조기주식회 공부방

이오테크닉스: 주가 급등의 배경

■ 금일 주가 상승의 배경

- 삼성전자는 금번 실적 발표에서 HBM 투자 확대와 경쟁력 강화 등을 강조했습니다. 이에, 삼성전자 HBM 관련 Value Chain 위주로 주가 강세가 나타나고 있습니다. 이오테크닉스도 관련 수혜 가능성이 부각되며 금일 주가가 27% 상승했습니다.

■ 앞으로의 HBM 기술 개발 방향성

- AI 서버에서 HBM이 필요한 목적은 결국 데이터의 빠른 처리에 있으며, 이를 위해 향후 HBM의 고용량화 추세는 지속될 것이라 생각합니다.

- HBM의 고용량화 방향성은 크게 2가지로 분류됩니다. 모노다이의 용량을 높이는 방안이 있고, HBM의 적층단수를 높이는 방안이 있습니다. 내년 삼성전자의 기술 개발 방향성은 적층단수 확대에 있을 것이라 생각합니다.

■ HBM의 적층단수가 확대되면 공정상에는 어떤 변화가 나타날까?

- HBM의 적층단수가 확대되더라도 칩의 높이가 높아지긴 어렵습니다. HBM은 앞으로 8단을 너머 12단, 16단으로 기술 발전이 이뤄질 예정이고, 이와 같이 적층단수가 확대되더라도 HBM 전체 높이는 현 높이에서 추가로 높아지긴 어렵습니다. AI GPU와 단차가 발생하면 안 되기에 칩 간격은 줄어들어야 합니다.

■ 칩 높이를 낮추는 방법 중 하나는 웨이퍼의 두께 축소입니다

- 후공정에선 웨이퍼를 칩 단위로 분할 (Singulation/Dicing 공정) 전, 통상적으로 웨이퍼의 후면을 갈아주는 Backgrinding 공정을 거치게 됩니다.

- 개별 칩의 높이를 낮추려면 Backgrinding 공정에서 웨이퍼를 더 많이 갈아줘야 합니다.

- 이렇게 웨이퍼의 두께가 얇아지면 결국 Singulation/Dicing 공정에서도 변화가 나타나야 합니다. 향후 웨이퍼의 두께가 얇아짐에 따라 기존 Blade Dicing 방법에서 벗어나 레이저 그루빙 + Blade Dicing, 레이저 스텔스 다이싱 등이 활용될 것으로 예상합니다.

- 비메모리반도체에서 나타날 변화: 2.5D Packaging (TSMC의 CoWoS 등)에서 나타날 Singulation/Dicing 방법의 변화는 레이저 그루빙 + Blade Dicing입니다. 레이저로 홈을 파고, 물리적으로 톱질을 해주는 방식입니다.

- 메모리반도체에서 나타날 변화: 레이저 스텔스 다이싱이 적용될 가능성이 있습니다.

■ 이오테크닉스의 수혜 가능 영역

- 웨이퍼 두께 축소에 따라 레이저 그루빙, 레이저 스텔스 다이싱, UV Driller 등에서 수혜를 볼 수 있습니다.

- 삼성전자가 HBM 투자 확대를 본격화하고 있는 만큼 그간 상대적으로 소외되어 있던 삼성전자 HBM Value Chain으로 무게의 추가 조금씩 옮겨질 수 있고, 관련 영역에서 이오테크닉스가 부각받을 수 있다는 판단입니다.

(2023/07/27 공표자료)

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