) 2026 года.
SK hynix представит свои новейшие GDDR7 и LPDDR6 для графических и мобильных приложений, а Samsung Electronics представит HBM4. Об этом рассказывает TrendForce.
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 следующего поколения
SK hynix представляет GDDR7 с пропускной способностью на вывод 48 Гбит/с и плотностью 24 Гбит. Чип использует симметричную двухканальную архитектуру, ориентированную на приложения с высокой пропускной способностью, такие как графические процессоры, периферийные решения для ИИ и игры.
Главный интерес представляют нестандартные характеристики памяти GDDR7 DRAM, которую SK hynix планирует представить. Хотя отрасль ожидала, что GDDR7 следующего поколения достигнет пиковой скорости около 32–37 Гбит/с, SK hynix представит доклад на ISSCC, демонстрирующий скорость 48 Гбит/с и плотность 24 Гбит, что, как отмечает издание Global Economic News, говорит о технологическом лидерстве.
В отчёте Global Economic News отмечается, что это представляет собой более чем 70%-ный скачок скорости передачи данных по сравнению с сегодняшней GDDR7 28 Гбит/с. Пропускная способность на чип достигает 192 ГБ/с по сравнению с примерно 112 ГБ/с у существующих продуктов 28 Гбит/с — технологический прорыв, который кардинально меняет парадигму производительности графической памяти DRAM.
ZDNet также отмечает, что компания впервые представила LPDDR6 со скоростью передачи данных 14,4 Гбит/с. Благодаря существенному увеличению пропускной способности по сравнению с LPDDR5 (9,6 Гбит/с), эта память позиционируется как мобильное решение DRAM, оптимизированное для высокопроизводительных смартфонов, ПК с искусственным интеллектом и периферийных устройств с возможностями генеративного ИИ.
Samsung представляет HBM4 нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта
Тем временем, как сообщает ZDNet, Samsung Electronics представляет HBM4 нового поколения, ёмкостью 36 ГБ и пропускной способностью 3,3 ТБ/с. HBM4, созданная на основе одноканальной технологии DRAM, усовершенствовала архитектуру TSV (Through-Silicon Via), что позволило сократить межканальные задержки сигнала и обеспечить сверхвысокую пропускную способность и энергосберегающую передачу данных, необходимые для будущих ускорителей искусственного интеллекта.
Как отмечает ZDNet, HBM4 от Samsung обеспечивает значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. Важно отметить, что он обеспечивает пропускную способность более 3 ТБ/с, необходимую ведущим производителям графических процессоров и специализированных микросхем для ИИ, и, как ожидается, получит широкое применение в серверных ускорителях ИИ, начиная со следующего года.
В настоящее время Samsung ведёт переговоры с NVIDIA о ценах на HBM4 в следующем году. Как сообщает Dealsite со ссылкой на источники, NVIDIA пригласила Samsung Electronics за стол переговоров всего через неделю после заключения контракта на поставку HBM4 с SK hynix. В отчёте также говорится, что, учитывая превышение спроса на HBM4 над предложением и отсутствие серьёзных стимулов для снижения цен на единицу продукции, Samsung Electronics стремится к тому же уровню цен, что и SK hynix на свою 12-слойную память HBM4.
@RUSmicro
👍4❤2
🇨🇳 Чипы ИИ. Тензорные процессоры. TPU. Китай
Китайский стартап заявляет о TPU в 1.5 раза более производительном, чем Nvidia A199
Китайский стартап Zhonghao Xinying заявил о создании тензорного процессора, который, по словам компании, превосходит по производительности чип Nvidia A100. Компания позиционирует себя как внутренняя альтернатива, что актуально на фоне ограничений доступа Китая к передовым иностранным полупроводниковым технологиям.
Флагманский чип компании под названием Chana, по ее утверждению, демонстрирует в 1.5 раза более высокую производительность при обучении больших моделей по сравнению с графическим процессором NVIDIA A100. Также заявлено о снижении энергопотребления на 30% и сокращении стоимости вычислений до 42% относительно показателей решений Nvidia.
Китайская компания подчеркивает полную самодостаточность, используя собственные IP-блоки, систему команд и программный стек, разработанные внутри компании без опоры на иностранные технологические лицензии.
Чип Chana производится по 12нм техпроцессу и уже запущен в массовое производство. Также компания создала вычислительный кластер Taize, объединяющий 1024 процессора Chana для обучения моделей с триллионом параметров.
Руководство компании обязалось провести IPO до конца 2026 года в соответствии с соглашением с инвесторами.
За этими китайскими техночудесами просматриваются американские ноу-хау. Основатель Zhonghao Xinying, Янгонг Ифань, ранее работал в Google над архитектурой тензорных процессоров с v2 по v4 поколения. Сообщается, что в компании работает команда инженеров с опытом в Oracle и Samsung.
@RUSmicro
Китайский стартап заявляет о TPU в 1.5 раза более производительном, чем Nvidia A199
Китайский стартап Zhonghao Xinying заявил о создании тензорного процессора, который, по словам компании, превосходит по производительности чип Nvidia A100. Компания позиционирует себя как внутренняя альтернатива, что актуально на фоне ограничений доступа Китая к передовым иностранным полупроводниковым технологиям.
Флагманский чип компании под названием Chana, по ее утверждению, демонстрирует в 1.5 раза более высокую производительность при обучении больших моделей по сравнению с графическим процессором NVIDIA A100. Также заявлено о снижении энергопотребления на 30% и сокращении стоимости вычислений до 42% относительно показателей решений Nvidia.
Китайская компания подчеркивает полную самодостаточность, используя собственные IP-блоки, систему команд и программный стек, разработанные внутри компании без опоры на иностранные технологические лицензии.
Чип Chana производится по 12нм техпроцессу и уже запущен в массовое производство. Также компания создала вычислительный кластер Taize, объединяющий 1024 процессора Chana для обучения моделей с триллионом параметров.
Руководство компании обязалось провести IPO до конца 2026 года в соответствии с соглашением с инвесторами.
За этими китайскими техночудесами просматриваются американские ноу-хау. Основатель Zhonghao Xinying, Янгонг Ифань, ранее работал в Google над архитектурой тензорных процессоров с v2 по v4 поколения. Сообщается, что в компании работает команда инженеров с опытом в Oracle и Samsung.
@RUSmicro
👍11❤4👏1
🇷🇺 Отечественное оборудование. Разработка. Электронно-лучевые литографы. Фотошаблоны. Россия
В НПП ЭСТО разрабатывают электронно-лучевой литограф 150нм
О шагах по созданию установки рассказали в Томске на научно-техническом семинаре «Актуальные технологии и оборудование для литографии и обработки фоторезистов» - сообщает сайт компании.
По данным докладчика, на данный момент полностью готовы технический проект и конструкторская документация. Уже собраны и прошли испытания макеты ключевых элементов будущего литографа, а также проведено необходимое компьютерное моделирование его работы. Ориентировочные сроки завершения работ и передачи установки заказчику в открытых источниках не сообщаются.
Значимость разработки и планы по развитию
Электронно-лучевая литография — это метод нанолитографии, который позволяет получать структуры с высоким разрешением и является основным способом изготовления высокоточных фотошаблонов (масок) для последующего массового производства интегральных схем. Разрабатываемый литограф мог бы закрыть критически важную потребность российской микроэлектроники в создании подобных шаблонов.
В перспективе инженеры «ЭСТО» планируют усовершенствовать установку для работы с техпроцессом 90 нм. Также в дорожной карте значится внедрение системы автоматической перегрузки SMIF-контейнеров — это решение компания ранее представляла на международной выставке вакуумного оборудования VacuumTechExpo в апреле 2025 года, что подтверждает ее активность в развитии смежных технологий.
@RUSmicro
В НПП ЭСТО разрабатывают электронно-лучевой литограф 150нм
О шагах по созданию установки рассказали в Томске на научно-техническом семинаре «Актуальные технологии и оборудование для литографии и обработки фоторезистов» - сообщает сайт компании.
По данным докладчика, на данный момент полностью готовы технический проект и конструкторская документация. Уже собраны и прошли испытания макеты ключевых элементов будущего литографа, а также проведено необходимое компьютерное моделирование его работы. Ориентировочные сроки завершения работ и передачи установки заказчику в открытых источниках не сообщаются.
Значимость разработки и планы по развитию
Электронно-лучевая литография — это метод нанолитографии, который позволяет получать структуры с высоким разрешением и является основным способом изготовления высокоточных фотошаблонов (масок) для последующего массового производства интегральных схем. Разрабатываемый литограф мог бы закрыть критически важную потребность российской микроэлектроники в создании подобных шаблонов.
В перспективе инженеры «ЭСТО» планируют усовершенствовать установку для работы с техпроцессом 90 нм. Также в дорожной карте значится внедрение системы автоматической перегрузки SMIF-контейнеров — это решение компания ранее представляла на международной выставке вакуумного оборудования VacuumTechExpo в апреле 2025 года, что подтверждает ее активность в развитии смежных технологий.
@RUSmicro
nppesto.ru
Роман Кубраков из АО «НПП «ЭСТО» представил прорывную разработку на семинаре в Томске
27 ноября 2...
27 ноября 2...
👍20❤6
📈 Тантал. Конденсаторы. Цены
На рынке танталовых конденсаторов растут цены – «спасибо» ИИ
Panasonic, по сообщениям, повышает цены на танталовые конденсаторы на 15-30%. Причина тому, высокие темпы расширения ЦОД на базе серверов ИИ. Общеизвестно, что это уже привело к дефициту высокоскоростной памяти, но растет спрос и на другие необходимые компоненты. Производственная база не успевает за спросом, что позволяет производителям поднимать цены на свою продукцию. Об этом рассказывает TrendForce.
Как отмечает Commercial Times, это первое повышение цен Panasonic в 2025 году после предыдущего повышения в декабре 2024 года. Economic Daily News добавляет, что корректировки, охватывающие спецификации танталовых полимерных конденсаторов с номиналом 30–40%, вступят в силу 1 февраля 2026 года и направлены на компенсацию роста затрат на материалы, процессы и производственное оборудование.
По данным Commercial Times, в условиях олигополистических цепочек поставок тантала и длительных сроков поставки отрасль может готовиться к очередному масштабному ценовому скачку в 2026 году.
В выигрыше окажется не только Panasonic, но и тайваньская Yageo и еще ряд компаний.
Мировой рынок танталовых конденсаторов остаётся высококонцентрированным: три крупнейших игрока — KEMET, AVX и Vishay — в совокупности занимают почти 60–70% рынка (Все эти производства размещаются в США, хотя AVX принадлежит японцам, Kyocera; а KEMET - тайваньской Yageo). Доля Panasonic, в свою очередь, примерно равна доле Vishay и составляет около 10%, согласно Commercial Times.
KEMET, входящая в состав тайваньской компании Yageo, лидирует в этом сегменте, занимая более 40% мировых мощностей. Компании Yageo танталовые конденсаторы обеспечивают около 23% выручки, что делает эту линейку продукции второй по величине после магнитных компонентов, отмечает Commercial Times.
Примечательно, что издание Economic Daily News сообщает, что Yageo ранее уже повышала цены на танталовые конденсаторы, добавляя, что гигант пассивных компонентов начал первый раунд повышения цен в июне 2025 года, а затем в конце октября вновь поднял цены на большие высоковольтные полимерные танталовые конденсаторы (KO-CAP) на 20–30%.
Почему танталовые конденсаторы пользуются высоким спросом
Издание Commercial Times поясняет, что рост цен на танталовые конденсаторы обусловлен не только ростом затрат на первоначальный этап производства, например, на танталовый порошок, но и растущим спросом на серверы ИИ. Эти высококачественные и высокопроизводительные компоненты, которые ранее использовались преимущественно в военных и аэрокосмических приложениях, теперь всё чаще используются в потребительской электронике, в первую очередь в Apple, отмечается в отчёте. В нём также отмечается, что последний всплеск спроса обусловлен их интеграцией в серверы на базе ASIC, что вызвало новую волну спроса.
Примечательно, что в отчёте отмечается, что как серверы на базе Nvidia GB300, так и серверы на базе ASIC были отмечены отраслью за использование танталовых конденсаторов — в этой области пока отсутствуют известные японские и корейские производители пассивных компонентов.
Так что можем готовиться к новой волне повсеместного роста цен на танталовые конденсаторы.
@RUSmicro, картинка - TrendForce
На рынке танталовых конденсаторов растут цены – «спасибо» ИИ
Panasonic, по сообщениям, повышает цены на танталовые конденсаторы на 15-30%. Причина тому, высокие темпы расширения ЦОД на базе серверов ИИ. Общеизвестно, что это уже привело к дефициту высокоскоростной памяти, но растет спрос и на другие необходимые компоненты. Производственная база не успевает за спросом, что позволяет производителям поднимать цены на свою продукцию. Об этом рассказывает TrendForce.
Как отмечает Commercial Times, это первое повышение цен Panasonic в 2025 году после предыдущего повышения в декабре 2024 года. Economic Daily News добавляет, что корректировки, охватывающие спецификации танталовых полимерных конденсаторов с номиналом 30–40%, вступят в силу 1 февраля 2026 года и направлены на компенсацию роста затрат на материалы, процессы и производственное оборудование.
По данным Commercial Times, в условиях олигополистических цепочек поставок тантала и длительных сроков поставки отрасль может готовиться к очередному масштабному ценовому скачку в 2026 году.
В выигрыше окажется не только Panasonic, но и тайваньская Yageo и еще ряд компаний.
Мировой рынок танталовых конденсаторов остаётся высококонцентрированным: три крупнейших игрока — KEMET, AVX и Vishay — в совокупности занимают почти 60–70% рынка (Все эти производства размещаются в США, хотя AVX принадлежит японцам, Kyocera; а KEMET - тайваньской Yageo). Доля Panasonic, в свою очередь, примерно равна доле Vishay и составляет около 10%, согласно Commercial Times.
KEMET, входящая в состав тайваньской компании Yageo, лидирует в этом сегменте, занимая более 40% мировых мощностей. Компании Yageo танталовые конденсаторы обеспечивают около 23% выручки, что делает эту линейку продукции второй по величине после магнитных компонентов, отмечает Commercial Times.
Примечательно, что издание Economic Daily News сообщает, что Yageo ранее уже повышала цены на танталовые конденсаторы, добавляя, что гигант пассивных компонентов начал первый раунд повышения цен в июне 2025 года, а затем в конце октября вновь поднял цены на большие высоковольтные полимерные танталовые конденсаторы (KO-CAP) на 20–30%.
Почему танталовые конденсаторы пользуются высоким спросом
Издание Commercial Times поясняет, что рост цен на танталовые конденсаторы обусловлен не только ростом затрат на первоначальный этап производства, например, на танталовый порошок, но и растущим спросом на серверы ИИ. Эти высококачественные и высокопроизводительные компоненты, которые ранее использовались преимущественно в военных и аэрокосмических приложениях, теперь всё чаще используются в потребительской электронике, в первую очередь в Apple, отмечается в отчёте. В нём также отмечается, что последний всплеск спроса обусловлен их интеграцией в серверы на базе ASIC, что вызвало новую волну спроса.
Примечательно, что в отчёте отмечается, что как серверы на базе Nvidia GB300, так и серверы на базе ASIC были отмечены отраслью за использование танталовых конденсаторов — в этой области пока отсутствуют известные японские и корейские производители пассивных компонентов.
Так что можем готовиться к новой волне повсеместного роста цен на танталовые конденсаторы.
@RUSmicro, картинка - TrendForce
👍4
(2) А что в России?
В России тоже есть производство танталовых конденсаторов, например, Элеконд, Удмуртия. Компания инвестировала 400 млн рублей в новый цех по выпуску танталовых конденсаторов.
Россия исторически импортировала около 50 тонн тантала в год, в основном из Казахстана, Китая и Эстонии. Понятно, что сейчас не все эти цепочки поставки сохранились, да и в целом лучше меньше зависеть даже от так называемых «дружественных» юрисдикций. Благо в России есть Соликамский магниевый завод, который перерабатывает лопаритовый концентрат с Ловозерского месторождения (Кольский полуостров) в оксид тантала (полного цикла до металла в пока не налажено, завод в основном продает свою продукцию в Казахстан). Есть еще месторождение Зашихтинское в Иркутской области, откуда можно было бы получать тантал (а также ниобий и цирконий), но этот проект требует финансирования.
Можно вспомнить также о том, что Минпромторг в 2023 году объявил тендер на 300 млн рублей на разработку технологии производства танталового порошка "конденсаторного класса", которое планируется создать к 2025 году.
@RUSmicro
В России тоже есть производство танталовых конденсаторов, например, Элеконд, Удмуртия. Компания инвестировала 400 млн рублей в новый цех по выпуску танталовых конденсаторов.
Россия исторически импортировала около 50 тонн тантала в год, в основном из Казахстана, Китая и Эстонии. Понятно, что сейчас не все эти цепочки поставки сохранились, да и в целом лучше меньше зависеть даже от так называемых «дружественных» юрисдикций. Благо в России есть Соликамский магниевый завод, который перерабатывает лопаритовый концентрат с Ловозерского месторождения (Кольский полуостров) в оксид тантала (полного цикла до металла в пока не налажено, завод в основном продает свою продукцию в Казахстан). Есть еще месторождение Зашихтинское в Иркутской области, откуда можно было бы получать тантал (а также ниобий и цирконий), но этот проект требует финансирования.
Можно вспомнить также о том, что Минпромторг в 2023 году объявил тендер на 300 млн рублей на разработку технологии производства танталового порошка "конденсаторного класса", которое планируется создать к 2025 году.
@RUSmicro
❤7👍6
📈 Горизонты технологий. Память. HBM. HBF
К 2040 году производительность памяти HBM9 может вырасти в 60 раз?
HBM4 только-только выходит в серию, а главный исследователь Корейского центра нанотехнологий NNFC, Ян Джун-мо, прогнозирует, что HBM9, появление которой ожидается через 15 лет, будет обеспечивать производительность в 60 раз выше! Как ожидается, это будет память с 32 слоями, которая сможет обеспечивать пропускную способность в 128 ТБ/с. Об этом рассказывает TrendForce.
Количество каналов ввода/вывода у этой памяти может вырасти до 32 768, объем памяти должен вырасти с 24 ГБ у HBM4 до 96 ГБ в HBM9.
Как собираются этого добиться?
Прежде всего, за счет передовых решений упаковки. Существующая технология с микровыпуклостями (microbumps) может поддерживать не более 16 слоев. Превышение этого порога сделало бы корпуса HBM-GPU слишком высокими.
Ожидается, что начиная с HBM7 будет использоваться прямое соединение «медь-в-медь» без микровыпуклостей, его также называют гибридным медным соединением или HCB (Hybrid Copper Bonding). Переход к этому способу позволит поместить в корпус приемлемой высоты более 30 слоев.
Прогнозируется, что у HBM7, выпуск которого ожидается около 2034 года, их будет 24. При разработке HBM, технологии соединения внутренних компонентов будут столь же важными, как и технологии внешних соединений.
Серьезной проблемой остается управление теплом. Если HBM4 использует жидкостное охлаждение «прямо на чип» (D2C – direct-to-chip), то в HBM5 ожидается переход на иммерсивное охлаждение. Для HBM7 вероятно использование встраиваемых систем охлаждения.
А что там с флэш-памятью?
По мере развития от генеративного ИИ к агентному ИИ, опора исключительно на HBM/DRAM может оказаться недостаточной. Хотя HBF память не столь быстрая, но обладает значительно большей емкостью и может оказаться широко востребованной. Для этого, однако, предстоит решить проблему ограниченной надежности чтения/записи. Современная NAND-память с трёхуровневыми ячейками (TLC) как правило обеспечивают лишь от 1000 до 3000 циклов программирования/стирания на ячейку.
@RUSmicro
К 2040 году производительность памяти HBM9 может вырасти в 60 раз?
HBM4 только-только выходит в серию, а главный исследователь Корейского центра нанотехнологий NNFC, Ян Джун-мо, прогнозирует, что HBM9, появление которой ожидается через 15 лет, будет обеспечивать производительность в 60 раз выше! Как ожидается, это будет память с 32 слоями, которая сможет обеспечивать пропускную способность в 128 ТБ/с. Об этом рассказывает TrendForce.
Количество каналов ввода/вывода у этой памяти может вырасти до 32 768, объем памяти должен вырасти с 24 ГБ у HBM4 до 96 ГБ в HBM9.
Как собираются этого добиться?
Прежде всего, за счет передовых решений упаковки. Существующая технология с микровыпуклостями (microbumps) может поддерживать не более 16 слоев. Превышение этого порога сделало бы корпуса HBM-GPU слишком высокими.
Ожидается, что начиная с HBM7 будет использоваться прямое соединение «медь-в-медь» без микровыпуклостей, его также называют гибридным медным соединением или HCB (Hybrid Copper Bonding). Переход к этому способу позволит поместить в корпус приемлемой высоты более 30 слоев.
Прогнозируется, что у HBM7, выпуск которого ожидается около 2034 года, их будет 24. При разработке HBM, технологии соединения внутренних компонентов будут столь же важными, как и технологии внешних соединений.
Серьезной проблемой остается управление теплом. Если HBM4 использует жидкостное охлаждение «прямо на чип» (D2C – direct-to-chip), то в HBM5 ожидается переход на иммерсивное охлаждение. Для HBM7 вероятно использование встраиваемых систем охлаждения.
А что там с флэш-памятью?
По мере развития от генеративного ИИ к агентному ИИ, опора исключительно на HBM/DRAM может оказаться недостаточной. Хотя HBF память не столь быстрая, но обладает значительно большей емкостью и может оказаться широко востребованной. Для этого, однако, предстоит решить проблему ограниченной надежности чтения/записи. Современная NAND-память с трёхуровневыми ячейками (TLC) как правило обеспечивают лишь от 1000 до 3000 циклов программирования/стирания на ячейку.
@RUSmicro
👍5
🇯🇵 Производители памяти HBM. Участники рынка. Япония
Micron инвестирует $9.6 млрд в строительство фабрики по производству микросхем памяти для ИИ в Японии
Micron Technology инвестирует 1.5 трлн иен ($9.6 млрд) в строительство фабрики в Хиросиме на западе Японии. Здесь планируется наладить производство микросхем памяти с высокой пропускной способностью (HBM), сообщает Reuters со ссылкой на Nikkei.
Строительство планируется на существующей площадке в мае 2026 года с планами начать поставки примерно в 2028 году. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии поддержит американский проект суммой до 500 млрд иен ($3.2 млрд).
Расширение производства в Хиросиме, как ожидается, поможет Micron диверсифицировать производство и более активно конкурировать с SK Hynix и Samsung.
@RUSmicro
Micron инвестирует $9.6 млрд в строительство фабрики по производству микросхем памяти для ИИ в Японии
Micron Technology инвестирует 1.5 трлн иен ($9.6 млрд) в строительство фабрики в Хиросиме на западе Японии. Здесь планируется наладить производство микросхем памяти с высокой пропускной способностью (HBM), сообщает Reuters со ссылкой на Nikkei.
Строительство планируется на существующей площадке в мае 2026 года с планами начать поставки примерно в 2028 году. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии поддержит американский проект суммой до 500 млрд иен ($3.2 млрд).
Расширение производства в Хиросиме, как ожидается, поможет Micron диверсифицировать производство и более активно конкурировать с SK Hynix и Samsung.
@RUSmicro
👍6
🇯🇵 14A. Участники рынка. Япония
Планы японской Rapidus на 1.4 нм
Хотя компания продолжает называть предположения о таких планах «спекулятивными», отраслевые СМИ не раз писали о планах строительства второго завода с ориентацией на этот техпроцесс.
Rapidus активно движется к коммерческому производству на своем первом заводом в Титосе на Хоккайдо. Летом 2025 года компания объявила об успешном создании прототипа 2-нм чипа. Массовое производство по 2-нм техпроцессу планируется начать во второй половине 2027 финансового года (который в Японии заканчивается 31 марта 2028 года).
По неподтвержденным официально сообщениям, компания рассматривает возможность начала строительства второго завода в 2027 финансовом году с целью организации производства чипов 1,4-нм. Ожидается, что массовое производство на этом предприятии может стартовать в 2029 году. Полномасштабные НИОКР в области 1,4-нм технологий, по некоторым данным, начнутся уже в 2026 году.
Rapidus создана при активной поддержке японского правительства и консорциума крупных национальных компаний, включая Toyota, Sony и SoftBank. На сегодняшний день компания уже получила около 1,7 трлн иен (более $10 млрд) в виде государственных субсидий и частных инвестиций. В планах правительства — дальнейшее финансирование в размере нескольких сотен миллиардов иен.
Rapidus пытается догнать признанных лидеров в области полупроводникового производства, которые уже активно развивают технологии менее 2 нм.
Планы на техпроцессы 1.4нм (A14) есть еще у трех компаний в мире:
🇹🇼 TSMC, Тайвань. Компания уже приступила к строительству фабрики под A14, массовое производство намечено на 2H2028.
🇺🇸 Intel, США. Компания пока что занята 18A и движется с опережением графика.
🇰🇷 Samsung, Корея. Планы массового производства по техпроцессу 1.4нм переехали с 2027 на 2029 год.
Таким образом Rapidus отстает от конкурентов из США, Тайваня и Кореи на несколько лет. Поскольку все ведущие производители на старте сталкивались с проблемой низкого процента выхода годных, весьма вероятно, что и Rapidus придется пройти через эти же трудности.
У компании есть собственная маркетинговая стратегия. Вместо конкуренции за массовые заказы, Rapidus ориентируется на ограниченный круг клиентов (от 5 до 10), предлагая быстрое мелкосерийное производство и передовые технологии упаковки и корпусирования, объединяя производство и упаковку чипов на одной площадке.
Масштабные планы требуют колоссальных инвестиций. Уже звучали оценки, что на весь путь от строительства фабрики до освоения массового производства может потребоваться до 7 трлн иен (около $54 млрд). В этих условиях для компании критически важно сохранение господдержки, которая, впрочем, пока что оказывается.
Проекты Rapidus представляют собой амбициозную попытку Японии вернуться в элиту мировой полупроводниковой промышленности. Но пока что видно сохраняющееся, как минимум по срокам, отставание от конкурентов из трех других стран.
@RUSmicro
Планы японской Rapidus на 1.4 нм
Хотя компания продолжает называть предположения о таких планах «спекулятивными», отраслевые СМИ не раз писали о планах строительства второго завода с ориентацией на этот техпроцесс.
Rapidus активно движется к коммерческому производству на своем первом заводом в Титосе на Хоккайдо. Летом 2025 года компания объявила об успешном создании прототипа 2-нм чипа. Массовое производство по 2-нм техпроцессу планируется начать во второй половине 2027 финансового года (который в Японии заканчивается 31 марта 2028 года).
По неподтвержденным официально сообщениям, компания рассматривает возможность начала строительства второго завода в 2027 финансовом году с целью организации производства чипов 1,4-нм. Ожидается, что массовое производство на этом предприятии может стартовать в 2029 году. Полномасштабные НИОКР в области 1,4-нм технологий, по некоторым данным, начнутся уже в 2026 году.
Rapidus создана при активной поддержке японского правительства и консорциума крупных национальных компаний, включая Toyota, Sony и SoftBank. На сегодняшний день компания уже получила около 1,7 трлн иен (более $10 млрд) в виде государственных субсидий и частных инвестиций. В планах правительства — дальнейшее финансирование в размере нескольких сотен миллиардов иен.
Rapidus пытается догнать признанных лидеров в области полупроводникового производства, которые уже активно развивают технологии менее 2 нм.
Планы на техпроцессы 1.4нм (A14) есть еще у трех компаний в мире:
🇹🇼 TSMC, Тайвань. Компания уже приступила к строительству фабрики под A14, массовое производство намечено на 2H2028.
🇺🇸 Intel, США. Компания пока что занята 18A и движется с опережением графика.
🇰🇷 Samsung, Корея. Планы массового производства по техпроцессу 1.4нм переехали с 2027 на 2029 год.
Таким образом Rapidus отстает от конкурентов из США, Тайваня и Кореи на несколько лет. Поскольку все ведущие производители на старте сталкивались с проблемой низкого процента выхода годных, весьма вероятно, что и Rapidus придется пройти через эти же трудности.
У компании есть собственная маркетинговая стратегия. Вместо конкуренции за массовые заказы, Rapidus ориентируется на ограниченный круг клиентов (от 5 до 10), предлагая быстрое мелкосерийное производство и передовые технологии упаковки и корпусирования, объединяя производство и упаковку чипов на одной площадке.
Масштабные планы требуют колоссальных инвестиций. Уже звучали оценки, что на весь путь от строительства фабрики до освоения массового производства может потребоваться до 7 трлн иен (около $54 млрд). В этих условиях для компании критически важно сохранение господдержки, которая, впрочем, пока что оказывается.
Проекты Rapidus представляют собой амбициозную попытку Японии вернуться в элиту мировой полупроводниковой промышленности. Но пока что видно сохраняющееся, как минимум по срокам, отставание от конкурентов из трех других стран.
@RUSmicro
👍4
🇺🇸 🇹🇼 2нм. Техпроцессы и микросхемы. США. Тайвань
Apple A20 и A20 Pro: что ждать от первых 2-нм чипов для iPhone 18
В 2026 году Apple планирует совершить очередной технологический скачок, представив свои первые мобильные платформы A20 и A20 Pro, изготовленные по техпроцессу 2нм. Как ожидается, они станут основной линейки iPhone 18.
Как утверждают различные источники, контракт на производство новых чипов получила тайваньская компания TSMC, которая использует свой техпроцесс N2. При этом в некоторых слухах упоминается, что Apple может обратиться к Intel и её техпроцессу 20A, однако это кажется менее вероятным.
Важно отметить, что TSMC уже объявила о старте серийного производства чипов 2нм в конце 2025 года. Это создает технологическую базу для своевременного выхода новых iPhone.
Чипы A20 будет отличать не только техпроцесс 2нм, Но и принципиально новый метод упаковки — WMCM (Wafer-Level Multi-Chip Module). Он придет на смену текущей технологии InFO и позволит объединять в одном компактном модуле несколько разных чипов, таких как CPU, GPU, DRAM и отдельные ускорители ИИ. Это увеличит скорость обмена данными, снизит задержки и улучшит энергоэффективность.
Благодаря переходу на 2 nm и использованию WMCM, новые чипы обещают существенный прирост ключевых характеристик.
В частности, ожидается, что переход на 2 нм позволит повысить энергоэффективность и производительность на 15–20% по сравнению с платформами предыдущего поколения. Техпроцесс A16, который станет дальнейшим развитием N2, прогнозирует снижение энергопотребления еще на 15–20% при аналогичной пропускной способности.
Сообщается, что Apple A20 (кодовое имя Borneo) будет установлен в базовой модели iPhone 18. Более мощная платформа A20 Pro (Borneo Ultra) предназначена для флагманских устройств: iPhone 18 Pro, 18 Pro Max, а также может стать основой для первого складного iPhone.
💎 Выход чипов Apple A20 и A20 Pro в 2026 году станет знаковым событием, которое определит траекторию развития всей индустрии мобильных платформ. За счет перехода техпроцесс 2нм TSMC и внедрению передовых методов упаковки, Apple рассчитывает обеспечить новый уровень производительности и автономности для своих устройств.
@RUSmicro
Apple A20 и A20 Pro: что ждать от первых 2-нм чипов для iPhone 18
В 2026 году Apple планирует совершить очередной технологический скачок, представив свои первые мобильные платформы A20 и A20 Pro, изготовленные по техпроцессу 2нм. Как ожидается, они станут основной линейки iPhone 18.
Как утверждают различные источники, контракт на производство новых чипов получила тайваньская компания TSMC, которая использует свой техпроцесс N2. При этом в некоторых слухах упоминается, что Apple может обратиться к Intel и её техпроцессу 20A, однако это кажется менее вероятным.
Важно отметить, что TSMC уже объявила о старте серийного производства чипов 2нм в конце 2025 года. Это создает технологическую базу для своевременного выхода новых iPhone.
Чипы A20 будет отличать не только техпроцесс 2нм, Но и принципиально новый метод упаковки — WMCM (Wafer-Level Multi-Chip Module). Он придет на смену текущей технологии InFO и позволит объединять в одном компактном модуле несколько разных чипов, таких как CPU, GPU, DRAM и отдельные ускорители ИИ. Это увеличит скорость обмена данными, снизит задержки и улучшит энергоэффективность.
Благодаря переходу на 2 nm и использованию WMCM, новые чипы обещают существенный прирост ключевых характеристик.
В частности, ожидается, что переход на 2 нм позволит повысить энергоэффективность и производительность на 15–20% по сравнению с платформами предыдущего поколения. Техпроцесс A16, который станет дальнейшим развитием N2, прогнозирует снижение энергопотребления еще на 15–20% при аналогичной пропускной способности.
Сообщается, что Apple A20 (кодовое имя Borneo) будет установлен в базовой модели iPhone 18. Более мощная платформа A20 Pro (Borneo Ultra) предназначена для флагманских устройств: iPhone 18 Pro, 18 Pro Max, а также может стать основой для первого складного iPhone.
💎 Выход чипов Apple A20 и A20 Pro в 2026 году станет знаковым событием, которое определит траекторию развития всей индустрии мобильных платформ. За счет перехода техпроцесс 2нм TSMC и внедрению передовых методов упаковки, Apple рассчитывает обеспечить новый уровень производительности и автономности для своих устройств.
@RUSmicro
👍3❤2
🇫🇷 Горизонты технологий. Алмазные подложки. Франция
Алмазные чипы - новая надежда европейской полупроводниковой индустрии
Французский стартап Diamfab, созданный на базе Института Нееля CNRS, продвигает синтетический алмаз в качестве материала следующего поколения для создания силовой электроники. Технология, основанная на 30-летних исследованиях, как ожидается имеет все шансы бросить вызов традиционному кремнию и таким материалам, таким как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN).
Преимущества алмаза
Алмаз превосходит конкурирующие материалы по ключевым параметрам:
🔹 выдерживает напряжение в 3 раза выше, чем SiC, и в 13 раз выше, чем кремний.
🔹 эффективнее меди отводит тепло, что позволяет создавать более компактные системы без громоздких охлаждающих устройств.
Эти свойства обещают алмазу шансы стать востребованным материалом в таких областях как электротранспорт, аэрокосмическая отрасль, энергосети и работы в экстремальных условиях.
Уровень разработки
Diamfab переходит от лабораторных образцов к промышленному производству. Получив инвестиции на €8,7 млн компания создает пилотную линию для испытаний пластин и устройств. Важно, что для обработки алмазных пластин можно использовать стандартное оборудование для полупроводников, что упрощает интеграцию в существующие производственные цепочки.
Международная конкуренция и позиция Европы
В глобальной гонке алмазных технологий сложилась интересная расстановка сил. Япония сегодня признается неформальным лидером в этой области — именно японские компании (Adamant Namiki, Ookuma, Orbray, Sumitomo Electric) демонстрируют наибольшую активность и прогресс в коммерциализации алмазных подложек. США делают ставку на широкую исследовательскую сеть, объединяющую как стартапы (Akhan Semiconductor, Akash Systems), так и университеты и оборонных гигантов (Raytheon). Китай также активно развивает собственные исследования в рамках государственных программ по достижению технологического суверенитета. Есть разработки в этой области и в России.
💎 В этом контексте стратегия Европы, о которой говорят в Diamfab, выглядит прагматично. Европейский подход основан не на догоняющем развитии, а на создании собственной замкнутой экосистемы — от научных исследований (мощная академическая база во Франции, Германии, Швейцарии) до производства конечных устройств для автопрома и энергетики. Это позволяет Европе занять уникальную нишу, не вступая в прямую конкуренцию с азиатскими и американскими производителями.
По мнению CEO компании, алмазные технологии — это шанс для Европы создать новую, конкурентоспособную полупроводниковую экосистему. В отличие от кремниевого производства, где доминирует Азия, в Европе уже есть все необходимые элементы для построения полной цепочки создания стоимости в области алмазной электроники, что может способствовать реиндустриализации региона.
@RUSmicro
Алмазные чипы - новая надежда европейской полупроводниковой индустрии
Французский стартап Diamfab, созданный на базе Института Нееля CNRS, продвигает синтетический алмаз в качестве материала следующего поколения для создания силовой электроники. Технология, основанная на 30-летних исследованиях, как ожидается имеет все шансы бросить вызов традиционному кремнию и таким материалам, таким как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN).
Преимущества алмаза
Алмаз превосходит конкурирующие материалы по ключевым параметрам:
🔹 выдерживает напряжение в 3 раза выше, чем SiC, и в 13 раз выше, чем кремний.
🔹 эффективнее меди отводит тепло, что позволяет создавать более компактные системы без громоздких охлаждающих устройств.
Эти свойства обещают алмазу шансы стать востребованным материалом в таких областях как электротранспорт, аэрокосмическая отрасль, энергосети и работы в экстремальных условиях.
Уровень разработки
Diamfab переходит от лабораторных образцов к промышленному производству. Получив инвестиции на €8,7 млн компания создает пилотную линию для испытаний пластин и устройств. Важно, что для обработки алмазных пластин можно использовать стандартное оборудование для полупроводников, что упрощает интеграцию в существующие производственные цепочки.
Международная конкуренция и позиция Европы
В глобальной гонке алмазных технологий сложилась интересная расстановка сил. Япония сегодня признается неформальным лидером в этой области — именно японские компании (Adamant Namiki, Ookuma, Orbray, Sumitomo Electric) демонстрируют наибольшую активность и прогресс в коммерциализации алмазных подложек. США делают ставку на широкую исследовательскую сеть, объединяющую как стартапы (Akhan Semiconductor, Akash Systems), так и университеты и оборонных гигантов (Raytheon). Китай также активно развивает собственные исследования в рамках государственных программ по достижению технологического суверенитета. Есть разработки в этой области и в России.
💎 В этом контексте стратегия Европы, о которой говорят в Diamfab, выглядит прагматично. Европейский подход основан не на догоняющем развитии, а на создании собственной замкнутой экосистемы — от научных исследований (мощная академическая база во Франции, Германии, Швейцарии) до производства конечных устройств для автопрома и энергетики. Это позволяет Европе занять уникальную нишу, не вступая в прямую конкуренцию с азиатскими и американскими производителями.
По мнению CEO компании, алмазные технологии — это шанс для Европы создать новую, конкурентоспособную полупроводниковую экосистему. В отличие от кремниевого производства, где доминирует Азия, в Европе уже есть все необходимые элементы для построения полной цепочки создания стоимости в области алмазной электроники, что может способствовать реиндустриализации региона.
@RUSmicro
👍3👀2🤣1
♨️ Тренды. Геополитика. Китайская экспансия
В журнале "Время электроники" вышла статья Дмитрия Боднаря "Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров рынка к банкротству и вынуждает их менять стратегии развития"
Статья анализирует текущее состояние и перспективы мирового рынка широкозонных полупроводников (ШЗП) — карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN).
Ключевым фактором, определяющим динамику рынка, стало агрессивное ценообразование со стороны китайских производителей электромобилей и электронных компонентов. Это привело к серьезным потрясениям: банкротству американского лидера Wolfspeed, отказу Renesas от развития SiC-технологий и уходу TSMC с рынка контрактного производства GaN.
В то же время, рынок продолжает демонстрировать высокие темпы роста, смещая фокус с электромобилей на центры обработки данных (ЦОД) для искусственного интеллекта. Перспективным направлением становится разработка архитектуры питания 800 В на основе GaN-устройств, которая позволит резко повысить эффективность мегаваттных ЦОД.
Статья подчеркивает, что геополитическая нестабильность и ценовая экспансия Китая создают высокие риски для глобальных компаний, вынуждая их кардинально менять стратегии развития.
💎 В целом, в очередной раз стоит задуматься о том, что Китай не оставляет места и шансов конкурентам. И действовать соответственно, а не как сейчас действуют иные страны.
@RUSmicro
В журнале "Время электроники" вышла статья Дмитрия Боднаря "Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров рынка к банкротству и вынуждает их менять стратегии развития"
Статья анализирует текущее состояние и перспективы мирового рынка широкозонных полупроводников (ШЗП) — карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN).
Ключевым фактором, определяющим динамику рынка, стало агрессивное ценообразование со стороны китайских производителей электромобилей и электронных компонентов. Это привело к серьезным потрясениям: банкротству американского лидера Wolfspeed, отказу Renesas от развития SiC-технологий и уходу TSMC с рынка контрактного производства GaN.
В то же время, рынок продолжает демонстрировать высокие темпы роста, смещая фокус с электромобилей на центры обработки данных (ЦОД) для искусственного интеллекта. Перспективным направлением становится разработка архитектуры питания 800 В на основе GaN-устройств, которая позволит резко повысить эффективность мегаваттных ЦОД.
Статья подчеркивает, что геополитическая нестабильность и ценовая экспансия Китая создают высокие риски для глобальных компаний, вынуждая их кардинально менять стратегии развития.
💎 В целом, в очередной раз стоит задуматься о том, что Китай не оставляет места и шансов конкурентам. И действовать соответственно, а не как сейчас действуют иные страны.
@RUSmicro
Время электроники
Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров…
Мировой рынок широкозонных полупроводников (ШЗП) демонстрирует высокие темпы роста и перспективы. В ближайшие годы карбид кремния и нитрид галлия как представители ШЗП начнут конкурировать между собой за применение в автомобильном секторе и центрах обработки…
❤5👍3
🇷🇺 Технологии. Нитридные гетероструктуры. Россия
Московский Оптрон разработал отечественную технологию производства многослойных полупроводниковых кристаллов - нитридных гетероструктур
Эти структуры используют в современных оптоэлектронных приборах, включая лазеры на основе нитрида галлия и индий-галлий-нитрида.
Публикация Техноомска утверждает, что разработка соответствует уровню ведущих зарубежных аналогов от американской Wolfspeed, японской Nichia, а также европейская OMMIC.
Ожидается, что запуск производства в России на основе данной технологии позволит снизить зависимость российского рынка от зарубежных компонентов.
@RUSmicro
Московский Оптрон разработал отечественную технологию производства многослойных полупроводниковых кристаллов - нитридных гетероструктур
Эти структуры используют в современных оптоэлектронных приборах, включая лазеры на основе нитрида галлия и индий-галлий-нитрида.
Публикация Техноомска утверждает, что разработка соответствует уровню ведущих зарубежных аналогов от американской Wolfspeed, японской Nichia, а также европейская OMMIC.
Ожидается, что запуск производства в России на основе данной технологии позволит снизить зависимость российского рынка от зарубежных компонентов.
@RUSmicro
👍12❤7
🇷🇺 ПО проектирования. САПР. Россия
Только 39% российских предприятий электроники перешли на отечественные САПР
Такие данные представил Минпромторг в рамках форума Электроника России 2025. Тему сегодня обсуждают Ведомости. Многие компании продолжают использовать лицензионные или пиратские продукты, особенно в ситуациях, когда ПО «привязано» к железу, что встречается достаточно часто.
В разных областях ситуации различаются, согласно небольшому опросу, который затронул 31 предприятие, предлагаются такие обобщающие цифры.
🔸 MES-системы (контроль производства) используют 64% предприятий, часто собственной разработки.
🔸 ERP-системы (управление ресурсами) внедрили только 27% компаний, но из них 73% используют российские решения.
🔸 CAM-системы (компьютерная поддержка изготовления) применяют 40% компаний, при этом 60% из них выбрали отечественный софт.
Несмотря на текущую зависимость, рынок российских САПР демонстрирует стремительный рост. За 2022–2023 годы выручка отечественных разработчиков удвоилась — с 7,3 млрд до 14,8 млрд рублей. Ожидается, что весь рынок САПР в РФ к концу 2024 года достигнет 23,6 млрд рублей.
Государственная цель, заявленная в рамках нацпроекта Экономика данных, — перевести не менее 80% российских организаций на отечественное ПО к 2030 году. Для дизайн-центров радиоэлектроники поставлена ещё более амбициозная задача — 90%.
Есть ряд системных проблем, которые затрудняют решение задач импортзамещения.
🔸 Софт часто привязан к железу, которое ранее закупалось в странах, которые теперь объявлены «недружественными». Замена ПО требует замены оборудования, а это совсем другой уровень затрат и далеко не всегда возможно на текущий момент.
🔸 Отечественные решения зачастую продолжают уступать по функциональности, уровень доверия к ним пока что ограничен.
🔸 Кадровые проблемы, высокие затраты на перенос данных и переобучение персонала.
Россия столкнулась с классической проблемой технологического суверенитета, где программная и аппаратная независимость неразделимы. Хотя рынок отечественных САПР растёт рекордными темпами, реальное импортозамещение упирается в необходимость параллельного возрождения полного производственного цикла — от станков и электронных компонентов до сложного инженерного софта.
@RUSmicro
Только 39% российских предприятий электроники перешли на отечественные САПР
Такие данные представил Минпромторг в рамках форума Электроника России 2025. Тему сегодня обсуждают Ведомости. Многие компании продолжают использовать лицензионные или пиратские продукты, особенно в ситуациях, когда ПО «привязано» к железу, что встречается достаточно часто.
В разных областях ситуации различаются, согласно небольшому опросу, который затронул 31 предприятие, предлагаются такие обобщающие цифры.
🔸 MES-системы (контроль производства) используют 64% предприятий, часто собственной разработки.
🔸 ERP-системы (управление ресурсами) внедрили только 27% компаний, но из них 73% используют российские решения.
🔸 CAM-системы (компьютерная поддержка изготовления) применяют 40% компаний, при этом 60% из них выбрали отечественный софт.
Несмотря на текущую зависимость, рынок российских САПР демонстрирует стремительный рост. За 2022–2023 годы выручка отечественных разработчиков удвоилась — с 7,3 млрд до 14,8 млрд рублей. Ожидается, что весь рынок САПР в РФ к концу 2024 года достигнет 23,6 млрд рублей.
Государственная цель, заявленная в рамках нацпроекта Экономика данных, — перевести не менее 80% российских организаций на отечественное ПО к 2030 году. Для дизайн-центров радиоэлектроники поставлена ещё более амбициозная задача — 90%.
Есть ряд системных проблем, которые затрудняют решение задач импортзамещения.
🔸 Софт часто привязан к железу, которое ранее закупалось в странах, которые теперь объявлены «недружественными». Замена ПО требует замены оборудования, а это совсем другой уровень затрат и далеко не всегда возможно на текущий момент.
🔸 Отечественные решения зачастую продолжают уступать по функциональности, уровень доверия к ним пока что ограничен.
🔸 Кадровые проблемы, высокие затраты на перенос данных и переобучение персонала.
Россия столкнулась с классической проблемой технологического суверенитета, где программная и аппаратная независимость неразделимы. Хотя рынок отечественных САПР растёт рекордными темпами, реальное импортозамещение упирается в необходимость параллельного возрождения полного производственного цикла — от станков и электронных компонентов до сложного инженерного софта.
@RUSmicro
❤9👍7🤔1
🇺🇸 EDA. Партнерства. Инвестиции. США
Nvidia инвестирует $2 млрд в Synopsys для усиления союза в сфере ИИ и проектирования чипов
Компания Nvidia, лидер на рынке решений для ИИ, объявила о стратегической инвестиции в размере $2 млрд в производителя ПО для проектирования чипов Synopsys. Сделка оформлена как частное размещение акций - Nvidia приобрела около 4.8 млн акций Synopsys по цене $414.79 за штуку. В результате Nvidia станет 7-м по величине акционером компании. Об этом сообщает Reuters.
Для Nvidia это логичный ход – формирование экосистемы, укрепление альянса с ключевым поставщиком в цепочке проектирования полупроводников. Эта инвестиция дополняет недавние партнерства с Intel и OpenAI.
Для Synopsys это вероятно откроет доступ к передовым инструментам и библиотекам Nvidia для разработки ИИ. Это поможет ускорить разработку новых продуктов в области автоматизированного проектирования микроэлектроники (EDA).
Рынок реагирует позитивно, ростом акций Synopsys. Эксклюзивности от Synopsys не потребуют, компания сможет продолжать сотрудничество с конкурентами Nvidia, а Nvidia – сотрудничество с Cadence.
И, конечно, мы вновь наблюдаем консолидацию – богатые становятся еще крупнее и богаче.
@RUSmicro
Nvidia инвестирует $2 млрд в Synopsys для усиления союза в сфере ИИ и проектирования чипов
Компания Nvidia, лидер на рынке решений для ИИ, объявила о стратегической инвестиции в размере $2 млрд в производителя ПО для проектирования чипов Synopsys. Сделка оформлена как частное размещение акций - Nvidia приобрела около 4.8 млн акций Synopsys по цене $414.79 за штуку. В результате Nvidia станет 7-м по величине акционером компании. Об этом сообщает Reuters.
Для Nvidia это логичный ход – формирование экосистемы, укрепление альянса с ключевым поставщиком в цепочке проектирования полупроводников. Эта инвестиция дополняет недавние партнерства с Intel и OpenAI.
Для Synopsys это вероятно откроет доступ к передовым инструментам и библиотекам Nvidia для разработки ИИ. Это поможет ускорить разработку новых продуктов в области автоматизированного проектирования микроэлектроники (EDA).
Рынок реагирует позитивно, ростом акций Synopsys. Эксклюзивности от Synopsys не потребуют, компания сможет продолжать сотрудничество с конкурентами Nvidia, а Nvidia – сотрудничество с Cadence.
И, конечно, мы вновь наблюдаем консолидацию – богатые становятся еще крупнее и богаче.
@RUSmicro
❤3👍1
🇷🇺 Регулирование. Производственное оборудование микроэлектроники. Россия
Минпромторг введет баллы российскости для производственного оборудования микроэлектроники
Требования начнут действовать с 1 января 2026 года. Об этом рассказывает CNews. Очередные изменения затронули ПП №719 от 17 июля 2015 года.
Требования коснутся литографов, оборудования для эпитаксии, установок ионной имплантации, производства монокристаллов, термической обработки пластин.
На примере требований к литографам:
▫️за применение российского источника излучения дадут 30 баллов,
▫️катодного узла – 30 баллов,
▫️объектива – 30 баллов,
▫️оптического тракта – 30 баллов,
▫️электронно-оптической системы – 30 баллов,
▫️вакуумных насосов – 30 баллов,
▫️детектора электронов – 10 баллов,
▫️модуля совмещения – 30 баллов,
▫️механизма загрузки-выгрузки пластин – 10 баллов
▫️каркаса – 10 баллов
▫️центрального контроллера системы управления – 10 баллов
▫️устройства сопряжения с исполнительными устройствами – 20 баллов
Аналогичные требования к оборудованию для производства слитков и эпитаксии – смотрите в источнике.
Кроме этих требований будут действовать и другие – не быть подконтрольными иностранной компании, иметь сервисный центр на территории ЕАЭС, осуществлять сборку оборудования, установку и отладку ПО, наладку и тестирование установки.
Жесткость балльных требований будет отличаться по срокам. В частности, для оборудования для эпитаксии с 1 января 2026 года до 31 декабря 2028 года потребуется набрать 130 баллов, но к 2029 году – уже 190 баллов, а к 1 января 2032 года – не менее 250 баллов.
Возможно ли выполнить эти пожелания?
Да. Но это будет сложно. Я бы сказал, что речь идет, по сути, о «дорожной карте» по созданию новой отрасли, созданию независимой технологической цепочки в ряде случаев почти с нуля.
Сомневаюсь в возможности для российских производителей их выполнить в установленные сроки (особенно фазу 2 – к 2029 году). Чтобы выполнить требования, необходимы виртуозно скоординированные усилия государства, науки и промышленности и кадры, в наличии и доступности которых у меня тоже есть немалые сомнения.
Пока что нет серийного производства ряда узлов, которые необходимы для создания серийных российских аппаратов, нет гарантии доступности необходимых российских материалов необходимой частоты. Невелик адресуемый рынок, а стоимость привлечения денег высока до чрезмерности.
Некоторые из опрошенных специалистов, недовольны в целом механизмом балльной системы, считая, что более оптимальным подходом было бы проведение госкомиссий, которая рассматривала бы конструкторскую документацию, постановку базового процесса на территории России, создания охраняемых результатов интеллектуальной деятельности.
@RUSmicro
Минпромторг введет баллы российскости для производственного оборудования микроэлектроники
Требования начнут действовать с 1 января 2026 года. Об этом рассказывает CNews. Очередные изменения затронули ПП №719 от 17 июля 2015 года.
Требования коснутся литографов, оборудования для эпитаксии, установок ионной имплантации, производства монокристаллов, термической обработки пластин.
На примере требований к литографам:
▫️за применение российского источника излучения дадут 30 баллов,
▫️катодного узла – 30 баллов,
▫️объектива – 30 баллов,
▫️оптического тракта – 30 баллов,
▫️электронно-оптической системы – 30 баллов,
▫️вакуумных насосов – 30 баллов,
▫️детектора электронов – 10 баллов,
▫️модуля совмещения – 30 баллов,
▫️механизма загрузки-выгрузки пластин – 10 баллов
▫️каркаса – 10 баллов
▫️центрального контроллера системы управления – 10 баллов
▫️устройства сопряжения с исполнительными устройствами – 20 баллов
Аналогичные требования к оборудованию для производства слитков и эпитаксии – смотрите в источнике.
Кроме этих требований будут действовать и другие – не быть подконтрольными иностранной компании, иметь сервисный центр на территории ЕАЭС, осуществлять сборку оборудования, установку и отладку ПО, наладку и тестирование установки.
Жесткость балльных требований будет отличаться по срокам. В частности, для оборудования для эпитаксии с 1 января 2026 года до 31 декабря 2028 года потребуется набрать 130 баллов, но к 2029 году – уже 190 баллов, а к 1 января 2032 года – не менее 250 баллов.
Возможно ли выполнить эти пожелания?
Да. Но это будет сложно. Я бы сказал, что речь идет, по сути, о «дорожной карте» по созданию новой отрасли, созданию независимой технологической цепочки в ряде случаев почти с нуля.
Сомневаюсь в возможности для российских производителей их выполнить в установленные сроки (особенно фазу 2 – к 2029 году). Чтобы выполнить требования, необходимы виртуозно скоординированные усилия государства, науки и промышленности и кадры, в наличии и доступности которых у меня тоже есть немалые сомнения.
Пока что нет серийного производства ряда узлов, которые необходимы для создания серийных российских аппаратов, нет гарантии доступности необходимых российских материалов необходимой частоты. Невелик адресуемый рынок, а стоимость привлечения денег высока до чрезмерности.
Некоторые из опрошенных специалистов, недовольны в целом механизмом балльной системы, считая, что более оптимальным подходом было бы проведение госкомиссий, которая рассматривала бы конструкторскую документацию, постановку базового процесса на территории России, создания охраняемых результатов интеллектуальной деятельности.
@RUSmicro
👍9🤣6🙈4❤1🤔1
🇷🇺 Рынок печатных плат. Россия
Российские печатные платы остаются слишком дорогими, что не стимулирует производителей электроники к их использованию
Оценка объема рынка печатных плат в России Консорциумом печатных плат не поменялись с лета, те же 25 млн кв дм в 2025 году. Отечественной продукции на нем наберется меньше половины – порядка 10 млн кв дм. Тему сегодня обсуждают Ведомости.
Причин такому положению дел, как обычно, далеко не одна.
🔸 Можно упомянуть, в частности, что до недавнего времени не было обязательности использования в российской электронике отечественных печатных план. Сейчас ПП-719 требует наличия в российском изделии хотя бы одной российской печатной платы. Но с 2028 года требования российскости должны распространиться на печатную плату, выполняющую основные функции изделия.
🔸 Другой существенный фактор – чрезвычайно высокие цены на российскую продукцию. Некоторые участники рынка утверждают, что разница в цене может достигать 4-5 раз, в сравнении с китайской продукцией. Наверное, все же корректнее говорить о диапазоне 2-5 раз, но вряд ли можно считать такое положение дел приемлемым. Можем надеяться, что с ростом серийности производства изделий, это снизит себестоимость и стоимость изготовления и печатных плат? Хорошо бы..
🔸 Третья причина – мало кто в России может производить качественные многослойные платы с десятками (до 48) слоев, тем более что для них важно выдерживать высокий класс точности вплоть до 7-го, а это опять-таки доступно не каждому российскому производителю.
Как это часто бывает, хотя наибольший интерес обычно приходится на многослойные и высокоточные печатные платы, на деле основные потребности российского рынка (52%) закрывают 2-х слойные платы (оценки АНО ТКО), 34% - 4-х слойные; только 14% - остальные. Впрочем, ПП719 будет это соотношение менять, несомненно.
Стоимость одной печатной платы может колебаться от 150 рублей за штуку до 35 тысяч рублей.
В целом объем потребления печатных плат российского производства в 10 млн кв дм за год – это что-то плохо различимое, если говорить о мировых масштабах. Намного менее 1%, даже до 0.1% не дотягивает, что-то на уровне погрешности вычислений. Впрочем, даже с учетом зарубежной составляющей, общий объем потребления печатных плат российским рынком электроники остается весьма скромным на фоне общемировых цифр.
@RUSmicro
Российские печатные платы остаются слишком дорогими, что не стимулирует производителей электроники к их использованию
Оценка объема рынка печатных плат в России Консорциумом печатных плат не поменялись с лета, те же 25 млн кв дм в 2025 году. Отечественной продукции на нем наберется меньше половины – порядка 10 млн кв дм. Тему сегодня обсуждают Ведомости.
Причин такому положению дел, как обычно, далеко не одна.
🔸 Можно упомянуть, в частности, что до недавнего времени не было обязательности использования в российской электронике отечественных печатных план. Сейчас ПП-719 требует наличия в российском изделии хотя бы одной российской печатной платы. Но с 2028 года требования российскости должны распространиться на печатную плату, выполняющую основные функции изделия.
🔸 Другой существенный фактор – чрезвычайно высокие цены на российскую продукцию. Некоторые участники рынка утверждают, что разница в цене может достигать 4-5 раз, в сравнении с китайской продукцией. Наверное, все же корректнее говорить о диапазоне 2-5 раз, но вряд ли можно считать такое положение дел приемлемым. Можем надеяться, что с ростом серийности производства изделий, это снизит себестоимость и стоимость изготовления и печатных плат? Хорошо бы..
🔸 Третья причина – мало кто в России может производить качественные многослойные платы с десятками (до 48) слоев, тем более что для них важно выдерживать высокий класс точности вплоть до 7-го, а это опять-таки доступно не каждому российскому производителю.
Как это часто бывает, хотя наибольший интерес обычно приходится на многослойные и высокоточные печатные платы, на деле основные потребности российского рынка (52%) закрывают 2-х слойные платы (оценки АНО ТКО), 34% - 4-х слойные; только 14% - остальные. Впрочем, ПП719 будет это соотношение менять, несомненно.
Стоимость одной печатной платы может колебаться от 150 рублей за штуку до 35 тысяч рублей.
В целом объем потребления печатных плат российского производства в 10 млн кв дм за год – это что-то плохо различимое, если говорить о мировых масштабах. Намного менее 1%, даже до 0.1% не дотягивает, что-то на уровне погрешности вычислений. Впрочем, даже с учетом зарубежной составляющей, общий объем потребления печатных плат российским рынком электроники остается весьма скромным на фоне общемировых цифр.
@RUSmicro
❤1
🇺🇸 ИИ-чипы. Инвестиции. США
Очередной стартап по разработке чипов, очередные $100 млн на волне спроса на ИИ
Axiado, стартап, разрабатывающий чип для управления платой в серверах ИИ, сообщил о привлечении $100 млн для разработки чипа ИИ. Но это не очередной "убийца Nvidia", это нечто вспомогательное, но, возможно, весьма полезное.
В ЦОД с ИИ, тысячи мощных серверов должны работать вместе, решая задачи обучения моделей. Это требует их координации по внутренней сети. Для этого серверы содержат несколько микросхем, которые должны обрабатывать поступающие инструкции, управляя платами сервера. Кроме того, нужно решать проблемы кибербезопасности.
Axiado работает над тем, чтобы заменить эти несколько микросхем одной, причем меньшей по размеру, что обеспечивает экономию места на плате, где растет площадей из-за внедрения систем жидкостного охлаждения.
Чип Axiado - это тоже ИИ-чип. Он запоминает, как выглядит нормальное поведение сервера при запуске на нем определенной программы. В дальнейшем он замечает малейшие отклонения от паттерна, которые могут свидетельствовать, например, об угрозах кибербезопасности.
Чип Axiado может взять на себя и управление системой охлаждения, ее мощностью, что как ожидается, может дать до 50% экономии энергии, используемой для охлаждения.
Уже только этого, если это правда, достаточно, чтобы к стартапу проявили интерес.
💎 Проект Axiado – хорошая иллюстрация того, что на волне бума инвестиций в ИИ финансируются не только производители вычислительных чипов, но и стартапы, оптимизирующие вспомогательные функции. Основной вызов для Axiado — не технология, а внедрение. Серверный рынок консервативен, а чтобы чип стал стандартом, требуется его интеграция в платформы крупных производителей (например, Supermicro, Dell) и поддержка со стороны экосистемы.
@RUSmicro
Очередной стартап по разработке чипов, очередные $100 млн на волне спроса на ИИ
Axiado, стартап, разрабатывающий чип для управления платой в серверах ИИ, сообщил о привлечении $100 млн для разработки чипа ИИ. Но это не очередной "убийца Nvidia", это нечто вспомогательное, но, возможно, весьма полезное.
В ЦОД с ИИ, тысячи мощных серверов должны работать вместе, решая задачи обучения моделей. Это требует их координации по внутренней сети. Для этого серверы содержат несколько микросхем, которые должны обрабатывать поступающие инструкции, управляя платами сервера. Кроме того, нужно решать проблемы кибербезопасности.
Axiado работает над тем, чтобы заменить эти несколько микросхем одной, причем меньшей по размеру, что обеспечивает экономию места на плате, где растет площадей из-за внедрения систем жидкостного охлаждения.
Чип Axiado - это тоже ИИ-чип. Он запоминает, как выглядит нормальное поведение сервера при запуске на нем определенной программы. В дальнейшем он замечает малейшие отклонения от паттерна, которые могут свидетельствовать, например, об угрозах кибербезопасности.
Чип Axiado может взять на себя и управление системой охлаждения, ее мощностью, что как ожидается, может дать до 50% экономии энергии, используемой для охлаждения.
Уже только этого, если это правда, достаточно, чтобы к стартапу проявили интерес.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤1