🔬 Материалы. Стекло. Печатные платы
Что такое стеклоткань и почему T-стекло критически важно для ИИ-серверов?
Вашему вниманию - пересказ публикации TrendForce. На фоне стремительного роста спроса на ИИ-серверы такие ключевые компоненты, как HBM и ИИ-ускорители, закономерно стали дефицитными. Гонка за высокоскоростными вычислениями породила новые проблемы, особенно в области снижения материальных потерь. В этой гонке некогда малозаметная «стеклоткань», в частности T-стекло, привлекает к себе все больше внимания.
Отраслевые термины, такие как Low-Dk, Low-CTE, T-glass и glass fiber fabric встречаются часто, но что они означают? И поскольку приобрести подходящую стеклоткань все сложнее, а цены растут, как это влияет на рынок ИИ? Подборка информации ниже составлена TechNews.
Почему стеклоткань внезапно стала так важна
🔸 Стеклоткань — это тканый материал из тонкой стекловолоконной пряжи, ценимый за свои изоляционные свойства, термостойкость и исключительную прочность. Это ключевой компонент медно-плакированных ламинатов, которые формируют основу печатных плат.
CCL производятся путем прессования медной фольги вместе с непроводящими материалами — в основном со стеклотканью и с эпоксидной смолой — под воздействием тепла и давления. На уровне PCB, CCL служит основной подложкой, формируя проводящие слои, которые соединяют электронные компоненты.
🎓 CCL (от англ. Copper Clad Laminate) - ламинат с медным покрытием — это основной материал для производства печатных плат (PCB).
Таким образом, стеклоткань работает армирующим материалом внутри этих подложек, придавая печатным платам структурную прочность и электрическую изоляцию, необходимые для надежной работы. Именно поэтому в отраслевых анализах обсуждение стеклоткани часто естественным образом распространяется на CCL и PCB.
Примечательно, что стеклоткань используется не только для ИИ-серверов. Сегодня она применяется в широком спектре электроники — от высококлассных PCB и IC-подложек до смартфонов, серверов и сетевых плат. В высокочастотных высокоскоростных приложениях качество стеклоткани — особенно ее низкая диэлектрическая проницаемость и низкие диэлектрические потери — становятся критически важными.
Поскольку спрос на ИИ-серверы растет, обновляются и материалы для PCB. В частности, все больше внимания получают стеклоткани с такими свойствами, как «Low-Dk» (с низкой диэлектрической постоянной Dk) и Low-CTE (с низким коэффициентом теплового расширения (коэффициентом термического расширения, CTE). (..)
Что такое стеклоткань и почему T-стекло критически важно для ИИ-серверов?
Вашему вниманию - пересказ публикации TrendForce. На фоне стремительного роста спроса на ИИ-серверы такие ключевые компоненты, как HBM и ИИ-ускорители, закономерно стали дефицитными. Гонка за высокоскоростными вычислениями породила новые проблемы, особенно в области снижения материальных потерь. В этой гонке некогда малозаметная «стеклоткань», в частности T-стекло, привлекает к себе все больше внимания.
Отраслевые термины, такие как Low-Dk, Low-CTE, T-glass и glass fiber fabric встречаются часто, но что они означают? И поскольку приобрести подходящую стеклоткань все сложнее, а цены растут, как это влияет на рынок ИИ? Подборка информации ниже составлена TechNews.
Почему стеклоткань внезапно стала так важна
🔸 Стеклоткань — это тканый материал из тонкой стекловолоконной пряжи, ценимый за свои изоляционные свойства, термостойкость и исключительную прочность. Это ключевой компонент медно-плакированных ламинатов, которые формируют основу печатных плат.
CCL производятся путем прессования медной фольги вместе с непроводящими материалами — в основном со стеклотканью и с эпоксидной смолой — под воздействием тепла и давления. На уровне PCB, CCL служит основной подложкой, формируя проводящие слои, которые соединяют электронные компоненты.
🎓 CCL (от англ. Copper Clad Laminate) - ламинат с медным покрытием — это основной материал для производства печатных плат (PCB).
Таким образом, стеклоткань работает армирующим материалом внутри этих подложек, придавая печатным платам структурную прочность и электрическую изоляцию, необходимые для надежной работы. Именно поэтому в отраслевых анализах обсуждение стеклоткани часто естественным образом распространяется на CCL и PCB.
Примечательно, что стеклоткань используется не только для ИИ-серверов. Сегодня она применяется в широком спектре электроники — от высококлассных PCB и IC-подложек до смартфонов, серверов и сетевых плат. В высокочастотных высокоскоростных приложениях качество стеклоткани — особенно ее низкая диэлектрическая проницаемость и низкие диэлектрические потери — становятся критически важными.
Поскольку спрос на ИИ-серверы растет, обновляются и материалы для PCB. В частности, все больше внимания получают стеклоткани с такими свойствами, как «Low-Dk» (с низкой диэлектрической постоянной Dk) и Low-CTE (с низким коэффициентом теплового расширения (коэффициентом термического расширения, CTE). (..)
👍5🔥1
(2) T-стекло: что делает его особенным?
Существует немало видов стекловолокна, отличающихся по составу и свойствам. В западной терминологии это, например: E-стекло, A-стекло, C-стекло, D-стекло и S-стекло.
🔸 E-стекло (электротехнический класс) — это высококачественное бессвинцовое стекловолокно с высокой электроизоляцией — поддерживает стабильную работу схем.
🔸 S-стекло (прочностный класс) - создано для максимальной механической прочности — отлично подходит для формирования жестких структур.
🔸 C-стекло (класс химической стойкости) - уверенно сопротивляется воздействию кислот и предназначено для работы в суровых химических средах.
🔸 D-стекло (диэлектрический класс) - обладает низкими диэлектрическими свойствами, что делает его необходимым для высокочастотных, высокоскоростных печатных плат.
🔸 NE-стекло (серия NEG) - обеспечивает стабильность размеров и низкие потери, обычно используется в материнских платах серверов и коммуникационных платах.
🔸 T-стекло — это та стеклоткань, которая сегодня у многих на слуху из-за дефицита, — это высокотехнологичная ветвь E-стекла. Известно своей высокой жесткостью, низким тепловым расширением и стабильностью размеров, оно предотвращает коробление или изгиб материалов и потому его используют в современных технологиях упаковки кристаллов. Проще говоря, T-стекло помогает многослойным подложкам оставаться прочными и точными, обеспечивая надежную работу высокоскоростной, высокопроизводительной электроники.
С точки зрения применения, T-стекло является критически важным материалом для подложек микросхем, ABF- и BT-подложек, а также для передовых технологий упаковки, таких как CoWoS и SoIC. Это делает T-стекло основой быстрых и надежных AI-вычислений.
(..)
Существует немало видов стекловолокна, отличающихся по составу и свойствам. В западной терминологии это, например: E-стекло, A-стекло, C-стекло, D-стекло и S-стекло.
🔸 E-стекло (электротехнический класс) — это высококачественное бессвинцовое стекловолокно с высокой электроизоляцией — поддерживает стабильную работу схем.
🔸 S-стекло (прочностный класс) - создано для максимальной механической прочности — отлично подходит для формирования жестких структур.
🔸 C-стекло (класс химической стойкости) - уверенно сопротивляется воздействию кислот и предназначено для работы в суровых химических средах.
🔸 D-стекло (диэлектрический класс) - обладает низкими диэлектрическими свойствами, что делает его необходимым для высокочастотных, высокоскоростных печатных плат.
🔸 NE-стекло (серия NEG) - обеспечивает стабильность размеров и низкие потери, обычно используется в материнских платах серверов и коммуникационных платах.
🔸 T-стекло — это та стеклоткань, которая сегодня у многих на слуху из-за дефицита, — это высокотехнологичная ветвь E-стекла. Известно своей высокой жесткостью, низким тепловым расширением и стабильностью размеров, оно предотвращает коробление или изгиб материалов и потому его используют в современных технологиях упаковки кристаллов. Проще говоря, T-стекло помогает многослойным подложкам оставаться прочными и точными, обеспечивая надежную работу высокоскоростной, высокопроизводительной электроники.
С точки зрения применения, T-стекло является критически важным материалом для подложек микросхем, ABF- и BT-подложек, а также для передовых технологий упаковки, таких как CoWoS и SoIC. Это делает T-стекло основой быстрых и надежных AI-вычислений.
(..)
👍3
(3) Что такое ткани Low-Dk, Low-Df и Low-CTE?
Диэлектрическую проницаемость можно сравнить с электрической емкостью материала — она определяет, насколько быстро сигналы проходят через него и сколько энергии при этом теряется. Более низкая Dk означает, что сигналы проходят быстрее и с меньшей задержкой, сокращая потери энергии в высокоскоростных приложениях.
Примечательно, что Low-Dk также имеет уровни: ткани Low-Dk1 и Low-Dk2 доминируют на сегодняшнем рынке, но передовые ИИ-серверы продвигаются в область Low-Dk3 или кварцевого стекла — хотя применение в этих целях кварца еще не стало массовым.
Коэффициент диэлектрических потерь показывает, сколько энергии сигнала рассеивается в виде тепла при передаче. Более низкий Df (коэффициент рассеяния) соответствует меньшей потере мощности.
Коэффициент теплового расширения показывает, насколько материал расширяется под воздействием тепла. Материалы с низким CTE остаются стабильными даже при значительных колебаниях температур — практически не коробясь.
TechNews, со ссылкой на мнение Линь Цзя-Юя, генерального менеджера подразделения волокон Taiwan Glass, поясняет, что ткань из стекла с низким CTE в основном используется в подложках традиционных микросхем, в то время как Low-Dk применяется в слоях PCB под чипами ИИ. Оба варианта стекловолокна является абсолютно необходимыми материалами при создании ИИ-серверов. (..)
Диэлектрическую проницаемость можно сравнить с электрической емкостью материала — она определяет, насколько быстро сигналы проходят через него и сколько энергии при этом теряется. Более низкая Dk означает, что сигналы проходят быстрее и с меньшей задержкой, сокращая потери энергии в высокоскоростных приложениях.
Примечательно, что Low-Dk также имеет уровни: ткани Low-Dk1 и Low-Dk2 доминируют на сегодняшнем рынке, но передовые ИИ-серверы продвигаются в область Low-Dk3 или кварцевого стекла — хотя применение в этих целях кварца еще не стало массовым.
Коэффициент диэлектрических потерь показывает, сколько энергии сигнала рассеивается в виде тепла при передаче. Более низкий Df (коэффициент рассеяния) соответствует меньшей потере мощности.
Коэффициент теплового расширения показывает, насколько материал расширяется под воздействием тепла. Материалы с низким CTE остаются стабильными даже при значительных колебаниях температур — практически не коробясь.
TechNews, со ссылкой на мнение Линь Цзя-Юя, генерального менеджера подразделения волокон Taiwan Glass, поясняет, что ткань из стекла с низким CTE в основном используется в подложках традиционных микросхем, в то время как Low-Dk применяется в слоях PCB под чипами ИИ. Оба варианта стекловолокна является абсолютно необходимыми материалами при создании ИИ-серверов. (..)
👍3
(4) Что дальше? Путь к Q-стеклу
TechNews предполагает, что материалы из стекловолокна развиваются по двум направлениям:
варианты с низким CTE, такие как T-стекло, ориентированы на сохранение стабильности размеров в многослойных IC-подложках, в то время как варианты с низким Dk/Df, такие как NE-стекло, уделяют приоритетное внимание качеству сигнала в CCL, сокращая потери при передаче в высокоскоростных ИИ-серверах.
Есть и альтернатива: кварцевая стеклоткань, все еще в основном в статусе лабораторных испытаний.
Q-стекло, по слухам, превосходит существующие материалы по всем параметрам — CTE, Dk и Df — что делает его гибридом следующего поколения, обеспечивающим как стабильность, так и скорость. Но, согласно TechNews, есть два препятствия, которые не дают ему выйти на рынок: оно дороже, чем T-стекло или NE-стекло, а его крайняя твердость негативно влияет на выход годных при сверлении PCB и ламинации, вынуждая производителей кардинально менять оборудование и тонко настраивать процессы.
Почему T-стекло в остром дефиците — и эффект домино
Спрос на T-стекло стремительно растет — и предложение не успевает за ним. Вот почему: ИИ-серверы требуют гораздо больше вычислительной мощности и пропускной способности, чем традиционные серверы. Поскольку в 2026 году IC-подложки растут в размерах, производителям необходимо все более заботиться о структурной жесткости — в частности, они удваивают использование T-стекла в основных слоях и добавляют больше слоев в целом. Совокупный эффект задирает спрос на T-стекло и ведет к его дефициту.
По оценкам TrendForce, японская компания Nittobo близка к монополии на T-стекло производственного класса. Среди его покупателей — NVIDIA, Microsoft, Google и Amazon. Однако, поскольку Nittobo не успевает расширять свои производственные мощности соответственно спросу, отрасль может столкнуться с нехваткой этого материала в ближайшее время.
Недавний отчет Goldman Sachs, процитированный TechNews, подсвечивает эффект домино:
Богатые клиентов, работающие в области ИИ используют T-стекло в высококлассных ABF-подложках для AI GPU и ASIC, и в итоге на BT-подложки этого материала не хватает. Таким образом, Goldman, как сообщается, прогнозирует, что производители BT-подложек могут столкнуться с дефицитом T-стекла в двухзначных числах в течение следующих нескольких месяцев или кварталов.
Тайваньские производители стекловолокна могут оказаться в выигрыше. Согласно TechNews, Taiwan Glass и Fulltech Fiber Glass получили сертификацию от крупных местных производителей CCL. Taiwan Glass, в частности, только что стала 3-й компанией в мире — после американского и японского конкурентов — она освоила производство ткани из стекла с низким Dk, подготовившись к росту спроса, сообщает отчет.
@RUSmicro
TechNews предполагает, что материалы из стекловолокна развиваются по двум направлениям:
варианты с низким CTE, такие как T-стекло, ориентированы на сохранение стабильности размеров в многослойных IC-подложках, в то время как варианты с низким Dk/Df, такие как NE-стекло, уделяют приоритетное внимание качеству сигнала в CCL, сокращая потери при передаче в высокоскоростных ИИ-серверах.
Есть и альтернатива: кварцевая стеклоткань, все еще в основном в статусе лабораторных испытаний.
Q-стекло, по слухам, превосходит существующие материалы по всем параметрам — CTE, Dk и Df — что делает его гибридом следующего поколения, обеспечивающим как стабильность, так и скорость. Но, согласно TechNews, есть два препятствия, которые не дают ему выйти на рынок: оно дороже, чем T-стекло или NE-стекло, а его крайняя твердость негативно влияет на выход годных при сверлении PCB и ламинации, вынуждая производителей кардинально менять оборудование и тонко настраивать процессы.
Почему T-стекло в остром дефиците — и эффект домино
Спрос на T-стекло стремительно растет — и предложение не успевает за ним. Вот почему: ИИ-серверы требуют гораздо больше вычислительной мощности и пропускной способности, чем традиционные серверы. Поскольку в 2026 году IC-подложки растут в размерах, производителям необходимо все более заботиться о структурной жесткости — в частности, они удваивают использование T-стекла в основных слоях и добавляют больше слоев в целом. Совокупный эффект задирает спрос на T-стекло и ведет к его дефициту.
По оценкам TrendForce, японская компания Nittobo близка к монополии на T-стекло производственного класса. Среди его покупателей — NVIDIA, Microsoft, Google и Amazon. Однако, поскольку Nittobo не успевает расширять свои производственные мощности соответственно спросу, отрасль может столкнуться с нехваткой этого материала в ближайшее время.
Недавний отчет Goldman Sachs, процитированный TechNews, подсвечивает эффект домино:
Богатые клиентов, работающие в области ИИ используют T-стекло в высококлассных ABF-подложках для AI GPU и ASIC, и в итоге на BT-подложки этого материала не хватает. Таким образом, Goldman, как сообщается, прогнозирует, что производители BT-подложек могут столкнуться с дефицитом T-стекла в двухзначных числах в течение следующих нескольких месяцев или кварталов.
Тайваньские производители стекловолокна могут оказаться в выигрыше. Согласно TechNews, Taiwan Glass и Fulltech Fiber Glass получили сертификацию от крупных местных производителей CCL. Taiwan Glass, в частности, только что стала 3-й компанией в мире — после американского и японского конкурентов — она освоила производство ткани из стекла с низким Dk, подготовившись к росту спроса, сообщает отчет.
@RUSmicro
👍5❤1
🇪🇺 🇺🇸 Участники рынка. Производство микроэлектроники. Алмазные технологии. Европа
Испания инвестирует в первый в Европе завод по производству алмазных чипов
Правительство Испании объявило о крупных инвестициях в строительство завода по производству микрочипов американской компании Diamond Foundry. Проект будет реализован в городе Трухильо, в западном регионе Эстремадура. Об этом сообщает Reuters.
Ключевые детали проекта:
🔹 Общий объем инвестиций: 2,35 млрд евро.
🔹 Вклад Испании: 753 млн евро через государственный фонд технологических инвестиций SETT в рамках программы поддержки полупроводниковой отрасли.
🔹 Вклад Diamond Foundry: около 1,6 млрд евро, которые компания планирует инвестировать до 2029 года.
🔹 Завод будет производить синтетические алмазные пластины (подложки) для полупроводников. Это позволит решить одну из главных проблем индустрии — перегрев чипов, поскольку алмазы обладают очень высокой теплопроводностью по сравнению с традиционным кремнием.
🔹 Предприятие станет первым в Европе крупномасштабным производителем алмазных подложек для продвинутых микрочипов.
🔹 Прочие мелочи. Согласно отчетам, проект создаст более 2100 рабочих мест, 500 из которых — непосредственно на заводе.
Diamond Foundry уже имеет в Эстремадуре завод по производству синтетических алмазов, но его продукция используется для ювелирных изделий и промышленного оборудования. Новое производство будет ориентировано на высокотехнологичную электронику.
Примечательно, что среди инвесторов компании числится голливудский актер Леонардо ДиКаприо. Заявление правительства прозвучало незадолго до досрочных региональных выборов в Эстремадуре.
Алмазное направление в микроэлектроники пока что кажется нишевым, но на деле имеет стратегическое значение. Испания станет, минимум, 4-й страной, где занимаются алмазами применительно к микроэлектронике. Соответствующие предприятия действуют в Австрии, Великобритании и Ирландии.
@RUSmicro
Испания инвестирует в первый в Европе завод по производству алмазных чипов
Правительство Испании объявило о крупных инвестициях в строительство завода по производству микрочипов американской компании Diamond Foundry. Проект будет реализован в городе Трухильо, в западном регионе Эстремадура. Об этом сообщает Reuters.
Ключевые детали проекта:
🔹 Общий объем инвестиций: 2,35 млрд евро.
🔹 Вклад Испании: 753 млн евро через государственный фонд технологических инвестиций SETT в рамках программы поддержки полупроводниковой отрасли.
🔹 Вклад Diamond Foundry: около 1,6 млрд евро, которые компания планирует инвестировать до 2029 года.
🔹 Завод будет производить синтетические алмазные пластины (подложки) для полупроводников. Это позволит решить одну из главных проблем индустрии — перегрев чипов, поскольку алмазы обладают очень высокой теплопроводностью по сравнению с традиционным кремнием.
🔹 Предприятие станет первым в Европе крупномасштабным производителем алмазных подложек для продвинутых микрочипов.
🔹 Прочие мелочи. Согласно отчетам, проект создаст более 2100 рабочих мест, 500 из которых — непосредственно на заводе.
Diamond Foundry уже имеет в Эстремадуре завод по производству синтетических алмазов, но его продукция используется для ювелирных изделий и промышленного оборудования. Новое производство будет ориентировано на высокотехнологичную электронику.
Примечательно, что среди инвесторов компании числится голливудский актер Леонардо ДиКаприо. Заявление правительства прозвучало незадолго до досрочных региональных выборов в Эстремадуре.
Алмазное направление в микроэлектроники пока что кажется нишевым, но на деле имеет стратегическое значение. Испания станет, минимум, 4-й страной, где занимаются алмазами применительно к микроэлектронике. Соответствующие предприятия действуют в Австрии, Великобритании и Ирландии.
@RUSmicro
👍4
🇺🇸 🇹🇼 Производство электроники. Роботизация. ИИ. США. Тайвань
Foxconn и Intrinsic создают гибкое высокосмешанное и высокосерийное производство в США
Дочка Alphabet, компания Intrinsic и тайваньский гигант Foxconn объединили усилия для интеграции ИИ, роботизированных систем и цифровых двойников в рамках модульной автоматизации и развития производства в США.
Обновленные системы займутся сборкой, контролем качества, обслуживанием станков и логистикой.
Intrinsic не раскрывал тип роботов, которые собираются использовать партнеры, но в целом, речь идет об окончательном переходе от “жестких” производственных систем к гибким и адаптивным рабочим процессам.
В первую очередь, роботизация коснется сложных и высокоточных задач вроде сборки электроники. Партнеры совместят роботов, ИИ, компьютерное зрение, тактильные датчики и ряд других систем. Комплекс обеспечит субмиллиметровую точность, используя лишь RGB-камеры, что, в свою очередь, сократит затраты на оборудование в 5-20 раз по сравнению с современными системами, полагающимися на датчики глубины. По словам представителей Intrinsic, партнерам удалось ускорить развертывание роботов, сократить эксплуатационные расходы и повысить рабочую эффективность. Подход обеспечит слияние высокосмешанного и высокосерийного производств.
@RUSmicro по материалам TheRobotReport, фото - intrinsic
Foxconn и Intrinsic создают гибкое высокосмешанное и высокосерийное производство в США
Дочка Alphabet, компания Intrinsic и тайваньский гигант Foxconn объединили усилия для интеграции ИИ, роботизированных систем и цифровых двойников в рамках модульной автоматизации и развития производства в США.
Обновленные системы займутся сборкой, контролем качества, обслуживанием станков и логистикой.
Intrinsic не раскрывал тип роботов, которые собираются использовать партнеры, но в целом, речь идет об окончательном переходе от “жестких” производственных систем к гибким и адаптивным рабочим процессам.
В первую очередь, роботизация коснется сложных и высокоточных задач вроде сборки электроники. Партнеры совместят роботов, ИИ, компьютерное зрение, тактильные датчики и ряд других систем. Комплекс обеспечит субмиллиметровую точность, используя лишь RGB-камеры, что, в свою очередь, сократит затраты на оборудование в 5-20 раз по сравнению с современными системами, полагающимися на датчики глубины. По словам представителей Intrinsic, партнерам удалось ускорить развертывание роботов, сократить эксплуатационные расходы и повысить рабочую эффективность. Подход обеспечит слияние высокосмешанного и высокосерийного производств.
@RUSmicro по материалам TheRobotReport, фото - intrinsic
❤5👍1
🇷🇺 Господдержка. Производство электроники (?) Производство микроэлектроники (?) Россия
3 млрд могут быть выделены на поддержку закупок российского производственного оборудования
Минпромторг компенсирует покупателям до 30% стоимости приобретаемого отечественного производственного оборудования - эту симпатичную меру господдержки обещают в Минпромторге, рассказывают Ведомости.
Производителям электроники обещают компенсировать до 30% от стоимости приобретаемой единицы отечественного оборудования для производства электроники (вплоть до 50 млн руб. за единицу). Этого, по идее, должно хватить для того, чтобы покрыть разницу между стоимостью зарубежных аналогов и оборудования российского производства. Если последнее кто-нибудь когда-нибудь станет выпускать. По сути, эта компенсация – мера поддержки не только производителей электроники, но и производителей оборудования, поскольку она очевидно стимулирует спрос на их продукцию.
Этим меры поддержки не ограничатся. Производителям оборудования также обещаны льготные кредиты под 3-5%, если они возьмутся за организацию серийного производства отечественного оборудования – еще один вполне грамотный ход.
Еще отечественные производители оборудования смогут взять льготный кредит на организацию производства сроком на 7 лет, с предельной суммой в 300 млн из которых ФРП должен будет компенсировать 50%.
В общем, если не отыщется «дьявол в деталях», а это, увы, вполне может случиться, предложенные меры господдержки выглядят весьма неплохо. Разве что сумма обеспечения всех этих мер слишком мала – около 3 млрд в 2026-2028 году. Но, возможно, она отражает инвестиционный потенциал отрасли в условиях высокой КС ЦБ?
Одно из условий для получения господдержки – оборудование должно быть реестровым (по ПП №719).
♨️ Все бы хорошо, но из текста публикации я, признаться, не понял, действительно ли идет речь о стимулировании производства и закупки отечественного оборудования для производства электроники? Потому что если в начале текста идет речь о производстве электроники, то затем почему-то начали мелькать названия компаний, занятых созданием оборудования для производства микроэлектроники (электронных компонентов). А это совсем иной сегмент рынка.
В частности, непонятно, эти скромные 3 млрд - на всех про всех? "Смазанное" в итоге получилось впечатление от этой новости. Кому все-таки предназначены меры поддержки. Если всей отрасли, то это просто мизер. Если только на стимулирование закупки отечественного оборудования для сборки электроники и производителей такого оборудования, ну, еще туда-сюда. Если на производителей оборудования для производства компонентов, и производителей компонентов - этого очень мало. Если на всех... ну, я уже сказал выше.
В целом хотелось бы от авторов подобных программ более четких формулировок, о каком сегменте рынка идет речь в том или ином случае.
UPD: Как видно из слайда презентации, речь идет о всем производственном оборудовании: "Предоставление субсидий российским производителям средств производства на возмещение недополученных доходов, связанных с предоставлением скидки при реализации продукции электронного машиностроения". Спасибо добрым людям за слайд.
@RUSmicro
3 млрд могут быть выделены на поддержку закупок российского производственного оборудования
Минпромторг компенсирует покупателям до 30% стоимости приобретаемого отечественного производственного оборудования - эту симпатичную меру господдержки обещают в Минпромторге, рассказывают Ведомости.
Производителям электроники обещают компенсировать до 30% от стоимости приобретаемой единицы отечественного оборудования для производства электроники (вплоть до 50 млн руб. за единицу). Этого, по идее, должно хватить для того, чтобы покрыть разницу между стоимостью зарубежных аналогов и оборудования российского производства. Если последнее кто-нибудь когда-нибудь станет выпускать. По сути, эта компенсация – мера поддержки не только производителей электроники, но и производителей оборудования, поскольку она очевидно стимулирует спрос на их продукцию.
Этим меры поддержки не ограничатся. Производителям оборудования также обещаны льготные кредиты под 3-5%, если они возьмутся за организацию серийного производства отечественного оборудования – еще один вполне грамотный ход.
Еще отечественные производители оборудования смогут взять льготный кредит на организацию производства сроком на 7 лет, с предельной суммой в 300 млн из которых ФРП должен будет компенсировать 50%.
В общем, если не отыщется «дьявол в деталях», а это, увы, вполне может случиться, предложенные меры господдержки выглядят весьма неплохо. Разве что сумма обеспечения всех этих мер слишком мала – около 3 млрд в 2026-2028 году. Но, возможно, она отражает инвестиционный потенциал отрасли в условиях высокой КС ЦБ?
Одно из условий для получения господдержки – оборудование должно быть реестровым (по ПП №719).
♨️ Все бы хорошо, но из текста публикации я, признаться, не понял, действительно ли идет речь о стимулировании производства и закупки отечественного оборудования для производства электроники? Потому что если в начале текста идет речь о производстве электроники, то затем почему-то начали мелькать названия компаний, занятых созданием оборудования для производства микроэлектроники (электронных компонентов). А это совсем иной сегмент рынка.
В частности, непонятно, эти скромные 3 млрд - на всех про всех? "Смазанное" в итоге получилось впечатление от этой новости. Кому все-таки предназначены меры поддержки. Если всей отрасли, то это просто мизер. Если только на стимулирование закупки отечественного оборудования для сборки электроники и производителей такого оборудования, ну, еще туда-сюда. Если на производителей оборудования для производства компонентов, и производителей компонентов - этого очень мало. Если на всех... ну, я уже сказал выше.
В целом хотелось бы от авторов подобных программ более четких формулировок, о каком сегменте рынка идет речь в том или ином случае.
UPD: Как видно из слайда презентации, речь идет о всем производственном оборудовании: "Предоставление субсидий российским производителям средств производства на возмещение недополученных доходов, связанных с предоставлением скидки при реализации продукции электронного машиностроения". Спасибо добрым людям за слайд.
@RUSmicro
👍5❤2🔥2
🇷🇺 Производственные технологии. SLM. СВЧ. Антенны, Россия
3D-печать металлом (SLM) в производстве антенн миллиметрового диапазона: практический опыт в РФ
Технология SLM (Selective Laser Melting) постепенно закрепляется в СВЧ-отрасли как рабочий инструмент для изготовления антенн и волноводных компонентов сложной формы в высоких диапазонах (миллиметровые волны).
Один из интересных примеров ее применения — производство рупорных, конусных и рупорно-линзовых антенн из алюминиевого сплава AlSi10Mg. Этот материал хорошо подходит для высокочастотных конструкций благодаря низкой массе и стабильным электрическим свойствам.
На фото — пример D-band рупорно-линзовой антенны с усилением 33 dBi, выполненной методом SLM-печати в компании ДОК (Санкт-Петербург).
Как выглядит основной технологический процесс
▫️ Формирование 3D модели детали в машинном ПО
▫️ Лазер послойно спекает порошок, создавая цельнометаллическую конструкцию. После печати изделие имеет систему поддержек — они удерживают геометрию во время построения.
▫️ Удаление поддержек. Эти перемычки снимаются механически, довольно критичный этап, т.к. важно сохранить точный профиль.
Особенности поверхности
SLM придает деталям характерную шероховатость. В диапазоне до ~170 ГГц (D-band) это допустимо — для антенн важнее точность геометрии, а не зеркальная поверхность, как в случае таких компонентов как мм-волновые фильтры.
Обработка фланцев
Фланцевые поверхности после печати доводятся до уровня высокой точности и чистоты, поскольку именно качество стыков по фланцу с волноводным трактом будет сильно влиять на потери и стабильность соединений.
Финишное золочение (если по требованию ТЗ)
Готовые элементы могут покрываться тонким слоем золота — это улучшает проводимость и повторяемость характеристик.
SLM-печать уверенно занимает свою нишу там, где требуется:
▫️ изготовление сложных форм высокочастотных компонентов, трудных для фрезеровки или токарной обработки;
▫️ быстрая реализация опытных изделий и мелкосерийных партий;
▫️ создание профилей, которые ранее выполняли методом гальванопластики.
Как обычно строится работа с мм-волновыми компонентами
В отраслевой практике сначала формулируются параметры, которые определяют будущую антенну: частотный диапазон, усиление, диаграмма направленности, требования по габаритам.
На этой основе инженеры рассчитывают геометрию и подбирают подходящую производственную технологию, разрабатывают чертежи и определяют, будет ли конструкция выполняться традиционным способом, 3D-печатью, методом гальванопластики или сочетанием сразу нескольких подходов.
В дополнение к этому многие производители держат стандартные модели антенн и волноводов, а для нестандартных задач используют гибридный подход: проектирование с нуля + SLM или гальванопластика, в зависимости от диапазона и требуемой точности.
📌 RUSmicro: На текущем этапе SLM не заменяет традиционные методы (фрезерование, гальванопластику), а дополняет их, занимая нишу быстрого прототипирования, мелкосерийного производства и изготовления деталей со сложнейшей геометрией. Но вполне вероятно, что по мере развития технологий, снижения затрат и накопления экспертизы 3D-печать металлом в России станет такой же обыденной частью инженерного процесса в технологиях мм-волн, как когда-то стала 3D-печать деталей для машин и механизмов.
Сергей Березин, mmwaves_design с гостевым постом для @RUSmicro
3D-печать металлом (SLM) в производстве антенн миллиметрового диапазона: практический опыт в РФ
Технология SLM (Selective Laser Melting) постепенно закрепляется в СВЧ-отрасли как рабочий инструмент для изготовления антенн и волноводных компонентов сложной формы в высоких диапазонах (миллиметровые волны).
Один из интересных примеров ее применения — производство рупорных, конусных и рупорно-линзовых антенн из алюминиевого сплава AlSi10Mg. Этот материал хорошо подходит для высокочастотных конструкций благодаря низкой массе и стабильным электрическим свойствам.
На фото — пример D-band рупорно-линзовой антенны с усилением 33 dBi, выполненной методом SLM-печати в компании ДОК (Санкт-Петербург).
Как выглядит основной технологический процесс
▫️ Формирование 3D модели детали в машинном ПО
▫️ Лазер послойно спекает порошок, создавая цельнометаллическую конструкцию. После печати изделие имеет систему поддержек — они удерживают геометрию во время построения.
▫️ Удаление поддержек. Эти перемычки снимаются механически, довольно критичный этап, т.к. важно сохранить точный профиль.
Особенности поверхности
SLM придает деталям характерную шероховатость. В диапазоне до ~170 ГГц (D-band) это допустимо — для антенн важнее точность геометрии, а не зеркальная поверхность, как в случае таких компонентов как мм-волновые фильтры.
Обработка фланцев
Фланцевые поверхности после печати доводятся до уровня высокой точности и чистоты, поскольку именно качество стыков по фланцу с волноводным трактом будет сильно влиять на потери и стабильность соединений.
Финишное золочение (если по требованию ТЗ)
Готовые элементы могут покрываться тонким слоем золота — это улучшает проводимость и повторяемость характеристик.
SLM-печать уверенно занимает свою нишу там, где требуется:
▫️ изготовление сложных форм высокочастотных компонентов, трудных для фрезеровки или токарной обработки;
▫️ быстрая реализация опытных изделий и мелкосерийных партий;
▫️ создание профилей, которые ранее выполняли методом гальванопластики.
Как обычно строится работа с мм-волновыми компонентами
В отраслевой практике сначала формулируются параметры, которые определяют будущую антенну: частотный диапазон, усиление, диаграмма направленности, требования по габаритам.
На этой основе инженеры рассчитывают геометрию и подбирают подходящую производственную технологию, разрабатывают чертежи и определяют, будет ли конструкция выполняться традиционным способом, 3D-печатью, методом гальванопластики или сочетанием сразу нескольких подходов.
В дополнение к этому многие производители держат стандартные модели антенн и волноводов, а для нестандартных задач используют гибридный подход: проектирование с нуля + SLM или гальванопластика, в зависимости от диапазона и требуемой точности.
📌 RUSmicro: На текущем этапе SLM не заменяет традиционные методы (фрезерование, гальванопластику), а дополняет их, занимая нишу быстрого прототипирования, мелкосерийного производства и изготовления деталей со сложнейшей геометрией. Но вполне вероятно, что по мере развития технологий, снижения затрат и накопления экспертизы 3D-печать металлом в России станет такой же обыденной частью инженерного процесса в технологиях мм-волн, как когда-то стала 3D-печать деталей для машин и механизмов.
Сергей Березин, mmwaves_design с гостевым постом для @RUSmicro
👍8❤2
🇺🇸 Упаковка. EMIB. США
Технология Intel EMIB набирает популярность: станет ли она новой звездой в мире чипов для ИИ и смартфонов?
Технология продвинутой упаковки чипов Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) демонстрирует растущую популярность. Интерес к ней проявляют такие технологические гиганты, как Apple, Qualcomm, Google и M*. Это связано с дефицитом мощностей основного конкурента — TSMC, а также с преимуществами технологии EMIB в плане стоимости и гибкости дизайна для определенных классов продуктов.
Кто и почему проявляет интерес?
Интерес к EMIB подтверждают действия крупных игроков. Apple и Qualcomm размещали вакансии для инженеров, требующие опыта работы с технологией EMIB. Это значит, что компании как минимум исследуют данное направление, возможно, для процессоров смартфонов и чипов для серверов ИИ.
В сегменте AI-чипов (ASIC) также можно наблюдать сдвиг в эту сторону. Аналитики TrendForce сообщают, что крупные облачные провайдеры, включая Google (для TPU v9, ожидаемых в 2027 году) и M* (для ускорителей MTIA), рассматривают EMIB как альтернативу TSMC CoWoS. Это вызвано острой нехваткой мощностей упаковки у TSMC, которые в значительной степени заняты под заказы NVIDIA и AMD.
Более того, обсуждается такой оригинальный сценарий, как предоставление компанией Intel услуг по упаковке для чипов, произведенных TSMC на фабе в Аризоне.
(В таблице показаны ключевые отличия и преимущества EMIB и CoWoS)
Одним из ключевых преимуществ Intel является наличие мощностей для продвинутой упаковки на территории Соединенных Штатов (фабрики Fab 9 и Fab 11x в Нью-Мексико). Это придает технологии EMIB стратегический вес в условиях, когда США стремятся создать независимую полупроводниковую цепочку поставок.
Чего можно ожидать в ближайшие годы
В среднесрочной перспективе EMIB не заменит CoWoS для высокопроизводительных GPU NVIDIA и AMD. Однако технология займет прочные позиции в сегменте AI-ASIC, где крупные заказчики ищут альтернативы в условиях дефицита мощностей TSMC и стремятся контролировать издержки.
Если Intel сможет стать партнером по упаковки чипов, произведенных TSMC, это обеспечит для этой компании позицию критически важного участника в американской полупроводниковой экосистеме.
Растущий интерес к EMIB со стороны крупнейших производителей электроники сигнализирует о начале диверсификации рынка продвинутой упаковки, который долгое время был монополизирован TSMC. Это хорошо для отрасли.
@RUSmicro
Технология Intel EMIB набирает популярность: станет ли она новой звездой в мире чипов для ИИ и смартфонов?
Технология продвинутой упаковки чипов Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) демонстрирует растущую популярность. Интерес к ней проявляют такие технологические гиганты, как Apple, Qualcomm, Google и M*. Это связано с дефицитом мощностей основного конкурента — TSMC, а также с преимуществами технологии EMIB в плане стоимости и гибкости дизайна для определенных классов продуктов.
Кто и почему проявляет интерес?
Интерес к EMIB подтверждают действия крупных игроков. Apple и Qualcomm размещали вакансии для инженеров, требующие опыта работы с технологией EMIB. Это значит, что компании как минимум исследуют данное направление, возможно, для процессоров смартфонов и чипов для серверов ИИ.
В сегменте AI-чипов (ASIC) также можно наблюдать сдвиг в эту сторону. Аналитики TrendForce сообщают, что крупные облачные провайдеры, включая Google (для TPU v9, ожидаемых в 2027 году) и M* (для ускорителей MTIA), рассматривают EMIB как альтернативу TSMC CoWoS. Это вызвано острой нехваткой мощностей упаковки у TSMC, которые в значительной степени заняты под заказы NVIDIA и AMD.
Более того, обсуждается такой оригинальный сценарий, как предоставление компанией Intel услуг по упаковке для чипов, произведенных TSMC на фабе в Аризоне.
(В таблице показаны ключевые отличия и преимущества EMIB и CoWoS)
Одним из ключевых преимуществ Intel является наличие мощностей для продвинутой упаковки на территории Соединенных Штатов (фабрики Fab 9 и Fab 11x в Нью-Мексико). Это придает технологии EMIB стратегический вес в условиях, когда США стремятся создать независимую полупроводниковую цепочку поставок.
Чего можно ожидать в ближайшие годы
В среднесрочной перспективе EMIB не заменит CoWoS для высокопроизводительных GPU NVIDIA и AMD. Однако технология займет прочные позиции в сегменте AI-ASIC, где крупные заказчики ищут альтернативы в условиях дефицита мощностей TSMC и стремятся контролировать издержки.
Если Intel сможет стать партнером по упаковки чипов, произведенных TSMC, это обеспечит для этой компании позицию критически важного участника в американской полупроводниковой экосистеме.
Растущий интерес к EMIB со стороны крупнейших производителей электроники сигнализирует о начале диверсификации рынка продвинутой упаковки, который долгое время был монополизирован TSMC. Это хорошо для отрасли.
@RUSmicro
👍3
В другом моем канале - публикации по теме российского телеком-оборудования: по регулированию рынка РРЛ и новым изделиям DWDM
🇷🇺 Регулирование. Производство РРЛ. Россия Российские производители РРЛ просят обязать операторов связи закупать только отечественное оборудование
🇷🇺 Телеком-оборудование. DWDM. Россия В Ростелеком завершили испытания DWDM-решений Горизонт компании VPG LaserONE
🇷🇺 Регулирование. Производство РРЛ. Россия Российские производители РРЛ просят обязать операторов связи закупать только отечественное оборудование
🇷🇺 Телеком-оборудование. DWDM. Россия В Ростелеком завершили испытания DWDM-решений Горизонт компании VPG LaserONE
👍2❤1
🇫🇮 Квантовые компьютеры (сверхпроводящие). Производственные мощности. Финляндия
Европа наращивает мощности в квантовой гонке: IQM инвестирует в расширение производства в Финляндии
Европейская компания IQM Quantum Computers, работающая в области квантовых вычислений, объявила 26 ноября 2025 года о масштабных инвестициях в размере более 40 млн евро в расширение своей производственной площадки в Финляндии. Этот шаг направлен на удвоение производственных мощностей и укрепление технологического суверенитета Европы на фоне глобальной конкуренции в передовой области. Об этом рассказывает Reuters.
Расширение производства
Инвестиции будут направлены на расширение существующего комплекса в Эспоо до 8000 квадратных метров.
Основные усовершенствования включают:
🔸 Площадь чистых комнат будет увеличена почти вдвое для производства продвинутых квантовых чипов, предназначенных для компьютеров с коррекцией ошибок.
🔸 Мощности по сборке систем также удвоятся, за счет новой сборочной линии, что позволит компании выпускать до 30 полноценных квантовых компьютеров в год.
Ожидается, что расширение будет завершено к 1q2026.
Как отметил вице-президент по операциям IQM Паси Кивинен, в результате это станет "одним из самых передовых в мире производственных объектов для квантовых компьютеров, сочетающим сборочные линии и производство чипов"
Что это означает в разрезе геополитики?
Инвестиция укрепляет квантовый производственный цикл в Финляндии и Европе, что соответствует инициативам ЕС, направленным на обеспечение технологической независимости и глобальной конкурентоспособности региона. Насколько это возможно для современной ЕС.
На фоне интенсивной международной конкуренции в сфере квантовых технологий данный шаг позиционируется как способ уменьшить зависимость Европы от неевропейских поставщиков критически важных технологий.
Инвестиция в новые производственные мощности должна ускорить разработку и вывод на рынок масштабируемых квантовых систем с коррекцией ошибок. Со-основатель и генеральный директор IQM Ян Гётц отметил, что усиление возможностей по производству чипов для технологий коррекции ошибок укрепит лидерство компании в области сверхпроводящих квантовых вычислений.
Компания ставит перед собой амбициозные цели по созданию квантовых компьютеров с 1 миллионом кубитов к 2033 году и достижению устойчивой к сбоям (fault-tolerant) квантовой обработки информации к 2030 году.
@RUSmicro
Европа наращивает мощности в квантовой гонке: IQM инвестирует в расширение производства в Финляндии
Европейская компания IQM Quantum Computers, работающая в области квантовых вычислений, объявила 26 ноября 2025 года о масштабных инвестициях в размере более 40 млн евро в расширение своей производственной площадки в Финляндии. Этот шаг направлен на удвоение производственных мощностей и укрепление технологического суверенитета Европы на фоне глобальной конкуренции в передовой области. Об этом рассказывает Reuters.
Расширение производства
Инвестиции будут направлены на расширение существующего комплекса в Эспоо до 8000 квадратных метров.
Основные усовершенствования включают:
🔸 Площадь чистых комнат будет увеличена почти вдвое для производства продвинутых квантовых чипов, предназначенных для компьютеров с коррекцией ошибок.
🔸 Мощности по сборке систем также удвоятся, за счет новой сборочной линии, что позволит компании выпускать до 30 полноценных квантовых компьютеров в год.
Ожидается, что расширение будет завершено к 1q2026.
Как отметил вице-президент по операциям IQM Паси Кивинен, в результате это станет "одним из самых передовых в мире производственных объектов для квантовых компьютеров, сочетающим сборочные линии и производство чипов"
Что это означает в разрезе геополитики?
Инвестиция укрепляет квантовый производственный цикл в Финляндии и Европе, что соответствует инициативам ЕС, направленным на обеспечение технологической независимости и глобальной конкурентоспособности региона. Насколько это возможно для современной ЕС.
На фоне интенсивной международной конкуренции в сфере квантовых технологий данный шаг позиционируется как способ уменьшить зависимость Европы от неевропейских поставщиков критически важных технологий.
Инвестиция в новые производственные мощности должна ускорить разработку и вывод на рынок масштабируемых квантовых систем с коррекцией ошибок. Со-основатель и генеральный директор IQM Ян Гётц отметил, что усиление возможностей по производству чипов для технологий коррекции ошибок укрепит лидерство компании в области сверхпроводящих квантовых вычислений.
Компания ставит перед собой амбициозные цели по созданию квантовых компьютеров с 1 миллионом кубитов к 2033 году и достижению устойчивой к сбоям (fault-tolerant) квантовой обработки информации к 2030 году.
@RUSmicro
👀2❤1
🇺🇸 GaN. Участники рынка. США
GlobalFoundries переходит на GaN - США станет центром производства GaN, наряду с Китаем
Поскольку TSMC объявила о планах перестать выпускать полупроводники на пластинах GaN к 2027 году, этой возможностью воспользуется другой крупный производитель. GlobalFoundries намерена усилить свой бизнес в области GaN, предпринимая шаги, которые, по данным EE Times, могут сделать её ключевым центром производства GaN в США. Об этом рассказывает TrendForce.
10 ноября 2025 года GlobalFoundries объявила о заключении соглашения с TSMC о лицензировании технологий для 650В и 80В GaN-процессов. Высоковольтная 650В платформа, как сообщается, используется в таких устройствах, как адаптеры питания, приводы двигателей и фотоэлектрические преобразователи, в то время как средневольтные 80В узлы предназначены для систем питания серверов и ноутбуков.
EE Times отмечает, что компания TSMC, пионер в области GaN-на-кремнии, начала разработку GaN в 2011 году и начала массовое производство в 2015 году, преодолевая ряд таких технологических трудностей, например, как коробление пластин и контроль загрязнений. В отчёте говорится, что благодаря высоким стандартам надёжности TSMC и сертификации JEDEC/MIL-STD, GlobalFoundries может получить значительную выгоду от этого соглашения.
Navitas выбирает с кем остаться
Примечательно, что вскоре после того, как GF заключила лицензионное соглашение с TSMC, калифорнийская компания Navitas Semiconductor, которая было объявила в начале июля 2025 года о стратегическом партнёрстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) для развития технологии 200-мм GaN-на-кремнии, объявила о новом сотрудничестве с GF в области литейного производства. По данным EE Times, разработка запланирована на начало 2026 года, а производство полупроводников на основе GaN ожидается в том же году.
Navitas совершила прорыв в 2017 году, когда началось серийное производство силовых микросхем GaNFast производства TSMC, которые используются в быстрых зарядных устройствах таких брендов, как Anker, Lenovo и Xiaomi. С тех пор Navitas стала ключевым покупателем GaN-компонентов TSMC.
По оценкам TrendForce, в 2024 году Navitas будет занимать 16,5% мирового рынка силовых GaN-устройств, уступая только Innoscience (29,9%) и опережая EPC (12,4%), Infineon (10,3%) и Power Integrations (9,8%).
Создается американский GaN-хаб?
Примечательно, что, как отмечает EE Times, с переходом Navitas, отвечающей за почти половину производства пластин GaN TSMC, на GF, этот шаг может отражать более масштабные усилия по переносу стратегической цепочки поставок полупроводников в США с одновременным созданием устойчивой производственной базы для технологии GaN в США.
Похоже, эта идея набирает популярность. В конце 2024 года GlobalFoundries объявила о дополнительном финансировании из федерального бюджета США в размере $9,5 млн для наращивания усилий по производству GaN. EE Times также отмечает, что GF получила более $80 млн от правительства США на свои инициативы, связанные с GaN.
Тем временем GF также расширяет свои возможности в области GaN. EE Times подчеркивает, что в 2024 году компания приобрела интеллектуальные активы Tagore Technology в области GaN, что усилило ее стремление к крупномасштабному производству этой широкозонной технологии. Ожидается, что GF также захватит значительную долю существующего бизнеса TSMC по производству пластин GaN, особенно у американских поставщиков чипов GaN.
По мере того, как китайские конкуренты, во главе с Innoscience, укрепляют свои позиции на рынке GaN, эта технология становится всё более важным направлением для США в плане укрепления внутренней цепочки поставок полупроводников. Расширение GlobalFoundries подчёркивает этот стремления к расширению местных возможностей в области широкозонных полупроводников, которые найдут применение в самых разных областях — от центров обработки данных с искусственным интеллектом до электромобилей.
@RUSmicro
GlobalFoundries переходит на GaN - США станет центром производства GaN, наряду с Китаем
Поскольку TSMC объявила о планах перестать выпускать полупроводники на пластинах GaN к 2027 году, этой возможностью воспользуется другой крупный производитель. GlobalFoundries намерена усилить свой бизнес в области GaN, предпринимая шаги, которые, по данным EE Times, могут сделать её ключевым центром производства GaN в США. Об этом рассказывает TrendForce.
10 ноября 2025 года GlobalFoundries объявила о заключении соглашения с TSMC о лицензировании технологий для 650В и 80В GaN-процессов. Высоковольтная 650В платформа, как сообщается, используется в таких устройствах, как адаптеры питания, приводы двигателей и фотоэлектрические преобразователи, в то время как средневольтные 80В узлы предназначены для систем питания серверов и ноутбуков.
EE Times отмечает, что компания TSMC, пионер в области GaN-на-кремнии, начала разработку GaN в 2011 году и начала массовое производство в 2015 году, преодолевая ряд таких технологических трудностей, например, как коробление пластин и контроль загрязнений. В отчёте говорится, что благодаря высоким стандартам надёжности TSMC и сертификации JEDEC/MIL-STD, GlobalFoundries может получить значительную выгоду от этого соглашения.
Navitas выбирает с кем остаться
Примечательно, что вскоре после того, как GF заключила лицензионное соглашение с TSMC, калифорнийская компания Navitas Semiconductor, которая было объявила в начале июля 2025 года о стратегическом партнёрстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) для развития технологии 200-мм GaN-на-кремнии, объявила о новом сотрудничестве с GF в области литейного производства. По данным EE Times, разработка запланирована на начало 2026 года, а производство полупроводников на основе GaN ожидается в том же году.
Navitas совершила прорыв в 2017 году, когда началось серийное производство силовых микросхем GaNFast производства TSMC, которые используются в быстрых зарядных устройствах таких брендов, как Anker, Lenovo и Xiaomi. С тех пор Navitas стала ключевым покупателем GaN-компонентов TSMC.
По оценкам TrendForce, в 2024 году Navitas будет занимать 16,5% мирового рынка силовых GaN-устройств, уступая только Innoscience (29,9%) и опережая EPC (12,4%), Infineon (10,3%) и Power Integrations (9,8%).
Создается американский GaN-хаб?
Примечательно, что, как отмечает EE Times, с переходом Navitas, отвечающей за почти половину производства пластин GaN TSMC, на GF, этот шаг может отражать более масштабные усилия по переносу стратегической цепочки поставок полупроводников в США с одновременным созданием устойчивой производственной базы для технологии GaN в США.
Похоже, эта идея набирает популярность. В конце 2024 года GlobalFoundries объявила о дополнительном финансировании из федерального бюджета США в размере $9,5 млн для наращивания усилий по производству GaN. EE Times также отмечает, что GF получила более $80 млн от правительства США на свои инициативы, связанные с GaN.
Тем временем GF также расширяет свои возможности в области GaN. EE Times подчеркивает, что в 2024 году компания приобрела интеллектуальные активы Tagore Technology в области GaN, что усилило ее стремление к крупномасштабному производству этой широкозонной технологии. Ожидается, что GF также захватит значительную долю существующего бизнеса TSMC по производству пластин GaN, особенно у американских поставщиков чипов GaN.
По мере того, как китайские конкуренты, во главе с Innoscience, укрепляют свои позиции на рынке GaN, эта технология становится всё более важным направлением для США в плане укрепления внутренней цепочки поставок полупроводников. Расширение GlobalFoundries подчёркивает этот стремления к расширению местных возможностей в области широкозонных полупроводников, которые найдут применение в самых разных областях — от центров обработки данных с искусственным интеллектом до электромобилей.
@RUSmicro
👍3❤1
🇰🇷 Микросхемы памяти. Искусственный интеллект. Корея
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 со скоростью 48 Гбит/с; Samsung демонстрирует HBM4
Южнокорейские чип-гиганты готовят новые технологии для удовлетворения растущего спроса на ИИ. По данным ZDNet, Samsung Electronics и SK hynix планируют представить широкую линейку решений DRAM следующего поколения на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) 2026 года.
SK hynix представит свои новейшие GDDR7 и LPDDR6 для графических и мобильных приложений, а Samsung Electronics представит HBM4. Об этом рассказывает TrendForce.
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 следующего поколения
SK hynix представляет GDDR7 с пропускной способностью на вывод 48 Гбит/с и плотностью 24 Гбит. Чип использует симметричную двухканальную архитектуру, ориентированную на приложения с высокой пропускной способностью, такие как графические процессоры, периферийные решения для ИИ и игры.
Главный интерес представляют нестандартные характеристики памяти GDDR7 DRAM, которую SK hynix планирует представить. Хотя отрасль ожидала, что GDDR7 следующего поколения достигнет пиковой скорости около 32–37 Гбит/с, SK hynix представит доклад на ISSCC, демонстрирующий скорость 48 Гбит/с и плотность 24 Гбит, что, как отмечает издание Global Economic News, говорит о технологическом лидерстве.
В отчёте Global Economic News отмечается, что это представляет собой более чем 70%-ный скачок скорости передачи данных по сравнению с сегодняшней GDDR7 28 Гбит/с. Пропускная способность на чип достигает 192 ГБ/с по сравнению с примерно 112 ГБ/с у существующих продуктов 28 Гбит/с — технологический прорыв, который кардинально меняет парадигму производительности графической памяти DRAM.
ZDNet также отмечает, что компания впервые представила LPDDR6 со скоростью передачи данных 14,4 Гбит/с. Благодаря существенному увеличению пропускной способности по сравнению с LPDDR5 (9,6 Гбит/с), эта память позиционируется как мобильное решение DRAM, оптимизированное для высокопроизводительных смартфонов, ПК с искусственным интеллектом и периферийных устройств с возможностями генеративного ИИ.
Samsung представляет HBM4 нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта
Тем временем, как сообщает ZDNet, Samsung Electronics представляет HBM4 нового поколения, ёмкостью 36 ГБ и пропускной способностью 3,3 ТБ/с. HBM4, созданная на основе одноканальной технологии DRAM, усовершенствовала архитектуру TSV (Through-Silicon Via), что позволило сократить межканальные задержки сигнала и обеспечить сверхвысокую пропускную способность и энергосберегающую передачу данных, необходимые для будущих ускорителей искусственного интеллекта.
Как отмечает ZDNet, HBM4 от Samsung обеспечивает значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. Важно отметить, что он обеспечивает пропускную способность более 3 ТБ/с, необходимую ведущим производителям графических процессоров и специализированных микросхем для ИИ, и, как ожидается, получит широкое применение в серверных ускорителях ИИ, начиная со следующего года.
В настоящее время Samsung ведёт переговоры с NVIDIA о ценах на HBM4 в следующем году. Как сообщает Dealsite со ссылкой на источники, NVIDIA пригласила Samsung Electronics за стол переговоров всего через неделю после заключения контракта на поставку HBM4 с SK hynix. В отчёте также говорится, что, учитывая превышение спроса на HBM4 над предложением и отсутствие серьёзных стимулов для снижения цен на единицу продукции, Samsung Electronics стремится к тому же уровню цен, что и SK hynix на свою 12-слойную память HBM4.
@RUSmicro
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 со скоростью 48 Гбит/с; Samsung демонстрирует HBM4
Южнокорейские чип-гиганты готовят новые технологии для удовлетворения растущего спроса на ИИ. По данным ZDNet, Samsung Electronics и SK hynix планируют представить широкую линейку решений DRAM следующего поколения на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) 2026 года.
SK hynix представит свои новейшие GDDR7 и LPDDR6 для графических и мобильных приложений, а Samsung Electronics представит HBM4. Об этом рассказывает TrendForce.
SK hynix представляет GDDR7 и LPDDR6 следующего поколения
SK hynix представляет GDDR7 с пропускной способностью на вывод 48 Гбит/с и плотностью 24 Гбит. Чип использует симметричную двухканальную архитектуру, ориентированную на приложения с высокой пропускной способностью, такие как графические процессоры, периферийные решения для ИИ и игры.
Главный интерес представляют нестандартные характеристики памяти GDDR7 DRAM, которую SK hynix планирует представить. Хотя отрасль ожидала, что GDDR7 следующего поколения достигнет пиковой скорости около 32–37 Гбит/с, SK hynix представит доклад на ISSCC, демонстрирующий скорость 48 Гбит/с и плотность 24 Гбит, что, как отмечает издание Global Economic News, говорит о технологическом лидерстве.
В отчёте Global Economic News отмечается, что это представляет собой более чем 70%-ный скачок скорости передачи данных по сравнению с сегодняшней GDDR7 28 Гбит/с. Пропускная способность на чип достигает 192 ГБ/с по сравнению с примерно 112 ГБ/с у существующих продуктов 28 Гбит/с — технологический прорыв, который кардинально меняет парадигму производительности графической памяти DRAM.
ZDNet также отмечает, что компания впервые представила LPDDR6 со скоростью передачи данных 14,4 Гбит/с. Благодаря существенному увеличению пропускной способности по сравнению с LPDDR5 (9,6 Гбит/с), эта память позиционируется как мобильное решение DRAM, оптимизированное для высокопроизводительных смартфонов, ПК с искусственным интеллектом и периферийных устройств с возможностями генеративного ИИ.
Samsung представляет HBM4 нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта
Тем временем, как сообщает ZDNet, Samsung Electronics представляет HBM4 нового поколения, ёмкостью 36 ГБ и пропускной способностью 3,3 ТБ/с. HBM4, созданная на основе одноканальной технологии DRAM, усовершенствовала архитектуру TSV (Through-Silicon Via), что позволило сократить межканальные задержки сигнала и обеспечить сверхвысокую пропускную способность и энергосберегающую передачу данных, необходимые для будущих ускорителей искусственного интеллекта.
Как отмечает ZDNet, HBM4 от Samsung обеспечивает значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. Важно отметить, что он обеспечивает пропускную способность более 3 ТБ/с, необходимую ведущим производителям графических процессоров и специализированных микросхем для ИИ, и, как ожидается, получит широкое применение в серверных ускорителях ИИ, начиная со следующего года.
В настоящее время Samsung ведёт переговоры с NVIDIA о ценах на HBM4 в следующем году. Как сообщает Dealsite со ссылкой на источники, NVIDIA пригласила Samsung Electronics за стол переговоров всего через неделю после заключения контракта на поставку HBM4 с SK hynix. В отчёте также говорится, что, учитывая превышение спроса на HBM4 над предложением и отсутствие серьёзных стимулов для снижения цен на единицу продукции, Samsung Electronics стремится к тому же уровню цен, что и SK hynix на свою 12-слойную память HBM4.
@RUSmicro
👍4❤2
🇨🇳 Чипы ИИ. Тензорные процессоры. TPU. Китай
Китайский стартап заявляет о TPU в 1.5 раза более производительном, чем Nvidia A199
Китайский стартап Zhonghao Xinying заявил о создании тензорного процессора, который, по словам компании, превосходит по производительности чип Nvidia A100. Компания позиционирует себя как внутренняя альтернатива, что актуально на фоне ограничений доступа Китая к передовым иностранным полупроводниковым технологиям.
Флагманский чип компании под названием Chana, по ее утверждению, демонстрирует в 1.5 раза более высокую производительность при обучении больших моделей по сравнению с графическим процессором NVIDIA A100. Также заявлено о снижении энергопотребления на 30% и сокращении стоимости вычислений до 42% относительно показателей решений Nvidia.
Китайская компания подчеркивает полную самодостаточность, используя собственные IP-блоки, систему команд и программный стек, разработанные внутри компании без опоры на иностранные технологические лицензии.
Чип Chana производится по 12нм техпроцессу и уже запущен в массовое производство. Также компания создала вычислительный кластер Taize, объединяющий 1024 процессора Chana для обучения моделей с триллионом параметров.
Руководство компании обязалось провести IPO до конца 2026 года в соответствии с соглашением с инвесторами.
За этими китайскими техночудесами просматриваются американские ноу-хау. Основатель Zhonghao Xinying, Янгонг Ифань, ранее работал в Google над архитектурой тензорных процессоров с v2 по v4 поколения. Сообщается, что в компании работает команда инженеров с опытом в Oracle и Samsung.
@RUSmicro
Китайский стартап заявляет о TPU в 1.5 раза более производительном, чем Nvidia A199
Китайский стартап Zhonghao Xinying заявил о создании тензорного процессора, который, по словам компании, превосходит по производительности чип Nvidia A100. Компания позиционирует себя как внутренняя альтернатива, что актуально на фоне ограничений доступа Китая к передовым иностранным полупроводниковым технологиям.
Флагманский чип компании под названием Chana, по ее утверждению, демонстрирует в 1.5 раза более высокую производительность при обучении больших моделей по сравнению с графическим процессором NVIDIA A100. Также заявлено о снижении энергопотребления на 30% и сокращении стоимости вычислений до 42% относительно показателей решений Nvidia.
Китайская компания подчеркивает полную самодостаточность, используя собственные IP-блоки, систему команд и программный стек, разработанные внутри компании без опоры на иностранные технологические лицензии.
Чип Chana производится по 12нм техпроцессу и уже запущен в массовое производство. Также компания создала вычислительный кластер Taize, объединяющий 1024 процессора Chana для обучения моделей с триллионом параметров.
Руководство компании обязалось провести IPO до конца 2026 года в соответствии с соглашением с инвесторами.
За этими китайскими техночудесами просматриваются американские ноу-хау. Основатель Zhonghao Xinying, Янгонг Ифань, ранее работал в Google над архитектурой тензорных процессоров с v2 по v4 поколения. Сообщается, что в компании работает команда инженеров с опытом в Oracle и Samsung.
@RUSmicro
👍11❤4👏1
🇷🇺 Отечественное оборудование. Разработка. Электронно-лучевые литографы. Фотошаблоны. Россия
В НПП ЭСТО разрабатывают электронно-лучевой литограф 150нм
О шагах по созданию установки рассказали в Томске на научно-техническом семинаре «Актуальные технологии и оборудование для литографии и обработки фоторезистов» - сообщает сайт компании.
По данным докладчика, на данный момент полностью готовы технический проект и конструкторская документация. Уже собраны и прошли испытания макеты ключевых элементов будущего литографа, а также проведено необходимое компьютерное моделирование его работы. Ориентировочные сроки завершения работ и передачи установки заказчику в открытых источниках не сообщаются.
Значимость разработки и планы по развитию
Электронно-лучевая литография — это метод нанолитографии, который позволяет получать структуры с высоким разрешением и является основным способом изготовления высокоточных фотошаблонов (масок) для последующего массового производства интегральных схем. Разрабатываемый литограф мог бы закрыть критически важную потребность российской микроэлектроники в создании подобных шаблонов.
В перспективе инженеры «ЭСТО» планируют усовершенствовать установку для работы с техпроцессом 90 нм. Также в дорожной карте значится внедрение системы автоматической перегрузки SMIF-контейнеров — это решение компания ранее представляла на международной выставке вакуумного оборудования VacuumTechExpo в апреле 2025 года, что подтверждает ее активность в развитии смежных технологий.
@RUSmicro
В НПП ЭСТО разрабатывают электронно-лучевой литограф 150нм
О шагах по созданию установки рассказали в Томске на научно-техническом семинаре «Актуальные технологии и оборудование для литографии и обработки фоторезистов» - сообщает сайт компании.
По данным докладчика, на данный момент полностью готовы технический проект и конструкторская документация. Уже собраны и прошли испытания макеты ключевых элементов будущего литографа, а также проведено необходимое компьютерное моделирование его работы. Ориентировочные сроки завершения работ и передачи установки заказчику в открытых источниках не сообщаются.
Значимость разработки и планы по развитию
Электронно-лучевая литография — это метод нанолитографии, который позволяет получать структуры с высоким разрешением и является основным способом изготовления высокоточных фотошаблонов (масок) для последующего массового производства интегральных схем. Разрабатываемый литограф мог бы закрыть критически важную потребность российской микроэлектроники в создании подобных шаблонов.
В перспективе инженеры «ЭСТО» планируют усовершенствовать установку для работы с техпроцессом 90 нм. Также в дорожной карте значится внедрение системы автоматической перегрузки SMIF-контейнеров — это решение компания ранее представляла на международной выставке вакуумного оборудования VacuumTechExpo в апреле 2025 года, что подтверждает ее активность в развитии смежных технологий.
@RUSmicro
nppesto.ru
Роман Кубраков из АО «НПП «ЭСТО» представил прорывную разработку на семинаре в Томске
27 ноября 2...
27 ноября 2...
👍20❤6
📈 Тантал. Конденсаторы. Цены
На рынке танталовых конденсаторов растут цены – «спасибо» ИИ
Panasonic, по сообщениям, повышает цены на танталовые конденсаторы на 15-30%. Причина тому, высокие темпы расширения ЦОД на базе серверов ИИ. Общеизвестно, что это уже привело к дефициту высокоскоростной памяти, но растет спрос и на другие необходимые компоненты. Производственная база не успевает за спросом, что позволяет производителям поднимать цены на свою продукцию. Об этом рассказывает TrendForce.
Как отмечает Commercial Times, это первое повышение цен Panasonic в 2025 году после предыдущего повышения в декабре 2024 года. Economic Daily News добавляет, что корректировки, охватывающие спецификации танталовых полимерных конденсаторов с номиналом 30–40%, вступят в силу 1 февраля 2026 года и направлены на компенсацию роста затрат на материалы, процессы и производственное оборудование.
По данным Commercial Times, в условиях олигополистических цепочек поставок тантала и длительных сроков поставки отрасль может готовиться к очередному масштабному ценовому скачку в 2026 году.
В выигрыше окажется не только Panasonic, но и тайваньская Yageo и еще ряд компаний.
Мировой рынок танталовых конденсаторов остаётся высококонцентрированным: три крупнейших игрока — KEMET, AVX и Vishay — в совокупности занимают почти 60–70% рынка (Все эти производства размещаются в США, хотя AVX принадлежит японцам, Kyocera; а KEMET - тайваньской Yageo). Доля Panasonic, в свою очередь, примерно равна доле Vishay и составляет около 10%, согласно Commercial Times.
KEMET, входящая в состав тайваньской компании Yageo, лидирует в этом сегменте, занимая более 40% мировых мощностей. Компании Yageo танталовые конденсаторы обеспечивают около 23% выручки, что делает эту линейку продукции второй по величине после магнитных компонентов, отмечает Commercial Times.
Примечательно, что издание Economic Daily News сообщает, что Yageo ранее уже повышала цены на танталовые конденсаторы, добавляя, что гигант пассивных компонентов начал первый раунд повышения цен в июне 2025 года, а затем в конце октября вновь поднял цены на большие высоковольтные полимерные танталовые конденсаторы (KO-CAP) на 20–30%.
Почему танталовые конденсаторы пользуются высоким спросом
Издание Commercial Times поясняет, что рост цен на танталовые конденсаторы обусловлен не только ростом затрат на первоначальный этап производства, например, на танталовый порошок, но и растущим спросом на серверы ИИ. Эти высококачественные и высокопроизводительные компоненты, которые ранее использовались преимущественно в военных и аэрокосмических приложениях, теперь всё чаще используются в потребительской электронике, в первую очередь в Apple, отмечается в отчёте. В нём также отмечается, что последний всплеск спроса обусловлен их интеграцией в серверы на базе ASIC, что вызвало новую волну спроса.
Примечательно, что в отчёте отмечается, что как серверы на базе Nvidia GB300, так и серверы на базе ASIC были отмечены отраслью за использование танталовых конденсаторов — в этой области пока отсутствуют известные японские и корейские производители пассивных компонентов.
Так что можем готовиться к новой волне повсеместного роста цен на танталовые конденсаторы.
@RUSmicro, картинка - TrendForce
На рынке танталовых конденсаторов растут цены – «спасибо» ИИ
Panasonic, по сообщениям, повышает цены на танталовые конденсаторы на 15-30%. Причина тому, высокие темпы расширения ЦОД на базе серверов ИИ. Общеизвестно, что это уже привело к дефициту высокоскоростной памяти, но растет спрос и на другие необходимые компоненты. Производственная база не успевает за спросом, что позволяет производителям поднимать цены на свою продукцию. Об этом рассказывает TrendForce.
Как отмечает Commercial Times, это первое повышение цен Panasonic в 2025 году после предыдущего повышения в декабре 2024 года. Economic Daily News добавляет, что корректировки, охватывающие спецификации танталовых полимерных конденсаторов с номиналом 30–40%, вступят в силу 1 февраля 2026 года и направлены на компенсацию роста затрат на материалы, процессы и производственное оборудование.
По данным Commercial Times, в условиях олигополистических цепочек поставок тантала и длительных сроков поставки отрасль может готовиться к очередному масштабному ценовому скачку в 2026 году.
В выигрыше окажется не только Panasonic, но и тайваньская Yageo и еще ряд компаний.
Мировой рынок танталовых конденсаторов остаётся высококонцентрированным: три крупнейших игрока — KEMET, AVX и Vishay — в совокупности занимают почти 60–70% рынка (Все эти производства размещаются в США, хотя AVX принадлежит японцам, Kyocera; а KEMET - тайваньской Yageo). Доля Panasonic, в свою очередь, примерно равна доле Vishay и составляет около 10%, согласно Commercial Times.
KEMET, входящая в состав тайваньской компании Yageo, лидирует в этом сегменте, занимая более 40% мировых мощностей. Компании Yageo танталовые конденсаторы обеспечивают около 23% выручки, что делает эту линейку продукции второй по величине после магнитных компонентов, отмечает Commercial Times.
Примечательно, что издание Economic Daily News сообщает, что Yageo ранее уже повышала цены на танталовые конденсаторы, добавляя, что гигант пассивных компонентов начал первый раунд повышения цен в июне 2025 года, а затем в конце октября вновь поднял цены на большие высоковольтные полимерные танталовые конденсаторы (KO-CAP) на 20–30%.
Почему танталовые конденсаторы пользуются высоким спросом
Издание Commercial Times поясняет, что рост цен на танталовые конденсаторы обусловлен не только ростом затрат на первоначальный этап производства, например, на танталовый порошок, но и растущим спросом на серверы ИИ. Эти высококачественные и высокопроизводительные компоненты, которые ранее использовались преимущественно в военных и аэрокосмических приложениях, теперь всё чаще используются в потребительской электронике, в первую очередь в Apple, отмечается в отчёте. В нём также отмечается, что последний всплеск спроса обусловлен их интеграцией в серверы на базе ASIC, что вызвало новую волну спроса.
Примечательно, что в отчёте отмечается, что как серверы на базе Nvidia GB300, так и серверы на базе ASIC были отмечены отраслью за использование танталовых конденсаторов — в этой области пока отсутствуют известные японские и корейские производители пассивных компонентов.
Так что можем готовиться к новой волне повсеместного роста цен на танталовые конденсаторы.
@RUSmicro, картинка - TrendForce
👍4
(2) А что в России?
В России тоже есть производство танталовых конденсаторов, например, Элеконд, Удмуртия. Компания инвестировала 400 млн рублей в новый цех по выпуску танталовых конденсаторов.
Россия исторически импортировала около 50 тонн тантала в год, в основном из Казахстана, Китая и Эстонии. Понятно, что сейчас не все эти цепочки поставки сохранились, да и в целом лучше меньше зависеть даже от так называемых «дружественных» юрисдикций. Благо в России есть Соликамский магниевый завод, который перерабатывает лопаритовый концентрат с Ловозерского месторождения (Кольский полуостров) в оксид тантала (полного цикла до металла в пока не налажено, завод в основном продает свою продукцию в Казахстан). Есть еще месторождение Зашихтинское в Иркутской области, откуда можно было бы получать тантал (а также ниобий и цирконий), но этот проект требует финансирования.
Можно вспомнить также о том, что Минпромторг в 2023 году объявил тендер на 300 млн рублей на разработку технологии производства танталового порошка "конденсаторного класса", которое планируется создать к 2025 году.
@RUSmicro
В России тоже есть производство танталовых конденсаторов, например, Элеконд, Удмуртия. Компания инвестировала 400 млн рублей в новый цех по выпуску танталовых конденсаторов.
Россия исторически импортировала около 50 тонн тантала в год, в основном из Казахстана, Китая и Эстонии. Понятно, что сейчас не все эти цепочки поставки сохранились, да и в целом лучше меньше зависеть даже от так называемых «дружественных» юрисдикций. Благо в России есть Соликамский магниевый завод, который перерабатывает лопаритовый концентрат с Ловозерского месторождения (Кольский полуостров) в оксид тантала (полного цикла до металла в пока не налажено, завод в основном продает свою продукцию в Казахстан). Есть еще месторождение Зашихтинское в Иркутской области, откуда можно было бы получать тантал (а также ниобий и цирконий), но этот проект требует финансирования.
Можно вспомнить также о том, что Минпромторг в 2023 году объявил тендер на 300 млн рублей на разработку технологии производства танталового порошка "конденсаторного класса", которое планируется создать к 2025 году.
@RUSmicro
❤7👍6
📈 Горизонты технологий. Память. HBM. HBF
К 2040 году производительность памяти HBM9 может вырасти в 60 раз?
HBM4 только-только выходит в серию, а главный исследователь Корейского центра нанотехнологий NNFC, Ян Джун-мо, прогнозирует, что HBM9, появление которой ожидается через 15 лет, будет обеспечивать производительность в 60 раз выше! Как ожидается, это будет память с 32 слоями, которая сможет обеспечивать пропускную способность в 128 ТБ/с. Об этом рассказывает TrendForce.
Количество каналов ввода/вывода у этой памяти может вырасти до 32 768, объем памяти должен вырасти с 24 ГБ у HBM4 до 96 ГБ в HBM9.
Как собираются этого добиться?
Прежде всего, за счет передовых решений упаковки. Существующая технология с микровыпуклостями (microbumps) может поддерживать не более 16 слоев. Превышение этого порога сделало бы корпуса HBM-GPU слишком высокими.
Ожидается, что начиная с HBM7 будет использоваться прямое соединение «медь-в-медь» без микровыпуклостей, его также называют гибридным медным соединением или HCB (Hybrid Copper Bonding). Переход к этому способу позволит поместить в корпус приемлемой высоты более 30 слоев.
Прогнозируется, что у HBM7, выпуск которого ожидается около 2034 года, их будет 24. При разработке HBM, технологии соединения внутренних компонентов будут столь же важными, как и технологии внешних соединений.
Серьезной проблемой остается управление теплом. Если HBM4 использует жидкостное охлаждение «прямо на чип» (D2C – direct-to-chip), то в HBM5 ожидается переход на иммерсивное охлаждение. Для HBM7 вероятно использование встраиваемых систем охлаждения.
А что там с флэш-памятью?
По мере развития от генеративного ИИ к агентному ИИ, опора исключительно на HBM/DRAM может оказаться недостаточной. Хотя HBF память не столь быстрая, но обладает значительно большей емкостью и может оказаться широко востребованной. Для этого, однако, предстоит решить проблему ограниченной надежности чтения/записи. Современная NAND-память с трёхуровневыми ячейками (TLC) как правило обеспечивают лишь от 1000 до 3000 циклов программирования/стирания на ячейку.
@RUSmicro
К 2040 году производительность памяти HBM9 может вырасти в 60 раз?
HBM4 только-только выходит в серию, а главный исследователь Корейского центра нанотехнологий NNFC, Ян Джун-мо, прогнозирует, что HBM9, появление которой ожидается через 15 лет, будет обеспечивать производительность в 60 раз выше! Как ожидается, это будет память с 32 слоями, которая сможет обеспечивать пропускную способность в 128 ТБ/с. Об этом рассказывает TrendForce.
Количество каналов ввода/вывода у этой памяти может вырасти до 32 768, объем памяти должен вырасти с 24 ГБ у HBM4 до 96 ГБ в HBM9.
Как собираются этого добиться?
Прежде всего, за счет передовых решений упаковки. Существующая технология с микровыпуклостями (microbumps) может поддерживать не более 16 слоев. Превышение этого порога сделало бы корпуса HBM-GPU слишком высокими.
Ожидается, что начиная с HBM7 будет использоваться прямое соединение «медь-в-медь» без микровыпуклостей, его также называют гибридным медным соединением или HCB (Hybrid Copper Bonding). Переход к этому способу позволит поместить в корпус приемлемой высоты более 30 слоев.
Прогнозируется, что у HBM7, выпуск которого ожидается около 2034 года, их будет 24. При разработке HBM, технологии соединения внутренних компонентов будут столь же важными, как и технологии внешних соединений.
Серьезной проблемой остается управление теплом. Если HBM4 использует жидкостное охлаждение «прямо на чип» (D2C – direct-to-chip), то в HBM5 ожидается переход на иммерсивное охлаждение. Для HBM7 вероятно использование встраиваемых систем охлаждения.
А что там с флэш-памятью?
По мере развития от генеративного ИИ к агентному ИИ, опора исключительно на HBM/DRAM может оказаться недостаточной. Хотя HBF память не столь быстрая, но обладает значительно большей емкостью и может оказаться широко востребованной. Для этого, однако, предстоит решить проблему ограниченной надежности чтения/записи. Современная NAND-память с трёхуровневыми ячейками (TLC) как правило обеспечивают лишь от 1000 до 3000 циклов программирования/стирания на ячейку.
@RUSmicro
👍5
🇯🇵 Производители памяти HBM. Участники рынка. Япония
Micron инвестирует $9.6 млрд в строительство фабрики по производству микросхем памяти для ИИ в Японии
Micron Technology инвестирует 1.5 трлн иен ($9.6 млрд) в строительство фабрики в Хиросиме на западе Японии. Здесь планируется наладить производство микросхем памяти с высокой пропускной способностью (HBM), сообщает Reuters со ссылкой на Nikkei.
Строительство планируется на существующей площадке в мае 2026 года с планами начать поставки примерно в 2028 году. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии поддержит американский проект суммой до 500 млрд иен ($3.2 млрд).
Расширение производства в Хиросиме, как ожидается, поможет Micron диверсифицировать производство и более активно конкурировать с SK Hynix и Samsung.
@RUSmicro
Micron инвестирует $9.6 млрд в строительство фабрики по производству микросхем памяти для ИИ в Японии
Micron Technology инвестирует 1.5 трлн иен ($9.6 млрд) в строительство фабрики в Хиросиме на западе Японии. Здесь планируется наладить производство микросхем памяти с высокой пропускной способностью (HBM), сообщает Reuters со ссылкой на Nikkei.
Строительство планируется на существующей площадке в мае 2026 года с планами начать поставки примерно в 2028 году. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии поддержит американский проект суммой до 500 млрд иен ($3.2 млрд).
Расширение производства в Хиросиме, как ожидается, поможет Micron диверсифицировать производство и более активно конкурировать с SK Hynix и Samsung.
@RUSmicro
👍6
🇯🇵 14A. Участники рынка. Япония
Планы японской Rapidus на 1.4 нм
Хотя компания продолжает называть предположения о таких планах «спекулятивными», отраслевые СМИ не раз писали о планах строительства второго завода с ориентацией на этот техпроцесс.
Rapidus активно движется к коммерческому производству на своем первом заводом в Титосе на Хоккайдо. Летом 2025 года компания объявила об успешном создании прототипа 2-нм чипа. Массовое производство по 2-нм техпроцессу планируется начать во второй половине 2027 финансового года (который в Японии заканчивается 31 марта 2028 года).
По неподтвержденным официально сообщениям, компания рассматривает возможность начала строительства второго завода в 2027 финансовом году с целью организации производства чипов 1,4-нм. Ожидается, что массовое производство на этом предприятии может стартовать в 2029 году. Полномасштабные НИОКР в области 1,4-нм технологий, по некоторым данным, начнутся уже в 2026 году.
Rapidus создана при активной поддержке японского правительства и консорциума крупных национальных компаний, включая Toyota, Sony и SoftBank. На сегодняшний день компания уже получила около 1,7 трлн иен (более $10 млрд) в виде государственных субсидий и частных инвестиций. В планах правительства — дальнейшее финансирование в размере нескольких сотен миллиардов иен.
Rapidus пытается догнать признанных лидеров в области полупроводникового производства, которые уже активно развивают технологии менее 2 нм.
Планы на техпроцессы 1.4нм (A14) есть еще у трех компаний в мире:
🇹🇼 TSMC, Тайвань. Компания уже приступила к строительству фабрики под A14, массовое производство намечено на 2H2028.
🇺🇸 Intel, США. Компания пока что занята 18A и движется с опережением графика.
🇰🇷 Samsung, Корея. Планы массового производства по техпроцессу 1.4нм переехали с 2027 на 2029 год.
Таким образом Rapidus отстает от конкурентов из США, Тайваня и Кореи на несколько лет. Поскольку все ведущие производители на старте сталкивались с проблемой низкого процента выхода годных, весьма вероятно, что и Rapidus придется пройти через эти же трудности.
У компании есть собственная маркетинговая стратегия. Вместо конкуренции за массовые заказы, Rapidus ориентируется на ограниченный круг клиентов (от 5 до 10), предлагая быстрое мелкосерийное производство и передовые технологии упаковки и корпусирования, объединяя производство и упаковку чипов на одной площадке.
Масштабные планы требуют колоссальных инвестиций. Уже звучали оценки, что на весь путь от строительства фабрики до освоения массового производства может потребоваться до 7 трлн иен (около $54 млрд). В этих условиях для компании критически важно сохранение господдержки, которая, впрочем, пока что оказывается.
Проекты Rapidus представляют собой амбициозную попытку Японии вернуться в элиту мировой полупроводниковой промышленности. Но пока что видно сохраняющееся, как минимум по срокам, отставание от конкурентов из трех других стран.
@RUSmicro
Планы японской Rapidus на 1.4 нм
Хотя компания продолжает называть предположения о таких планах «спекулятивными», отраслевые СМИ не раз писали о планах строительства второго завода с ориентацией на этот техпроцесс.
Rapidus активно движется к коммерческому производству на своем первом заводом в Титосе на Хоккайдо. Летом 2025 года компания объявила об успешном создании прототипа 2-нм чипа. Массовое производство по 2-нм техпроцессу планируется начать во второй половине 2027 финансового года (который в Японии заканчивается 31 марта 2028 года).
По неподтвержденным официально сообщениям, компания рассматривает возможность начала строительства второго завода в 2027 финансовом году с целью организации производства чипов 1,4-нм. Ожидается, что массовое производство на этом предприятии может стартовать в 2029 году. Полномасштабные НИОКР в области 1,4-нм технологий, по некоторым данным, начнутся уже в 2026 году.
Rapidus создана при активной поддержке японского правительства и консорциума крупных национальных компаний, включая Toyota, Sony и SoftBank. На сегодняшний день компания уже получила около 1,7 трлн иен (более $10 млрд) в виде государственных субсидий и частных инвестиций. В планах правительства — дальнейшее финансирование в размере нескольких сотен миллиардов иен.
Rapidus пытается догнать признанных лидеров в области полупроводникового производства, которые уже активно развивают технологии менее 2 нм.
Планы на техпроцессы 1.4нм (A14) есть еще у трех компаний в мире:
🇹🇼 TSMC, Тайвань. Компания уже приступила к строительству фабрики под A14, массовое производство намечено на 2H2028.
🇺🇸 Intel, США. Компания пока что занята 18A и движется с опережением графика.
🇰🇷 Samsung, Корея. Планы массового производства по техпроцессу 1.4нм переехали с 2027 на 2029 год.
Таким образом Rapidus отстает от конкурентов из США, Тайваня и Кореи на несколько лет. Поскольку все ведущие производители на старте сталкивались с проблемой низкого процента выхода годных, весьма вероятно, что и Rapidus придется пройти через эти же трудности.
У компании есть собственная маркетинговая стратегия. Вместо конкуренции за массовые заказы, Rapidus ориентируется на ограниченный круг клиентов (от 5 до 10), предлагая быстрое мелкосерийное производство и передовые технологии упаковки и корпусирования, объединяя производство и упаковку чипов на одной площадке.
Масштабные планы требуют колоссальных инвестиций. Уже звучали оценки, что на весь путь от строительства фабрики до освоения массового производства может потребоваться до 7 трлн иен (около $54 млрд). В этих условиях для компании критически важно сохранение господдержки, которая, впрочем, пока что оказывается.
Проекты Rapidus представляют собой амбициозную попытку Японии вернуться в элиту мировой полупроводниковой промышленности. Но пока что видно сохраняющееся, как минимум по срокам, отставание от конкурентов из трех других стран.
@RUSmicro
👍4
🇺🇸 🇹🇼 2нм. Техпроцессы и микросхемы. США. Тайвань
Apple A20 и A20 Pro: что ждать от первых 2-нм чипов для iPhone 18
В 2026 году Apple планирует совершить очередной технологический скачок, представив свои первые мобильные платформы A20 и A20 Pro, изготовленные по техпроцессу 2нм. Как ожидается, они станут основной линейки iPhone 18.
Как утверждают различные источники, контракт на производство новых чипов получила тайваньская компания TSMC, которая использует свой техпроцесс N2. При этом в некоторых слухах упоминается, что Apple может обратиться к Intel и её техпроцессу 20A, однако это кажется менее вероятным.
Важно отметить, что TSMC уже объявила о старте серийного производства чипов 2нм в конце 2025 года. Это создает технологическую базу для своевременного выхода новых iPhone.
Чипы A20 будет отличать не только техпроцесс 2нм, Но и принципиально новый метод упаковки — WMCM (Wafer-Level Multi-Chip Module). Он придет на смену текущей технологии InFO и позволит объединять в одном компактном модуле несколько разных чипов, таких как CPU, GPU, DRAM и отдельные ускорители ИИ. Это увеличит скорость обмена данными, снизит задержки и улучшит энергоэффективность.
Благодаря переходу на 2 nm и использованию WMCM, новые чипы обещают существенный прирост ключевых характеристик.
В частности, ожидается, что переход на 2 нм позволит повысить энергоэффективность и производительность на 15–20% по сравнению с платформами предыдущего поколения. Техпроцесс A16, который станет дальнейшим развитием N2, прогнозирует снижение энергопотребления еще на 15–20% при аналогичной пропускной способности.
Сообщается, что Apple A20 (кодовое имя Borneo) будет установлен в базовой модели iPhone 18. Более мощная платформа A20 Pro (Borneo Ultra) предназначена для флагманских устройств: iPhone 18 Pro, 18 Pro Max, а также может стать основой для первого складного iPhone.
💎 Выход чипов Apple A20 и A20 Pro в 2026 году станет знаковым событием, которое определит траекторию развития всей индустрии мобильных платформ. За счет перехода техпроцесс 2нм TSMC и внедрению передовых методов упаковки, Apple рассчитывает обеспечить новый уровень производительности и автономности для своих устройств.
@RUSmicro
Apple A20 и A20 Pro: что ждать от первых 2-нм чипов для iPhone 18
В 2026 году Apple планирует совершить очередной технологический скачок, представив свои первые мобильные платформы A20 и A20 Pro, изготовленные по техпроцессу 2нм. Как ожидается, они станут основной линейки iPhone 18.
Как утверждают различные источники, контракт на производство новых чипов получила тайваньская компания TSMC, которая использует свой техпроцесс N2. При этом в некоторых слухах упоминается, что Apple может обратиться к Intel и её техпроцессу 20A, однако это кажется менее вероятным.
Важно отметить, что TSMC уже объявила о старте серийного производства чипов 2нм в конце 2025 года. Это создает технологическую базу для своевременного выхода новых iPhone.
Чипы A20 будет отличать не только техпроцесс 2нм, Но и принципиально новый метод упаковки — WMCM (Wafer-Level Multi-Chip Module). Он придет на смену текущей технологии InFO и позволит объединять в одном компактном модуле несколько разных чипов, таких как CPU, GPU, DRAM и отдельные ускорители ИИ. Это увеличит скорость обмена данными, снизит задержки и улучшит энергоэффективность.
Благодаря переходу на 2 nm и использованию WMCM, новые чипы обещают существенный прирост ключевых характеристик.
В частности, ожидается, что переход на 2 нм позволит повысить энергоэффективность и производительность на 15–20% по сравнению с платформами предыдущего поколения. Техпроцесс A16, который станет дальнейшим развитием N2, прогнозирует снижение энергопотребления еще на 15–20% при аналогичной пропускной способности.
Сообщается, что Apple A20 (кодовое имя Borneo) будет установлен в базовой модели iPhone 18. Более мощная платформа A20 Pro (Borneo Ultra) предназначена для флагманских устройств: iPhone 18 Pro, 18 Pro Max, а также может стать основой для первого складного iPhone.
💎 Выход чипов Apple A20 и A20 Pro в 2026 году станет знаковым событием, которое определит траекторию развития всей индустрии мобильных платформ. За счет перехода техпроцесс 2нм TSMC и внедрению передовых методов упаковки, Apple рассчитывает обеспечить новый уровень производительности и автономности для своих устройств.
@RUSmicro
👍3❤2