🇷🇺 Мнения. Интервью. Россия
Николай Иванович Шелепин, д.т.н., Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, о ландшафте и горизонтах российской микроэлектроники в интервью изданию Время электроники
Что мне показалось интересным:
🔹 Не самое оптимистичное (в плане возможности быстрой реализации) отношение к плану освоения 28-нм технологии на пластинах диаметром 300 мм. Если до 2022 года этот план мог быть реализован до 2027 года, то сейчас это вряд ли возможно и потому, как считает, г-н Шелепин, достижение цели может быть сдвинуто на «неопределенное время». При этом освоение этой технологии остается приоритетом для РФ.
🔹 Скептичен г-н Шелепин и в отношении возможности овладеть техпроцессами ниже 14нм на базе EUV, поскольку для этого нужен далеко не только литограф, но и все остальное оборудование, способное работать с такими технологиями.
🔹 По его мнению, государство провело работу над ошибками, в частности, нарастило финансирование на реализацию Стратегии развития электронной промышленности до 2030 года до сравнимых с инвестициями некоторых других стран (конечно, не уровня США, Китая или Тайваня). Не менее важно и то, что разработки теперь идут по всем стратегически важным направлениям: технологическое оборудование, сверхчистые материалы, САПР, технологии изготовления фотошаблонов, технологии изготовления микросхем.
🔹 Остро стоит проблема кадров. Можно и нужно выделить средства, поставить цели, но кто будет их реализовывать?
🔹 Стратегия получила более конкретное наполнение в виде двух документов: Концепции технологического развития на период до 2030 года и указа президента РФ Основы государственной политики России в области развития электронной промышленности на период до 2030 года и дальнейшую перспективу.
🔹 «Решение обозначенных задач в части достижения технологического уровня 28 нм в 2027 г. и 14 нм в 2030 г. при условии невозможности закупок соответствующего технологического оборудования представляется нереальным».
🔹 Важный тезис, который следует держать в уме, рассуждая об эффективности инвестиций в российскую микроэлектронику – «значительные инвестиции в развитие отрасли начались практически только в 2022 году, и время их отдачи в виде практически реализованных достижений еще не наступило».
🔹 Уровень взаимодействия всего микроэлектронного сообщества с правительством – самый высокий.
🔹 Технологический уровень китайских передовых компаний существенно превосходит российских, вдобавок их больше. Но китайские компании не хотят попасть в ограничительные списки США из-за сотрудничества с РФ. Поэтому закупки зарубежных микросхем, включая китайские, затруднены.
🔹 Параллельный импорт зарубежных микросхем – паллиатив, необходимость, которая не мешает развитию отечественной микроэлектроники.
🔹 Рассчитывать на участие в БРИКС как на фактор, заметно облегчающий развитие российской микроэлектроники – не приходится. (..)
Николай Иванович Шелепин, д.т.н., Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, о ландшафте и горизонтах российской микроэлектроники в интервью изданию Время электроники
Что мне показалось интересным:
🔹 Не самое оптимистичное (в плане возможности быстрой реализации) отношение к плану освоения 28-нм технологии на пластинах диаметром 300 мм. Если до 2022 года этот план мог быть реализован до 2027 года, то сейчас это вряд ли возможно и потому, как считает, г-н Шелепин, достижение цели может быть сдвинуто на «неопределенное время». При этом освоение этой технологии остается приоритетом для РФ.
🔹 Скептичен г-н Шелепин и в отношении возможности овладеть техпроцессами ниже 14нм на базе EUV, поскольку для этого нужен далеко не только литограф, но и все остальное оборудование, способное работать с такими технологиями.
🔹 По его мнению, государство провело работу над ошибками, в частности, нарастило финансирование на реализацию Стратегии развития электронной промышленности до 2030 года до сравнимых с инвестициями некоторых других стран (конечно, не уровня США, Китая или Тайваня). Не менее важно и то, что разработки теперь идут по всем стратегически важным направлениям: технологическое оборудование, сверхчистые материалы, САПР, технологии изготовления фотошаблонов, технологии изготовления микросхем.
🔹 Остро стоит проблема кадров. Можно и нужно выделить средства, поставить цели, но кто будет их реализовывать?
🔹 Стратегия получила более конкретное наполнение в виде двух документов: Концепции технологического развития на период до 2030 года и указа президента РФ Основы государственной политики России в области развития электронной промышленности на период до 2030 года и дальнейшую перспективу.
🔹 «Решение обозначенных задач в части достижения технологического уровня 28 нм в 2027 г. и 14 нм в 2030 г. при условии невозможности закупок соответствующего технологического оборудования представляется нереальным».
🔹 Важный тезис, который следует держать в уме, рассуждая об эффективности инвестиций в российскую микроэлектронику – «значительные инвестиции в развитие отрасли начались практически только в 2022 году, и время их отдачи в виде практически реализованных достижений еще не наступило».
🔹 Уровень взаимодействия всего микроэлектронного сообщества с правительством – самый высокий.
🔹 Технологический уровень китайских передовых компаний существенно превосходит российских, вдобавок их больше. Но китайские компании не хотят попасть в ограничительные списки США из-за сотрудничества с РФ. Поэтому закупки зарубежных микросхем, включая китайские, затруднены.
🔹 Параллельный импорт зарубежных микросхем – паллиатив, необходимость, которая не мешает развитию отечественной микроэлектроники.
🔹 Рассчитывать на участие в БРИКС как на фактор, заметно облегчающий развитие российской микроэлектроники – не приходится. (..)
(2)
🔹 Приходится сожалеть об упущенных возможностях, например, о проекте 2009 года строительства нового завода и освоения технологии 65нм на пластинах 300 мм. На него не нашлось финансирования.
🔹 Основная цель на сегодня – достижение технологической независимости РФ без погони за самыми передовыми уровнями.
🔹 Необходим общий научный центр с типовым технологическим оборудованием для изготовления КМОП микросхем с технологическим уровнем не хуже 180 нм или 90 нм, с набором аналитического и контрольно-измерительного оборудования. Этот центр не должен заниматься серийным производством, но только разработкой техпроцессов, тестированием и испытанием создаваемого технологического оборудования и материалов. В общем, аналог бельгийского IMEC.
🔹 Рассуждая о том, как нам обустроить развитие микроэлектроники, г-н Шелепин обозначил 4 основных тезиса:
▫️ решения об инвестициях следует принимать с опорой на мнения профессионалов;
▫️ квалифицированно контролировать исследование разработки на всех этапах НИОКР;
▫️ принимать программы и дорожные карты с указанием четких узлов и временных этапов;
▫️ обеспечить господдержку предприятий и организаций, занимающихся разработкой ключевых узлов развития технологий.
С этими тезисами сложно спорить, но также сложно представить себе их реализованными у нас, особенно, первых трех.
🔹 Рассуждая о качестве образования г-н Шелепин отметил важность стажировки и выполнения дипломной работы или магистерской диссертации непосредственно на предприятиях. Без этого придется терять еще год на дообучение специалиста, да и то, при наличии хорошего наставника. Качество существующих учебных программ г-н Шелепин считает удовлетворительным, но отмечает нехватку высококвалифицированных преподавателей.
Еще раз посоветую читать интервью в полном объеме, чтобы составить собственное объективное впечатление.
@RUSmicro
#интервью #мнения
🔹 Приходится сожалеть об упущенных возможностях, например, о проекте 2009 года строительства нового завода и освоения технологии 65нм на пластинах 300 мм. На него не нашлось финансирования.
🔹 Основная цель на сегодня – достижение технологической независимости РФ без погони за самыми передовыми уровнями.
🔹 Необходим общий научный центр с типовым технологическим оборудованием для изготовления КМОП микросхем с технологическим уровнем не хуже 180 нм или 90 нм, с набором аналитического и контрольно-измерительного оборудования. Этот центр не должен заниматься серийным производством, но только разработкой техпроцессов, тестированием и испытанием создаваемого технологического оборудования и материалов. В общем, аналог бельгийского IMEC.
🔹 Рассуждая о том, как нам обустроить развитие микроэлектроники, г-н Шелепин обозначил 4 основных тезиса:
▫️ решения об инвестициях следует принимать с опорой на мнения профессионалов;
▫️ квалифицированно контролировать исследование разработки на всех этапах НИОКР;
▫️ принимать программы и дорожные карты с указанием четких узлов и временных этапов;
▫️ обеспечить господдержку предприятий и организаций, занимающихся разработкой ключевых узлов развития технологий.
С этими тезисами сложно спорить, но также сложно представить себе их реализованными у нас, особенно, первых трех.
🔹 Рассуждая о качестве образования г-н Шелепин отметил важность стажировки и выполнения дипломной работы или магистерской диссертации непосредственно на предприятиях. Без этого придется терять еще год на дообучение специалиста, да и то, при наличии хорошего наставника. Качество существующих учебных программ г-н Шелепин считает удовлетворительным, но отмечает нехватку высококвалифицированных преподавателей.
Еще раз посоветую читать интервью в полном объеме, чтобы составить собственное объективное впечатление.
@RUSmicro
#интервью #мнения
Время электроники
Трудность всего одна – обеспечить технологическую независимость российской микроэлектроники - Время электроники
Интервью с Николаем Шелепиным, д.т.н., руководителем научного направления микроэлектроники, Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, в ежегоднике "Живая электроника России 2025"
🇷🇺 Измерительные приборы. КИП. Россия
Томский НИИПП разработал три новые модели устройств контроля качества микроэлектроники
В Томском НИИ полупроводниковых приборов (Росэл - Ростех) разработали новые модели измерительных устройств. Первая из них, на фото внешне напоминающая микроскоп, это ручная зондовая станция Omega Air – 150COAX, предназначенная для измерений и контроля электрических величин полупроводниковых пластин. Такой прибор может эффективно использоваться, например, при разработке и внедрении СВЧ монолитных интегральных схем.
Кроме ручной станции, в НИИПП создали еще и две полуавтоматические станции – Terra-200COAX (на фото) и Terra-200T. Они могут тестировать полупроводниковые приборы по постоянному току, а также в ВЧ и СВЧ диапазонах. Станции могут работать с неразделенными полупроводниковыми пластинами. Модель 200Т способна проверять параметры полупроводниковых приборов в температурном диапазона от -55°С до +150°С.
В Росэл утверждают, что новинки могут заменить зарубежные аналоги, широко используемые на российском рынке, поскольку не уступают им по техническим параметрам, но при этом обойдутся покупателю дешевле.
В комплект поставляемых зондовых станций входят: сама станция, микроскоп, манипуляторы для проведения измерений. Для полуавтоматического варианта станции также предусмотрено специальное программное обеспечение.
@RUSmicro, фото Росэл
#зондовые
Томский НИИПП разработал три новые модели устройств контроля качества микроэлектроники
В Томском НИИ полупроводниковых приборов (Росэл - Ростех) разработали новые модели измерительных устройств. Первая из них, на фото внешне напоминающая микроскоп, это ручная зондовая станция Omega Air – 150COAX, предназначенная для измерений и контроля электрических величин полупроводниковых пластин. Такой прибор может эффективно использоваться, например, при разработке и внедрении СВЧ монолитных интегральных схем.
Кроме ручной станции, в НИИПП создали еще и две полуавтоматические станции – Terra-200COAX (на фото) и Terra-200T. Они могут тестировать полупроводниковые приборы по постоянному току, а также в ВЧ и СВЧ диапазонах. Станции могут работать с неразделенными полупроводниковыми пластинами. Модель 200Т способна проверять параметры полупроводниковых приборов в температурном диапазона от -55°С до +150°С.
В Росэл утверждают, что новинки могут заменить зарубежные аналоги, широко используемые на российском рынке, поскольку не уступают им по техническим параметрам, но при этом обойдутся покупателю дешевле.
В комплект поставляемых зондовых станций входят: сама станция, микроскоп, манипуляторы для проведения измерений. Для полуавтоматического варианта станции также предусмотрено специальное программное обеспечение.
@RUSmicro, фото Росэл
#зондовые
🇷🇺 Перспективные материалы. Алмазы. Россия
В МИРЭА создали полевой транзистор на основе алмаза
Специалисты лаборатории Алмазная СВЧ-электроника (заведующий – Андрей Алтухов) РТУ МИРАЭ работают с алмазными кристаллами.
В лаборатории создан полевой транзистор на основе алмаза, который использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 мкм, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что улучшает характеристики прибора. По заявлению г-на Алтухова, от транзистора ожидают на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. Такой транзистор обеспечивает сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности.
Такие транзисторы могут найти применение в системах связи нового поколения, в космических применениях и в атомной промышленности.
В лаборатории создают новые технологии и оборудование для особо точной обработки поверхности алмазных подложек. На основе алмазных материалов здесь создают сенсоры радиации и космических лучей, оптоэлектронные устройства с использованием алмазных сенсоров, быстродействующие и мощные транзисторы и диоды.
Заказчиками и потребителями результатов работ лаборатории РТУ МИРЭА, выполняемых совместно с её партнёрами, являются флагман российской СВЧ-промышленности АО «НПП «Исток» им. Шокина», предприятия группы «Алмазная Долина», предприятия ракетно-космической отрасли, включая ракетно-космическую корпорацию «Энергия» имени С.П. Королёва, АО «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнёва», предприятия ГК «Росатом» и другие лидеры рынка.
В мире активно экспериментируют с алмазными технологиями, выпускаются алмазные подложки все большей площади, на их основе создают обычно различные транзисторы, как правило, силовые.
Транзистор запатентован, посмотреть патент можно здесь.
На фиг. 1 представлено устройство алмазного транзистора, в соответствии с предлагаемой полезной моделью,где цифрами обозначены: (1) - алмазный изолирующий кристалл; (2) - слой электропроводящего алмаза; (3) - слой титана (Ti); (4) - слой нитрида титана (TiN); (5) - слой титана (Ti); (6) - слой золота (Au); (7) - сформированный полиэнергетической ионной имплантацией приповерхностный слой алмаза, обогащенный бором (B); (8) - слой изолятора (Al2O3, или SiO2, или Si3N4; (9) - контакт затвора.
Толщина первого слоя (3) Ti порядка 40 нм, толщина слоя (4) TiN порядка 60 нм, толщина второго слоя (5) Ti порядка 5 нм и толщина слоя (6) Au порядка 1 мкм. Слой изолятора (8) состоит из Al2O3. Этот слой изолятора можно сформировать также на основе таких диэлектрических пленок, как SiO2или Si3N4.
Испытания показали, что экспериментальные структуры алмазного транзистора демонстрируют повышение температурной стойкости при работе на повышенных температурах, начиная примерно свыше 250°С и при температурах примерно (350-400)°С и более градусов, при этом сопротивление канала при комнатной температуре примерно на порядок величины ниже, чем сопротивление канала алмазного транзистора по прототипу.
📌 Хорошая статья по патентам в области алмазных технологий для микроэлектроники https://habr.com/ru/companies/onlinepatent/articles/894624/ (ссылку подсказали в ChipChat)
@RUSmicro
#алмазные
В МИРЭА создали полевой транзистор на основе алмаза
Специалисты лаборатории Алмазная СВЧ-электроника (заведующий – Андрей Алтухов) РТУ МИРАЭ работают с алмазными кристаллами.
В лаборатории создан полевой транзистор на основе алмаза, который использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 мкм, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что улучшает характеристики прибора. По заявлению г-на Алтухова, от транзистора ожидают на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. Такой транзистор обеспечивает сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности.
Такие транзисторы могут найти применение в системах связи нового поколения, в космических применениях и в атомной промышленности.
В лаборатории создают новые технологии и оборудование для особо точной обработки поверхности алмазных подложек. На основе алмазных материалов здесь создают сенсоры радиации и космических лучей, оптоэлектронные устройства с использованием алмазных сенсоров, быстродействующие и мощные транзисторы и диоды.
Заказчиками и потребителями результатов работ лаборатории РТУ МИРЭА, выполняемых совместно с её партнёрами, являются флагман российской СВЧ-промышленности АО «НПП «Исток» им. Шокина», предприятия группы «Алмазная Долина», предприятия ракетно-космической отрасли, включая ракетно-космическую корпорацию «Энергия» имени С.П. Королёва, АО «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнёва», предприятия ГК «Росатом» и другие лидеры рынка.
В мире активно экспериментируют с алмазными технологиями, выпускаются алмазные подложки все большей площади, на их основе создают обычно различные транзисторы, как правило, силовые.
Транзистор запатентован, посмотреть патент можно здесь.
На фиг. 1 представлено устройство алмазного транзистора, в соответствии с предлагаемой полезной моделью,где цифрами обозначены: (1) - алмазный изолирующий кристалл; (2) - слой электропроводящего алмаза; (3) - слой титана (Ti); (4) - слой нитрида титана (TiN); (5) - слой титана (Ti); (6) - слой золота (Au); (7) - сформированный полиэнергетической ионной имплантацией приповерхностный слой алмаза, обогащенный бором (B); (8) - слой изолятора (Al2O3, или SiO2, или Si3N4; (9) - контакт затвора.
Толщина первого слоя (3) Ti порядка 40 нм, толщина слоя (4) TiN порядка 60 нм, толщина второго слоя (5) Ti порядка 5 нм и толщина слоя (6) Au порядка 1 мкм. Слой изолятора (8) состоит из Al2O3. Этот слой изолятора можно сформировать также на основе таких диэлектрических пленок, как SiO2или Si3N4.
Испытания показали, что экспериментальные структуры алмазного транзистора демонстрируют повышение температурной стойкости при работе на повышенных температурах, начиная примерно свыше 250°С и при температурах примерно (350-400)°С и более градусов, при этом сопротивление канала при комнатной температуре примерно на порядок величины ниже, чем сопротивление канала алмазного транзистора по прототипу.
📌 Хорошая статья по патентам в области алмазных технологий для микроэлектроники https://habr.com/ru/companies/onlinepatent/articles/894624/ (ссылку подсказали в ChipChat)
@RUSmicro
#алмазные
🇷🇺 🇩🇪 Фотоника. Оптические компьютеры. Россия. Германия
Российские и германские ученые создали полностью оптический логический вентиль, способный работать на частотах до 240 ГГц при комнатной температуре
Оптический логический вентиль разработали в Сколтехе, а экспериментами с ним занимались уже совместно ученые Сколтеха и Вуппертальского университета Германии. Было показано, что транзистор может работать на частоте 240 ГГц при комнатной температуре.
В статье, опубликованной в журнале Physical Review B, авторы рассмотрели, что ограничивает время в интервалах между конденсациями поляритонов. Ограничителем скорости переключения транзисторов, как выяснилось, выступает так называемый эффект бимолекулярного гашения.
В Сколтехе исследованиями в этой области занимается лаборатория гибридной фотоники Сколтеха, возглавляемая профессором Павлосом Лагудакисом.
Интерес к фотонике объясняется тем, что обычные полупроводниковые транзисторы на основе кремния сильно нагреваются при повышении тактовых частот. Оптические системы в теории могут работать на несколько порядков быстрее, чем электронные.
Ранее ученые уже создали универсальный логический элемент NOR, основанный на поляритонных конденсатах. Он работоспособен при комнатных температурах, имеет несколько входов, а также является полностью оптическим. Эти элементы можно соединять в цепи.
В случае поляритонных транзисторов, их быстродействие определяется тем, насколько быстро могут изменяться последовательные логические состояния, поскольку процесс требует достаточного истощения остаточной популяции поляритонов из предыдущего состояния «1», чтобы можно было отличить это состояние от нового, соответствующего «0». Этот эффект бимолекулярного гашения ограничивает максимальную тактовую частот поляритонного устройства - делокализация поляритонов приводит к дополнительным потерям.
Созданный вентиль – очередной шаг к созданию фотонных компьютеров, которые в теории могли бы работать в сотни раз быстрее традиционных компьютеров.
@RUSmicro
#оптические #фотонные
Российские и германские ученые создали полностью оптический логический вентиль, способный работать на частотах до 240 ГГц при комнатной температуре
Оптический логический вентиль разработали в Сколтехе, а экспериментами с ним занимались уже совместно ученые Сколтеха и Вуппертальского университета Германии. Было показано, что транзистор может работать на частоте 240 ГГц при комнатной температуре.
В статье, опубликованной в журнале Physical Review B, авторы рассмотрели, что ограничивает время в интервалах между конденсациями поляритонов. Ограничителем скорости переключения транзисторов, как выяснилось, выступает так называемый эффект бимолекулярного гашения.
В Сколтехе исследованиями в этой области занимается лаборатория гибридной фотоники Сколтеха, возглавляемая профессором Павлосом Лагудакисом.
Интерес к фотонике объясняется тем, что обычные полупроводниковые транзисторы на основе кремния сильно нагреваются при повышении тактовых частот. Оптические системы в теории могут работать на несколько порядков быстрее, чем электронные.
Ранее ученые уже создали универсальный логический элемент NOR, основанный на поляритонных конденсатах. Он работоспособен при комнатных температурах, имеет несколько входов, а также является полностью оптическим. Эти элементы можно соединять в цепи.
В случае поляритонных транзисторов, их быстродействие определяется тем, насколько быстро могут изменяться последовательные логические состояния, поскольку процесс требует достаточного истощения остаточной популяции поляритонов из предыдущего состояния «1», чтобы можно было отличить это состояние от нового, соответствующего «0». Этот эффект бимолекулярного гашения ограничивает максимальную тактовую частот поляритонного устройства - делокализация поляритонов приводит к дополнительным потерям.
Созданный вентиль – очередной шаг к созданию фотонных компьютеров, которые в теории могли бы работать в сотни раз быстрее традиционных компьютеров.
@RUSmicro
#оптические #фотонные
🇺🇸 Вести из лабораторий. Нитридные ферроэлектрики. США
В Мичиганском центре характеристик материалов начали тестировать опытные образцы электронных компонентов на основе нитридных ферроэлектриков с вюрцитной структурой
В Мичиганском университете вот уже не первый год изучают нитридные ферроэлектрики со структурой вюрцита.
Нитридные ферроэлектрики - это класс материалов, основанных на нитридах (соединениях азота с металлами, например, AlN), обладающих ферроэлектрическими свойствами. То есть способных иметь спонтанную электрическую поляризацию, которую можно переключать внешним электрическим полем.
До недавних времен ферроэлектрические свойства изучали применительно к оксидам, например, BaTiO₃, Pb(Zr,Ti)O₃. Но оказалось, что нитриды в этом плане могут быть интереснее. Прежде всего потому, что у них гексагональная структура, как у GaN, AlN, что во-первых обещает их совместимость, а во-вторых позволяет добиваться устойчивых ферроэлектрических состояний в гетероструктурах на основе нитридов группы III (AlGaN, InGaN).
Внутри такого материала возникают области с поляризацией, способной изменяться под воздействием поля и сохраняться после снятия поля, сохраняя информацию. Это означает, что нитридные ферроэлектрики способны хранить информацию с помощью электрических полей. Кроме того, они не разрушаются при смене полярности, что обещает множественную востребованность в различных областях электроники.
Исследованиями в Мичиганском университете занимались Эммануил Киупакис (Emmanouil Kioupakis) и Зетиан Ми (Zetian Mi), экспериментировали они, в частности, с ScGaN (нитридом скандия-галлия). Была выявлена гексагональная (вюрцитная) кристаллическая решетка, которая при смене поляризации может выгибаться, создавая конфигурации с разорванными связями. Возникающие разрывы создавали заряд, необходимый для стабилизации структуры. Об этом пишет Security Lab.
Свободные связи не только не дают материалу разрушаться, но формируют канал для электротока. По нему может пройти ток в 100 раз сильнее, чем в привычных GaN транзисторах! Причем проводимостью можно управлять, управляя электрическим полем.
Это обещает возможность создания новых полевых транзисторов, как высокомощных, так и высокочастотных, а также способных работать в условиях экстремально высоких температур.
Экспериментальные образцы таких транзисторов уже создали в Центре нанопроизводства Лури и уже начали их испытывать.
@RUSmicro
#горизонты
В Мичиганском центре характеристик материалов начали тестировать опытные образцы электронных компонентов на основе нитридных ферроэлектриков с вюрцитной структурой
В Мичиганском университете вот уже не первый год изучают нитридные ферроэлектрики со структурой вюрцита.
Нитридные ферроэлектрики - это класс материалов, основанных на нитридах (соединениях азота с металлами, например, AlN), обладающих ферроэлектрическими свойствами. То есть способных иметь спонтанную электрическую поляризацию, которую можно переключать внешним электрическим полем.
До недавних времен ферроэлектрические свойства изучали применительно к оксидам, например, BaTiO₃, Pb(Zr,Ti)O₃. Но оказалось, что нитриды в этом плане могут быть интереснее. Прежде всего потому, что у них гексагональная структура, как у GaN, AlN, что во-первых обещает их совместимость, а во-вторых позволяет добиваться устойчивых ферроэлектрических состояний в гетероструктурах на основе нитридов группы III (AlGaN, InGaN).
Внутри такого материала возникают области с поляризацией, способной изменяться под воздействием поля и сохраняться после снятия поля, сохраняя информацию. Это означает, что нитридные ферроэлектрики способны хранить информацию с помощью электрических полей. Кроме того, они не разрушаются при смене полярности, что обещает множественную востребованность в различных областях электроники.
Исследованиями в Мичиганском университете занимались Эммануил Киупакис (Emmanouil Kioupakis) и Зетиан Ми (Zetian Mi), экспериментировали они, в частности, с ScGaN (нитридом скандия-галлия). Была выявлена гексагональная (вюрцитная) кристаллическая решетка, которая при смене поляризации может выгибаться, создавая конфигурации с разорванными связями. Возникающие разрывы создавали заряд, необходимый для стабилизации структуры. Об этом пишет Security Lab.
Свободные связи не только не дают материалу разрушаться, но формируют канал для электротока. По нему может пройти ток в 100 раз сильнее, чем в привычных GaN транзисторах! Причем проводимостью можно управлять, управляя электрическим полем.
Это обещает возможность создания новых полевых транзисторов, как высокомощных, так и высокочастотных, а также способных работать в условиях экстремально высоких температур.
Экспериментальные образцы таких транзисторов уже создали в Центре нанопроизводства Лури и уже начали их испытывать.
@RUSmicro
#горизонты
🇰🇷 🇨🇳 Вести из лабораторий. Перовскиты и транзисторы. Корея. Китай
Созданы транзисторы p-типа на базе оловянных перовскитов
Статья о совместных исследованиях корейских и китайских ученых, опубликованная в журнале Nature Electronics , посвящена актуальной теме — разработке и улучшению транзисторов на основе оловянных галогенидных перовскитов (Sn2+). Эти материалы рассматривают как перспективную альтернативу свинцовым перовскитам в связи с растущими экологическими и токсикологическими опасениями, связанными с использованием свинца.
На базе этого материала можно создавать тонкопленочные транзисторы (TFT) с p-каналом, производительность которых сопоставима с коммерческой низкотемпературной технологией поликремния. Однако высококачественное осаждение перовскитной пленки с использованием промышленных технологий производства остается сложной задачей.
Ученые сообщили об изготовлении TFT на базе галогенида олова (Sn2+) с p-каналом с использованием метода осаждения из паровой фазы с неорганическим иодидом цезия-олова (CsSnI3). Хлорид свинца (PbCl2) используется для инициации процесса, запуская твердотельные реакции и преобразование испаряемых соединений-прекурсоров. Это позволяет создавать плотные и однородные перовскитные пленки, а также меняет изначально высокую плотность дырок, что позволяет использовать такие пленки в качестве канальных слоев. Оптимизированные TFT демонстрируют среднюю подвижность дырочного поля около 33.8 см2 В−1 с−1, с отношением тока включения/выключения (Ion/Ioff) около 108 и однородность даже при большой площади.
Утверждается, что созданные устройства демонстрируют более высокую стабильность, чем при их формировании осаждением из раствора. Созданные таким способом перовскитные транзисторы можно использовать в дисплеях на органических светодиодах, или в логических устройствах и схемах для монолитной трехмерной интеграции, где требуются низкие технологические температуры.
@RUSmicro
#материалы #перовскиты
Созданы транзисторы p-типа на базе оловянных перовскитов
Статья о совместных исследованиях корейских и китайских ученых, опубликованная в журнале Nature Electronics , посвящена актуальной теме — разработке и улучшению транзисторов на основе оловянных галогенидных перовскитов (Sn2+). Эти материалы рассматривают как перспективную альтернативу свинцовым перовскитам в связи с растущими экологическими и токсикологическими опасениями, связанными с использованием свинца.
На базе этого материала можно создавать тонкопленочные транзисторы (TFT) с p-каналом, производительность которых сопоставима с коммерческой низкотемпературной технологией поликремния. Однако высококачественное осаждение перовскитной пленки с использованием промышленных технологий производства остается сложной задачей.
Ученые сообщили об изготовлении TFT на базе галогенида олова (Sn2+) с p-каналом с использованием метода осаждения из паровой фазы с неорганическим иодидом цезия-олова (CsSnI3). Хлорид свинца (PbCl2) используется для инициации процесса, запуская твердотельные реакции и преобразование испаряемых соединений-прекурсоров. Это позволяет создавать плотные и однородные перовскитные пленки, а также меняет изначально высокую плотность дырок, что позволяет использовать такие пленки в качестве канальных слоев. Оптимизированные TFT демонстрируют среднюю подвижность дырочного поля около 33.8 см2 В−1 с−1, с отношением тока включения/выключения (Ion/Ioff) около 108 и однородность даже при большой площади.
Утверждается, что созданные устройства демонстрируют более высокую стабильность, чем при их формировании осаждением из раствора. Созданные таким способом перовскитные транзисторы можно использовать в дисплеях на органических светодиодах, или в логических устройствах и схемах для монолитной трехмерной интеграции, где требуются низкие технологические температуры.
@RUSmicro
#материалы #перовскиты
🇨🇳 Геополитика. Санкции. Производители. Китай
SMIC сталкивается с проблемами выхода годных, т.к. затруднилось обслуживание западного оборудования
После нескольких раундов ограничений, наложенных США на продажи и обслуживание оборудования для производства полупроводников в Китай, крупнейшее производство в стране, SMIC, наконец признала последствия санкций. Компания сообщила о перебоях в производстве микросхем, связанных с обслуживанием оборудования и закупками нового, что сократило ее доходы в 2q2025. Об этом сообщает Tom’s hardware
Недавно компания столкнулась с двумя проблемами. Во-первых, произошел неожиданный «инцидент» во время планового ежегодного обслуживания, который нарушил работу производственных линий и поставил под угрозу точность процесса, что сказалось на выходе годных.
Кроме того, проверка недавно развернутого на предприятии оборудования выявила проблемы с производительностью, что потребовало работ по устранению этих проблем, и негативно сказалось на выходе годных. Проблемы продолжались более месяца в течение 1q2025, и судя по всему, скажутся на объеме производства и в 2q2025.
Тем не менее компания сохранила стабильными средние цены продажи (ASP), так что потери в выручке были связаны исключительно со снижением объемов производства из-за снижения выхода годных.
Производителям микросхем требуется ежегодное техобслуживание производственного оборудования. Правительство США запрещает американским производителям оборудования для изготовления пластин обслуживать передовое оборудование, проданное в Китай. Инженеры SMIC могут и самостоятельно выпускать ряд плановых работ по техобслуживанию, но их квалификация не столь высока и потому могут случаться неприятные инциденты. Что и произошло в 1q2025.
Есть трудности и с развертыванием вновь закупленного оборудования.
Обычно эксплуатационные проблемы, такие, как снижение выхода годных изделий или проблемы с оборудованием, обычно влияют на прибыльность (например, на валовую прибыль), поскольку они повышают затраты на единицу произведенной продукции, не сокращая доход напрямую. Но в случае с со SMIC операционные проблемы снизили выход продукции. Это, вероятно, означает, что было завершено меньше пластин или микросхем, что их было меньше отгружено, в итоге при стабильных ценах сократилась выручка. Таким образом, эксплуатационные проблемы негативно повлияли на прибыль (за счет более высоких расходов на производство единицы) и на выручку (из-за меньшего количества поставленных на рынок микросхем).
SMIC перенаправила от $30 до $75 млн, забрав их из своего бюджета на НИОКР, чтобы разобраться с новым оборудованием. Обычно в SMIC выделяют на НИОКР от 8% до 10% дохода, что соответствует $180-225 млн. Однако поскольку деньги пришлось отправить на настройку и доводку нового оборудования, компании пришлось сократить расходы на НИОКР до $150 млн.
Что касается капитальных расходов, то в SMIC рассчитывают выделить $7.5 млрд в 2025 году на строительство новых производственных мощностей.
В 1q2025 SMIC получила $2.247 млрд (+1.8% кк).
Продажи пластин составили 95,2% от общего объема и выросли почти на 5% кк, что обусловлено ростом продаю 200-м пластин на 18% и ростом продаж 300 мм пластин на 2%. Загрузка фабрики достигла 89,6% что на 4.1% больше, чем в предыдущем квартале. Уровни загрузки на площадках, где производятся пластины 300 мм оставались высокими, тогда как площадки, где производятся 200 мм пластины, соответствовали уровням загрузки характерной для крупных производств.
@RUSmicro
#геополитика #санкции
SMIC сталкивается с проблемами выхода годных, т.к. затруднилось обслуживание западного оборудования
После нескольких раундов ограничений, наложенных США на продажи и обслуживание оборудования для производства полупроводников в Китай, крупнейшее производство в стране, SMIC, наконец признала последствия санкций. Компания сообщила о перебоях в производстве микросхем, связанных с обслуживанием оборудования и закупками нового, что сократило ее доходы в 2q2025. Об этом сообщает Tom’s hardware
Недавно компания столкнулась с двумя проблемами. Во-первых, произошел неожиданный «инцидент» во время планового ежегодного обслуживания, который нарушил работу производственных линий и поставил под угрозу точность процесса, что сказалось на выходе годных.
Кроме того, проверка недавно развернутого на предприятии оборудования выявила проблемы с производительностью, что потребовало работ по устранению этих проблем, и негативно сказалось на выходе годных. Проблемы продолжались более месяца в течение 1q2025, и судя по всему, скажутся на объеме производства и в 2q2025.
Тем не менее компания сохранила стабильными средние цены продажи (ASP), так что потери в выручке были связаны исключительно со снижением объемов производства из-за снижения выхода годных.
Производителям микросхем требуется ежегодное техобслуживание производственного оборудования. Правительство США запрещает американским производителям оборудования для изготовления пластин обслуживать передовое оборудование, проданное в Китай. Инженеры SMIC могут и самостоятельно выпускать ряд плановых работ по техобслуживанию, но их квалификация не столь высока и потому могут случаться неприятные инциденты. Что и произошло в 1q2025.
Есть трудности и с развертыванием вновь закупленного оборудования.
Обычно эксплуатационные проблемы, такие, как снижение выхода годных изделий или проблемы с оборудованием, обычно влияют на прибыльность (например, на валовую прибыль), поскольку они повышают затраты на единицу произведенной продукции, не сокращая доход напрямую. Но в случае с со SMIC операционные проблемы снизили выход продукции. Это, вероятно, означает, что было завершено меньше пластин или микросхем, что их было меньше отгружено, в итоге при стабильных ценах сократилась выручка. Таким образом, эксплуатационные проблемы негативно повлияли на прибыль (за счет более высоких расходов на производство единицы) и на выручку (из-за меньшего количества поставленных на рынок микросхем).
SMIC перенаправила от $30 до $75 млн, забрав их из своего бюджета на НИОКР, чтобы разобраться с новым оборудованием. Обычно в SMIC выделяют на НИОКР от 8% до 10% дохода, что соответствует $180-225 млн. Однако поскольку деньги пришлось отправить на настройку и доводку нового оборудования, компании пришлось сократить расходы на НИОКР до $150 млн.
Что касается капитальных расходов, то в SMIC рассчитывают выделить $7.5 млрд в 2025 году на строительство новых производственных мощностей.
В 1q2025 SMIC получила $2.247 млрд (+1.8% кк).
Продажи пластин составили 95,2% от общего объема и выросли почти на 5% кк, что обусловлено ростом продаю 200-м пластин на 18% и ростом продаж 300 мм пластин на 2%. Загрузка фабрики достигла 89,6% что на 4.1% больше, чем в предыдущем квартале. Уровни загрузки на площадках, где производятся пластины 300 мм оставались высокими, тогда как площадки, где производятся 200 мм пластины, соответствовали уровням загрузки характерной для крупных производств.
@RUSmicro
#геополитика #санкции
Tom's Hardware
China's premier chipmaker SMIC faces chip yield woes as equipment maintenance and validation efforts stall
Sanctions finally hit SMIC.
🇪🇺 Производственное оборудование. Нидерланды
ASML ускоряет расширение производства в Нидерландах
Новый кампус компании может быть запущен не в волшебном 2030 году, а уже в 2028.
В 2028 году, как сообщила компания, она планирует перевести сотрудников в новый кампус Brainport Industries невдалеке от Эйндховена. Соответствующее обновление планов было представлено в рамках презентации компании. Об этом рассказывает Tom's hardware.
Ранее планировалось завершить создание и начать обживать новый кампус «около 2030 года или позднее». А теперь сообщается, что первые из дополнительных 20 тысяч сотрудников будут обустраиваться на новых местах уже в 2028 году.
Расширенный кампус добавит 357 тыс. квадратных метров к площадям ASML (примерно 50 футбольных полей). Территорию пересекает река, предусмотрены парковочные места для 4200 велосипедов.
В 2024 году правительство Нидерландов выделило 1.7 млрд евро на содействие этому проекту.
Есть и проблемы, конечно же, по части необходимых мощностей электросети Нидерландов, которая не первый год «скрипит» и едва справляется с текущими потребностями. Есть какая-то проблема, связанная с хранением азота. Решены не все земельные вопросы, пока что выкуплено лишь 80% необходимой земли. И, как обычно в Европе, в любой момент могут «возбудиться» и создать проблемы экологи.
Тем не менее расширение грядет и понятно, что ASML не хочет лишаться технологического лидерства, несмотря на активизацию конкурентов в США, в Японии и в Китае.
@RUSmicro
#производственноеоборудование
ASML ускоряет расширение производства в Нидерландах
Новый кампус компании может быть запущен не в волшебном 2030 году, а уже в 2028.
В 2028 году, как сообщила компания, она планирует перевести сотрудников в новый кампус Brainport Industries невдалеке от Эйндховена. Соответствующее обновление планов было представлено в рамках презентации компании. Об этом рассказывает Tom's hardware.
Ранее планировалось завершить создание и начать обживать новый кампус «около 2030 года или позднее». А теперь сообщается, что первые из дополнительных 20 тысяч сотрудников будут обустраиваться на новых местах уже в 2028 году.
Расширенный кампус добавит 357 тыс. квадратных метров к площадям ASML (примерно 50 футбольных полей). Территорию пересекает река, предусмотрены парковочные места для 4200 велосипедов.
В 2024 году правительство Нидерландов выделило 1.7 млрд евро на содействие этому проекту.
Есть и проблемы, конечно же, по части необходимых мощностей электросети Нидерландов, которая не первый год «скрипит» и едва справляется с текущими потребностями. Есть какая-то проблема, связанная с хранением азота. Решены не все земельные вопросы, пока что выкуплено лишь 80% необходимой земли. И, как обычно в Европе, в любой момент могут «возбудиться» и создать проблемы экологи.
Тем не менее расширение грядет и понятно, что ASML не хочет лишаться технологического лидерства, несмотря на активизацию конкурентов в США, в Японии и в Китае.
@RUSmicro
#производственноеоборудование
Tom's Hardware
ASML accelerates 50-football-fields-size mega expansion plans in the Netherlands
Presentation suggests new campus may be operational by 2028, rather than 2030.
🇨🇳 Технологии упаковки. Производство памяти. Патенты. Китай
Китайская YMTC доминирует в патентах на гибридное соединение, что создает проблемы для Samsung и SK Hynix
Гиганты в области производства памяти, а это, прежде всего, южнокорейские SK Hynix и Samsung Electronics, ускоренно разрабатывают HBM4 и многослойные NAND микросхемы.
Это привлекает повышенный интерес к технологии гибридного соединения чипов (hybrid bonding). Компании усердно патентуют свои разработки. Южнокорейские лидеры Samsung и SK Hynix, по данным ZDNet, на которые ссылается TrendForce, оформили намного меньше патентов, чем китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Об этом сообщает TrendForce.
В итоге теперь уже корейцы платят Китаю за лицензии на технологию гибридного соединения. В частности, Samsung Electronics подписала лицензионное соглашение с YMTC о внедрении технологии гибридного соединения в свои NAND следующего поколения. Говорят, что на этот шаг корейская компания была вынуждена пойти, убедившись в сложностях обхода патентов YMTC.
YMTC, крупнейший производитель NAND в Китае, занимается массовым использованием технологии гибридного склеивания под брендом Xtacking уже около 4 лет. Компания использует метод «от пластины к пластине» (W2W), производя ячейки памяти и периферийные схемы на отдельных пластинах, а затем их склеивая.
По данным ZDNet, YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридными соединениями в период с 2017 по январь 2024 года.
Для сравнения, у Samsung Electronics, которая первые патентные заявки по этой технологии начала оформлять с 2015 года, на январь 2024 года располагала 83-мя патентами. SK hynix, которая начала подавать заявки в 2020 году, раскрыла всего 11.
Южнокорейские компании только сейчас начали активно наращивать усилия в области гибридного соединения. Это позволяет им создавать более тонкие стеки слоя, формировать больше слоев, снижать потери сигнала и повышать выход годных. Эти преимущества особенно важны для SK Hynix, лидирующей в области HBM в мире.
Но и Samsung намерена производить 12-слойные HBM к концу 2025 года, поэтому сейчас в компании ведут активные исследования в этой области. Сообщается, что Samsung работает со своей дочерней структурой Sedaily в области производства оборудования SEMES (технологии TSV и 3D-упаковки).
По данным TrendForce, акцент при производстве HBM все более переключается на передовые технологии упаковки, такие как гибридное соединение. Основные производители рассматривают переход на гибридное соединение в 16-слойных продуктах HBM4 и планируют внедрить эту технологию в 20-слойные HBM5.
@RUSmicro
#патенты #HBM #тренды #гибридноесоединение #упаковка
Китайская YMTC доминирует в патентах на гибридное соединение, что создает проблемы для Samsung и SK Hynix
Гиганты в области производства памяти, а это, прежде всего, южнокорейские SK Hynix и Samsung Electronics, ускоренно разрабатывают HBM4 и многослойные NAND микросхемы.
Это привлекает повышенный интерес к технологии гибридного соединения чипов (hybrid bonding). Компании усердно патентуют свои разработки. Южнокорейские лидеры Samsung и SK Hynix, по данным ZDNet, на которые ссылается TrendForce, оформили намного меньше патентов, чем китайская Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Об этом сообщает TrendForce.
В итоге теперь уже корейцы платят Китаю за лицензии на технологию гибридного соединения. В частности, Samsung Electronics подписала лицензионное соглашение с YMTC о внедрении технологии гибридного соединения в свои NAND следующего поколения. Говорят, что на этот шаг корейская компания была вынуждена пойти, убедившись в сложностях обхода патентов YMTC.
YMTC, крупнейший производитель NAND в Китае, занимается массовым использованием технологии гибридного склеивания под брендом Xtacking уже около 4 лет. Компания использует метод «от пластины к пластине» (W2W), производя ячейки памяти и периферийные схемы на отдельных пластинах, а затем их склеивая.
По данным ZDNet, YMTC раскрыла 119 патентов, связанных с гибридными соединениями в период с 2017 по январь 2024 года.
Для сравнения, у Samsung Electronics, которая первые патентные заявки по этой технологии начала оформлять с 2015 года, на январь 2024 года располагала 83-мя патентами. SK hynix, которая начала подавать заявки в 2020 году, раскрыла всего 11.
Южнокорейские компании только сейчас начали активно наращивать усилия в области гибридного соединения. Это позволяет им создавать более тонкие стеки слоя, формировать больше слоев, снижать потери сигнала и повышать выход годных. Эти преимущества особенно важны для SK Hynix, лидирующей в области HBM в мире.
Но и Samsung намерена производить 12-слойные HBM к концу 2025 года, поэтому сейчас в компании ведут активные исследования в этой области. Сообщается, что Samsung работает со своей дочерней структурой Sedaily в области производства оборудования SEMES (технологии TSV и 3D-упаковки).
По данным TrendForce, акцент при производстве HBM все более переключается на передовые технологии упаковки, такие как гибридное соединение. Основные производители рассматривают переход на гибридное соединение в 16-слойных продуктах HBM4 и планируют внедрить эту технологию в 20-слойные HBM5.
@RUSmicro
#патенты #HBM #тренды #гибридноесоединение #упаковка
[News] China’s YMTC Dominates Hybrid Bonding Patents, Pressuring South Korean Memory Giants Samsung and SK hynix | TrendForce News
As memory giants accelerate development in HBM4 and high-layer NAND, hybrid bonding technology is drawing heightened attention. South Korean leaders S...
🇺🇸 🇹🇼 Производители оборудования. США
Инвестиции TSMC в Аризоне создадут 12 тысяч рабочих мест
Такую цифру назвала Роуз Кастанерес, президент TSMC Аризона. Но это будет после завершения всего объема строительства и выхода фабов на проектные мощности. Тему сегодня обсуждает TrendForce.
Проект TSMC в Аризоне относится к категории «многострадальных». Первые анонсы этого проекта состоялись в 2020 году, когда появился американский Закон о чипах, предусматривающий инвестиционную поддержку компаний, занимающихся развертыванием современных производственных мощностей в США. Включая зарубежные компании.
После того, как правительство США усилило свое давление на руководство тайваньской компании, в марте 2025 года TSMC объявила о дополнительных инвестициях в США в размере $100 млрд еще в 3 фабрики, два упаковочных предприятия и в НИОКР центр в Аризоне.
Как ожидается, это нарастит количество рабочих мест до 12 тысяч после завершения двух инвестиционных фаз, когда все 6 производственных объектов в Аризоне выйдут на серийное производство.
Еще большим будет влияние этих проектов в виде создания рабочих мест партнерами компании, в частности, только в строительстве заказы TSMC поддержат порядка 40 тысяч рабочих мест в ближайшие 4 года.
Стройка, буксовавшая на старте, сейчас идет активно. Первая фабрика уже вышла на этап массового производства в 4q2024. Завершено строительство второй фабрики. Строительство 3-й и 4-й фабрик должно стартовать с конца 2025 года.
Идет процесс загрузки мощностей. В частности, заключен договор с AMD, американская фабрика TSMC скоро начнет производство флагманских чипов в США, впервые в истории AMD.
Кроме того, AMD переводит производство своих чипов 4нм с Samsung Foundry на американские фабрики TSMC.
Компания Nvidia производит чипы Blackwell следующего поколения на фабрике TSMC в Финиксе. Уместно вспомнить о планах Nvidia инвестировать до $500 млрд в производство в США серверов ИИ в ближайшие 4 года.
Ожидается, что другими крупными клиентами американских контрактных фабов TSMC станут Apple, Broadcom, Qualcomm и, возможно, Intel.
@RUSmicro
Инвестиции TSMC в Аризоне создадут 12 тысяч рабочих мест
Такую цифру назвала Роуз Кастанерес, президент TSMC Аризона. Но это будет после завершения всего объема строительства и выхода фабов на проектные мощности. Тему сегодня обсуждает TrendForce.
Проект TSMC в Аризоне относится к категории «многострадальных». Первые анонсы этого проекта состоялись в 2020 году, когда появился американский Закон о чипах, предусматривающий инвестиционную поддержку компаний, занимающихся развертыванием современных производственных мощностей в США. Включая зарубежные компании.
После того, как правительство США усилило свое давление на руководство тайваньской компании, в марте 2025 года TSMC объявила о дополнительных инвестициях в США в размере $100 млрд еще в 3 фабрики, два упаковочных предприятия и в НИОКР центр в Аризоне.
Как ожидается, это нарастит количество рабочих мест до 12 тысяч после завершения двух инвестиционных фаз, когда все 6 производственных объектов в Аризоне выйдут на серийное производство.
Еще большим будет влияние этих проектов в виде создания рабочих мест партнерами компании, в частности, только в строительстве заказы TSMC поддержат порядка 40 тысяч рабочих мест в ближайшие 4 года.
Стройка, буксовавшая на старте, сейчас идет активно. Первая фабрика уже вышла на этап массового производства в 4q2024. Завершено строительство второй фабрики. Строительство 3-й и 4-й фабрик должно стартовать с конца 2025 года.
Идет процесс загрузки мощностей. В частности, заключен договор с AMD, американская фабрика TSMC скоро начнет производство флагманских чипов в США, впервые в истории AMD.
Кроме того, AMD переводит производство своих чипов 4нм с Samsung Foundry на американские фабрики TSMC.
Компания Nvidia производит чипы Blackwell следующего поколения на фабрике TSMC в Финиксе. Уместно вспомнить о планах Nvidia инвестировать до $500 млрд в производство в США серверов ИИ в ближайшие 4 года.
Ожидается, что другими крупными клиентами американских контрактных фабов TSMC станут Apple, Broadcom, Qualcomm и, возможно, Intel.
@RUSmicro
[News] TSMC’s $165B Arizona Investment to Create 12,000 Jobs Once All Facilities Are Operational | TrendForce News
According to Commercial Times, citing Wccftech, Rose Castanares, president of TSMC Arizona, recently stated in an interview with Axios that TSMC’s tot...
🇹🇼 Техпроцессы 14А. Тайвань
Тайваньская TSMC планирует начать производство пластин по техпроцессу 1.4 нм в 2028 году
TSMC на сегодня возглавляет технологическую гонку. С мая 2025 года TSMC принимает заказы на производство пластин по техпроцессу 2 нм. Apple, предположительно, станет первым получателем готовых пластин по этой технологии. Об этом пишет wccftech.
Кроме того, тайваньской TSMC потребуется не менее 3 лет для освоения производства нового узла A14.
Ранее о планах движения к узлу A14 объявляли Intel и Samsung Electronics. Но недавно Samsung объявила, что отказывается от разработки собственной технологии A14, причины названы не были. В Rapidus планы перехода к A14 пока не привязаны к временным ориентирам, компания заявила лишь, что, если освоение ею техпроцесса 2нм пройдет без проблем, она построит фаб под А14. Планы Intel на 14А выглядят более серьезно. Компания в конце апреля 2025 года поделилась показателями производительности своего будущего узла 14A, планируемого к выпуску в 2027 году. Одно из основных вероятных улучшений – снижение энергопотребления вплоть до 35%.
С другой стороны, после этого сообщалось, что компания Samsung создала команду, сосредоточенную на разработке чипов 1 нм с планами перехода к массовому производству в 2029 году. Если Samsung выдержит этот график, это может создать некоторую конкуренцию для TSMC, по крайней мере, собьет цены на продукцию тайваньской компании.
Узлы A14 TSMC обещают 15-процентное повышение производительности и 30-процентное снижение энергопотребления.
Пока что нет информации о том, какой клиент намекнул на то, что первым разместит заказы на эти чипы. Можно предположить, вслед за wccftech, что тесные взаимоотношения Apple с TSMC могут сделать эту сделку реальностью.
Кроме того, TSMC собирается представить технологию упаковки следующего поколения, которая объединит множество чипов с различными функциями в одном корпусе. Производство таких чипов начнется в 2027 году.
@RUSmicro
#A14
Тайваньская TSMC планирует начать производство пластин по техпроцессу 1.4 нм в 2028 году
TSMC на сегодня возглавляет технологическую гонку. С мая 2025 года TSMC принимает заказы на производство пластин по техпроцессу 2 нм. Apple, предположительно, станет первым получателем готовых пластин по этой технологии. Об этом пишет wccftech.
Кроме того, тайваньской TSMC потребуется не менее 3 лет для освоения производства нового узла A14.
Ранее о планах движения к узлу A14 объявляли Intel и Samsung Electronics. Но недавно Samsung объявила, что отказывается от разработки собственной технологии A14, причины названы не были. В Rapidus планы перехода к A14 пока не привязаны к временным ориентирам, компания заявила лишь, что, если освоение ею техпроцесса 2нм пройдет без проблем, она построит фаб под А14. Планы Intel на 14А выглядят более серьезно. Компания в конце апреля 2025 года поделилась показателями производительности своего будущего узла 14A, планируемого к выпуску в 2027 году. Одно из основных вероятных улучшений – снижение энергопотребления вплоть до 35%.
С другой стороны, после этого сообщалось, что компания Samsung создала команду, сосредоточенную на разработке чипов 1 нм с планами перехода к массовому производству в 2029 году. Если Samsung выдержит этот график, это может создать некоторую конкуренцию для TSMC, по крайней мере, собьет цены на продукцию тайваньской компании.
Узлы A14 TSMC обещают 15-процентное повышение производительности и 30-процентное снижение энергопотребления.
Пока что нет информации о том, какой клиент намекнул на то, что первым разместит заказы на эти чипы. Можно предположить, вслед за wccftech, что тесные взаимоотношения Apple с TSMC могут сделать эту сделку реальностью.
Кроме того, TSMC собирается представить технологию упаковки следующего поколения, которая объединит множество чипов с различными функциями в одном корпусе. Производство таких чипов начнется в 2027 году.
@RUSmicro
#A14
Wccftech
TSMC Plans To Commence 1.4nm Wafer Production In 2028, With The Advanced Lithography Delivering As Much As Up To 30 Percent Performance…
After 2nm wafers, TSMC states that it will start 1.4nm production in 2028, with the new technology intended to deliver outstanding attributes
🇨🇳 Чипы ИИ. Китай
HiSilicon Ascend 910D AI от Huawei, чего от него ожидать?
Как ожидается, этот ИИ-ускоритель следующего поколения сможет показать более высокую производительность, чем уже сравнительно старый H100 Nvidia, сообщает Reuters. Китайская новинка будет уступать графическим процессорам Blackwell B200 и Blackwell Ultra B300 Nvidia, не говоря уже о процессорах Rubin следующего поколения, выход которых ожидается в 2026 году. Подробности – от Tom’s hardware.
Однако подход Huawei, подразумевающий создание наборов (pods) из сотен процессоров, должен позволить Ascend 910D конкурировать с модулями на основе графических процессоров Blackwell и будущих графических процессоров Rubin Nvidia.
Huawei готовится начать испытания процессора ИИ Ascend 910D с тем, чтобы превзойти производительность процессора H100 Nvidia и предложить отечественную альтернативу в условиях экспортных ограничений США. По данным источников, Huawei обратилась к нескольким местным компаниям, чтобы оценить, соответствует ли новый чип Ascend 910D требованиям производительности и развертывания. Первые образцы ожидаются к концу мая.
Кроме того, в Huawei планируют начать крупномасштабные отгрузки двухчиповых процессоров Ascend 910C AI китайским клиентам в июне 2025. Это те самые процессоры, что удалось выпустить на TSMC, оформив заказ через стороннюю компанию.
В отношении Ascend 910D сохраняется неизвестность – будут ли новые чипы производиться на мощностях SMIC или в Huawei вновь найдут способ обойти санкции США.
Достижения уровня производительности Huawei H100 будет непростым делом для Huawei. Двухчиповый Ascend 910C обеспечивает производительность около 780 BF16 TFLOPS, тогда как H100 выдает около 2000 BF16 TFLOPS. Чтобы достичь уровня производительности H100, Huawei придется перепроектировать архитектуру Ascend 910D и, возможно, нарастить количество вычислительных чиплетов. (..)
HiSilicon Ascend 910D AI от Huawei, чего от него ожидать?
Как ожидается, этот ИИ-ускоритель следующего поколения сможет показать более высокую производительность, чем уже сравнительно старый H100 Nvidia, сообщает Reuters. Китайская новинка будет уступать графическим процессорам Blackwell B200 и Blackwell Ultra B300 Nvidia, не говоря уже о процессорах Rubin следующего поколения, выход которых ожидается в 2026 году. Подробности – от Tom’s hardware.
Однако подход Huawei, подразумевающий создание наборов (pods) из сотен процессоров, должен позволить Ascend 910D конкурировать с модулями на основе графических процессоров Blackwell и будущих графических процессоров Rubin Nvidia.
Huawei готовится начать испытания процессора ИИ Ascend 910D с тем, чтобы превзойти производительность процессора H100 Nvidia и предложить отечественную альтернативу в условиях экспортных ограничений США. По данным источников, Huawei обратилась к нескольким местным компаниям, чтобы оценить, соответствует ли новый чип Ascend 910D требованиям производительности и развертывания. Первые образцы ожидаются к концу мая.
Кроме того, в Huawei планируют начать крупномасштабные отгрузки двухчиповых процессоров Ascend 910C AI китайским клиентам в июне 2025. Это те самые процессоры, что удалось выпустить на TSMC, оформив заказ через стороннюю компанию.
В отношении Ascend 910D сохраняется неизвестность – будут ли новые чипы производиться на мощностях SMIC или в Huawei вновь найдут способ обойти санкции США.
Достижения уровня производительности Huawei H100 будет непростым делом для Huawei. Двухчиповый Ascend 910C обеспечивает производительность около 780 BF16 TFLOPS, тогда как H100 выдает около 2000 BF16 TFLOPS. Чтобы достичь уровня производительности H100, Huawei придется перепроектировать архитектуру Ascend 910D и, возможно, нарастить количество вычислительных чиплетов. (..)
(2)
Чтобы оставаться конкурентоспособной на рынке ИИ в 2026 году, Huawei должна попытаться достичь производительности, сопоставимой с производительностью кластеров ИИ, разработанных в США. Это не невозможно. В 2025 году компания представила систему CloudMatrix 384 c 384 процессорами Ascend 910C. Сообщается, что она может превзойти GB200 NVL72 от Nvidia на некоторых рабочих нагрузках, но при более высоком энергопотреблении из-за значительно меньшей производительности на ватт. Для этого Huawei придется ставить в стойку в 5 раз больше своих «процессоров ИИ», чем стоит в стойке NVL72 процессоров Nvidia. Пока что нет ясности, получится ли масштабировать межсоединения до необходимого количества.
Без доступа к передовым технологическим процессам, Huawei будет сложно сохранить конкурентоспособность в 2026 году. Nvidia уверенно движется к официальному представлению своих GPU под кодовым названием Rubin для ИИ и высокопроизводительных вычислений в 2026 году. GPU Rubin, как ожидается, будут производиться по техпроцессу N3 (или более совершенному). От них ожидается более высокая производительность на ватт, чем у Blackwell.
Планируется, что графические процессоры Rubin будут обеспечивать около 8300 TFLOPS при обучении FP8 и, предположительно, где-то около 4000+ TFLOPS в FP16, то есть примерно вдвое больше производительности B200. Системы Huawei Ascend 910D и CloudMatrix следующего поколения с 384 такими процессорами теоретически могут обеспечить конкурентоспособную производительность ИИ на уровне стойки.
Однако еще предстоит выяснить, какие преимущества производительности предложат GPU Ascend 910D Huawei и Rubin Nvidia по сравнению с существующими предложениями. Также следует отметить, что Nvidia вряд ли сможет продавать свои Rubin в Китае, поэтому на китайском рынке у решений Huawei не будет конкурентов.
Независимо от производительности или эффективности, процессоры Ascend 910D от Huawei, скорее всего, станут «рабочими лошадками» Китая, когда речь пойдет об обучении ИИ в ближайшие годы. Учитывая стратегическую важность ИИ, энергопотребление Ascend 910D (или любого другого отечественного процессора ИИ) не будет ограничивающим фактором, поскольку количество развернутых блоков может компенсировать эффективность процессоров ИИ от Nvidia (или AMD, Intel, Broadcom и т.д.).
Основным ограничивающим фактором для Китая станет его способность производить достаточное количество процессоров – либо внутри страны, либо за рубежом с использованием компаний-посредников.
@RUSmicro
#ИИчипы
Чтобы оставаться конкурентоспособной на рынке ИИ в 2026 году, Huawei должна попытаться достичь производительности, сопоставимой с производительностью кластеров ИИ, разработанных в США. Это не невозможно. В 2025 году компания представила систему CloudMatrix 384 c 384 процессорами Ascend 910C. Сообщается, что она может превзойти GB200 NVL72 от Nvidia на некоторых рабочих нагрузках, но при более высоком энергопотреблении из-за значительно меньшей производительности на ватт. Для этого Huawei придется ставить в стойку в 5 раз больше своих «процессоров ИИ», чем стоит в стойке NVL72 процессоров Nvidia. Пока что нет ясности, получится ли масштабировать межсоединения до необходимого количества.
Без доступа к передовым технологическим процессам, Huawei будет сложно сохранить конкурентоспособность в 2026 году. Nvidia уверенно движется к официальному представлению своих GPU под кодовым названием Rubin для ИИ и высокопроизводительных вычислений в 2026 году. GPU Rubin, как ожидается, будут производиться по техпроцессу N3 (или более совершенному). От них ожидается более высокая производительность на ватт, чем у Blackwell.
Планируется, что графические процессоры Rubin будут обеспечивать около 8300 TFLOPS при обучении FP8 и, предположительно, где-то около 4000+ TFLOPS в FP16, то есть примерно вдвое больше производительности B200. Системы Huawei Ascend 910D и CloudMatrix следующего поколения с 384 такими процессорами теоретически могут обеспечить конкурентоспособную производительность ИИ на уровне стойки.
Однако еще предстоит выяснить, какие преимущества производительности предложат GPU Ascend 910D Huawei и Rubin Nvidia по сравнению с существующими предложениями. Также следует отметить, что Nvidia вряд ли сможет продавать свои Rubin в Китае, поэтому на китайском рынке у решений Huawei не будет конкурентов.
Независимо от производительности или эффективности, процессоры Ascend 910D от Huawei, скорее всего, станут «рабочими лошадками» Китая, когда речь пойдет об обучении ИИ в ближайшие годы. Учитывая стратегическую важность ИИ, энергопотребление Ascend 910D (или любого другого отечественного процессора ИИ) не будет ограничивающим фактором, поскольку количество развернутых блоков может компенсировать эффективность процессоров ИИ от Nvidia (или AMD, Intel, Broadcom и т.д.).
Основным ограничивающим фактором для Китая станет его способность производить достаточное количество процессоров – либо внутри страны, либо за рубежом с использованием компаний-посредников.
@RUSmicro
#ИИчипы
🇷🇺 Параллельные вычисления. Экосистемы. Россия
Борис Бабаян обещает создать чип на новой архитектуре Эльбрус-Б к 2027 году
Об этом сообщалось на Стратегической сессии пространства экономического сотрудничества. Сегодня об этом рассказывает CNews.
Основная особенность новой архитектуры – параллельные вычисления. Разработать предстоит алгоритмический язык Эль-22, ОС и аппаратную архитектуру микропроцессора. По задумке, это будет открытая архитектура. За разработкой стоят Борис и Евгений Бабаян. Больше подробностей – в оригинале публикации.
Ключевое утверждение – «Архитектура параллельной системы позволяет обеспечить мощность в 30-200 раз большую, чем зарубежные аналоги на аналогичных технологических нормах». В частности, потенциальные возможности микропроцессора Эльбрус-Б по техпроцессу 90нм должна оказаться сопоставимой с мощностью по технологии 14нм.
А если когда-либо дело дойдет до выпуска Эльбрус-Б по техпроцессу 5нм, его мощность «вообще вряд ли будет достигнута когда-либо на зарубежных архитектурах».
Отмечу, что проект не связан с компанией МЦСТ.
Основная проблема этой разработки – создать востребованную и рабочую экосистему, которая есть, например, у ARM и RISC-V. Помочь российскому проекту может геополитическая ситуация – интерес к новой разработке может быть у стран, которые не хотят высокой зависимости от США в сфере ИИ. Например, Индия, с которой в рамках этого проекта были подписаны некие соглашения «на $2 млрд».
@RUSmicro
#ЭльбрусБ
Борис Бабаян обещает создать чип на новой архитектуре Эльбрус-Б к 2027 году
Об этом сообщалось на Стратегической сессии пространства экономического сотрудничества. Сегодня об этом рассказывает CNews.
Основная особенность новой архитектуры – параллельные вычисления. Разработать предстоит алгоритмический язык Эль-22, ОС и аппаратную архитектуру микропроцессора. По задумке, это будет открытая архитектура. За разработкой стоят Борис и Евгений Бабаян. Больше подробностей – в оригинале публикации.
Ключевое утверждение – «Архитектура параллельной системы позволяет обеспечить мощность в 30-200 раз большую, чем зарубежные аналоги на аналогичных технологических нормах». В частности, потенциальные возможности микропроцессора Эльбрус-Б по техпроцессу 90нм должна оказаться сопоставимой с мощностью по технологии 14нм.
А если когда-либо дело дойдет до выпуска Эльбрус-Б по техпроцессу 5нм, его мощность «вообще вряд ли будет достигнута когда-либо на зарубежных архитектурах».
Отмечу, что проект не связан с компанией МЦСТ.
Основная проблема этой разработки – создать востребованную и рабочую экосистему, которая есть, например, у ARM и RISC-V. Помочь российскому проекту может геополитическая ситуация – интерес к новой разработке может быть у стран, которые не хотят высокой зависимости от США в сфере ИИ. Например, Индия, с которой в рамках этого проекта были подписаны некие соглашения «на $2 млрд».
@RUSmicro
#ЭльбрусБ
🇲🇾 Геополитика и микроэлектроника. GPU. Малайзия
Импорт GPU в Малайзию вырос на 3400% в 2025 году, что вызывает тревогу из-за возможной контрабанды
В Малайзии зафиксирован беспрецедентный всплеск импорта GPU, согласно данным, предоставленным Управлением международной торговли Тайваня. Об этом пишет Tom’s hardware со ссылкой на сообщение в социальной сети пользователя kakashiii111. Несмотря на просьбы правительства США к Малайзии усилить контроль за экспортом в Китай высокотехнологичных продуктов, в апреле импорт GPU составил $2.74 млрд, что на 3400% больше, чем в 2023 году. То есть Малайзия за первые 4 месяца 2025 года импортировала графические процессоры на сумму около $6,45 млрд, что превышает суммарный объем продаж в 2024 году. Об этом сообщает Tom’s hardware.
Это не может не вызвать опасения – не занимаются ли некоторые покупатели перепродажей GPU Nvidia из Малайзии на китайский рынок, несмотря на ограничения, установленные США.
В апреле были получены аналогичные данные по вычислительным системам – экспорт такой техники из Тайваня в Малайзию в марте вырос до $1.87 млрд, что на 366% больше, чем годом ранее и на 55 117% больше относительно марта 2023 года.
Конечно, пока не доказано обратное, можно предположить, например, что Малайзия накапливает оборудование для реализации собственных амбиций в области облачного ИИ. Но все же куда более вероятной представляется идея, что Малайзия стала хабом для китайских покупателей, пытающихся обойти американские санкции.
Nvidia может не раскрывать фактический объем GPU в Малайзию. Это связано с новым методом отчетности, который регистрирует доход на основе местоположения офиса, выставившего счет, не физического назначения товара. Это вызывает вопросы к прозрачности бизнеса и может привести к конфликту с регулирующими органами США, особенно на фоне ужесточения экспортного контроля поставок в Китай и другие страны Юго-Восточной Азии.
@RUSmicro, картинка - kakashiii111
#геополитика
Импорт GPU в Малайзию вырос на 3400% в 2025 году, что вызывает тревогу из-за возможной контрабанды
В Малайзии зафиксирован беспрецедентный всплеск импорта GPU, согласно данным, предоставленным Управлением международной торговли Тайваня. Об этом пишет Tom’s hardware со ссылкой на сообщение в социальной сети пользователя kakashiii111. Несмотря на просьбы правительства США к Малайзии усилить контроль за экспортом в Китай высокотехнологичных продуктов, в апреле импорт GPU составил $2.74 млрд, что на 3400% больше, чем в 2023 году. То есть Малайзия за первые 4 месяца 2025 года импортировала графические процессоры на сумму около $6,45 млрд, что превышает суммарный объем продаж в 2024 году. Об этом сообщает Tom’s hardware.
Это не может не вызвать опасения – не занимаются ли некоторые покупатели перепродажей GPU Nvidia из Малайзии на китайский рынок, несмотря на ограничения, установленные США.
В апреле были получены аналогичные данные по вычислительным системам – экспорт такой техники из Тайваня в Малайзию в марте вырос до $1.87 млрд, что на 366% больше, чем годом ранее и на 55 117% больше относительно марта 2023 года.
Конечно, пока не доказано обратное, можно предположить, например, что Малайзия накапливает оборудование для реализации собственных амбиций в области облачного ИИ. Но все же куда более вероятной представляется идея, что Малайзия стала хабом для китайских покупателей, пытающихся обойти американские санкции.
Nvidia может не раскрывать фактический объем GPU в Малайзию. Это связано с новым методом отчетности, который регистрирует доход на основе местоположения офиса, выставившего счет, не физического назначения товара. Это вызывает вопросы к прозрачности бизнеса и может привести к конфликту с регулирующими органами США, особенно на фоне ужесточения экспортного контроля поставок в Китай и другие страны Юго-Восточной Азии.
@RUSmicro, картинка - kakashiii111
#геополитика
🇺🇸 Регулирование и микроэлектроника. США
Гадания на тарифах – как новые тарифы могут повлиять на стоимость строительства фабрик TSMC в США
Период публичного обсуждения Министерством торговли США предлагаемых тарифов на полупроводники завершился 7 мая. Теперь отрасль готовится к тарифам, которые могут вступить в силу уже в конце июня 2025 года. Об этом пишет TrendForce.
Ссылаясь на данные Ассоциации полупроводниковой индустрии (SIA), повышение ставок пошлин на 1% на сырье для производства полупроводников может повысить общую стоимость строительства фабрики на 0.64%.
То есть при инвестициях в $100 млрд, запланированных TSMC, и тарифном сценарии в 10%, придется доинвестировать еще $6.4 млрд, чтобы получить тот же результат инвестирования.
При этом строительство и эксплуатация фабрик в США уже на 30%-50% дороже, чем в Азии – оценка SIA. Тарифы на оборудование и материалы еще больше нарастят этот разрыв.
По оценкам SIA, повышение цены чипа на $1 приведет к повышению цены на конечный продукт на $3, чтобы удержать существующую норму прибыли.
Более всего пострадают от тарифов производители чипов на основе зрелых узлов. На их долю приходится 80% мирового объема производства, но они приносят лишь около 40% дохода. Тем не менее, именно эти чипы поддерживают отрасли с объемом продукции более $10,8 трлн, что делает рост тарифов на полупроводники одной из наиболее разрушительных сил в глобальной технологической экосистеме.
В Commercial Times предполагают, что «команда Т» может ввести высокие тарифы на импортные чипы, ставки могут оказаться в диапазоне от 25% до 100%. Вероятно, что тарифы будут привязаны к «wafer-out», то есть физическому месту, где производятся пластины, а не к местоположению штаб-квартиры компании.
До какой-то степени это сейчас гадание на кофейной гуще, т.к. все уже могли заметить, что современная американская политика подвержена резким сменам курса. У меня, например, есть ощущение, что тарифная война с Китаем, скорее, проиграна США, и тема будет «спущена на тормозах». И даже если тарифы появятся и будут значительными, то найдется множество полуофициальных лазеек их обхода.
@RUSmicro
#импортэкспорт
Гадания на тарифах – как новые тарифы могут повлиять на стоимость строительства фабрик TSMC в США
Период публичного обсуждения Министерством торговли США предлагаемых тарифов на полупроводники завершился 7 мая. Теперь отрасль готовится к тарифам, которые могут вступить в силу уже в конце июня 2025 года. Об этом пишет TrendForce.
Ссылаясь на данные Ассоциации полупроводниковой индустрии (SIA), повышение ставок пошлин на 1% на сырье для производства полупроводников может повысить общую стоимость строительства фабрики на 0.64%.
То есть при инвестициях в $100 млрд, запланированных TSMC, и тарифном сценарии в 10%, придется доинвестировать еще $6.4 млрд, чтобы получить тот же результат инвестирования.
При этом строительство и эксплуатация фабрик в США уже на 30%-50% дороже, чем в Азии – оценка SIA. Тарифы на оборудование и материалы еще больше нарастят этот разрыв.
По оценкам SIA, повышение цены чипа на $1 приведет к повышению цены на конечный продукт на $3, чтобы удержать существующую норму прибыли.
Более всего пострадают от тарифов производители чипов на основе зрелых узлов. На их долю приходится 80% мирового объема производства, но они приносят лишь около 40% дохода. Тем не менее, именно эти чипы поддерживают отрасли с объемом продукции более $10,8 трлн, что делает рост тарифов на полупроводники одной из наиболее разрушительных сил в глобальной технологической экосистеме.
В Commercial Times предполагают, что «команда Т» может ввести высокие тарифы на импортные чипы, ставки могут оказаться в диапазоне от 25% до 100%. Вероятно, что тарифы будут привязаны к «wafer-out», то есть физическому месту, где производятся пластины, а не к местоположению штаб-квартиры компании.
До какой-то степени это сейчас гадание на кофейной гуще, т.к. все уже могли заметить, что современная американская политика подвержена резким сменам курса. У меня, например, есть ощущение, что тарифная война с Китаем, скорее, проиграна США, и тема будет «спущена на тормозах». И даже если тарифы появятся и будут значительными, то найдется множество полуофициальных лазеек их обхода.
@RUSmicro
#импортэкспорт
[News] Chip Tariffs Could Hit by Late June: What’s the Impact on Fab Construction Costs and TSMC? | TrendForce News
The U.S. Department of Commerce’s public comment period on proposed semiconductor tariffs closed on May 7. Notably, according to Commercial Times, maj...
🇷🇺 Производство микросхем. Реестровые. Россия
Еще 6 микросхем 1-го уровня производства Микрон внесены в реестр российской продукции
6 ИС 1-го уровня производства Микрона (ГК Элемент, резидент ОЭЗ Технополис Москва) включены в реестр российской промышленной продукции и в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции.
Все микросхемы произведены и корпусированы на заводе Микрон и соответствуют требованиям к локализации производства.
О каких новинках идет речь:
🔹 стабилизатор напряжения К5361ЕФ1Т
🔹 полудуплексный трансивер малой мощности К5361ВВ1Т
🔹 прецизионные регулируемые источники опорного напряжения (регулируемые прецизионные шунтирующие стабилизаторы): К5011ЕР1Т, К5011ЕР1АТ, К5011ЕР2Т, К5011ЕР2АТ), которые применяют в автопроме, системах связи и навигации, высокоскоростных интерфейсах, приборах учета, промышленном оборудовании.
Всего в реестре российской промышленной продукции в соответствии с ПП №719 представлены 46 изделий Микрон.
@RUSmicro
#реестровые
Еще 6 микросхем 1-го уровня производства Микрон внесены в реестр российской продукции
6 ИС 1-го уровня производства Микрона (ГК Элемент, резидент ОЭЗ Технополис Москва) включены в реестр российской промышленной продукции и в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции.
Все микросхемы произведены и корпусированы на заводе Микрон и соответствуют требованиям к локализации производства.
О каких новинках идет речь:
🔹 стабилизатор напряжения К5361ЕФ1Т
🔹 полудуплексный трансивер малой мощности К5361ВВ1Т
🔹 прецизионные регулируемые источники опорного напряжения (регулируемые прецизионные шунтирующие стабилизаторы): К5011ЕР1Т, К5011ЕР1АТ, К5011ЕР2Т, К5011ЕР2АТ), которые применяют в автопроме, системах связи и навигации, высокоскоростных интерфейсах, приборах учета, промышленном оборудовании.
Всего в реестре российской промышленной продукции в соответствии с ПП №719 представлены 46 изделий Микрон.
@RUSmicro
#реестровые
🇷🇺 Образование. Калининградская область
GS Group и Алферовский университет проведут с 23 по 26 июня Летнюю школу по микроэлектроники - в Калининградской области на территории Технополис GS.
В ее работе смогут принять студенты, аспиранты и молодые ученые, осталось 2 дня и 9 мест.
Обещаны бесплатное участие и проживание, лекции ученых и ведущих специалистов, включая академиков РАН, ученых Алферовского университета и БФУ им. Канта. Тренинг по коммерциализации научных идей от GS Nanotech. Экскурсии по предприятиям GS Group. Возможность представить свои научные достижения. Нетворкинг. Сборник тезисов по итогам конференции.
Проезд до Калининграда - за счет "направляющей стороны". От аэропорта Храброво и до аэропорта Храброво об участниках обещают позаботиться бесплатно.
Извините за поздний анонс, дедлайн - 15 мая. Ссылку не привожу, чтобы этот текст не посчитали рекламой, найти GS Group - несложно.
#образование
GS Group и Алферовский университет проведут с 23 по 26 июня Летнюю школу по микроэлектроники - в Калининградской области на территории Технополис GS.
В ее работе смогут принять студенты, аспиранты и молодые ученые, осталось 2 дня и 9 мест.
Обещаны бесплатное участие и проживание, лекции ученых и ведущих специалистов, включая академиков РАН, ученых Алферовского университета и БФУ им. Канта. Тренинг по коммерциализации научных идей от GS Nanotech. Экскурсии по предприятиям GS Group. Возможность представить свои научные достижения. Нетворкинг. Сборник тезисов по итогам конференции.
Проезд до Калининграда - за счет "направляющей стороны". От аэропорта Храброво и до аэропорта Храброво об участниках обещают позаботиться бесплатно.
Извините за поздний анонс, дедлайн - 15 мая. Ссылку не привожу, чтобы этот текст не посчитали рекламой, найти GS Group - несложно.
#образование