LPW DRAM（Low Power Wide I/O DRAM）是移动 HBM 的一种技术形态。该技术通过将常规 LPDDR DRAM 堆叠 8 层或 12 层来提高数据吞吐量，并具有低功耗的优势。
因尺寸较小，LPW DRAM并不适用于与 HBM 相同的 TSV（硅通孔） 连接方案；同时，HBM 制造工艺的高成本及低良率特性，也无法满足高产能移动 DRAM 的需求。因此，三星电子和 SK 海力士分别采用了VCS（垂直铜柱堆叠）和 VFO（垂直线扇出）来替代。

《科创板日报》5日讯，用于生产下一代“Panther Lake”、被英特尔寄予厚望的“翻身仗”制程Intel 18A良率偏低。两位知情人士称，自去年年底以来，通过18A工艺生产的PantherLake芯片中，仅有5%左右可以提供给客户。今年夏天，这一比例升至约10%，但仍远低于英特尔的量产门槛。当前良率水平远不足以支撑Panther Lake的盈利量产，若无法大幅提升，英特尔可能被迫以低利润率或亏损价销售该芯片。 (路透)

后续行动：Boudih 认为，自己并非唯一受害者，AWS 不能用脚本化回复敷衍客户。目前，他正在开发一款免费工具，帮助用户“撤离 AWS”；同时，他正引导每月 AWS 账单达 40 万美元（IT之家注：现汇率约合 287.2 万元人民币）的客户迁移至 Oracle OCI、Azure 和 Google Cloud 等服务。

根据《日经亚洲》报导，根据知情人士透露，多名已离职员工在任职期间涉嫌非法取得台积电最先进的2纳米制程技术资料，该制程为目前全球半导体产业中技术门槛最高的关键技术，预计将于今年底进入量产阶段，攸关台积电的核心竞争力与台湾半导体产业的国际领先地位。

检方表示，台积电前员工陈姓男子与在职员工吴姓男子等人，涉嫌非法取得营业秘密，7月间发动侦查行动，依违反国安法向法院声押禁见陈男等3人获准。

台积电已经向检方通报此事，并表示在例行的内部监控中发现涉事人员「可能外泄商业机密」后，已经对涉事员工采取法律行动。报导指出，调查人员也搜索东京威力科创位在台湾的办公室。

检方拒绝说明为何在调查中搜索东京威力科创的办公室；身为台积电供应商的东京威力科创表示不予置评。