🇷🇺 Кремниевая фотоника. Россия
ГК Элемент хочет создать фаундри-центр кремниевой фотоники к концу 2027 года
Фаундри-центр предназначается для разработки и производства набора базовых элементов ФИС (фотонных электронных схем). Инвестиции предусматриваются весьма скромные – 560 млн, плановые сроки реализации – с 2026 по 2027 год. К 2030 году центр, как намечено, должен обеспечить российский рынок не менее, чем 17 типами продуктов оптоэлектроники и интегральной фотоники. Об этом сегодня рассказывают Ведомости.
Исполнением проекта займется Микрон, где и ранее занимались темами фотоники.
Себестоимость одной пластины с фотонной интегральной схемой (ФИС), по оценке ГК Элемент, – $2500–6000.
В структуре ГК Элемент темами оптоэлектроники и фотоники, включая кремниевую фотонику, кроме Микрона, занимаются также:
🔹 Коннектор Оптикс с экспертизой в области разработки и производства подложек для специализированных лазеров;
🔹 НЗПП – фотоприемные устройства;
🔹 НИИМЭ – с его лабораторией радиофотоники.
🔹 Микрон уже имеет опыт разработки ФИС под техпроцесс 90 нм, а НИИИС выпустил ФИС под 350 нм.
Чем интересна кремниевая фотоника?
Кремниевая фотоника позволяет использовать существующие производственные мощности, дешевую КМОП-технологию, на которой делают электронные процессоры и память, для создания оптических компонентов на той же кремниевой подложке. ФИС – это способ совместить традиционное производство схем на кремниевых пластинах с фотоникой с ее скоростями и низким энергопотреблением.
Для России эта технология особенно интересна тем, что для того, чтобы ей активно заниматься, хватает зрелых техпроцессов, например, 90нм. Это позволяет, хотя бы в теории, заниматься современными разработками, без того уровня отставания от «западных» технологий, который характерен для российской микроэлектроники в целом.
Стоит отметить, что кремниевая фотоника в России развивается не по венчурной схеме, распространенной на «Западе». У нас участники рынка занимаются этой тематикой в рамках создания замкнутых производственно-технологических цепочек под конкретные стратегические задачи. Сейчас, например, разработка и производство кремниевой фотоники ориентированы на квантовые вычисления, нейроморфные системы и телекомоборудование. Отсюда и отсутствие фаундри.
Появление фаундри может дать дополнительный импульс развитию кремниевой фотоники в России, т.к. нивелирует разрыв между достаточно высоким уровнем академических и прикладных разработок и реальным производством в интересах заказчиков.
@RUSmicro
ГК Элемент хочет создать фаундри-центр кремниевой фотоники к концу 2027 года
Фаундри-центр предназначается для разработки и производства набора базовых элементов ФИС (фотонных электронных схем). Инвестиции предусматриваются весьма скромные – 560 млн, плановые сроки реализации – с 2026 по 2027 год. К 2030 году центр, как намечено, должен обеспечить российский рынок не менее, чем 17 типами продуктов оптоэлектроники и интегральной фотоники. Об этом сегодня рассказывают Ведомости.
Исполнением проекта займется Микрон, где и ранее занимались темами фотоники.
Себестоимость одной пластины с фотонной интегральной схемой (ФИС), по оценке ГК Элемент, – $2500–6000.
В структуре ГК Элемент темами оптоэлектроники и фотоники, включая кремниевую фотонику, кроме Микрона, занимаются также:
🔹 Коннектор Оптикс с экспертизой в области разработки и производства подложек для специализированных лазеров;
🔹 НЗПП – фотоприемные устройства;
🔹 НИИМЭ – с его лабораторией радиофотоники.
🔹 Микрон уже имеет опыт разработки ФИС под техпроцесс 90 нм, а НИИИС выпустил ФИС под 350 нм.
Чем интересна кремниевая фотоника?
Кремниевая фотоника позволяет использовать существующие производственные мощности, дешевую КМОП-технологию, на которой делают электронные процессоры и память, для создания оптических компонентов на той же кремниевой подложке. ФИС – это способ совместить традиционное производство схем на кремниевых пластинах с фотоникой с ее скоростями и низким энергопотреблением.
Для России эта технология особенно интересна тем, что для того, чтобы ей активно заниматься, хватает зрелых техпроцессов, например, 90нм. Это позволяет, хотя бы в теории, заниматься современными разработками, без того уровня отставания от «западных» технологий, который характерен для российской микроэлектроники в целом.
Стоит отметить, что кремниевая фотоника в России развивается не по венчурной схеме, распространенной на «Западе». У нас участники рынка занимаются этой тематикой в рамках создания замкнутых производственно-технологических цепочек под конкретные стратегические задачи. Сейчас, например, разработка и производство кремниевой фотоники ориентированы на квантовые вычисления, нейроморфные системы и телекомоборудование. Отсюда и отсутствие фаундри.
Появление фаундри может дать дополнительный импульс развитию кремниевой фотоники в России, т.к. нивелирует разрыв между достаточно высоким уровнем академических и прикладных разработок и реальным производством в интересах заказчиков.
@RUSmicro
👍18🔥3⚡2
🇷🇺 Кремниевая фотоника. Участники рынка. Россия
Разработки кремниевой фотоники в России весьма диверсифицированы. Этой тематикой занимаются десятки участников рынка. Ниже приведу небольшой список организаций и предприятий, заметных в медиа в связи с тематикой ФИС и кремниевой электроники.
В последние годы наблюдается хотя бы некоторая кластеризация участников рынка в совместных проектах, что не может не внушать осторожный оптимизм.
🔸ЗНТЦ. Проектирование, постановка и отработка технологии изготовления ФИС. Участник проекта разработки и производства трансиверов для центров обработки данных со скоростью 100-400 Гбит/с с применением ФИС.
🔸ИФП СО РАН. Совместно с НИИИС Седакова занимался разработкой ФИС.
🔸 МГУ. Лаборатория нанооптики и метаматериалов, центр квантовых технологий. Фундаментальные исследования и создание миниатюрных устройств управления светом.
🔸МГТУ им. Н.Э. Баумана. Здесь, в частности, есть лаборатория инфракрасных лазерных систем НОЦ «Фотоника и ИК-техника».
🔸Микрон (ГК Элемент, Технополис Москва). Производственная база, будущее фаундри по выпуску ФИС. Есть опыт выпуска ФИС.
🔸Московский центр фотоники (строится в Зеленограде, Алабушево). Будет заниматься производством ФИС.
🔸НИИИС им. Седакова. Один из участников разработки «фотонного сопроцессора».
НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород. Также один из участников проекта разработки «фотонного сопроцессора». Есть опыт выпуска ФИС по техпроцессу 350 нм.
🔸НИУ МИЭТ. Разработка средств проектирования ФИС и подготовка кадров по данной тематике.
🔸Национальный центр физики и математики (НЦФМ) (Росатом, РАН, Минобр, МГУ и т.п.). Занят, например, разработкой гибридной электронно-фотонной вычислительной машины, привлекая в соисполнители многих из этого списка.
🔸 Самарский университет им. Королева. Еще один участник проекта НЦФМ.
🔸Сколтех. Лаборатория интегральной фотоники.
🔸Фистех (Picstech). B2B-стартап, созданный с участием Сколтеха. Компания специализируется на разработке и выведении на рынок библиотеки компонент для проектирования ФИС для систем оптических коммуникаций. В портфеле компании такие разработки, как лазеры, модуляторы, фотодетекторы, оптический делитель, кольцевые микрорезонаторы, спектральные элементы, фазовращатели.
🔸ФТИ им А.Ф.Иоффе. Разработка новых конфигураций лазерных источников, пригодных для гетерогенной интеграции ФИС.
🔸 Элемент. Проект фаундри в области кремниевой фотоники (имеет ли он что-то общее с Московским центром фотоники?).
🔸 Future Technologies. Разработка ТЗ на ФИС, постановка технологического процесса и серийное производство трансиверов с ФИС. ФИС для трансиверов поставляет ЗНТЦ.
@RUSmicro
Разработки кремниевой фотоники в России весьма диверсифицированы. Этой тематикой занимаются десятки участников рынка. Ниже приведу небольшой список организаций и предприятий, заметных в медиа в связи с тематикой ФИС и кремниевой электроники.
В последние годы наблюдается хотя бы некоторая кластеризация участников рынка в совместных проектах, что не может не внушать осторожный оптимизм.
🔸ЗНТЦ. Проектирование, постановка и отработка технологии изготовления ФИС. Участник проекта разработки и производства трансиверов для центров обработки данных со скоростью 100-400 Гбит/с с применением ФИС.
🔸ИФП СО РАН. Совместно с НИИИС Седакова занимался разработкой ФИС.
🔸 МГУ. Лаборатория нанооптики и метаматериалов, центр квантовых технологий. Фундаментальные исследования и создание миниатюрных устройств управления светом.
🔸МГТУ им. Н.Э. Баумана. Здесь, в частности, есть лаборатория инфракрасных лазерных систем НОЦ «Фотоника и ИК-техника».
🔸Микрон (ГК Элемент, Технополис Москва). Производственная база, будущее фаундри по выпуску ФИС. Есть опыт выпуска ФИС.
🔸Московский центр фотоники (строится в Зеленограде, Алабушево). Будет заниматься производством ФИС.
🔸НИИИС им. Седакова. Один из участников разработки «фотонного сопроцессора».
НИФТИ ННГУ, Нижний Новгород. Также один из участников проекта разработки «фотонного сопроцессора». Есть опыт выпуска ФИС по техпроцессу 350 нм.
🔸НИУ МИЭТ. Разработка средств проектирования ФИС и подготовка кадров по данной тематике.
🔸Национальный центр физики и математики (НЦФМ) (Росатом, РАН, Минобр, МГУ и т.п.). Занят, например, разработкой гибридной электронно-фотонной вычислительной машины, привлекая в соисполнители многих из этого списка.
🔸 Самарский университет им. Королева. Еще один участник проекта НЦФМ.
🔸Сколтех. Лаборатория интегральной фотоники.
🔸Фистех (Picstech). B2B-стартап, созданный с участием Сколтеха. Компания специализируется на разработке и выведении на рынок библиотеки компонент для проектирования ФИС для систем оптических коммуникаций. В портфеле компании такие разработки, как лазеры, модуляторы, фотодетекторы, оптический делитель, кольцевые микрорезонаторы, спектральные элементы, фазовращатели.
🔸ФТИ им А.Ф.Иоффе. Разработка новых конфигураций лазерных источников, пригодных для гетерогенной интеграции ФИС.
🔸 Элемент. Проект фаундри в области кремниевой фотоники (имеет ли он что-то общее с Московским центром фотоники?).
🔸 Future Technologies. Разработка ТЗ на ФИС, постановка технологического процесса и серийное производство трансиверов с ФИС. ФИС для трансиверов поставляет ЗНТЦ.
@RUSmicro
👍9🔥7❤2⚡1
🇳🇱 Микроконтроллеры. Микросхемы для космоса. Нидерланды
STMicroelectronics анонсировала первый в отрасли микроконтроллер на 18 нм
Компания STMicroelectronics представила то, что она назвала первым в отрасли микроконтроллером для высокопроизводительных применений, изготовленным с применением техпроцесса 18-нм. Уже и покупатель нашелся – SpaceX, с планами использования новинки в спутниках Starlink. Об этом сообщает Mobile World Live.
Микроконтроллер STM32V8 (18nm FD-SOI) получил передовую фазовую память (PCM) – энергонезависимые 4 МБ. Как заявляет компания, ее решение отличает наименьший по рынку размер ячейки, что обеспечивает высокую степень интеграции, а также экономическую эффективность новинки.
SpaceX задействует STM32V8 в миниатюрной лазерной системе для межспутниковой связи. Также новый микроконтроллер позиционируется как решение для требовательных промышленных применений, таких как автоматизация заводов, управление моторами и робототехника.
Чип оснащен ядром Arm Cortex-M885 с тактовой частотой до 800 МГц, что делает его самым производительным микроконтроллером в семействе STM32. Производство осуществляется на 300-мм фабрике компании в Кролле, Франция, а также в сотрудничестве с Samsung Foundry.
STM32V8 находится на этапе раннего доступа для отдельных клиентов. Ключевые производственные партнеры получат к нему доступ в первом квартале 2026 года.
По мнению аналитика Джека Голда, комбинация новой архитектуры Arm и 18-нм техпроцесса обеспечивают микроконтроллеру повышенную производительность при значительно сниженном энергопотреблении. Для Starlink и в целом для спутниковых применений микроконтроллера (с характерными для них небольшим энергетическим бюджетом) это критически важно. Более эффективная обработка сигналов при меньшем энергопотреблении делает микроконтроллер весьма привлекательным решением для SpaceX.
Что же, в очередной раз можно констатировать – современные микроконтроллеры все более похожи на современные процессоры. Эффективная память, высокое быстродействие, низкое энергопотребление.
@RUSmicro
STMicroelectronics анонсировала первый в отрасли микроконтроллер на 18 нм
Компания STMicroelectronics представила то, что она назвала первым в отрасли микроконтроллером для высокопроизводительных применений, изготовленным с применением техпроцесса 18-нм. Уже и покупатель нашелся – SpaceX, с планами использования новинки в спутниках Starlink. Об этом сообщает Mobile World Live.
Микроконтроллер STM32V8 (18nm FD-SOI) получил передовую фазовую память (PCM) – энергонезависимые 4 МБ. Как заявляет компания, ее решение отличает наименьший по рынку размер ячейки, что обеспечивает высокую степень интеграции, а также экономическую эффективность новинки.
SpaceX задействует STM32V8 в миниатюрной лазерной системе для межспутниковой связи. Также новый микроконтроллер позиционируется как решение для требовательных промышленных применений, таких как автоматизация заводов, управление моторами и робототехника.
Чип оснащен ядром Arm Cortex-M885 с тактовой частотой до 800 МГц, что делает его самым производительным микроконтроллером в семействе STM32. Производство осуществляется на 300-мм фабрике компании в Кролле, Франция, а также в сотрудничестве с Samsung Foundry.
STM32V8 находится на этапе раннего доступа для отдельных клиентов. Ключевые производственные партнеры получат к нему доступ в первом квартале 2026 года.
По мнению аналитика Джека Голда, комбинация новой архитектуры Arm и 18-нм техпроцесса обеспечивают микроконтроллеру повышенную производительность при значительно сниженном энергопотреблении. Для Starlink и в целом для спутниковых применений микроконтроллера (с характерными для них небольшим энергетическим бюджетом) это критически важно. Более эффективная обработка сигналов при меньшем энергопотреблении делает микроконтроллер весьма привлекательным решением для SpaceX.
Что же, в очередной раз можно констатировать – современные микроконтроллеры все более похожи на современные процессоры. Эффективная память, высокое быстродействие, низкое энергопотребление.
@RUSmicro
❤7👍3🙈1
📈 Тренды. Рынок памяти. Рынок электроники
Крупные производители электроники предупреждают о росте стоимости гаджетов
В частности, это сделали Lenovo и Xiaomi.
Основные "виновные" - не жадные производители электроники, а такие участники цепочки поставок, как Samsung, SK Hynix и Micron. Они переключили значительную часть своих мощностей с выпуска стандартной DRAM на производство более рентабельной HBM. Что и привело к растущему дефициту DRAM.
В итоге контрактные цены на DRAM в четвертом квартале 2025 года выросли на 50-75% в годовом сопоставлении. Ожидается продолжение роста еще на 30-50% к середине 2026. Некоторые модули памяти DDR5 за несколько месяцев подорожали вдвое.
Поскольку память - это 10-15% стоимости смартфона, например, то рост цен на готовые устройства можно ожидать уже в этом году, на 8-10%. А себестоимость производства смартфонов среднего и высокого ценового сегментов может вырасти более, чем на 25%.
Ситуация вряд ли исправится в ближайшие месяцы. Баланс на рынке памяти может восстановиться ближе к середине года или даже в 2H2026. Так что впору говорить об очередном кризисе. Российских производителей электроники он тоже, полагаю, коснется.
@RUSmicro
Крупные производители электроники предупреждают о росте стоимости гаджетов
В частности, это сделали Lenovo и Xiaomi.
Основные "виновные" - не жадные производители электроники, а такие участники цепочки поставок, как Samsung, SK Hynix и Micron. Они переключили значительную часть своих мощностей с выпуска стандартной DRAM на производство более рентабельной HBM. Что и привело к растущему дефициту DRAM.
В итоге контрактные цены на DRAM в четвертом квартале 2025 года выросли на 50-75% в годовом сопоставлении. Ожидается продолжение роста еще на 30-50% к середине 2026. Некоторые модули памяти DDR5 за несколько месяцев подорожали вдвое.
Поскольку память - это 10-15% стоимости смартфона, например, то рост цен на готовые устройства можно ожидать уже в этом году, на 8-10%. А себестоимость производства смартфонов среднего и высокого ценового сегментов может вырасти более, чем на 25%.
Ситуация вряд ли исправится в ближайшие месяцы. Баланс на рынке памяти может восстановиться ближе к середине года или даже в 2H2026. Так что впору говорить об очередном кризисе. Российских производителей электроники он тоже, полагаю, коснется.
@RUSmicro
❤5
⚔️ Экспортное регулирование. Производственное оборудование. США
Конгресс США предложил запретить получателям грантов CHIPS Act использовать китайское оборудование для производства чипов
Группа американских законодателей внесла в Палату представителей законопроект, который запретит получателям грантов в рамках CHIPS Act приобретать китайское оборудование для производства чипов в течение 10 лет с момента участия в грантовой поддержке.
Законопроект охватывает широкий спектр оборудования — от литографических систем до машин для резки кремниевых пластин. Аналогичный законопроект в декабре 2025 года планируют внести и в Сенате.
Принятый в 2022 году закон CHIPS Act предусматривает выделение $39 млрд для стимулирования строительства новых фабрик и расширения существующих мощностей. Гранты по этой программе уже получили такие производители, как Intel, тайваньская TSMC и южнокорейская Samsung Electronics, причем финансирование для Intel было позднее конвертировано в долю акций.
Согласно материалам законодателей, Китай инвестировал более $40 млрд в отрасль производства чипов с акцентом на оборудование, существенно увеличив свою долю на этом рынке. Американские производители оборудования, включая Applied Materials, Lam Research и KLA, опасаются, что экспортные ограничения на поставки их инструментов в Китай снизят продажи и подорвут их возможности для инвестиций в R&D.
Законопроект также запрещает закупать производственное оборудование из других стран, вызывающих озабоченность — Ирана, России и Северной Кореи, но предусматривает исключения — правительство США сможет выдавать разрешения на использование конкретных инструментов, при условии, что они не производятся в США или странах-союзницах. Запрет будет распространяться только на импорт в США и не затронет зарубежные операции получателей грантов.
Какие выводы?
Продолжается эскалация ограничений по торговле с Китаем, если ранее было введено ограничение на экспорт оборудования в Китай, теперь блокируют его использование и внутри США получателями государственного финансирования.
Предложение законодателей отражает растущее напряжение в технологической гонке США и Китая. Законодательная инициатива демонстрирует последовательное ужесточение американской политики, направленной на изоляцию китайского полупроводникового сектора и защиту многомиллиардных инвестиций США в национальное производство чипов.
@RUSmicro
Конгресс США предложил запретить получателям грантов CHIPS Act использовать китайское оборудование для производства чипов
Группа американских законодателей внесла в Палату представителей законопроект, который запретит получателям грантов в рамках CHIPS Act приобретать китайское оборудование для производства чипов в течение 10 лет с момента участия в грантовой поддержке.
Законопроект охватывает широкий спектр оборудования — от литографических систем до машин для резки кремниевых пластин. Аналогичный законопроект в декабре 2025 года планируют внести и в Сенате.
Принятый в 2022 году закон CHIPS Act предусматривает выделение $39 млрд для стимулирования строительства новых фабрик и расширения существующих мощностей. Гранты по этой программе уже получили такие производители, как Intel, тайваньская TSMC и южнокорейская Samsung Electronics, причем финансирование для Intel было позднее конвертировано в долю акций.
Согласно материалам законодателей, Китай инвестировал более $40 млрд в отрасль производства чипов с акцентом на оборудование, существенно увеличив свою долю на этом рынке. Американские производители оборудования, включая Applied Materials, Lam Research и KLA, опасаются, что экспортные ограничения на поставки их инструментов в Китай снизят продажи и подорвут их возможности для инвестиций в R&D.
Законопроект также запрещает закупать производственное оборудование из других стран, вызывающих озабоченность — Ирана, России и Северной Кореи, но предусматривает исключения — правительство США сможет выдавать разрешения на использование конкретных инструментов, при условии, что они не производятся в США или странах-союзницах. Запрет будет распространяться только на импорт в США и не затронет зарубежные операции получателей грантов.
Какие выводы?
Продолжается эскалация ограничений по торговле с Китаем, если ранее было введено ограничение на экспорт оборудования в Китай, теперь блокируют его использование и внутри США получателями государственного финансирования.
Предложение законодателей отражает растущее напряжение в технологической гонке США и Китая. Законодательная инициатива демонстрирует последовательное ужесточение американской политики, направленной на изоляцию китайского полупроводникового сектора и защиту многомиллиардных инвестиций США в национальное производство чипов.
@RUSmicro
❤6😁2👍1🔥1
🇺🇸 Кадры. Фотолитография. США
ASML открыла в Фениксе академию для подготовки инженеров
Голландский производитель оборудования для полупроводниковой промышленности ASML открыл техническую академию в Фениксе (Аризона, США) для обучения инженеров обслуживанию своих литографических систем. Новый учебный центр, расположенный недалеко от аэропорта, представляет собой многофункциональный комплекс площадью 56 000 квадратных футов с 14 современными классами и чистой комнатой.
Масштабы и цели проекта
Академия рассчитана на подготовку более 1000 инженеров в год, компания планирует увеличить этот показатель до 2000 человек. Обучение в центре, которое уже началось, будет доступно как для сотрудников ASML, так и для инженеров других компаний, которые могут оплатить курсы для своих специалистов. Для удовлетворения высокого спроса Академия способна работать круглосуточно и без выходных.
Решение об открытии академии связано со значительным ростом объемов производства передовых чипов в США. Крупные инвестиции и расширение мощностей таких компаний, как Intel и TSMC в районе Феникса, Аризона; Samsung близ Остина, Техас; а также Micron, создали острую потребность в квалифицированных кадрах для обслуживания сложного оборудования.
Техническая сложность и подход к обучению
Глава службы поддержки клиентов ASML в США отметил, что системы глубокого (DUV) и крайне глубокого ультрафиолета (High-NA EUV) для производства передовых чипов требуют уровня сервиса, сопоставимого с современными боевыми самолетами, такими как F-35. Стоимость самых передовых EUV-систем достигает $400 млн, а для транспортировки одного фотолитографа с завода в Нидерландах требуется несколько грузовых самолетов Boeing 747.
Идеальными кандидатами на должности сервисных инженеров часто становятся бывшие военные, имеющие опыт работы на истребителях в ВМС или ВВС США. Обучение базовому техническому обслуживанию фотолитографов занимает от 3 до 6 месяцев, а подготовка к выполнению более сложных ремонтных задач может потребовать еще большего времени.
Открытие академии стало частью стратегии ASML по расширению глобальной сети обучения, которая включает в себя 9 учебных центров по всему миру. Президент и генеральный директор ASML Кристоф Фуке заявил, что открытие центра в США, это выполнение обязанностей компании перед своими клиентами, а также символ уверенности в устойчивом росте полупроводниковой отрасли.
Что это даст США
Это первый учебный центр ASML в США за последние 20 лет. Ранее инженерам приходилось ездить для прохождения обучения в Азию или Европу.
В целом можно говорить о серьезном шаге в укреплении кадрового потенциала, необходимого для возрождения полупроводниковой промышленности США. Создание локального учебного хаба, как ожидается, позволит значительно ускорить и удешевить подготовку критически важных специалистов, что необходимо для обеспечения бесперебойной работы запредельного дорогого оборудования на новых и расширяющихся заводах. Кроме того, армия собственных специалистов снизит зависимость американской индустрии от зарубежных центров компетенции, что соответствует целям госполитики США в области технологического суверенитета.
@RUSmicro
ASML открыла в Фениксе академию для подготовки инженеров
Голландский производитель оборудования для полупроводниковой промышленности ASML открыл техническую академию в Фениксе (Аризона, США) для обучения инженеров обслуживанию своих литографических систем. Новый учебный центр, расположенный недалеко от аэропорта, представляет собой многофункциональный комплекс площадью 56 000 квадратных футов с 14 современными классами и чистой комнатой.
Масштабы и цели проекта
Академия рассчитана на подготовку более 1000 инженеров в год, компания планирует увеличить этот показатель до 2000 человек. Обучение в центре, которое уже началось, будет доступно как для сотрудников ASML, так и для инженеров других компаний, которые могут оплатить курсы для своих специалистов. Для удовлетворения высокого спроса Академия способна работать круглосуточно и без выходных.
Решение об открытии академии связано со значительным ростом объемов производства передовых чипов в США. Крупные инвестиции и расширение мощностей таких компаний, как Intel и TSMC в районе Феникса, Аризона; Samsung близ Остина, Техас; а также Micron, создали острую потребность в квалифицированных кадрах для обслуживания сложного оборудования.
Техническая сложность и подход к обучению
Глава службы поддержки клиентов ASML в США отметил, что системы глубокого (DUV) и крайне глубокого ультрафиолета (High-NA EUV) для производства передовых чипов требуют уровня сервиса, сопоставимого с современными боевыми самолетами, такими как F-35. Стоимость самых передовых EUV-систем достигает $400 млн, а для транспортировки одного фотолитографа с завода в Нидерландах требуется несколько грузовых самолетов Boeing 747.
Идеальными кандидатами на должности сервисных инженеров часто становятся бывшие военные, имеющие опыт работы на истребителях в ВМС или ВВС США. Обучение базовому техническому обслуживанию фотолитографов занимает от 3 до 6 месяцев, а подготовка к выполнению более сложных ремонтных задач может потребовать еще большего времени.
Открытие академии стало частью стратегии ASML по расширению глобальной сети обучения, которая включает в себя 9 учебных центров по всему миру. Президент и генеральный директор ASML Кристоф Фуке заявил, что открытие центра в США, это выполнение обязанностей компании перед своими клиентами, а также символ уверенности в устойчивом росте полупроводниковой отрасли.
Что это даст США
Это первый учебный центр ASML в США за последние 20 лет. Ранее инженерам приходилось ездить для прохождения обучения в Азию или Европу.
В целом можно говорить о серьезном шаге в укреплении кадрового потенциала, необходимого для возрождения полупроводниковой промышленности США. Создание локального учебного хаба, как ожидается, позволит значительно ускорить и удешевить подготовку критически важных специалистов, что необходимо для обеспечения бесперебойной работы запредельного дорогого оборудования на новых и расширяющихся заводах. Кроме того, армия собственных специалистов снизит зависимость американской индустрии от зарубежных центров компетенции, что соответствует целям госполитики США в области технологического суверенитета.
@RUSmicro
🤔5❤3👍2
🇺🇸 🇮🇳 Кадры. США. Индия
Американский чипмейкер Marvell расширяет деятельность в Индии для участия в AI-буме
Американская компания Marvell Technology, производитель полупроводников, объявила о значительном расширении найма и объемов исследований и разработок (R&D) в Индии.
Компания планирует ежегодно увеличивать свой нынешний индийский штат в 1700 сотрудников на 15% в течение следующих 3 лет.
Штаб-квартира Marvell в Индии расположена в Бангалоре. Центр в Хайдарабаде специализируется на решениях для безопасности ЦОД, а команда в Пуне занимается разработкой встроенных решений для сетевых технологий и СХД.
Индия, это крупнейший центр исследований и разработок Marvell за пределами США. Компания инвестирует в передовые технологические процессы, включая 5 нм, 3 нм и 2 нм, и уже продемонстрировала свое первое решение 2 нм на базе техпроцесса TSMC.
Кроме того, Marvell совместно с Индийским технологическим институтом в Хайдарабаде (IIT Hyderabad) создала «Исследовательский центр ускорения и разгрузки данных Marvell» для работы с передовыми технологиями.
Хотя Индия все еще вносит небольшой вклад в выручку Marvell, компания ожидает роста по мере расширения местных мощностей ЦОД — Индия сейчас занимает 3-е место в мире по их размерам. Marvell ведет переговоры с крупными облачными провайдерами и местными компаниями, а также обсуждает сотрудничество с местными партнерами по сбору и тестированию чипов (OSAT).
Руководство компании не ожидает, что Индия войдет в число основных рынков по выручке в ближайшие 5 лет, но рассматривает ее как ключевой потенциал на 10-летнюю перспективу.
Расширение Marvell отвечает попыткам правительства Индии развить национальную полупроводниковую промышленность в рамках государственной программы стимулирования объемом $10 млрд.
Нынешнее решение Marvell, это шаг, призванный укрепить позиции компании в гонке в области аппаратного обеспечения для AI. Создание в Индии крупного R&D-хаба и партнерство с ведущими техническими вузами, как ожидается, позволит Marvell укрепить свои позиции в качестве ключевого разработчика специализированных чипов, которые требуются для инфраструктуры следующего поколения.
Этот шаг также отвечает потребностям Индии, поскольку может дать дополнительный импульс развитию ее экосистемы полупроводниковой промышленности.
@RUSmicro
Американский чипмейкер Marvell расширяет деятельность в Индии для участия в AI-буме
Американская компания Marvell Technology, производитель полупроводников, объявила о значительном расширении найма и объемов исследований и разработок (R&D) в Индии.
Компания планирует ежегодно увеличивать свой нынешний индийский штат в 1700 сотрудников на 15% в течение следующих 3 лет.
Штаб-квартира Marvell в Индии расположена в Бангалоре. Центр в Хайдарабаде специализируется на решениях для безопасности ЦОД, а команда в Пуне занимается разработкой встроенных решений для сетевых технологий и СХД.
Индия, это крупнейший центр исследований и разработок Marvell за пределами США. Компания инвестирует в передовые технологические процессы, включая 5 нм, 3 нм и 2 нм, и уже продемонстрировала свое первое решение 2 нм на базе техпроцесса TSMC.
Кроме того, Marvell совместно с Индийским технологическим институтом в Хайдарабаде (IIT Hyderabad) создала «Исследовательский центр ускорения и разгрузки данных Marvell» для работы с передовыми технологиями.
Хотя Индия все еще вносит небольшой вклад в выручку Marvell, компания ожидает роста по мере расширения местных мощностей ЦОД — Индия сейчас занимает 3-е место в мире по их размерам. Marvell ведет переговоры с крупными облачными провайдерами и местными компаниями, а также обсуждает сотрудничество с местными партнерами по сбору и тестированию чипов (OSAT).
Руководство компании не ожидает, что Индия войдет в число основных рынков по выручке в ближайшие 5 лет, но рассматривает ее как ключевой потенциал на 10-летнюю перспективу.
Расширение Marvell отвечает попыткам правительства Индии развить национальную полупроводниковую промышленность в рамках государственной программы стимулирования объемом $10 млрд.
Нынешнее решение Marvell, это шаг, призванный укрепить позиции компании в гонке в области аппаратного обеспечения для AI. Создание в Индии крупного R&D-хаба и партнерство с ведущими техническими вузами, как ожидается, позволит Marvell укрепить свои позиции в качестве ключевого разработчика специализированных чипов, которые требуются для инфраструктуры следующего поколения.
Этот шаг также отвечает потребностям Индии, поскольку может дать дополнительный импульс развитию ее экосистемы полупроводниковой промышленности.
@RUSmicro
👍3
⚔️ Торговые войны. РЗЭ и РМ. Иттрий
Рекордный рост цен на иттрий угрожает полупроводниковой отрасли на фоне торговой войны США и Китая
Когда мне приходилось обращаться к теме РЗЭ и РМ обычно в фокусе оказывались другие элементы, например, галлий, бериллий, ниобий или сурьма. Но оказывается, что одним из чемпионов по росту цен на него стал иттрий. Его цена за последние 12 месяцев взлетела на 1500%, как обращают внимание в Tom’s hardware. Стоил $8 за кг, теперь $126. Это тоже последствия регуляторной активности столкнувшихся в торговых претензиях США и Китая.
В апреле 2025 года Китай, который контролирует около 70% мирового рынка редкоземельных металлов, полностью прекратил поставки иттрия в США. До этого на КНР приходилось 93% американского импорта этого металла. Это стало ответной мерой на введение США 145% пошлин на китайские товары. Хотя в июле 2025 года стороны договорились о взаимных уступках, ограничения на экспорт иттрия, по всей видимости, сохранены.
Иттрий широко применяется в полупроводниковой и микроэлектронной, а также в радиопромышленности, включая процессы тонкопленочного осаждения и полировки пластин. Его свойства делают его весьма востребованным в производстве чипов. Применяют его и в полупроводниковых лазерах например, в ND:YAG, в подводных ВОЛС, в дальномерах, в памяти FeRAM, в качестве диэлектрика в транзисторах, для стабилизации диоксида циркония (в мемристорах); в ферритах YIG (СВЧ-фильтры) и т.п.
США пытаются диверсифицировать поставки, расширяя добычу на месторождении Маунтин-Пасс в Калифорнии, кроме того, американцы договорились о поставках иттрия с Австралией, подписав соглашение на $8,5 млрд.
В целом ситуация с РЗЭ и РМ – хорошая иллюстрация того, что концентрация производства в какой-то одной стране – плохая идея. И хотя у мира было 15 лет после «звоночка» в 2010 году, когда Китай впервые резко ограничил экспорт РЗЭ, большинство стран не озаботилось решением этой проблемы, сохранив зависимость от внешний поставок. Тем более затратными теперь будет активности по диверсификации цепочек поставок, развитию технологий рециклинга, созданию стратегических запасов РЗЭ и РМ в США и Европе. Но, как бы болезненно это не было, в конечном итоге это позволит уйти от уродливой зависимости от одной страны к более сбалансированному глобальному рынку.
@RUSmicro
Рекордный рост цен на иттрий угрожает полупроводниковой отрасли на фоне торговой войны США и Китая
Когда мне приходилось обращаться к теме РЗЭ и РМ обычно в фокусе оказывались другие элементы, например, галлий, бериллий, ниобий или сурьма. Но оказывается, что одним из чемпионов по росту цен на него стал иттрий. Его цена за последние 12 месяцев взлетела на 1500%, как обращают внимание в Tom’s hardware. Стоил $8 за кг, теперь $126. Это тоже последствия регуляторной активности столкнувшихся в торговых претензиях США и Китая.
В апреле 2025 года Китай, который контролирует около 70% мирового рынка редкоземельных металлов, полностью прекратил поставки иттрия в США. До этого на КНР приходилось 93% американского импорта этого металла. Это стало ответной мерой на введение США 145% пошлин на китайские товары. Хотя в июле 2025 года стороны договорились о взаимных уступках, ограничения на экспорт иттрия, по всей видимости, сохранены.
Иттрий широко применяется в полупроводниковой и микроэлектронной, а также в радиопромышленности, включая процессы тонкопленочного осаждения и полировки пластин. Его свойства делают его весьма востребованным в производстве чипов. Применяют его и в полупроводниковых лазерах например, в ND:YAG, в подводных ВОЛС, в дальномерах, в памяти FeRAM, в качестве диэлектрика в транзисторах, для стабилизации диоксида циркония (в мемристорах); в ферритах YIG (СВЧ-фильтры) и т.п.
США пытаются диверсифицировать поставки, расширяя добычу на месторождении Маунтин-Пасс в Калифорнии, кроме того, американцы договорились о поставках иттрия с Австралией, подписав соглашение на $8,5 млрд.
В целом ситуация с РЗЭ и РМ – хорошая иллюстрация того, что концентрация производства в какой-то одной стране – плохая идея. И хотя у мира было 15 лет после «звоночка» в 2010 году, когда Китай впервые резко ограничил экспорт РЗЭ, большинство стран не озаботилось решением этой проблемы, сохранив зависимость от внешний поставок. Тем более затратными теперь будет активности по диверсификации цепочек поставок, развитию технологий рециклинга, созданию стратегических запасов РЗЭ и РМ в США и Европе. Но, как бы болезненно это не было, в конечном итоге это позволит уйти от уродливой зависимости от одной страны к более сбалансированному глобальному рынку.
@RUSmicro
😁5🔥2👀1
🇪🇺 Кремниевая фотоника. Участники рынка. Технологические платформы. Европа
IMEC запускает производственную платформу для разработки кремниевой фотоники iSiPP200
Бельгийский исследовательский центр IMEC через свое подразделение IC-Link открыл доступ к производственной платформе для кремниевой фотоники iSiPP200. Платформа позволяет создавать фотонные интегральные схемы (PIC) на пластинах диаметром 200 мм и предназначена для широкого круга применений, включая ЦОД, ИИ, медицину и автопром.
Технические возможности платформы
Платформа iSiPP200 основана на технологических решениях, которые IMEC разрабатывала с 2000 года, с 2018 года они доступны для серийного производства. Библиотека компонентов платформы поддерживает создание ФИС со скоростью передачи данных до 200 Гбит/с на канал, что позволяет создавать оптические трансиверы на 800 Гбит/с и 1,6 Тбит/с.
Ключевые компоненты
🔹 Пассивные: кремниевые волноводы (потери 0.5-2 дБ/см), кремниево-нитридные волноводы, волоконно-оптические решёточные соединители (потери <2 дБ)
🔹 Активные: кремниевые кольцевые и интерферометрические Маха-Цендера модуляторы, германий-кремниевые электро-поглощающие модуляторы, германиевые фотодетекторы
🔹 Гетерогенная интеграция: возможность интеграции модуляторов на ниобате лития (LNO), лазеров и оптических усилителей на материалах III-V с помощью микропереноса или монтажа «кверху ногами»
Для работы с платформой создан PDK, который регулярно обновляется. Услуги включают как прототипирование на общих пластинах (MPW!), так и выделенные производственные циклы.
Сейчас платформу обновляют для поддержки скоростей 400 Гбит/с на канал, что позволит создавать трансиверы на 3,2 Тбит/с. Готовность платформы iSiPP400 ожидается в середине 2026 года. К инновациям в дорожной карте также относятся компактные пассивные элементы, низкоэнергетические коммутаторы и оптические интерпозеры для совместного размещения оптики и электроники.
📌 Какие выводы напрашиваются, когда про такое узнаешь
🔸 Такая платформа помогает сразу пробросить мостик между лабораторными образцами и стандартизованными техпроцессами, то есть заложить возможность серийного производства и масштабирования еще на ранней стадии разработки. Это ускоряет цикл от разработки до производства.
🔸 Гетерогенность! Подход IMEC – работа с кремниевой платформой как базовой, на которую добавляются другие материалы, например, ниобат лития для модуляторов, III-V для лазеров, разумный подход, опять же с точки зрения быстрого перевода разработки в производство.
🔸 Доступность! Услуга многопроектных пластин (MPW) кардинально снижает порог входа для разработчиков и исследователей, позволяя чуть ли не каждому желающему, от студенческих проектов и стартапов, создавать и проверять прототипы. Для тех, кому это не надо, опция работать с отдельной пластиной тоже есть.
🔸 Публичность и прозрачность. Публичная дорожная карта с конкретными целевыми показателями (200G -> 400G) задаёт понятный вектор развития как для внутренних разработчиков, так и для потенциальных партнёров.
Хотелось бы и у нас видеть не отдельные точки развития фотоники, а экосистему, в которой были бы общедоступные инструменты проектирования, услуги быстрого прототипирования, контрактное производство, а также, возможно, стандартизированные техпроцессы и программа развития компонентов на ближайшие годы. В этом плане вспоминается недавняя инициатива Элемента - контрактное производство ФИС (фаундри-центр), но до ее практической реализации придется еще подождать.
@RUSmicro
IMEC запускает производственную платформу для разработки кремниевой фотоники iSiPP200
Бельгийский исследовательский центр IMEC через свое подразделение IC-Link открыл доступ к производственной платформе для кремниевой фотоники iSiPP200. Платформа позволяет создавать фотонные интегральные схемы (PIC) на пластинах диаметром 200 мм и предназначена для широкого круга применений, включая ЦОД, ИИ, медицину и автопром.
Технические возможности платформы
Платформа iSiPP200 основана на технологических решениях, которые IMEC разрабатывала с 2000 года, с 2018 года они доступны для серийного производства. Библиотека компонентов платформы поддерживает создание ФИС со скоростью передачи данных до 200 Гбит/с на канал, что позволяет создавать оптические трансиверы на 800 Гбит/с и 1,6 Тбит/с.
Ключевые компоненты
🔹 Пассивные: кремниевые волноводы (потери 0.5-2 дБ/см), кремниево-нитридные волноводы, волоконно-оптические решёточные соединители (потери <2 дБ)
🔹 Активные: кремниевые кольцевые и интерферометрические Маха-Цендера модуляторы, германий-кремниевые электро-поглощающие модуляторы, германиевые фотодетекторы
🔹 Гетерогенная интеграция: возможность интеграции модуляторов на ниобате лития (LNO), лазеров и оптических усилителей на материалах III-V с помощью микропереноса или монтажа «кверху ногами»
Для работы с платформой создан PDK, который регулярно обновляется. Услуги включают как прототипирование на общих пластинах (MPW!), так и выделенные производственные циклы.
Сейчас платформу обновляют для поддержки скоростей 400 Гбит/с на канал, что позволит создавать трансиверы на 3,2 Тбит/с. Готовность платформы iSiPP400 ожидается в середине 2026 года. К инновациям в дорожной карте также относятся компактные пассивные элементы, низкоэнергетические коммутаторы и оптические интерпозеры для совместного размещения оптики и электроники.
📌 Какие выводы напрашиваются, когда про такое узнаешь
🔸 Такая платформа помогает сразу пробросить мостик между лабораторными образцами и стандартизованными техпроцессами, то есть заложить возможность серийного производства и масштабирования еще на ранней стадии разработки. Это ускоряет цикл от разработки до производства.
🔸 Гетерогенность! Подход IMEC – работа с кремниевой платформой как базовой, на которую добавляются другие материалы, например, ниобат лития для модуляторов, III-V для лазеров, разумный подход, опять же с точки зрения быстрого перевода разработки в производство.
🔸 Доступность! Услуга многопроектных пластин (MPW) кардинально снижает порог входа для разработчиков и исследователей, позволяя чуть ли не каждому желающему, от студенческих проектов и стартапов, создавать и проверять прототипы. Для тех, кому это не надо, опция работать с отдельной пластиной тоже есть.
🔸 Публичность и прозрачность. Публичная дорожная карта с конкретными целевыми показателями (200G -> 400G) задаёт понятный вектор развития как для внутренних разработчиков, так и для потенциальных партнёров.
Хотелось бы и у нас видеть не отдельные точки развития фотоники, а экосистему, в которой были бы общедоступные инструменты проектирования, услуги быстрого прототипирования, контрактное производство, а также, возможно, стандартизированные техпроцессы и программа развития компонентов на ближайшие годы. В этом плане вспоминается недавняя инициатива Элемента - контрактное производство ФИС (фаундри-центр), но до ее практической реализации придется еще подождать.
@RUSmicro
👍8❤4
⚔️ Торговые войны. Китай. Европа. Нидерланды
Водевиль с неудачной попыткой европейцев вернуть себе контроль над нидерландской Nexperia продолжается в суде
Китай делает очередные ходы. Китайская компания Wingtech Technologies обжаловала решение правительства Нидерландов о временном переходе контроля над компанией Nexperia к государству.
Голландская сторона уже приостановила действие ранее введенных «чрезвычайных мер» контроля над китайским бизнесом, но не отменила их полностью, в то время как китайская сторона требует полного отказа европейцев от вмешательства дела ее дочки.
Напомню предысторию. 30 сентября 2025 года правительство Нидерландов ввело «чрезычайные меры», выписав себе право блокировать решения менеджмента Nexperia, чтобы «предотвратить утечки европейских технологий в Китай». Когда продавали компанию Nexperia китайцам об этом почему-то никто не подумал, а теперь европейцы решили было помахать кулаками после драки? Типичные для нынешних европейских властей метания.
Wingtech подавал в октябре и ноябре 2025 года апелляции, требуя отменить решение правительства Нидерландов. А зная, что в суде от европейцев в какие-то разумные сроки ничего не добиться, Китай подкрепил «юридическую составляющую» силовой – ввел ограничения на экспорт в Европу чипов, собранных в Китае из пластин, произведенных европейской Nexperia. Об этом рычаге влияния (и о множестве других, в Европе тоже не подумали, что многое говорит о низком качестве управленцев).
Далее произошло оперативное снятие жестких ограничений на экспорт Китаем, а через 10 дней и «приостановление жесткого контроля» голландцами, в качестве, «жеста доброй воли», ха-ха. Не будем покупаться на обратный порядок подачи причины и следствия. Это была частичная, но ожидаемая сдача позиций европейцами. Практически неизбежная, учитывая зависимость европейского автопрома от китайских компонентов, которые Nexperia корпусирует в Китае.
Учитывая политизированность спора, вряд ли стоит рассуждать о правосудии. Сомнительно, чтобы европейцы были готовы «бить горшки», даже несмотря на то, что они не вполне осознают уровень своей зависимости от Китая. Поэтому скорее всего, у китайцев будет возможность получить в этом «судебном споре» выгодное для себя решение.
@RUSmicro
Водевиль с неудачной попыткой европейцев вернуть себе контроль над нидерландской Nexperia продолжается в суде
Китай делает очередные ходы. Китайская компания Wingtech Technologies обжаловала решение правительства Нидерландов о временном переходе контроля над компанией Nexperia к государству.
Голландская сторона уже приостановила действие ранее введенных «чрезвычайных мер» контроля над китайским бизнесом, но не отменила их полностью, в то время как китайская сторона требует полного отказа европейцев от вмешательства дела ее дочки.
Напомню предысторию. 30 сентября 2025 года правительство Нидерландов ввело «чрезычайные меры», выписав себе право блокировать решения менеджмента Nexperia, чтобы «предотвратить утечки европейских технологий в Китай». Когда продавали компанию Nexperia китайцам об этом почему-то никто не подумал, а теперь европейцы решили было помахать кулаками после драки? Типичные для нынешних европейских властей метания.
Wingtech подавал в октябре и ноябре 2025 года апелляции, требуя отменить решение правительства Нидерландов. А зная, что в суде от европейцев в какие-то разумные сроки ничего не добиться, Китай подкрепил «юридическую составляющую» силовой – ввел ограничения на экспорт в Европу чипов, собранных в Китае из пластин, произведенных европейской Nexperia. Об этом рычаге влияния (и о множестве других, в Европе тоже не подумали, что многое говорит о низком качестве управленцев).
Далее произошло оперативное снятие жестких ограничений на экспорт Китаем, а через 10 дней и «приостановление жесткого контроля» голландцами, в качестве, «жеста доброй воли», ха-ха. Не будем покупаться на обратный порядок подачи причины и следствия. Это была частичная, но ожидаемая сдача позиций европейцами. Практически неизбежная, учитывая зависимость европейского автопрома от китайских компонентов, которые Nexperia корпусирует в Китае.
Учитывая политизированность спора, вряд ли стоит рассуждать о правосудии. Сомнительно, чтобы европейцы были готовы «бить горшки», даже несмотря на то, что они не вполне осознают уровень своей зависимости от Китая. Поэтому скорее всего, у китайцев будет возможность получить в этом «судебном споре» выгодное для себя решение.
@RUSmicro
🔥8
🇺🇸 Передовые техпроцессы. 14A. США
Техпроцессы Intel: есть прогресс с 18A и компания усиливает активность в области 14A
На фоне подготовки к анонсу процессоров Panther Lake на CES 2026 в январе, Intel пытается демонстрировать уверенность в своем передовом техпроцессе Intel 18A. Однако заявления для инвесторов раскрывают более сложную картину, где осторожный оптимизм по поводу текущего узла сочетается со стратегическим переносом внимания на следующий, 14A.
18A – есть рост выхода годных есть, но не рентабельность
Вице-президент Intel Джон Питцер сообщил, что выход годных кристаллов на техпроцессе 18A стабильно растет на 7% в месяц на протяжении последних 7-8 месяцев, что соответствует отраслевым нормам для новой технологии. Эта динамика вселяет в компанию уверенность в своевременных поставках процессоров Panther Lake, начало отгрузки которых ожидается еще до конца 2025 года.
Этот прогресс не означает мгновенной финансовой отдачи. Текущего уровня выхода годных недостаточно для нормальной рентабельности. Желаемой себестоимости компания планирует достичь лишь к концу 2026 года. То есть около года Intel может выпускать свои флагманские процессоры практически в убыток.
Intel усиливает ставку на 14A
Почему компания так рано начинает привлекать внимание к этому техпроцессу? Кроме очевидного – изделия на его основе будут иметь более мощные параметры. В отличие от 18A, который изначально создавался для внутренних продуктов Intel, разработка 14A с самого начала ведется с оглядкой на потребности внешних заказчиков. Еще одна причина – 18A это почти экспериментальная технология. В ее рамках Intel внедрила одновременно два радикальных новшества – GAA (Gate-All-Around) и технологию питания PowerVia на тыльной стороне кристалла. Соответственно 18A это тот самый «первый блин», который почти неизбежно, будет не столь красивым и совершенным, как последующие. 14A станет по сути «вторым поколением», в котором можно будет учесть и исправить все огрехи, которые были допущены в 18А.
Финансы поют…
Все это происходит на фоне весьма сложной для Intel финансовой ситуации. Чистый убыток в 2q2025 - $2.9 млрд. Компания режет косты – завершилось сокращение 15% сотрудников, заморожены проекты строительства в Германии и Польше, замедлена стройка в Огайо.
Даже при успехе 14A, бизнес контрактного производства Intel (Intel Foundry) не ожидает достижения точки безубыточности раньше 2027 года, и этот срок может быть дополнительно отодвинут.
@RUSmicro
Техпроцессы Intel: есть прогресс с 18A и компания усиливает активность в области 14A
На фоне подготовки к анонсу процессоров Panther Lake на CES 2026 в январе, Intel пытается демонстрировать уверенность в своем передовом техпроцессе Intel 18A. Однако заявления для инвесторов раскрывают более сложную картину, где осторожный оптимизм по поводу текущего узла сочетается со стратегическим переносом внимания на следующий, 14A.
18A – есть рост выхода годных есть, но не рентабельность
Вице-президент Intel Джон Питцер сообщил, что выход годных кристаллов на техпроцессе 18A стабильно растет на 7% в месяц на протяжении последних 7-8 месяцев, что соответствует отраслевым нормам для новой технологии. Эта динамика вселяет в компанию уверенность в своевременных поставках процессоров Panther Lake, начало отгрузки которых ожидается еще до конца 2025 года.
Этот прогресс не означает мгновенной финансовой отдачи. Текущего уровня выхода годных недостаточно для нормальной рентабельности. Желаемой себестоимости компания планирует достичь лишь к концу 2026 года. То есть около года Intel может выпускать свои флагманские процессоры практически в убыток.
Intel усиливает ставку на 14A
Почему компания так рано начинает привлекать внимание к этому техпроцессу? Кроме очевидного – изделия на его основе будут иметь более мощные параметры. В отличие от 18A, который изначально создавался для внутренних продуктов Intel, разработка 14A с самого начала ведется с оглядкой на потребности внешних заказчиков. Еще одна причина – 18A это почти экспериментальная технология. В ее рамках Intel внедрила одновременно два радикальных новшества – GAA (Gate-All-Around) и технологию питания PowerVia на тыльной стороне кристалла. Соответственно 18A это тот самый «первый блин», который почти неизбежно, будет не столь красивым и совершенным, как последующие. 14A станет по сути «вторым поколением», в котором можно будет учесть и исправить все огрехи, которые были допущены в 18А.
Финансы поют…
Все это происходит на фоне весьма сложной для Intel финансовой ситуации. Чистый убыток в 2q2025 - $2.9 млрд. Компания режет косты – завершилось сокращение 15% сотрудников, заморожены проекты строительства в Германии и Польше, замедлена стройка в Огайо.
Даже при успехе 14A, бизнес контрактного производства Intel (Intel Foundry) не ожидает достижения точки безубыточности раньше 2027 года, и этот срок может быть дополнительно отодвинут.
@RUSmicro
❤3😁2🙈1
🔬 Материалы. Стекло. Печатные платы
Что такое стеклоткань и почему T-стекло критически важно для ИИ-серверов?
Вашему вниманию - пересказ публикации TrendForce. На фоне стремительного роста спроса на ИИ-серверы такие ключевые компоненты, как HBM и ИИ-ускорители, закономерно стали дефицитными. Гонка за высокоскоростными вычислениями породила новые проблемы, особенно в области снижения материальных потерь. В этой гонке некогда малозаметная «стеклоткань», в частности T-стекло, привлекает к себе все больше внимания.
Отраслевые термины, такие как Low-Dk, Low-CTE, T-glass и glass fiber fabric встречаются часто, но что они означают? И поскольку приобрести подходящую стеклоткань все сложнее, а цены растут, как это влияет на рынок ИИ? Подборка информации ниже составлена TechNews.
Почему стеклоткань внезапно стала так важна
🔸 Стеклоткань — это тканый материал из тонкой стекловолоконной пряжи, ценимый за свои изоляционные свойства, термостойкость и исключительную прочность. Это ключевой компонент медно-плакированных ламинатов, которые формируют основу печатных плат.
CCL производятся путем прессования медной фольги вместе с непроводящими материалами — в основном со стеклотканью и с эпоксидной смолой — под воздействием тепла и давления. На уровне PCB, CCL служит основной подложкой, формируя проводящие слои, которые соединяют электронные компоненты.
🎓 CCL (от англ. Copper Clad Laminate) - ламинат с медным покрытием — это основной материал для производства печатных плат (PCB).
Таким образом, стеклоткань работает армирующим материалом внутри этих подложек, придавая печатным платам структурную прочность и электрическую изоляцию, необходимые для надежной работы. Именно поэтому в отраслевых анализах обсуждение стеклоткани часто естественным образом распространяется на CCL и PCB.
Примечательно, что стеклоткань используется не только для ИИ-серверов. Сегодня она применяется в широком спектре электроники — от высококлассных PCB и IC-подложек до смартфонов, серверов и сетевых плат. В высокочастотных высокоскоростных приложениях качество стеклоткани — особенно ее низкая диэлектрическая проницаемость и низкие диэлектрические потери — становятся критически важными.
Поскольку спрос на ИИ-серверы растет, обновляются и материалы для PCB. В частности, все больше внимания получают стеклоткани с такими свойствами, как «Low-Dk» (с низкой диэлектрической постоянной Dk) и Low-CTE (с низким коэффициентом теплового расширения (коэффициентом термического расширения, CTE). (..)
Что такое стеклоткань и почему T-стекло критически важно для ИИ-серверов?
Вашему вниманию - пересказ публикации TrendForce. На фоне стремительного роста спроса на ИИ-серверы такие ключевые компоненты, как HBM и ИИ-ускорители, закономерно стали дефицитными. Гонка за высокоскоростными вычислениями породила новые проблемы, особенно в области снижения материальных потерь. В этой гонке некогда малозаметная «стеклоткань», в частности T-стекло, привлекает к себе все больше внимания.
Отраслевые термины, такие как Low-Dk, Low-CTE, T-glass и glass fiber fabric встречаются часто, но что они означают? И поскольку приобрести подходящую стеклоткань все сложнее, а цены растут, как это влияет на рынок ИИ? Подборка информации ниже составлена TechNews.
Почему стеклоткань внезапно стала так важна
🔸 Стеклоткань — это тканый материал из тонкой стекловолоконной пряжи, ценимый за свои изоляционные свойства, термостойкость и исключительную прочность. Это ключевой компонент медно-плакированных ламинатов, которые формируют основу печатных плат.
CCL производятся путем прессования медной фольги вместе с непроводящими материалами — в основном со стеклотканью и с эпоксидной смолой — под воздействием тепла и давления. На уровне PCB, CCL служит основной подложкой, формируя проводящие слои, которые соединяют электронные компоненты.
🎓 CCL (от англ. Copper Clad Laminate) - ламинат с медным покрытием — это основной материал для производства печатных плат (PCB).
Таким образом, стеклоткань работает армирующим материалом внутри этих подложек, придавая печатным платам структурную прочность и электрическую изоляцию, необходимые для надежной работы. Именно поэтому в отраслевых анализах обсуждение стеклоткани часто естественным образом распространяется на CCL и PCB.
Примечательно, что стеклоткань используется не только для ИИ-серверов. Сегодня она применяется в широком спектре электроники — от высококлассных PCB и IC-подложек до смартфонов, серверов и сетевых плат. В высокочастотных высокоскоростных приложениях качество стеклоткани — особенно ее низкая диэлектрическая проницаемость и низкие диэлектрические потери — становятся критически важными.
Поскольку спрос на ИИ-серверы растет, обновляются и материалы для PCB. В частности, все больше внимания получают стеклоткани с такими свойствами, как «Low-Dk» (с низкой диэлектрической постоянной Dk) и Low-CTE (с низким коэффициентом теплового расширения (коэффициентом термического расширения, CTE). (..)
👍5🔥1
(2) T-стекло: что делает его особенным?
Существует немало видов стекловолокна, отличающихся по составу и свойствам. В западной терминологии это, например: E-стекло, A-стекло, C-стекло, D-стекло и S-стекло.
🔸 E-стекло (электротехнический класс) — это высококачественное бессвинцовое стекловолокно с высокой электроизоляцией — поддерживает стабильную работу схем.
🔸 S-стекло (прочностный класс) - создано для максимальной механической прочности — отлично подходит для формирования жестких структур.
🔸 C-стекло (класс химической стойкости) - уверенно сопротивляется воздействию кислот и предназначено для работы в суровых химических средах.
🔸 D-стекло (диэлектрический класс) - обладает низкими диэлектрическими свойствами, что делает его необходимым для высокочастотных, высокоскоростных печатных плат.
🔸 NE-стекло (серия NEG) - обеспечивает стабильность размеров и низкие потери, обычно используется в материнских платах серверов и коммуникационных платах.
🔸 T-стекло — это та стеклоткань, которая сегодня у многих на слуху из-за дефицита, — это высокотехнологичная ветвь E-стекла. Известно своей высокой жесткостью, низким тепловым расширением и стабильностью размеров, оно предотвращает коробление или изгиб материалов и потому его используют в современных технологиях упаковки кристаллов. Проще говоря, T-стекло помогает многослойным подложкам оставаться прочными и точными, обеспечивая надежную работу высокоскоростной, высокопроизводительной электроники.
С точки зрения применения, T-стекло является критически важным материалом для подложек микросхем, ABF- и BT-подложек, а также для передовых технологий упаковки, таких как CoWoS и SoIC. Это делает T-стекло основой быстрых и надежных AI-вычислений.
(..)
Существует немало видов стекловолокна, отличающихся по составу и свойствам. В западной терминологии это, например: E-стекло, A-стекло, C-стекло, D-стекло и S-стекло.
🔸 E-стекло (электротехнический класс) — это высококачественное бессвинцовое стекловолокно с высокой электроизоляцией — поддерживает стабильную работу схем.
🔸 S-стекло (прочностный класс) - создано для максимальной механической прочности — отлично подходит для формирования жестких структур.
🔸 C-стекло (класс химической стойкости) - уверенно сопротивляется воздействию кислот и предназначено для работы в суровых химических средах.
🔸 D-стекло (диэлектрический класс) - обладает низкими диэлектрическими свойствами, что делает его необходимым для высокочастотных, высокоскоростных печатных плат.
🔸 NE-стекло (серия NEG) - обеспечивает стабильность размеров и низкие потери, обычно используется в материнских платах серверов и коммуникационных платах.
🔸 T-стекло — это та стеклоткань, которая сегодня у многих на слуху из-за дефицита, — это высокотехнологичная ветвь E-стекла. Известно своей высокой жесткостью, низким тепловым расширением и стабильностью размеров, оно предотвращает коробление или изгиб материалов и потому его используют в современных технологиях упаковки кристаллов. Проще говоря, T-стекло помогает многослойным подложкам оставаться прочными и точными, обеспечивая надежную работу высокоскоростной, высокопроизводительной электроники.
С точки зрения применения, T-стекло является критически важным материалом для подложек микросхем, ABF- и BT-подложек, а также для передовых технологий упаковки, таких как CoWoS и SoIC. Это делает T-стекло основой быстрых и надежных AI-вычислений.
(..)
👍3
(3) Что такое ткани Low-Dk, Low-Df и Low-CTE?
Диэлектрическую проницаемость можно сравнить с электрической емкостью материала — она определяет, насколько быстро сигналы проходят через него и сколько энергии при этом теряется. Более низкая Dk означает, что сигналы проходят быстрее и с меньшей задержкой, сокращая потери энергии в высокоскоростных приложениях.
Примечательно, что Low-Dk также имеет уровни: ткани Low-Dk1 и Low-Dk2 доминируют на сегодняшнем рынке, но передовые ИИ-серверы продвигаются в область Low-Dk3 или кварцевого стекла — хотя применение в этих целях кварца еще не стало массовым.
Коэффициент диэлектрических потерь показывает, сколько энергии сигнала рассеивается в виде тепла при передаче. Более низкий Df (коэффициент рассеяния) соответствует меньшей потере мощности.
Коэффициент теплового расширения показывает, насколько материал расширяется под воздействием тепла. Материалы с низким CTE остаются стабильными даже при значительных колебаниях температур — практически не коробясь.
TechNews, со ссылкой на мнение Линь Цзя-Юя, генерального менеджера подразделения волокон Taiwan Glass, поясняет, что ткань из стекла с низким CTE в основном используется в подложках традиционных микросхем, в то время как Low-Dk применяется в слоях PCB под чипами ИИ. Оба варианта стекловолокна является абсолютно необходимыми материалами при создании ИИ-серверов. (..)
Диэлектрическую проницаемость можно сравнить с электрической емкостью материала — она определяет, насколько быстро сигналы проходят через него и сколько энергии при этом теряется. Более низкая Dk означает, что сигналы проходят быстрее и с меньшей задержкой, сокращая потери энергии в высокоскоростных приложениях.
Примечательно, что Low-Dk также имеет уровни: ткани Low-Dk1 и Low-Dk2 доминируют на сегодняшнем рынке, но передовые ИИ-серверы продвигаются в область Low-Dk3 или кварцевого стекла — хотя применение в этих целях кварца еще не стало массовым.
Коэффициент диэлектрических потерь показывает, сколько энергии сигнала рассеивается в виде тепла при передаче. Более низкий Df (коэффициент рассеяния) соответствует меньшей потере мощности.
Коэффициент теплового расширения показывает, насколько материал расширяется под воздействием тепла. Материалы с низким CTE остаются стабильными даже при значительных колебаниях температур — практически не коробясь.
TechNews, со ссылкой на мнение Линь Цзя-Юя, генерального менеджера подразделения волокон Taiwan Glass, поясняет, что ткань из стекла с низким CTE в основном используется в подложках традиционных микросхем, в то время как Low-Dk применяется в слоях PCB под чипами ИИ. Оба варианта стекловолокна является абсолютно необходимыми материалами при создании ИИ-серверов. (..)
👍3
(4) Что дальше? Путь к Q-стеклу
TechNews предполагает, что материалы из стекловолокна развиваются по двум направлениям:
варианты с низким CTE, такие как T-стекло, ориентированы на сохранение стабильности размеров в многослойных IC-подложках, в то время как варианты с низким Dk/Df, такие как NE-стекло, уделяют приоритетное внимание качеству сигнала в CCL, сокращая потери при передаче в высокоскоростных ИИ-серверах.
Есть и альтернатива: кварцевая стеклоткань, все еще в основном в статусе лабораторных испытаний.
Q-стекло, по слухам, превосходит существующие материалы по всем параметрам — CTE, Dk и Df — что делает его гибридом следующего поколения, обеспечивающим как стабильность, так и скорость. Но, согласно TechNews, есть два препятствия, которые не дают ему выйти на рынок: оно дороже, чем T-стекло или NE-стекло, а его крайняя твердость негативно влияет на выход годных при сверлении PCB и ламинации, вынуждая производителей кардинально менять оборудование и тонко настраивать процессы.
Почему T-стекло в остром дефиците — и эффект домино
Спрос на T-стекло стремительно растет — и предложение не успевает за ним. Вот почему: ИИ-серверы требуют гораздо больше вычислительной мощности и пропускной способности, чем традиционные серверы. Поскольку в 2026 году IC-подложки растут в размерах, производителям необходимо все более заботиться о структурной жесткости — в частности, они удваивают использование T-стекла в основных слоях и добавляют больше слоев в целом. Совокупный эффект задирает спрос на T-стекло и ведет к его дефициту.
По оценкам TrendForce, японская компания Nittobo близка к монополии на T-стекло производственного класса. Среди его покупателей — NVIDIA, Microsoft, Google и Amazon. Однако, поскольку Nittobo не успевает расширять свои производственные мощности соответственно спросу, отрасль может столкнуться с нехваткой этого материала в ближайшее время.
Недавний отчет Goldman Sachs, процитированный TechNews, подсвечивает эффект домино:
Богатые клиентов, работающие в области ИИ используют T-стекло в высококлассных ABF-подложках для AI GPU и ASIC, и в итоге на BT-подложки этого материала не хватает. Таким образом, Goldman, как сообщается, прогнозирует, что производители BT-подложек могут столкнуться с дефицитом T-стекла в двухзначных числах в течение следующих нескольких месяцев или кварталов.
Тайваньские производители стекловолокна могут оказаться в выигрыше. Согласно TechNews, Taiwan Glass и Fulltech Fiber Glass получили сертификацию от крупных местных производителей CCL. Taiwan Glass, в частности, только что стала 3-й компанией в мире — после американского и японского конкурентов — она освоила производство ткани из стекла с низким Dk, подготовившись к росту спроса, сообщает отчет.
@RUSmicro
TechNews предполагает, что материалы из стекловолокна развиваются по двум направлениям:
варианты с низким CTE, такие как T-стекло, ориентированы на сохранение стабильности размеров в многослойных IC-подложках, в то время как варианты с низким Dk/Df, такие как NE-стекло, уделяют приоритетное внимание качеству сигнала в CCL, сокращая потери при передаче в высокоскоростных ИИ-серверах.
Есть и альтернатива: кварцевая стеклоткань, все еще в основном в статусе лабораторных испытаний.
Q-стекло, по слухам, превосходит существующие материалы по всем параметрам — CTE, Dk и Df — что делает его гибридом следующего поколения, обеспечивающим как стабильность, так и скорость. Но, согласно TechNews, есть два препятствия, которые не дают ему выйти на рынок: оно дороже, чем T-стекло или NE-стекло, а его крайняя твердость негативно влияет на выход годных при сверлении PCB и ламинации, вынуждая производителей кардинально менять оборудование и тонко настраивать процессы.
Почему T-стекло в остром дефиците — и эффект домино
Спрос на T-стекло стремительно растет — и предложение не успевает за ним. Вот почему: ИИ-серверы требуют гораздо больше вычислительной мощности и пропускной способности, чем традиционные серверы. Поскольку в 2026 году IC-подложки растут в размерах, производителям необходимо все более заботиться о структурной жесткости — в частности, они удваивают использование T-стекла в основных слоях и добавляют больше слоев в целом. Совокупный эффект задирает спрос на T-стекло и ведет к его дефициту.
По оценкам TrendForce, японская компания Nittobo близка к монополии на T-стекло производственного класса. Среди его покупателей — NVIDIA, Microsoft, Google и Amazon. Однако, поскольку Nittobo не успевает расширять свои производственные мощности соответственно спросу, отрасль может столкнуться с нехваткой этого материала в ближайшее время.
Недавний отчет Goldman Sachs, процитированный TechNews, подсвечивает эффект домино:
Богатые клиентов, работающие в области ИИ используют T-стекло в высококлассных ABF-подложках для AI GPU и ASIC, и в итоге на BT-подложки этого материала не хватает. Таким образом, Goldman, как сообщается, прогнозирует, что производители BT-подложек могут столкнуться с дефицитом T-стекла в двухзначных числах в течение следующих нескольких месяцев или кварталов.
Тайваньские производители стекловолокна могут оказаться в выигрыше. Согласно TechNews, Taiwan Glass и Fulltech Fiber Glass получили сертификацию от крупных местных производителей CCL. Taiwan Glass, в частности, только что стала 3-й компанией в мире — после американского и японского конкурентов — она освоила производство ткани из стекла с низким Dk, подготовившись к росту спроса, сообщает отчет.
@RUSmicro
👍5❤1
🇪🇺 🇺🇸 Участники рынка. Производство микроэлектроники. Алмазные технологии. Европа
Испания инвестирует в первый в Европе завод по производству алмазных чипов
Правительство Испании объявило о крупных инвестициях в строительство завода по производству микрочипов американской компании Diamond Foundry. Проект будет реализован в городе Трухильо, в западном регионе Эстремадура. Об этом сообщает Reuters.
Ключевые детали проекта:
🔹 Общий объем инвестиций: 2,35 млрд евро.
🔹 Вклад Испании: 753 млн евро через государственный фонд технологических инвестиций SETT в рамках программы поддержки полупроводниковой отрасли.
🔹 Вклад Diamond Foundry: около 1,6 млрд евро, которые компания планирует инвестировать до 2029 года.
🔹 Завод будет производить синтетические алмазные пластины (подложки) для полупроводников. Это позволит решить одну из главных проблем индустрии — перегрев чипов, поскольку алмазы обладают очень высокой теплопроводностью по сравнению с традиционным кремнием.
🔹 Предприятие станет первым в Европе крупномасштабным производителем алмазных подложек для продвинутых микрочипов.
🔹 Прочие мелочи. Согласно отчетам, проект создаст более 2100 рабочих мест, 500 из которых — непосредственно на заводе.
Diamond Foundry уже имеет в Эстремадуре завод по производству синтетических алмазов, но его продукция используется для ювелирных изделий и промышленного оборудования. Новое производство будет ориентировано на высокотехнологичную электронику.
Примечательно, что среди инвесторов компании числится голливудский актер Леонардо ДиКаприо. Заявление правительства прозвучало незадолго до досрочных региональных выборов в Эстремадуре.
Алмазное направление в микроэлектроники пока что кажется нишевым, но на деле имеет стратегическое значение. Испания станет, минимум, 4-й страной, где занимаются алмазами применительно к микроэлектронике. Соответствующие предприятия действуют в Австрии, Великобритании и Ирландии.
@RUSmicro
Испания инвестирует в первый в Европе завод по производству алмазных чипов
Правительство Испании объявило о крупных инвестициях в строительство завода по производству микрочипов американской компании Diamond Foundry. Проект будет реализован в городе Трухильо, в западном регионе Эстремадура. Об этом сообщает Reuters.
Ключевые детали проекта:
🔹 Общий объем инвестиций: 2,35 млрд евро.
🔹 Вклад Испании: 753 млн евро через государственный фонд технологических инвестиций SETT в рамках программы поддержки полупроводниковой отрасли.
🔹 Вклад Diamond Foundry: около 1,6 млрд евро, которые компания планирует инвестировать до 2029 года.
🔹 Завод будет производить синтетические алмазные пластины (подложки) для полупроводников. Это позволит решить одну из главных проблем индустрии — перегрев чипов, поскольку алмазы обладают очень высокой теплопроводностью по сравнению с традиционным кремнием.
🔹 Предприятие станет первым в Европе крупномасштабным производителем алмазных подложек для продвинутых микрочипов.
🔹 Прочие мелочи. Согласно отчетам, проект создаст более 2100 рабочих мест, 500 из которых — непосредственно на заводе.
Diamond Foundry уже имеет в Эстремадуре завод по производству синтетических алмазов, но его продукция используется для ювелирных изделий и промышленного оборудования. Новое производство будет ориентировано на высокотехнологичную электронику.
Примечательно, что среди инвесторов компании числится голливудский актер Леонардо ДиКаприо. Заявление правительства прозвучало незадолго до досрочных региональных выборов в Эстремадуре.
Алмазное направление в микроэлектроники пока что кажется нишевым, но на деле имеет стратегическое значение. Испания станет, минимум, 4-й страной, где занимаются алмазами применительно к микроэлектронике. Соответствующие предприятия действуют в Австрии, Великобритании и Ирландии.
@RUSmicro
👍4
🇺🇸 🇹🇼 Производство электроники. Роботизация. ИИ. США. Тайвань
Foxconn и Intrinsic создают гибкое высокосмешанное и высокосерийное производство в США
Дочка Alphabet, компания Intrinsic и тайваньский гигант Foxconn объединили усилия для интеграции ИИ, роботизированных систем и цифровых двойников в рамках модульной автоматизации и развития производства в США.
Обновленные системы займутся сборкой, контролем качества, обслуживанием станков и логистикой.
Intrinsic не раскрывал тип роботов, которые собираются использовать партнеры, но в целом, речь идет об окончательном переходе от “жестких” производственных систем к гибким и адаптивным рабочим процессам.
В первую очередь, роботизация коснется сложных и высокоточных задач вроде сборки электроники. Партнеры совместят роботов, ИИ, компьютерное зрение, тактильные датчики и ряд других систем. Комплекс обеспечит субмиллиметровую точность, используя лишь RGB-камеры, что, в свою очередь, сократит затраты на оборудование в 5-20 раз по сравнению с современными системами, полагающимися на датчики глубины. По словам представителей Intrinsic, партнерам удалось ускорить развертывание роботов, сократить эксплуатационные расходы и повысить рабочую эффективность. Подход обеспечит слияние высокосмешанного и высокосерийного производств.
@RUSmicro по материалам TheRobotReport, фото - intrinsic
Foxconn и Intrinsic создают гибкое высокосмешанное и высокосерийное производство в США
Дочка Alphabet, компания Intrinsic и тайваньский гигант Foxconn объединили усилия для интеграции ИИ, роботизированных систем и цифровых двойников в рамках модульной автоматизации и развития производства в США.
Обновленные системы займутся сборкой, контролем качества, обслуживанием станков и логистикой.
Intrinsic не раскрывал тип роботов, которые собираются использовать партнеры, но в целом, речь идет об окончательном переходе от “жестких” производственных систем к гибким и адаптивным рабочим процессам.
В первую очередь, роботизация коснется сложных и высокоточных задач вроде сборки электроники. Партнеры совместят роботов, ИИ, компьютерное зрение, тактильные датчики и ряд других систем. Комплекс обеспечит субмиллиметровую точность, используя лишь RGB-камеры, что, в свою очередь, сократит затраты на оборудование в 5-20 раз по сравнению с современными системами, полагающимися на датчики глубины. По словам представителей Intrinsic, партнерам удалось ускорить развертывание роботов, сократить эксплуатационные расходы и повысить рабочую эффективность. Подход обеспечит слияние высокосмешанного и высокосерийного производств.
@RUSmicro по материалам TheRobotReport, фото - intrinsic
❤5👍1
🇷🇺 Господдержка. Производство электроники (?) Производство микроэлектроники (?) Россия
3 млрд могут быть выделены на поддержку закупок российского производственного оборудования
Минпромторг компенсирует покупателям до 30% стоимости приобретаемого отечественного производственного оборудования - эту симпатичную меру господдержки обещают в Минпромторге, рассказывают Ведомости.
Производителям электроники обещают компенсировать до 30% от стоимости приобретаемой единицы отечественного оборудования для производства электроники (вплоть до 50 млн руб. за единицу). Этого, по идее, должно хватить для того, чтобы покрыть разницу между стоимостью зарубежных аналогов и оборудования российского производства. Если последнее кто-нибудь когда-нибудь станет выпускать. По сути, эта компенсация – мера поддержки не только производителей электроники, но и производителей оборудования, поскольку она очевидно стимулирует спрос на их продукцию.
Этим меры поддержки не ограничатся. Производителям оборудования также обещаны льготные кредиты под 3-5%, если они возьмутся за организацию серийного производства отечественного оборудования – еще один вполне грамотный ход.
Еще отечественные производители оборудования смогут взять льготный кредит на организацию производства сроком на 7 лет, с предельной суммой в 300 млн из которых ФРП должен будет компенсировать 50%.
В общем, если не отыщется «дьявол в деталях», а это, увы, вполне может случиться, предложенные меры господдержки выглядят весьма неплохо. Разве что сумма обеспечения всех этих мер слишком мала – около 3 млрд в 2026-2028 году. Но, возможно, она отражает инвестиционный потенциал отрасли в условиях высокой КС ЦБ?
Одно из условий для получения господдержки – оборудование должно быть реестровым (по ПП №719).
♨️ Все бы хорошо, но из текста публикации я, признаться, не понял, действительно ли идет речь о стимулировании производства и закупки отечественного оборудования для производства электроники? Потому что если в начале текста идет речь о производстве электроники, то затем почему-то начали мелькать названия компаний, занятых созданием оборудования для производства микроэлектроники (электронных компонентов). А это совсем иной сегмент рынка.
В частности, непонятно, эти скромные 3 млрд - на всех про всех? "Смазанное" в итоге получилось впечатление от этой новости. Кому все-таки предназначены меры поддержки. Если всей отрасли, то это просто мизер. Если только на стимулирование закупки отечественного оборудования для сборки электроники и производителей такого оборудования, ну, еще туда-сюда. Если на производителей оборудования для производства компонентов, и производителей компонентов - этого очень мало. Если на всех... ну, я уже сказал выше.
В целом хотелось бы от авторов подобных программ более четких формулировок, о каком сегменте рынка идет речь в том или ином случае.
UPD: Как видно из слайда презентации, речь идет о всем производственном оборудовании: "Предоставление субсидий российским производителям средств производства на возмещение недополученных доходов, связанных с предоставлением скидки при реализации продукции электронного машиностроения". Спасибо добрым людям за слайд.
@RUSmicro
3 млрд могут быть выделены на поддержку закупок российского производственного оборудования
Минпромторг компенсирует покупателям до 30% стоимости приобретаемого отечественного производственного оборудования - эту симпатичную меру господдержки обещают в Минпромторге, рассказывают Ведомости.
Производителям электроники обещают компенсировать до 30% от стоимости приобретаемой единицы отечественного оборудования для производства электроники (вплоть до 50 млн руб. за единицу). Этого, по идее, должно хватить для того, чтобы покрыть разницу между стоимостью зарубежных аналогов и оборудования российского производства. Если последнее кто-нибудь когда-нибудь станет выпускать. По сути, эта компенсация – мера поддержки не только производителей электроники, но и производителей оборудования, поскольку она очевидно стимулирует спрос на их продукцию.
Этим меры поддержки не ограничатся. Производителям оборудования также обещаны льготные кредиты под 3-5%, если они возьмутся за организацию серийного производства отечественного оборудования – еще один вполне грамотный ход.
Еще отечественные производители оборудования смогут взять льготный кредит на организацию производства сроком на 7 лет, с предельной суммой в 300 млн из которых ФРП должен будет компенсировать 50%.
В общем, если не отыщется «дьявол в деталях», а это, увы, вполне может случиться, предложенные меры господдержки выглядят весьма неплохо. Разве что сумма обеспечения всех этих мер слишком мала – около 3 млрд в 2026-2028 году. Но, возможно, она отражает инвестиционный потенциал отрасли в условиях высокой КС ЦБ?
Одно из условий для получения господдержки – оборудование должно быть реестровым (по ПП №719).
♨️ Все бы хорошо, но из текста публикации я, признаться, не понял, действительно ли идет речь о стимулировании производства и закупки отечественного оборудования для производства электроники? Потому что если в начале текста идет речь о производстве электроники, то затем почему-то начали мелькать названия компаний, занятых созданием оборудования для производства микроэлектроники (электронных компонентов). А это совсем иной сегмент рынка.
В частности, непонятно, эти скромные 3 млрд - на всех про всех? "Смазанное" в итоге получилось впечатление от этой новости. Кому все-таки предназначены меры поддержки. Если всей отрасли, то это просто мизер. Если только на стимулирование закупки отечественного оборудования для сборки электроники и производителей такого оборудования, ну, еще туда-сюда. Если на производителей оборудования для производства компонентов, и производителей компонентов - этого очень мало. Если на всех... ну, я уже сказал выше.
В целом хотелось бы от авторов подобных программ более четких формулировок, о каком сегменте рынка идет речь в том или ином случае.
UPD: Как видно из слайда презентации, речь идет о всем производственном оборудовании: "Предоставление субсидий российским производителям средств производства на возмещение недополученных доходов, связанных с предоставлением скидки при реализации продукции электронного машиностроения". Спасибо добрым людям за слайд.
@RUSmicro
👍5❤2🔥2
🇷🇺 Производственные технологии. SLM. СВЧ. Антенны, Россия
3D-печать металлом (SLM) в производстве антенн миллиметрового диапазона: практический опыт в РФ
Технология SLM (Selective Laser Melting) постепенно закрепляется в СВЧ-отрасли как рабочий инструмент для изготовления антенн и волноводных компонентов сложной формы в высоких диапазонах (миллиметровые волны).
Один из интересных примеров ее применения — производство рупорных, конусных и рупорно-линзовых антенн из алюминиевого сплава AlSi10Mg. Этот материал хорошо подходит для высокочастотных конструкций благодаря низкой массе и стабильным электрическим свойствам.
На фото — пример D-band рупорно-линзовой антенны с усилением 33 dBi, выполненной методом SLM-печати в компании ДОК (Санкт-Петербург).
Как выглядит основной технологический процесс
▫️ Формирование 3D модели детали в машинном ПО
▫️ Лазер послойно спекает порошок, создавая цельнометаллическую конструкцию. После печати изделие имеет систему поддержек — они удерживают геометрию во время построения.
▫️ Удаление поддержек. Эти перемычки снимаются механически, довольно критичный этап, т.к. важно сохранить точный профиль.
Особенности поверхности
SLM придает деталям характерную шероховатость. В диапазоне до ~170 ГГц (D-band) это допустимо — для антенн важнее точность геометрии, а не зеркальная поверхность, как в случае таких компонентов как мм-волновые фильтры.
Обработка фланцев
Фланцевые поверхности после печати доводятся до уровня высокой точности и чистоты, поскольку именно качество стыков по фланцу с волноводным трактом будет сильно влиять на потери и стабильность соединений.
Финишное золочение (если по требованию ТЗ)
Готовые элементы могут покрываться тонким слоем золота — это улучшает проводимость и повторяемость характеристик.
SLM-печать уверенно занимает свою нишу там, где требуется:
▫️ изготовление сложных форм высокочастотных компонентов, трудных для фрезеровки или токарной обработки;
▫️ быстрая реализация опытных изделий и мелкосерийных партий;
▫️ создание профилей, которые ранее выполняли методом гальванопластики.
Как обычно строится работа с мм-волновыми компонентами
В отраслевой практике сначала формулируются параметры, которые определяют будущую антенну: частотный диапазон, усиление, диаграмма направленности, требования по габаритам.
На этой основе инженеры рассчитывают геометрию и подбирают подходящую производственную технологию, разрабатывают чертежи и определяют, будет ли конструкция выполняться традиционным способом, 3D-печатью, методом гальванопластики или сочетанием сразу нескольких подходов.
В дополнение к этому многие производители держат стандартные модели антенн и волноводов, а для нестандартных задач используют гибридный подход: проектирование с нуля + SLM или гальванопластика, в зависимости от диапазона и требуемой точности.
📌 RUSmicro: На текущем этапе SLM не заменяет традиционные методы (фрезерование, гальванопластику), а дополняет их, занимая нишу быстрого прототипирования, мелкосерийного производства и изготовления деталей со сложнейшей геометрией. Но вполне вероятно, что по мере развития технологий, снижения затрат и накопления экспертизы 3D-печать металлом в России станет такой же обыденной частью инженерного процесса в технологиях мм-волн, как когда-то стала 3D-печать деталей для машин и механизмов.
Сергей Березин, mmwaves_design с гостевым постом для @RUSmicro
3D-печать металлом (SLM) в производстве антенн миллиметрового диапазона: практический опыт в РФ
Технология SLM (Selective Laser Melting) постепенно закрепляется в СВЧ-отрасли как рабочий инструмент для изготовления антенн и волноводных компонентов сложной формы в высоких диапазонах (миллиметровые волны).
Один из интересных примеров ее применения — производство рупорных, конусных и рупорно-линзовых антенн из алюминиевого сплава AlSi10Mg. Этот материал хорошо подходит для высокочастотных конструкций благодаря низкой массе и стабильным электрическим свойствам.
На фото — пример D-band рупорно-линзовой антенны с усилением 33 dBi, выполненной методом SLM-печати в компании ДОК (Санкт-Петербург).
Как выглядит основной технологический процесс
▫️ Формирование 3D модели детали в машинном ПО
▫️ Лазер послойно спекает порошок, создавая цельнометаллическую конструкцию. После печати изделие имеет систему поддержек — они удерживают геометрию во время построения.
▫️ Удаление поддержек. Эти перемычки снимаются механически, довольно критичный этап, т.к. важно сохранить точный профиль.
Особенности поверхности
SLM придает деталям характерную шероховатость. В диапазоне до ~170 ГГц (D-band) это допустимо — для антенн важнее точность геометрии, а не зеркальная поверхность, как в случае таких компонентов как мм-волновые фильтры.
Обработка фланцев
Фланцевые поверхности после печати доводятся до уровня высокой точности и чистоты, поскольку именно качество стыков по фланцу с волноводным трактом будет сильно влиять на потери и стабильность соединений.
Финишное золочение (если по требованию ТЗ)
Готовые элементы могут покрываться тонким слоем золота — это улучшает проводимость и повторяемость характеристик.
SLM-печать уверенно занимает свою нишу там, где требуется:
▫️ изготовление сложных форм высокочастотных компонентов, трудных для фрезеровки или токарной обработки;
▫️ быстрая реализация опытных изделий и мелкосерийных партий;
▫️ создание профилей, которые ранее выполняли методом гальванопластики.
Как обычно строится работа с мм-волновыми компонентами
В отраслевой практике сначала формулируются параметры, которые определяют будущую антенну: частотный диапазон, усиление, диаграмма направленности, требования по габаритам.
На этой основе инженеры рассчитывают геометрию и подбирают подходящую производственную технологию, разрабатывают чертежи и определяют, будет ли конструкция выполняться традиционным способом, 3D-печатью, методом гальванопластики или сочетанием сразу нескольких подходов.
В дополнение к этому многие производители держат стандартные модели антенн и волноводов, а для нестандартных задач используют гибридный подход: проектирование с нуля + SLM или гальванопластика, в зависимости от диапазона и требуемой точности.
📌 RUSmicro: На текущем этапе SLM не заменяет традиционные методы (фрезерование, гальванопластику), а дополняет их, занимая нишу быстрого прототипирования, мелкосерийного производства и изготовления деталей со сложнейшей геометрией. Но вполне вероятно, что по мере развития технологий, снижения затрат и накопления экспертизы 3D-печать металлом в России станет такой же обыденной частью инженерного процесса в технологиях мм-волн, как когда-то стала 3D-печать деталей для машин и механизмов.
Сергей Березин, mmwaves_design с гостевым постом для @RUSmicro
👍8❤2
🇺🇸 Упаковка. EMIB. США
Технология Intel EMIB набирает популярность: станет ли она новой звездой в мире чипов для ИИ и смартфонов?
Технология продвинутой упаковки чипов Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) демонстрирует растущую популярность. Интерес к ней проявляют такие технологические гиганты, как Apple, Qualcomm, Google и M*. Это связано с дефицитом мощностей основного конкурента — TSMC, а также с преимуществами технологии EMIB в плане стоимости и гибкости дизайна для определенных классов продуктов.
Кто и почему проявляет интерес?
Интерес к EMIB подтверждают действия крупных игроков. Apple и Qualcomm размещали вакансии для инженеров, требующие опыта работы с технологией EMIB. Это значит, что компании как минимум исследуют данное направление, возможно, для процессоров смартфонов и чипов для серверов ИИ.
В сегменте AI-чипов (ASIC) также можно наблюдать сдвиг в эту сторону. Аналитики TrendForce сообщают, что крупные облачные провайдеры, включая Google (для TPU v9, ожидаемых в 2027 году) и M* (для ускорителей MTIA), рассматривают EMIB как альтернативу TSMC CoWoS. Это вызвано острой нехваткой мощностей упаковки у TSMC, которые в значительной степени заняты под заказы NVIDIA и AMD.
Более того, обсуждается такой оригинальный сценарий, как предоставление компанией Intel услуг по упаковке для чипов, произведенных TSMC на фабе в Аризоне.
(В таблице показаны ключевые отличия и преимущества EMIB и CoWoS)
Одним из ключевых преимуществ Intel является наличие мощностей для продвинутой упаковки на территории Соединенных Штатов (фабрики Fab 9 и Fab 11x в Нью-Мексико). Это придает технологии EMIB стратегический вес в условиях, когда США стремятся создать независимую полупроводниковую цепочку поставок.
Чего можно ожидать в ближайшие годы
В среднесрочной перспективе EMIB не заменит CoWoS для высокопроизводительных GPU NVIDIA и AMD. Однако технология займет прочные позиции в сегменте AI-ASIC, где крупные заказчики ищут альтернативы в условиях дефицита мощностей TSMC и стремятся контролировать издержки.
Если Intel сможет стать партнером по упаковки чипов, произведенных TSMC, это обеспечит для этой компании позицию критически важного участника в американской полупроводниковой экосистеме.
Растущий интерес к EMIB со стороны крупнейших производителей электроники сигнализирует о начале диверсификации рынка продвинутой упаковки, который долгое время был монополизирован TSMC. Это хорошо для отрасли.
@RUSmicro
Технология Intel EMIB набирает популярность: станет ли она новой звездой в мире чипов для ИИ и смартфонов?
Технология продвинутой упаковки чипов Intel EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) демонстрирует растущую популярность. Интерес к ней проявляют такие технологические гиганты, как Apple, Qualcomm, Google и M*. Это связано с дефицитом мощностей основного конкурента — TSMC, а также с преимуществами технологии EMIB в плане стоимости и гибкости дизайна для определенных классов продуктов.
Кто и почему проявляет интерес?
Интерес к EMIB подтверждают действия крупных игроков. Apple и Qualcomm размещали вакансии для инженеров, требующие опыта работы с технологией EMIB. Это значит, что компании как минимум исследуют данное направление, возможно, для процессоров смартфонов и чипов для серверов ИИ.
В сегменте AI-чипов (ASIC) также можно наблюдать сдвиг в эту сторону. Аналитики TrendForce сообщают, что крупные облачные провайдеры, включая Google (для TPU v9, ожидаемых в 2027 году) и M* (для ускорителей MTIA), рассматривают EMIB как альтернативу TSMC CoWoS. Это вызвано острой нехваткой мощностей упаковки у TSMC, которые в значительной степени заняты под заказы NVIDIA и AMD.
Более того, обсуждается такой оригинальный сценарий, как предоставление компанией Intel услуг по упаковке для чипов, произведенных TSMC на фабе в Аризоне.
(В таблице показаны ключевые отличия и преимущества EMIB и CoWoS)
Одним из ключевых преимуществ Intel является наличие мощностей для продвинутой упаковки на территории Соединенных Штатов (фабрики Fab 9 и Fab 11x в Нью-Мексико). Это придает технологии EMIB стратегический вес в условиях, когда США стремятся создать независимую полупроводниковую цепочку поставок.
Чего можно ожидать в ближайшие годы
В среднесрочной перспективе EMIB не заменит CoWoS для высокопроизводительных GPU NVIDIA и AMD. Однако технология займет прочные позиции в сегменте AI-ASIC, где крупные заказчики ищут альтернативы в условиях дефицита мощностей TSMC и стремятся контролировать издержки.
Если Intel сможет стать партнером по упаковки чипов, произведенных TSMC, это обеспечит для этой компании позицию критически важного участника в американской полупроводниковой экосистеме.
Растущий интерес к EMIB со стороны крупнейших производителей электроники сигнализирует о начале диверсификации рынка продвинутой упаковки, который долгое время был монополизирован TSMC. Это хорошо для отрасли.
@RUSmicro
👍3
В другом моем канале - публикации по теме российского телеком-оборудования: по регулированию рынка РРЛ и новым изделиям DWDM
🇷🇺 Регулирование. Производство РРЛ. Россия Российские производители РРЛ просят обязать операторов связи закупать только отечественное оборудование
🇷🇺 Телеком-оборудование. DWDM. Россия В Ростелеком завершили испытания DWDM-решений Горизонт компании VPG LaserONE
🇷🇺 Регулирование. Производство РРЛ. Россия Российские производители РРЛ просят обязать операторов связи закупать только отечественное оборудование
🇷🇺 Телеком-оборудование. DWDM. Россия В Ростелеком завершили испытания DWDM-решений Горизонт компании VPG LaserONE
👍2❤1