🇰🇷 Технологии. EUV фотолитография
В Samsung будут использовать заморозку пластин и низкое давление при EUV-литографии.
В Samsung используют EUV для коммерческого производства примерно уже год. Тем не менее, технология пока что остается проблемной.
Основные проблемы при использовании EUV - высокая плотность энергии пучка, что приводит к разрушению материала пластин. Другая проблема - после экспонирования пластины в EUV трудно протравить необходимые тончайшие дорожки. Столь же непросто депонировать добавки в структуры столь высокой плотности.
Удельная энергетическая плотность луча EUV-сканера с длиной волны 13.5нм в 10 раз выше, чем у луча лазера 193нм. Из-за этого в фоторезисте возникают паразитные образования. Образуются "микромосты", - непредусмотренные архитектурой чипа перемычки, которые в дальнейшем могут вызывать отказ. В Samsung с этим пытаются справиться за счет повторяемой короткой экспозицией и применением повторного травления. Это удлиняет производственный цикл.
Проблемы есть и с травлением все более узких канавок, это также требует больше времени на процесс, растет расход реагентов, включая защитное покрытие там, где не требуется травление.
Как решать эти проблемы?
В Samsung намерены снизить рабочую температуру в камере с обрабатываемой пластиной при одновременном снижении давления. Это снизит активность реагентов, в частности, снизится чувствительность фоторезиста, что позволяет рассчитывать на то, что микромосты не будут образовываться. Также снизятся требования к защитной полимерной пленке.
Сниженное давление усилит циркуляцию материалов в канавках при их обработке рабочими газами, что должно сократить по времени циклы травления и депонирования.
Пока что это рабочие идеи, которые только предстоит дорабатывать до того, как они станут частью серийного производства. Источник: https://3dnews.ru/998147 со ссылкой на http://www.etnews.com/20191120000032
Подробнее о EUV-технологии: http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
В Samsung будут использовать заморозку пластин и низкое давление при EUV-литографии.
В Samsung используют EUV для коммерческого производства примерно уже год. Тем не менее, технология пока что остается проблемной.
Основные проблемы при использовании EUV - высокая плотность энергии пучка, что приводит к разрушению материала пластин. Другая проблема - после экспонирования пластины в EUV трудно протравить необходимые тончайшие дорожки. Столь же непросто депонировать добавки в структуры столь высокой плотности.
Удельная энергетическая плотность луча EUV-сканера с длиной волны 13.5нм в 10 раз выше, чем у луча лазера 193нм. Из-за этого в фоторезисте возникают паразитные образования. Образуются "микромосты", - непредусмотренные архитектурой чипа перемычки, которые в дальнейшем могут вызывать отказ. В Samsung с этим пытаются справиться за счет повторяемой короткой экспозицией и применением повторного травления. Это удлиняет производственный цикл.
Проблемы есть и с травлением все более узких канавок, это также требует больше времени на процесс, растет расход реагентов, включая защитное покрытие там, где не требуется травление.
Как решать эти проблемы?
В Samsung намерены снизить рабочую температуру в камере с обрабатываемой пластиной при одновременном снижении давления. Это снизит активность реагентов, в частности, снизится чувствительность фоторезиста, что позволяет рассчитывать на то, что микромосты не будут образовываться. Также снизятся требования к защитной полимерной пленке.
Сниженное давление усилит циркуляцию материалов в канавках при их обработке рабочими газами, что должно сократить по времени циклы травления и депонирования.
Пока что это рабочие идеи, которые только предстоит дорабатывать до того, как они станут частью серийного производства. Источник: https://3dnews.ru/998147 со ссылкой на http://www.etnews.com/20191120000032
Подробнее о EUV-технологии: http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
🖥 Российский рынок зарубежных микроконтроллеров. Аналитика
Статистика опирается на данные таможни в 2108 году, но с необходимой коррекцией (удалены данные кристаллов для SIM-карт и карт).
По числу поставленных 8-разрядных микропроцессоров лидирует Microchip/Atmel, как, впрочем, и по общей стоимости ввезенных чипов.
Texas Instruments остается на втором месте по поставкам в деньгах (сигнальные процессоры в среднем дорогие). Возможно мы видим эту компанию на второй позиции последний раз. поскольку в TI отказалась от региональных дистрибьюторов (!), что может серьезно ударить по продажам на ряде рынков, включая российский.
STMicroelectronics - на третьем месте, в основном это результат лидерства компании в 32-разрядных микропроцессорах, которые в среднем дороже, чем 8-разрядные.
Подробнее: http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/85884/
Статистика опирается на данные таможни в 2108 году, но с необходимой коррекцией (удалены данные кристаллов для SIM-карт и карт).
По числу поставленных 8-разрядных микропроцессоров лидирует Microchip/Atmel, как, впрочем, и по общей стоимости ввезенных чипов.
Texas Instruments остается на втором месте по поставкам в деньгах (сигнальные процессоры в среднем дорогие). Возможно мы видим эту компанию на второй позиции последний раз. поскольку в TI отказалась от региональных дистрибьюторов (!), что может серьезно ударить по продажам на ряде рынков, включая российский.
STMicroelectronics - на третьем месте, в основном это результат лидерства компании в 32-разрядных микропроцессорах, которые в среднем дороже, чем 8-разрядные.
Подробнее: http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/85884/
🇳🇱 Производственное оборудование. ASML станет лидером рынка оборудования для производства полупроводников по итогам 2019 года
Такой прогноз делают аналитики The Information Network. Если это произойдет, то на второе место уйдет компания Applied Materials, занимавшая первое место с 1990 года.
Доля рынка Applied Materials на рынке производственного оборудования для работы с пластинами сокращается вот уже три года подряд. У ASML, напротив, дела обстоят замечательно в связи с высоким спросом на выпускаемые этой компанией EUV-сканеры, устройства для литографии с помощью жесткого ультрафиолета. Основными покупателями выступают Samsung, TSMC и Intel, причем производственных мощностей ASML все еще не хватает для того, чтобы удовлетворить спрос.
В 2018 году доля рынка Applied Materials оценивалась в 19,2% (в 2015-м в 23,0%). В 2019 году прогнозируется рост доли рынка этой компании до 19,4%. Но у ASML этот показатель вырастет до 21,6% с 18,0% в 2018.
Прогноз на 2020 год говорит о том, что можно будет ожидать закрепления ситуации. Общий рост рынка производства пластин ожидается всего на 5%, рост доли ASML - до 22,8%, а доля Applied Materials останется практически неизменной - в 19,3%.
Источник: https://www.digitimes.com/news/a20191125VL200.html
Такой прогноз делают аналитики The Information Network. Если это произойдет, то на второе место уйдет компания Applied Materials, занимавшая первое место с 1990 года.
Доля рынка Applied Materials на рынке производственного оборудования для работы с пластинами сокращается вот уже три года подряд. У ASML, напротив, дела обстоят замечательно в связи с высоким спросом на выпускаемые этой компанией EUV-сканеры, устройства для литографии с помощью жесткого ультрафиолета. Основными покупателями выступают Samsung, TSMC и Intel, причем производственных мощностей ASML все еще не хватает для того, чтобы удовлетворить спрос.
В 2018 году доля рынка Applied Materials оценивалась в 19,2% (в 2015-м в 23,0%). В 2019 году прогнозируется рост доли рынка этой компании до 19,4%. Но у ASML этот показатель вырастет до 21,6% с 18,0% в 2018.
Прогноз на 2020 год говорит о том, что можно будет ожидать закрепления ситуации. Общий рост рынка производства пластин ожидается всего на 5%, рост доли ASML - до 22,8%, а доля Applied Materials останется практически неизменной - в 19,3%.
Источник: https://www.digitimes.com/news/a20191125VL200.html
DIGITIMES
ASML to take semiconductor equipment lead from Applied in 2019, says market research firm
For the first time since 1990, Applied Materials is poised to lose its lead in the semiconductor equipment market, according to The Information Network.
🇰🇷 Чипы памяти. V-NAND. SSD
Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году
В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)
Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.
SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.
Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.
Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121219.htm
Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году
В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)
Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.
SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.
Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.
Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121219.htm
MForum.ru
Микроэлектроника: Чипы памяти. SSD. V-NAND
Микроэлектроника Чипы памяти. SSD. V-NAND
🇷🇺 Регулирование. Минкомсвязи опубликовало финальный вариант дорожной карты «Технологии беспроводной связи». Документ был подготовлен «дочкой» госкорпорации «Ростех» — «Национальным центром информации» (НЦИ).
В документе, в частности, приведены планы разработки широкого набора ЭКБ.
В частности, должен быть создан аналоговый тракт радиомодулей gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов частот до 3 ГГц. В рамках соответствующего мероприятия будут проведены опытно-конструкторские работы (ОКР) по созданию комплекта интегральных микросхем малошумящих усилителей для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G, комплекта интегральных микросхем цифровых аттенюаторов для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G и комплекта интегральных микросхем переключателей и предварительных с высокой развязкой для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G.
После проведения ОКР будут разработаны: гибридный gAN СВЧ-усилитель (сверхвысокочастотное излучение); технология создания мощных внутри согласованных транзисторов L-, S-диапазонов; технология проектирования и создания интегральных микросхем, совмещающих в одном корпусе радиочастотные и цифровые кристаллы; производство кремний-германиевого транзистора; мембранные СВЧ-тонкопленочные пьезоэлектрические фильтры на структурах AIN (FBAR) для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения.
Другое мероприятие в рамках создания ЭКБ связано с ЦАП/АЦП радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов рабочих частот до 3 ГГц. В этой части запланирована разработка и освоение производства высокочастотного кремний-германиевого аналого-цифрового преобразователя с увеличенной разрядностью, сверхвысокочастного кремний-германиевого двухканального аналого-цифрового преобразователя широкой номенклатуры аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
Также запланировано создание ЭКБ для аналогового тракта радиомодулей gNB-Ru базовой станции для диапазонов рабочих частот 3-6 ГГц. В этой части должны быть разработаны: интегральные микросхемы переключателей высокой мощности 0,05-6 ГГц и цифрового аттенюатора для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G; СВЧ-усилитель на частоте 3,5 ГГц с динамической нагрузкой, использующий GaN Vacator, а также широкополосный последовательный усилитель мощности 3,2-4 ГГц для приложений MIMO с размером модуля для интеграции массива; цифровой модульный передатчик MIMO с 1-битовым импульсным модулированным сигналом на частоту 3,5 ГГц.
Запланировано появление системы на кристалле, построенной на базе ПЛИС (программируемая логическая интегральная схема) для цифрового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G. В этой части должно быть разработано и освоено производство: процессора типа «система-в-корпусе», совмещенного с ПЛИС — для использования в перспективных системах связи специального, двойного и гражданского применения; микросхемы цифрового модема беспроводных пакетных сетей — для использования в «системах-в-корпусе» и электронных модулях перспективных систем связи профессионального, двойного и гражданского назначения.
Ожидается появление ЭКБ аналогового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-2020 для миллиметровых диапазонов частот свыше 6 ГГц. В этой части будут разработаны: технологии создания мощных внутрисогласованных транзисторов C-X-Ku-диапазонов; технологии создания GaAs pHEMT монолитной интегральной схемы в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 1 Вт для входных каскадов усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания GAN MMIC в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 5-8 Вт для усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания 6Вт SPDT-переключателя диапазона 28-34 ГГц приемопередатчика для беспроводной связи; технологии создания высокостабильных малошумящих генераторов на базе МИС-усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц; технологии создания высокостабильных малошумящих генараторов на базе МИС усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц;
В документе, в частности, приведены планы разработки широкого набора ЭКБ.
В частности, должен быть создан аналоговый тракт радиомодулей gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов частот до 3 ГГц. В рамках соответствующего мероприятия будут проведены опытно-конструкторские работы (ОКР) по созданию комплекта интегральных микросхем малошумящих усилителей для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G, комплекта интегральных микросхем цифровых аттенюаторов для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G и комплекта интегральных микросхем переключателей и предварительных с высокой развязкой для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G.
После проведения ОКР будут разработаны: гибридный gAN СВЧ-усилитель (сверхвысокочастотное излучение); технология создания мощных внутри согласованных транзисторов L-, S-диапазонов; технология проектирования и создания интегральных микросхем, совмещающих в одном корпусе радиочастотные и цифровые кристаллы; производство кремний-германиевого транзистора; мембранные СВЧ-тонкопленочные пьезоэлектрические фильтры на структурах AIN (FBAR) для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения.
Другое мероприятие в рамках создания ЭКБ связано с ЦАП/АЦП радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов рабочих частот до 3 ГГц. В этой части запланирована разработка и освоение производства высокочастотного кремний-германиевого аналого-цифрового преобразователя с увеличенной разрядностью, сверхвысокочастного кремний-германиевого двухканального аналого-цифрового преобразователя широкой номенклатуры аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
Также запланировано создание ЭКБ для аналогового тракта радиомодулей gNB-Ru базовой станции для диапазонов рабочих частот 3-6 ГГц. В этой части должны быть разработаны: интегральные микросхемы переключателей высокой мощности 0,05-6 ГГц и цифрового аттенюатора для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G; СВЧ-усилитель на частоте 3,5 ГГц с динамической нагрузкой, использующий GaN Vacator, а также широкополосный последовательный усилитель мощности 3,2-4 ГГц для приложений MIMO с размером модуля для интеграции массива; цифровой модульный передатчик MIMO с 1-битовым импульсным модулированным сигналом на частоту 3,5 ГГц.
Запланировано появление системы на кристалле, построенной на базе ПЛИС (программируемая логическая интегральная схема) для цифрового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G. В этой части должно быть разработано и освоено производство: процессора типа «система-в-корпусе», совмещенного с ПЛИС — для использования в перспективных системах связи специального, двойного и гражданского применения; микросхемы цифрового модема беспроводных пакетных сетей — для использования в «системах-в-корпусе» и электронных модулях перспективных систем связи профессионального, двойного и гражданского назначения.
Ожидается появление ЭКБ аналогового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-2020 для миллиметровых диапазонов частот свыше 6 ГГц. В этой части будут разработаны: технологии создания мощных внутрисогласованных транзисторов C-X-Ku-диапазонов; технологии создания GaAs pHEMT монолитной интегральной схемы в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 1 Вт для входных каскадов усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания GAN MMIC в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 5-8 Вт для усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания 6Вт SPDT-переключателя диапазона 28-34 ГГц приемопередатчика для беспроводной связи; технологии создания высокостабильных малошумящих генераторов на базе МИС-усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц; технологии создания высокостабильных малошумящих генараторов на базе МИС усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц;
(2..) Также в рамках упомянутого мероприятия должно быть разработано и освоено производство: серии мощных СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов в диапазонах частот 2-6 ГГц и 6-12 ГГц, выходной мощностью 5, 10, 20, 35, 45, 60, 90 Вт для широкополосных мощных усилителей базовых станций; МИС (микроволновая монолитная интегральная схема) широкополосных ограничителей СВЧ-мощности с допустимой входной мощностью до 50 Вт в диапазоне частот до 40 ГГц; антенного приемопередающего модуля в диапазоне частот 57-64 ГГц.
Подробно: https://www.cnews.ru/articles/2019-11-15_kakoe_oborudovanie_razrabotayut_v
Подробно: https://www.cnews.ru/articles/2019-11-15_kakoe_oborudovanie_razrabotayut_v
CNews.ru
Какое оборудование разработают в России для 5G, интернета вещей, RFID и Wi-Fi - CNews
В России составлен документ по разработке оборудования в области сетей 5G, беспроводного интернета вещей, W-Fi/Li-Fi...
🇷🇺 Проблемы. Ангстрем
22 ноября 2019 года стало известно о решении суда, согласно которому Ангстрем должен выплатить банку Зенит порядка 1 мрд руб. В CNews.ru разбиралась с подробностями истории задолженностей компании.
https://www.cnews.ru/news/top/2019-11-27_krupnejshij_bankkreditor
Похоже за активы Ангстрем идет нешуточная битва . Не удивительно. Ангстрем на сегодня это лакомый кусочек, некоторые прежние "владельцы" компании (Ангстреминвест, Контрактфинансгрупп) неожиданно оказались банкротами, государственные инвестиции прежних лет в компанию теперь взыскивать не с кого, а в отношении предприятия у государства опять большие планы. Понятно, что есть желающие оседлать соответствующие потоки средств.
Смотрим за развитием событий.
22 ноября 2019 года стало известно о решении суда, согласно которому Ангстрем должен выплатить банку Зенит порядка 1 мрд руб. В CNews.ru разбиралась с подробностями истории задолженностей компании.
https://www.cnews.ru/news/top/2019-11-27_krupnejshij_bankkreditor
Похоже за активы Ангстрем идет нешуточная битва . Не удивительно. Ангстрем на сегодня это лакомый кусочек, некоторые прежние "владельцы" компании (Ангстреминвест, Контрактфинансгрупп) неожиданно оказались банкротами, государственные инвестиции прежних лет в компанию теперь взыскивать не с кого, а в отношении предприятия у государства опять большие планы. Понятно, что есть желающие оседлать соответствующие потоки средств.
Смотрим за развитием событий.
CNews.ru
Крупнейший банк-кредитор «Ангстрема» взыскал с него свыше миллиарда - CNews
Ключевой залоговый кредитор зеленоградского «Ангстрема» взыскал с него через суд долги и проценты по кредитам...
🇷🇺 Разработки. Сегнетоэлектрики и память
Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной чуть ли не в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния толщиной 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого важно разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич.
Источник: https://tinyurl.com/t2u6vtn
Подробнее о сегнетоэлектриках можно почитать здесь: http://www.mforum.ru/news/article/121229.htm
Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной чуть ли не в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния толщиной 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого важно разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич.
Источник: https://tinyurl.com/t2u6vtn
Подробнее о сегнетоэлектриках можно почитать здесь: http://www.mforum.ru/news/article/121229.htm
TAdviser.ru
Ученые из МФТИ приблизили создание «новой флешки».
МФТИ Сегнетоэлектрические конденсаторы
🇨🇳 Участники зарубежного рынка производства микроэлектроники. Китай
Юридический отдел YMTC завоевал три престижные юридические награды в стране. К концу 2020 года YMTC сможет ежемесячно выпускать 60 тыс. 300-мм подложек с 64-слойными чипами 3D NAND TLC. Это обеспечит компании порядка 3% на мировом рынке NAND-флеш. / https://3dnews.ru/998657
Больше информации о YMTC http://www.mforum.ru/news/article/121230.htm
Юридический отдел YMTC завоевал три престижные юридические награды в стране. К концу 2020 года YMTC сможет ежемесячно выпускать 60 тыс. 300-мм подложек с 64-слойными чипами 3D NAND TLC. Это обеспечит компании порядка 3% на мировом рынке NAND-флеш. / https://3dnews.ru/998657
Больше информации о YMTC http://www.mforum.ru/news/article/121230.htm
3DNews - Daily Digital Digest
Китайский производитель 3D NAND отрастил молодые и острые юридические «зубы»
Китайский производитель 3D NAND компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) очень редко выпускает пресс-релизы ― не более одного–двух в год.
🇯🇵 M&A. Участники зарубежного рынка производства микроэлектроники
После неудачных попыток "реанимировать" бизнес, который оказывается убыточным, компания Panasonic приняла решение продать свое подразделение по производству микрочипов тайваньской компании Nuvoton Technology.
По итогам 2018 финансового года (завершился в марте 2019 года) убыток Panasonic Semiconductor Solutions составил порядка $215 млн.
Таким образом продолжается цепочка сделок M&A, характерных для отрасли микроэлектроники. Современное производство микроэлектроники - дорогое удовольствие, доступное далеко не всем современным странам. Сейчас в лидерах производства таких экономик, как США, Южная Корея, Европа, Тайвань и Япония. И Китай, который очень скоро начнет серьезно теснить на ряде рынков практически всех других его участников. Вероятно, японцы учитывали этот тренд, принимая решение.
После неудачных попыток "реанимировать" бизнес, который оказывается убыточным, компания Panasonic приняла решение продать свое подразделение по производству микрочипов тайваньской компании Nuvoton Technology.
По итогам 2018 финансового года (завершился в марте 2019 года) убыток Panasonic Semiconductor Solutions составил порядка $215 млн.
Таким образом продолжается цепочка сделок M&A, характерных для отрасли микроэлектроники. Современное производство микроэлектроники - дорогое удовольствие, доступное далеко не всем современным странам. Сейчас в лидерах производства таких экономик, как США, Южная Корея, Европа, Тайвань и Япония. И Китай, который очень скоро начнет серьезно теснить на ряде рынков практически всех других его участников. Вероятно, японцы учитывали этот тренд, принимая решение.
🇰🇷 Прогнозы. Южная Корея
В Корее ожидают рост экспорта в сфере полупроводников на 10% в 2020 году на фоне нормализации запасов полупроводников памяти, восстановления спроса на сервера ЦОД, а также роста цен на полупроводники в связи с ростом спроса на решения 5G. | http://world.kbs.co.kr/service/news_view.htm?lang=r&Seq_Code=59826
Больше прогнозов развития производства чипов памяти: http://www.mforum.ru/news/article/119427.htm
В Корее ожидают рост экспорта в сфере полупроводников на 10% в 2020 году на фоне нормализации запасов полупроводников памяти, восстановления спроса на сервера ЦОД, а также роста цен на полупроводники в связи с ростом спроса на решения 5G. | http://world.kbs.co.kr/service/news_view.htm?lang=r&Seq_Code=59826
Больше прогнозов развития производства чипов памяти: http://www.mforum.ru/news/article/119427.htm
world.kbs.co.kr
Корейская ассоциация внешней торговли: экспорт в этом году может сократиться на 10,2%
Всемирное радио KBS на 11 языках знакомит с новостями о РК и предоставляет увлекательную информацию о K-POP, корейском языке, жизни в Корее, культуре, туризме, истории, а также о ситуации в СК.
🇷🇺 Разработано в России
Первый российский микроконтроллер для контактных и бесконтактных платежей разработки НИИМЭ производства Микрона отмечен Национальной премией в области импортозамещения «Приоритет-2019» в номинации «Электроника».
Банковский чип, разработанный и произведенный в России в качестве альтернативы банковским чипам иностранного производства, обеспечивает надежность и безопасность транзакций в национальной платежной системе.
Объем производства Микроном чип-модулей для НСПК «Мир» (контактный и дуальный интерфейс) составит в 2019 году 4 млн., это 25% годового объема эмиссии карт «Мир».
Микроконтроллер первого уровня для банковских и других смарт-карт MIK51BC16D (К5016ВК01) является продукцией российского производства первого уровня, реализован на дуальной платежной платформе MIKPay.MTD.D6 отечественной разработки, в июле 2019 года успешно прошел сертификацию АО «НСПК» для использования в платежной системе «Мир», поддерживает международные и российские криптографические алгоритмы шифрования.
Первый российский микроконтроллер для контактных и бесконтактных платежей разработки НИИМЭ производства Микрона отмечен Национальной премией в области импортозамещения «Приоритет-2019» в номинации «Электроника».
Банковский чип, разработанный и произведенный в России в качестве альтернативы банковским чипам иностранного производства, обеспечивает надежность и безопасность транзакций в национальной платежной системе.
Объем производства Микроном чип-модулей для НСПК «Мир» (контактный и дуальный интерфейс) составит в 2019 году 4 млн., это 25% годового объема эмиссии карт «Мир».
Микроконтроллер первого уровня для банковских и других смарт-карт MIK51BC16D (К5016ВК01) является продукцией российского производства первого уровня, реализован на дуальной платежной платформе MIKPay.MTD.D6 отечественной разработки, в июле 2019 года успешно прошел сертификацию АО «НСПК» для использования в платежной системе «Мир», поддерживает международные и российские криптографические алгоритмы шифрования.
🇷🇺 Разработано в России
Микрон задействовал свою микросхему криптозащиты первого уровня MIK51SC72D еще в одном устройстве - это IoT-модуль в устройстве мониторинга крупного рогатого скота. Об устройстве можно подробнее почитать здесь: http://www.mforum.ru/news/article/121243.htm или здесь https://abloud.blogspot.com/2019/12/iot.html
Микросхема MIK51SC72D - это микроконтроллер, предназначенный для защиты передачи данных в устройствах Интернета вещей с поддержкой отечественных стандартов шифрования ГОСТ Р34.10-2001 и ГОСТ 28147-89.
Микроконтроллер MIK51SC72D работает со всеми стандартами связи и предназначен для обеспечения безопасного соединения и обмена данных с любыми устройствами IoT. Серийное производство микросхемы началось в конце 2018 года, а летом 2019 года предприятие Микрон заявляло также об использовании этого чипа в беспроводном устройстве ММК-01 контроля наполненности мусорных контейнеров.
Микрон задействовал свою микросхему криптозащиты первого уровня MIK51SC72D еще в одном устройстве - это IoT-модуль в устройстве мониторинга крупного рогатого скота. Об устройстве можно подробнее почитать здесь: http://www.mforum.ru/news/article/121243.htm или здесь https://abloud.blogspot.com/2019/12/iot.html
Микросхема MIK51SC72D - это микроконтроллер, предназначенный для защиты передачи данных в устройствах Интернета вещей с поддержкой отечественных стандартов шифрования ГОСТ Р34.10-2001 и ГОСТ 28147-89.
Микроконтроллер MIK51SC72D работает со всеми стандартами связи и предназначен для обеспечения безопасного соединения и обмена данных с любыми устройствами IoT. Серийное производство микросхемы началось в конце 2018 года, а летом 2019 года предприятие Микрон заявляло также об использовании этого чипа в беспроводном устройстве ММК-01 контроля наполненности мусорных контейнеров.
🇷🇺 Рейтинги. Итоги. В ЦНИИ Электроника составлен рейтинг организаций электронной промышленности РФ: http://instel.ru/reiting-2019.pdf - скачать.
В целом любопытная, но несколько запутанная работа, в частности, приведены не один, а целая группа различных рейтингов: организаций РЭ промышленности, производственных организаций РЭ промышленности, научно-производственных, по-выручке от производства, по выручке от конструирования и по выручке от научной деятельности.
Лидером по заниманию позиции номер один в различных рейтингах является ПАО Микрон, на втором месте по этому показателю - АО «Научно-исследовательский
институт систем связи и управления». В целом в топе предприятия, которые вошли в Элемент.
В целом любопытная, но несколько запутанная работа, в частности, приведены не один, а целая группа различных рейтингов: организаций РЭ промышленности, производственных организаций РЭ промышленности, научно-производственных, по-выручке от производства, по выручке от конструирования и по выручке от научной деятельности.
Лидером по заниманию позиции номер один в различных рейтингах является ПАО Микрон, на втором месте по этому показателю - АО «Научно-исследовательский
институт систем связи и управления». В целом в топе предприятия, которые вошли в Элемент.